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Saedon, Juri B., Siti Musalmah Md Ibrahim, Amir Radzi Abd Ghani et Muhammad Hafizi Bin Abd Razak. « Dicing Characterization on Optical Silicon Wafer Waveguide ». Applied Mechanics and Materials 899 (juin 2020) : 163–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.899.163.
Texte intégralKoolen, M. C. A. M. « On-wafer high-frequency device characterization ». Microelectronic Engineering 19, no 1-4 (septembre 1992) : 679–86. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(92)90521-r.
Texte intégralLau, J. H., P.-J. Tzeng, C.-K. Lee, C.-J. Zhan, M.-J. Dai, Li Li, C.-T. Ko et al. « Wafer Bumping and Characterizations of Fine-Pitch Lead-Free Solder Microbumps on 12” (300mm) wafer for 3D IC Integration ». International Symposium on Microelectronics 2011, no 1 (1 janvier 2011) : 000650–56. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2011-wa6-paper2.
Texte intégralTeixeira, Jorge, Mário Ribeiro et Nélson Pinho. « Advanced warpage characterization for FOWLP ». International Symposium on Microelectronics 2013, no 1 (1 janvier 2013) : 000641–46. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2013-wp21.
Texte intégralKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav et Kurt Hingerl. « Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization ». ECS Transactions 112, no 3 (29 septembre 2023) : 159–72. http://dx.doi.org/10.1149/11203.0159ecst.
Texte intégralDeleniv, Anatoly, Andrei Vorobiev et Spartak Gevorgian. « On-Wafer Characterization of Varactor Using Resonating Microprobes ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 56, no 5 (mai 2008) : 1105–11. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2008.921283.
Texte intégralLaskar, J., J. J. Bautista, M. Nishimoto, M. Hamai et R. Lai. « Development of accurate on-wafer, cryogenic characterization techniques ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 44, no 7 (juillet 1996) : 1178–83. http://dx.doi.org/10.1109/22.508659.
Texte intégralMoore, B., M. Margala et C. Backhouse. « Design of wireless on-wafer submicron characterization system ». IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 13, no 2 (février 2005) : 169–80. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2004.840780.
Texte intégralCHEN, CHIH-HUNG. « ACCURACY ISSUES OF ON-WAFER MICROWAVE NOISE MEASUREMENTS ». Fluctuation and Noise Letters 08, no 03n04 (décembre 2008) : L281—L303. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477508005136.
Texte intégralSeong, Inho, Jinho Lee, Sijun Kim, Youngseok Lee, Chulhee Cho, Jangjae Lee, Wonnyoung Jeong, Yebin You et Shinjae You. « Characterization of an Etch Profile at a Wafer Edge in Capacitively Coupled Plasma ». Nanomaterials 12, no 22 (10 novembre 2022) : 3963. http://dx.doi.org/10.3390/nano12223963.
Texte intégralHong, Hao-Chiao, et Long-Yi Lin. « Accurate and Fast On-Wafer Test Circuitry for Device Array Characterization in Wafer Acceptance Test ». IEEE Transactions on Circuits and Systems I : Regular Papers 66, no 9 (septembre 2019) : 3467–79. http://dx.doi.org/10.1109/tcsi.2019.2924251.
Texte intégralKerepesi, Péter, Bernhard Rebhan, Matthias Danner, Karin Stadlmann, Heiko Groiss, Peter Oberhumer, Jiri Duchoslav et Kurt Hingerl. « Oxide-Free SiC-SiC Direct Wafer Bonding and Its Characterization ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 33 (22 décembre 2023) : 1603. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02331603mtgabs.
Texte intégralField, Daniel E., James W. Pomeroy, Farzan Gity, Michael Schmidt, Pasqualino Torchia, Fan Li, Peter M. Gammon, Vishal A. Shah et Martin Kuball. « Thermal characterization of direct wafer bonded Si-on-SiC ». Applied Physics Letters 120, no 11 (14 mars 2022) : 113503. http://dx.doi.org/10.1063/5.0080668.
Texte intégralLiu, Kai, YongTaek Lee, HyunTai Kim, MaPhooPwint Hlaing, Susan Park et Billy Ahn. « Electrical Characterization on a High-Speed Wafer-Level Package ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, DPC (1 janvier 2013) : 001937–62. http://dx.doi.org/10.4071/2013dpc-tha23.
Texte intégralKazemi Esfeh, Babak, Khaled Ben Ali et Jean-Pierre Raskin. « Compact On-Wafer Test Structures for Device RF Characterization ». IEEE Transactions on Electron Devices 64, no 8 (août 2017) : 3101–7. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2017.2717196.
Texte intégralDunleavy, L. P., J. Randa, D. K. Walker, R. Billinger et J. Rice. « Characterization and applications of on-wafer diode noise sources ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 46, no 12 (1998) : 2620–28. http://dx.doi.org/10.1109/22.739255.
Texte intégralImai, M., Y. Miyamura, D. Murata et A. Ogi. « Characterization of SiGe Layer on Insulator by In-Plane Diffraction Method ». Solid State Phenomena 108-109 (décembre 2005) : 451–56. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.108-109.451.
Texte intégralHoff, A. M., et E. Oborina. « Fast Non-Contact Dielectric Characterization for SiC MOS Processing ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1035–38. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1035.
Texte intégralCaddemi, Alina, Emanuele Cardillo, Giovanni Crupi, Luciano Boglione et Jason Roussos. « Microwave Linear Characterization Procedures of On-Wafer Scaled GaAs pHEMTs for Low-Noise Applications ». Electronics 8, no 11 (18 novembre 2019) : 1365. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8111365.
Texte intégralCavaco, Celso, Lan Peng, Koen De Leersnijder, Stefano Guerrieri, Deniz S. Tezcan et Haris Osman. « Copper Oxide Direct Bonding of 200mm CMOS Wafers : Morphological and Electrical Characterization ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000594–97. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tha26.
Texte intégralMarino, Nobuaki, Kiichirou Murai et Yoshinori Kataora. « Characterization of Surface Contaminants by a Silver Film-Enhanced IR—Johnson Method ». Applied Spectroscopy 51, no 10 (octobre 1997) : 1460–63. http://dx.doi.org/10.1366/0003702971939226.
Texte intégralChun, C., A. Pham, J. Laskar et B. Hutchison. « Development of microwave package models utilizing on-wafer characterization techniques ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 45, no 10 (1997) : 1948–54. http://dx.doi.org/10.1109/22.641800.
Texte intégralSimons, R. N., et R. Q. Lee. « On-wafer characterization of millimeter-wave antennas for wireless applications ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 47, no 1 (1999) : 92–96. http://dx.doi.org/10.1109/22.740086.
Texte intégralRussell, Damon, Kieran Cleary et Rodrigo Reeves. « Cryogenic probe station for on-wafer characterization of electrical devices ». Review of Scientific Instruments 83, no 4 (avril 2012) : 044703. http://dx.doi.org/10.1063/1.3700213.
Texte intégralDescamps, Philippe, Dolphin Abessolo-Bidzo et Patrick Poirier. « Improved test structure for on-wafer microwave characterization of components ». Microwave and Optical Technology Letters 53, no 2 (15 décembre 2010) : 249–54. http://dx.doi.org/10.1002/mop.25738.
Texte intégralFresquet, Gilles, et Jean-Philippe Piel. « Optical Characterization and Defect inspection for 3D stacked IC technology ». International Symposium on Microelectronics 2014, no 1 (1 octobre 2014) : 000630–34. http://dx.doi.org/10.4071/isom-wp17.
Texte intégralKim, Taehyun, Sangwug Han, Jubum Lee, Yeeun Na, Joontaek Jung, Yun Chang Park, Jaesub Oh, Chungmo Yang et Hee Yeoun Kim. « Development and Characterization of Low Temperature Wafer-Level Vacuum Packaging Using Cu-Sn Bonding and Nanomultilayer Getter ». Micromachines 14, no 2 (14 février 2023) : 448. http://dx.doi.org/10.3390/mi14020448.
Texte intégralMajeed, Bivragh, Chengxun Liu, Erik Sohn, Lut Van Acker, Koen De Wijs, Deniz Sabuncuoglu et Liesbet Lagae. « Silicon based cell sorting device : Fabrication, characterization and applications ». International Symposium on Microelectronics 2016, no 1 (1 octobre 2016) : 000019–24. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2016-tp15.
Texte intégralHaisu, M., Uda Hashim et Q. Humayun. « Micro-Gap Electrodes Fabrication by Low Cost Conventional Photo Lithography Technique and Surface Characterization by Nanoprofiler ». Advanced Materials Research 925 (avril 2014) : 635–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.925.635.
Texte intégralCakmak, Erkan, Bioh Kim et Viorel Dragoi. « Characterization of Wafer Level Metal Thermo-Compression Bonding ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2010, DPC (1 janvier 2010) : 002326–60. http://dx.doi.org/10.4071/2010dpc-tha34.
Texte intégralINABA, Michihiko. « Present and Future of Surface Characterization. Surface Characterization on Si Wafer for Semiconductor Devices. » Journal of the Japan Society for Precision Engineering 61, no 11 (1995) : 1511–15. http://dx.doi.org/10.2493/jjspe.61.1511.
Texte intégralTajima, Michio, E. Higashi, Toshihiko Hayashi, Hiroyuki Kinoshita et Hiromu Shiomi. « Characterization of SiC Wafers by Photoluminescence Mapping ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 711–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.711.
Texte intégralYu, Hengshu, Junbo Wang, Yulan Lu, Bo Xie, Yanlong Shang et Zhao Liu. « A silicon resonant pressure sensor based on thermal stresses matched structures ». Journal of Physics : Conference Series 2740, no 1 (1 avril 2024) : 012041. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2740/1/012041.
Texte intégralFerrero, A., et U. Pisani. « An improved calibration technique for on-wafer large-signal transistor characterization ». IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 42, no 2 (avril 1993) : 360–64. http://dx.doi.org/10.1109/19.278582.
Texte intégralArcher, J. W., et R. A. Batchelor. « Fully automated on-wafer noise characterization of GaAs MESFETs and HEMTs ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 40, no 2 (1992) : 209–16. http://dx.doi.org/10.1109/22.120092.
Texte intégralScholz, M., D. Linten, S. Thijs, S. Sangameswaran, M. Sawada, T. Nakaei, T. Hasebe et G. Groeseneken. « ESD On-Wafer Characterization : Is TLP Still the Right Measurement Tool ? » IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement 58, no 10 (octobre 2009) : 3418–26. http://dx.doi.org/10.1109/tim.2009.2017657.
Texte intégralTiemeijer, Luuk F., Ralf M. T. Pijper et Edwin van der Heijden. « Complete On-Wafer Noise-Figure Characterization of 60-GHz Differential Amplifiers ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 58, no 6 (juin 2010) : 1599–608. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2010.2049167.
Texte intégralCaddemi, A., et N. Donato. « Temperature-dependent noise characterization and modeling of on-wafer microwave transistors ». Microelectronics Reliability 42, no 3 (mars 2002) : 361–66. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(02)00004-5.
Texte intégralLinz, Sarah, Florian Oesterle, Stefan Lindner, Sebastian Mann, Robert Weigel et Alexander Koelpin. « Test Method for Contactless On-Wafer MEMS Characterization and Production Monitoring ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 64, no 11 (novembre 2016) : 3918–26. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2016.2612664.
Texte intégralTerayama, Yuki, Motoyasu Kobayashi, Sono Sasaki, Osami Sakata et Atsushi Takahara. « Structural Characterization of Surface-grafted Poly (Vinyl Alcohol) on Silicon Wafer ». Transactions of the Materials Research Society of Japan 32, no 1 (2007) : 259–62. http://dx.doi.org/10.14723/tmrsj.32.259.
Texte intégralStake, Jan, et Hans Grönqvist. « An on-wafer method for C-V characterization of heterostructure diodes ». Microwave and Optical Technology Letters 9, no 2 (5 juin 1995) : 63–66. http://dx.doi.org/10.1002/mop.4650090202.
Texte intégralLederer, Dimitri, et Jean-Pierre Raskin. « On-wafer wideband characterization : a powerful tool for improving the IC technologies ». Journal of Telecommunications and Information Technology, no 2 (25 juin 2023) : 69–77. http://dx.doi.org/10.26636/jtit.2007.2.811.
Texte intégralTorimi, Satoshi, Norihito Yabuki, Takuya Sakaguchi, Masato Shinohara, Yoji Teramoto, Satoru Nogami, Makoto Kitabatake et Junji Senzaki. « Characterization of pn-Diode Fabricated from Surface Damage-Free 4H-SiC Wafer Using Si-Vapor Etching Process ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 349–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.349.
Texte intégralWang, Yibang, Xingchang Fu, Aihua Wu, Chen Liu, Peng Luan, Faguo Liang, Wei Zhao et Xiaobang Shang. « Development of gallium-arsenide-based GCPW calibration kits for on-wafer measurements in the W-band ». International Journal of Microwave and Wireless Technologies 12, no 5 (12 décembre 2019) : 367–71. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078719001521.
Texte intégralZhu, Liang, Biao Mei, Weidong Zhu et Wei Li. « Laser-based Thickness Control in a Double-Side Polishing System for Silicon Wafers ». Sensors 20, no 6 (13 mars 2020) : 1603. http://dx.doi.org/10.3390/s20061603.
Texte intégralChan, Mu-Hsuan, Yu-Po Wang, Ivan Chang, James Chiang, George Pan, Nicholas Kao et David Wang. « Development and Challenges of Warpage for Fan-Out Wafer-Level Package Technology ». International Symposium on Microelectronics 2016, no 1 (1 octobre 2016) : 000524–28. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2016-poster4.
Texte intégralHan, Chansu, Yoonsung Koo, Jaehwan Kim, Kwangwook Choi et Sangjeen Hong. « Wafer Type Ion Energy Monitoring Sensor for Plasma Diagnosis ». Sensors 23, no 5 (22 février 2023) : 2410. http://dx.doi.org/10.3390/s23052410.
Texte intégralMarzouk, Jaouad, Steve Arscott, Abdelhatif El Fellahi, Kamel Haddadi, Tuami Lasri, Christophe Boyaval et Gilles Dambrine. « MEMS probes for on-wafer RF microwave characterization of future microelectronics : design, fabrication and characterization ». Journal of Micromechanics and Microengineering 25, no 7 (24 juin 2015) : 075024. http://dx.doi.org/10.1088/0960-1317/25/7/075024.
Texte intégralArias, Abraham, Nicola Nedev, Mario Curiel, Diana Nesheva, Emil Manolov, Benjamin Valdez, David Mateos, Oscar Contreras, Oscar Raymond et Jesus M. Siqueiros. « Electrical Characterization of Interface Defects in MOS Structures Containing Silicon Nanoclusters ». Advanced Materials Research 976 (juin 2014) : 129–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.976.129.
Texte intégralNeudeck, Philip G., Liang Yu Chen, David J. Spry, Glenn M. Beheim et Carl W. Chang. « Electrical Characterization of a 4H-SiC JFET Wafer : DC Parameter Variations for Extreme Temperature IC Design ». Materials Science Forum 821-823 (juin 2015) : 781–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.781.
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