Articles de revues sur le sujet « Non-Volatile Main Memory (NVMM) »
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OMORI, Yu, et Keiji KIMURA. « Non-Volatile Main Memory Emulator for Embedded Systems Employing Three NVMM Behaviour Models ». IEICE Transactions on Information and Systems E104.D, no 5 (1 mai 2021) : 697–708. http://dx.doi.org/10.1587/transinf.2020edp7092.
Texte intégralCheng, Wen, Chunyan Li, Lingfang Zeng, Yingjin Qian, Xi Li et André Brinkmann. « NVMM-Oriented Hierarchical Persistent Client Caching for Lustre ». ACM Transactions on Storage 17, no 1 (2 février 2021) : 1–22. http://dx.doi.org/10.1145/3404190.
Texte intégralKawata, Hirotaka, Gaku Nakagawa et Shuichi Oikawa. « Using DRAM as Cache for Non-Volatile Main Memory Swapping ». International Journal of Software Innovation 4, no 1 (janvier 2016) : 61–71. http://dx.doi.org/10.4018/ijsi.2016010105.
Texte intégralHaywood Dadzie, Thomas, Jiwon Lee, Jihye Kim et Hyunok Oh. « NVM-Shelf : Secure Hybrid Encryption with Less Flip for Non-Volatile Memory ». Electronics 9, no 8 (13 août 2020) : 1304. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9081304.
Texte intégralKhan, Mohammad Nasim Imtiaz, et Swaroop Ghosh. « Comprehensive Study of Security and Privacy of Emerging Non-Volatile Memories ». Journal of Low Power Electronics and Applications 11, no 4 (24 septembre 2021) : 36. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea11040036.
Texte intégralLi, Xiaochang, et Zhengjun Zhai. « UHNVM : A Universal Heterogeneous Cache Design with Non-Volatile Memory ». Electronics 10, no 15 (22 juillet 2021) : 1760. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10151760.
Texte intégralWang, Tse-Yuan, Chun-Feng Wu, Che-Wei Tsao, Yuan-Hao Chang, Tei-Wei Kuo et Xue Liu. « Rethinking the Interactivity of OS and Device Layers in Memory Management ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, no 4 (31 juillet 2022) : 1–21. http://dx.doi.org/10.1145/3530876.
Texte intégralBez, Roberto, Emilio Camerlenghi et Agostino Pirovano. « Materials and Processes for Non-Volatile Memories ». Materials Science Forum 608 (décembre 2008) : 111–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.608.111.
Texte intégralShen, Zongjie, Chun Zhao, Yanfei Qi, Ivona Z. Mitrovic, Li Yang, Jiacheng Wen, Yanbo Huang, Puzhuo Li et Cezhou Zhao. « Memristive Non-Volatile Memory Based on Graphene Materials ». Micromachines 11, no 4 (25 mars 2020) : 341. http://dx.doi.org/10.3390/mi11040341.
Texte intégralLiu, Gang, Leying Chen et Shimin Chen. « Zen ». Proceedings of the VLDB Endowment 14, no 5 (janvier 2021) : 835–48. http://dx.doi.org/10.14778/3446095.3446105.
Texte intégralKim, Jeong-Geun, Shin-Dug Kim et Su-Kyung Yoon. « Q-Selector-Based Prefetching Method for DRAM/NVM Hybrid Main Memory System ». Electronics 9, no 12 (16 décembre 2020) : 2158. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122158.
Texte intégralIevtukh, V. A., A. N. Nazarov, V. I. Turchanikov et V. S. Lysenko. « Nanocluster NVM Cells Metrology : Window Formation, Relaxation and Charge Retention Measurements ». Advanced Materials Research 718-720 (juillet 2013) : 1118–23. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.718-720.1118.
Texte intégralBahn, Hyokyung, et Kyungwoon Cho. « Implications of NVM Based Storage on Memory Subsystem Management ». Applied Sciences 10, no 3 (3 février 2020) : 999. http://dx.doi.org/10.3390/app10030999.
Texte intégralZhang, Zhou, Zhaole Chu, Peiquan Jin, Yongping Luo, Xike Xie, Shouhong Wan, Yun Luo et al. « PLIN ». Proceedings of the VLDB Endowment 16, no 2 (octobre 2022) : 243–55. http://dx.doi.org/10.14778/3565816.3565826.
Texte intégralZhuge, Qingfeng, Hao Zhang, Edwin Hsing-Mean Sha, Rui Xu, Jun Liu et Shengyu Zhang. « Exploring Efficient Architectures on Remote In-Memory NVM over RDMA ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 20, no 5s (31 octobre 2021) : 1–20. http://dx.doi.org/10.1145/3477004.
Texte intégralZou, Yu, Amro Awad et Mingjie Lin. « DirectNVM : Hardware-accelerated NVMe SSDs for High-performance Embedded Computing ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, no 1 (31 janvier 2022) : 1–24. http://dx.doi.org/10.1145/3463911.
Texte intégralYu, Songping, Nong Xiao, Mingzhu Deng, Fang Liu et Wei Chen. « Redesign the Memory Allocator for Non-Volatile Main Memory ». ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems 13, no 3 (13 mai 2017) : 1–26. http://dx.doi.org/10.1145/2997651.
Texte intégralChen, Shimin, et Qin Jin. « Persistent B + -trees in non-volatile main memory ». Proceedings of the VLDB Endowment 8, no 7 (février 2015) : 786–97. http://dx.doi.org/10.14778/2752939.2752947.
Texte intégralChen, Jie, Ron C. Chiang, H. Howie Huang et Guru Venkataramani. « Energy-aware writes to non-volatile main memory ». ACM SIGOPS Operating Systems Review 45, no 3 (11 janvier 2012) : 48–52. http://dx.doi.org/10.1145/2094091.2094104.
Texte intégralSHU, Jiwu, Youmin CHEN, Qingda HU et Youyou LU. « Development of system software on non-volatile main memory ». SCIENTIA SINICA Informationis 51, no 6 (13 mai 2021) : 869. http://dx.doi.org/10.1360/ssi-2019-0128.
Texte intégralHou, Fangyong, et Hongjun He. « Ultra simple way to encrypt non-volatile main memory ». Security and Communication Networks 8, no 7 (4 août 2014) : 1155–68. http://dx.doi.org/10.1002/sec.1071.
Texte intégralWang, Ying, Wen-Qing Jia, De-Jun Jiang et Jin Xiong. « A Survey of Non-Volatile Main Memory File Systems ». Journal of Computer Science and Technology 38, no 2 (30 mars 2023) : 348–72. http://dx.doi.org/10.1007/s11390-023-1054-3.
Texte intégralWalden, Candace, Devesh Singh, Meenatchi Jagasivamani, Shang Li, Luyi Kang, Mehdi Asnaashari, Sylvain Dubois, Bruce Jacob et Donald Yeung. « Monolithically Integrating Non-Volatile Main Memory over the Last-Level Cache ». ACM Transactions on Architecture and Code Optimization 18, no 4 (31 décembre 2021) : 1–26. http://dx.doi.org/10.1145/3462632.
Texte intégralAlshboul, Mohammad, Hussein Elnawawy, Reem Elkhouly, Keiji Kimura, James Tuck et Yan Solihin. « Efficient Checkpointing with Recompute Scheme for Non-volatile Main Memory ». ACM Transactions on Architecture and Code Optimization 16, no 2 (juin 2019) : 1–27. http://dx.doi.org/10.1145/3323091.
Texte intégralHakert, Christian, Kuan-Hsun Chen, Horst Schirmeier, Lars Bauer, Paul R. Genssler, Georg von der Brüggen, Hussam Amrouch, Jörg Henkel et Jian-Jia Chen. « Software-Managed Read and Write Wear-Leveling for Non-Volatile Main Memory ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, no 1 (31 janvier 2022) : 1–24. http://dx.doi.org/10.1145/3483839.
Texte intégralDu, Jiayi, Yan Wang, Qingfeng Zhuge, Jingtong Hu et Edwin H. M. Sha. « Efficient Loop Scheduling for Chip Multiprocessors with Non-Volatile Main Memory ». Journal of Signal Processing Systems 71, no 3 (12 octobre 2012) : 261–73. http://dx.doi.org/10.1007/s11265-012-0703-5.
Texte intégralOu, Qiao-Feng, Bang-Shu Xiong, Lei Yu, Jing Wen, Lei Wang et Yi Tong. « In-Memory Logic Operations and Neuromorphic Computing in Non-Volatile Random Access Memory ». Materials 13, no 16 (10 août 2020) : 3532. http://dx.doi.org/10.3390/ma13163532.
Texte intégralKuznetsov, Sergey Dmitrievich. « In anticipation of native DBMS architectures based on non-volatile main memory ». Proceedings of the Institute for System Programming of the RAS 32, no 1 (2020) : 153–80. http://dx.doi.org/10.15514/ispras-2020-32(1)-9.
Texte intégralLuo, Huizhang, Qingfeng Zhuge, Liang Shi, Jian Li et Edwin H. M. Sha. « Accurate age counter for wear leveling on non-volatile based main memory ». Design Automation for Embedded Systems 17, no 3-4 (septembre 2013) : 543–64. http://dx.doi.org/10.1007/s10617-014-9141-x.
Texte intégralBarbon, Claudio, Vitaliy Bilovol, Emiliano Javier Di Liscia et Bibiana Arcondo. « Eutectic Sb7.4Te92.6 thin film for non-volatile phase-change memories ». Microelectronics International 36, no 4 (7 octobre 2019) : 171–75. http://dx.doi.org/10.1108/mi-03-2019-0016.
Texte intégralWu, Kai, et Dong Li. « Unimem : Runtime Data Management on Non-Volatile Memory-Based Heterogeneous Main Memory for High Performance Computing ». Journal of Computer Science and Technology 36, no 1 (janvier 2021) : 90–109. http://dx.doi.org/10.1007/s11390-020-0942-z.
Texte intégralPan, Chen, Shouzhen Gu, Mimi Xie, Yongpan Liu, Chun Jason Xue et Jingtong Hu. « Wear-Leveling Aware Page Management for Non-Volatile Main Memory on Embedded Systems ». IEEE Transactions on Multi-Scale Computing Systems 2, no 2 (1 avril 2016) : 129–42. http://dx.doi.org/10.1109/tmscs.2016.2525999.
Texte intégralRehman, Shania, Muhammad Farooq Khan, Sikandar Aftab, Honggyun Kim, Jonghwa Eom et Deok-kee Kim. « Thickness-dependent resistive switching in black phosphorus CBRAM ». Journal of Materials Chemistry C 7, no 3 (2019) : 725–32. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc04538k.
Texte intégralHuang, Yazhi, Tiantian Liu et Chun Jason Xue. « Register allocation for write activity minimization on non-volatile main memory for embedded systems ». Journal of Systems Architecture 58, no 1 (janvier 2012) : 13–23. http://dx.doi.org/10.1016/j.sysarc.2011.09.001.
Texte intégralFanciulli, Marco, Michele Perego, Caroline Bonafos, A. Mouti, S. Schamm et G. Benassayag. « Nanocrystals in High-k Dielectric Stacks for Non-Volatile Memory Applications ». Advances in Science and Technology 51 (octobre 2006) : 156–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.51.156.
Texte intégralSaranti, Konstantina, et Shashi Paul. « Two-Terminal Non-Volatile Memory Devices Using Silicon Nanowires as the Storage Medium ». Advances in Science and Technology 95 (octobre 2014) : 78–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ast.95.78.
Texte intégralZanotti, Tommaso, Francesco Maria Puglisi et Paolo Pavan. « Energy-Efficient Non-Von Neumann Computing Architecture Supporting Multiple Computing Paradigms for Logic and Binarized Neural Networks ». Journal of Low Power Electronics and Applications 11, no 3 (6 juillet 2021) : 29. http://dx.doi.org/10.3390/jlpea11030029.
Texte intégralKappert, Holger, Sebastian Braun, Michael Alfring, Norbert Kordas, Andreas Kelberer, Stefan Dreiner et Rainer Kokozinski. « High Temperature EEPROM Using a Differential Approach for High Reliability ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2017, HiTEN (1 juillet 2017) : 000042–0000045. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491.2017.hiten.42.
Texte intégralLiu, Hai-Kun, Di Chen, Hai Jin, Xiao-Fei Liao, Binsheng He, Kan Hu et Yu Zhang. « A Survey of Non-Volatile Main Memory Technologies : State-of-the-Arts, Practices, and Future Directions ». Journal of Computer Science and Technology 36, no 1 (janvier 2021) : 4–32. http://dx.doi.org/10.1007/s11390-020-0780-z.
Texte intégralMittal, Sparsh, et Jeffrey S. Vetter. « A Survey of Software Techniques for Using Non-Volatile Memories for Storage and Main Memory Systems ». IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 27, no 5 (1 mai 2016) : 1537–50. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2015.2442980.
Texte intégralMakarova, E. E., V. V. Amelichev, D. V. Kostyuk, D. V. Vasilyev, Y. V. Kazakov et E. P. Orlov. « Research of Test Cells of Power-independent Magnetoresistive Memory ». Nano- i Mikrosistemnaya Tehnika 23, no 3 (22 juin 2022) : 154–58. http://dx.doi.org/10.17587/nmst.24.154-158.
Texte intégralTsoy, M. O., et D. M. Alfonso. « Developing modules for local storage and handling of cache memory defects information in a processor with non-volatile memory ». Radio industry (Russia) 30, no 4 (23 décembre 2020) : 111–18. http://dx.doi.org/10.21778/2413-9599-2020-30-4-111-118.
Texte intégralTang, Peng, Junlong Chen, Tian Qiu, Honglong Ning, Xiao Fu, Muyun Li, Zuohui Xu, Dongxiang Luo, Rihui Yao et Junbiao Peng. « Recent Advances in Flexible Resistive Random Access Memory ». Applied System Innovation 5, no 5 (21 septembre 2022) : 91. http://dx.doi.org/10.3390/asi5050091.
Texte intégralAbad, Pablo, Pablo Prieto, Valentin Puente et Jose-Angel Gregorio. « AC-WAR : Architecting the Cache Hierarchy to Improve the Lifetime of a Non-Volatile Endurance-Limited Main Memory ». IEEE Transactions on Parallel and Distributed Systems 27, no 1 (1 janvier 2016) : 66–77. http://dx.doi.org/10.1109/tpds.2015.2390225.
Texte intégralBuhari, Bello Alhaji, Afolayan Ayodele Obiniyi, Sahalu B. Junaidu et Armand F. Donfack Kana. « Trends in Remote User Authentication Based on Smart Card and External Memory ». International Journal of Security and Privacy in Pervasive Computing 14, no 1 (1 janvier 2022) : 1–10. http://dx.doi.org/10.4018/ijsppc.307148.
Texte intégralAsifuzzaman, Kazi, Rommel Sánchez Verdejo et Petar Radojković. « Performance and Power Estimation of STT-MRAM Main Memory with Reliable System-level Simulation ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, no 1 (31 janvier 2022) : 1–25. http://dx.doi.org/10.1145/3476838.
Texte intégralBYUN, SIWOO, MOONHAENG HUH et HOYOUNG HWANG. « FLASH MEMORY LOCK MANAGEMENT FOR PORTABLE INFORMATION SYSTEMS ». International Journal of Cooperative Information Systems 15, no 03 (septembre 2006) : 461–79. http://dx.doi.org/10.1142/s0218843006001438.
Texte intégralVindum, Simon Friis, et Lars Birkedal. « Spirea : A Mechanized Concurrent Separation Logic for Weak Persistent Memory ». Proceedings of the ACM on Programming Languages 7, OOPSLA2 (16 octobre 2023) : 632–57. http://dx.doi.org/10.1145/3622820.
Texte intégralKhan, Asif. « (Invited) Ferroelectric Field-Effect Transistors as High-Density, Ultra-fast, Embedded Non-Volatile Memories ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 15 (9 octobre 2022) : 805. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-0215805mtgabs.
Texte intégralClaverie, A., Caroline Bonafos, G. Ben Assayag, S. Schamm, N. Cherkashin, V. Paillard, P. Dimitrakis et al. « Materials Science Issues for the Fabrication of Nanocrystal Memory Devices by Ultra Low Energy Ion Implantation ». Defect and Diffusion Forum 258-260 (octobre 2006) : 531–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.258-260.531.
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