Articles de revues sur le sujet « Neuromorphic technologies/devices »
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Orii, Yasumitsu, Akihiro Horibe, Kuniaki Sueoka, Keiji Matsumoto, Toyohiro Aoki, Hirokazu Noma, Sayuri Kohara et al. « PERSPECTIVE ON REQUIRED PACKAGING TECHNOLOGIES FOR NEUROMORPHIC DEVICES ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000561–66. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-tha15.
Texte intégralDiao, Yu, Yaoxuan Zhang, Yanran Li et Jie Jiang. « Metal-Oxide Heterojunction : From Material Process to Neuromorphic Applications ». Sensors 23, no 24 (12 décembre 2023) : 9779. http://dx.doi.org/10.3390/s23249779.
Texte intégralMilo, Valerio, Gerardo Malavena, Christian Monzio Compagnoni et Daniele Ielmini. « Memristive and CMOS Devices for Neuromorphic Computing ». Materials 13, no 1 (1 janvier 2020) : 166. http://dx.doi.org/10.3390/ma13010166.
Texte intégralAbbas, Haider, Jiayi Li et Diing Shenp Ang. « Conductive Bridge Random Access Memory (CBRAM) : Challenges and Opportunities for Memory and Neuromorphic Computing Applications ». Micromachines 13, no 5 (30 avril 2022) : 725. http://dx.doi.org/10.3390/mi13050725.
Texte intégralAllwood, Dan A., Matthew O. A. Ellis, David Griffin, Thomas J. Hayward, Luca Manneschi, Mohammad F. KH Musameh, Simon O'Keefe et al. « A perspective on physical reservoir computing with nanomagnetic devices ». Applied Physics Letters 122, no 4 (23 janvier 2023) : 040501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0119040.
Texte intégralDella Rocca, Mattia. « Of the Artistic Nude and Technological Behaviorism ». Nuncius 32, no 2 (2017) : 376–411. http://dx.doi.org/10.1163/18253911-03202006.
Texte intégralKurshan, Eren, Hai Li, Mingoo Seok et Yuan Xie. « A Case for 3D Integrated System Design for Neuromorphic Computing and AI Applications ». International Journal of Semantic Computing 14, no 04 (décembre 2020) : 457–75. http://dx.doi.org/10.1142/s1793351x20500063.
Texte intégralHajtó, Dániel, Ádám Rák et György Cserey. « Robust Memristor Networks for Neuromorphic Computation Applications ». Materials 12, no 21 (31 octobre 2019) : 3573. http://dx.doi.org/10.3390/ma12213573.
Texte intégralCovi, Erika, Halid Mulaosmanovic, Benjamin Max, Stefan Slesazeck et Thomas Mikolajick. « Ferroelectric-based synapses and neurons for neuromorphic computing ». Neuromorphic Computing and Engineering 2, no 1 (7 février 2022) : 012002. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac4918.
Texte intégralSueoka, Brandon, et Feng Zhao. « Memristive synaptic device based on a natural organic material—honey for spiking neural network in biodegradable neuromorphic systems ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 22 (7 mars 2022) : 225105. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac585b.
Texte intégralSchneider, Michael, Emily Toomey, Graham Rowlands, Jeff Shainline, Paul Tschirhart et Ken Segall. « SuperMind : a survey of the potential of superconducting electronics for neuromorphic computing ». Superconductor Science and Technology 35, no 5 (30 mars 2022) : 053001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6668/ac4cd2.
Texte intégralJeon, Young Pyo, Yongbin Bang, Hak Ji Lee, Eun Jung Lee, Young Joon Yoo et Sang Yoon Park. « Short-Term to Long-Term Plasticity Transition Behavior of Memristive Devices with Low Power Consumption via Facilitating Ionic Drift of Implanted Lithium ». Electronics 10, no 21 (20 octobre 2021) : 2564. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10212564.
Texte intégralJha, Rashmi. « Emerging Memory Devices Beyond Conventional Data Storage : Paving the Path for Energy-Efficient Brain-Inspired Computing ». Electrochemical Society Interface 32, no 1 (1 mars 2023) : 49–51. http://dx.doi.org/10.1149/2.f10231if.
Texte intégralKhajooei, Arash, Mohammad (Behdad) Jamshidi et Shahriar B. Shokouhi. « A Super-Efficient TinyML Processor for the Edge Metaverse ». Information 14, no 4 (10 avril 2023) : 235. http://dx.doi.org/10.3390/info14040235.
Texte intégralGao, Zhan, Yan Wang, Ziyu Lv, Pengfei Xie, Zong-Xiang Xu, Mingtao Luo, Yuqi Zhang et al. « Ferroelectric coupling for dual-mode non-filamentary memristors ». Applied Physics Reviews 9, no 2 (juin 2022) : 021417. http://dx.doi.org/10.1063/5.0087624.
Texte intégralChiappalone, Michela, Vinicius R. Cota, Marta Carè, Mattia Di Florio, Romain Beaubois, Stefano Buccelli, Federico Barban et al. « Neuromorphic-Based Neuroprostheses for Brain Rewiring : State-of-the-Art and Perspectives in Neuroengineering ». Brain Sciences 12, no 11 (19 novembre 2022) : 1578. http://dx.doi.org/10.3390/brainsci12111578.
Texte intégralBanerjee, Writam. « Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices ». Electronics 9, no 6 (22 juin 2020) : 1029. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061029.
Texte intégralLi, Bixin, Shiyang Zhang, Lan Xu, Qiong Su et Bin Du. « Emerging Robust Polymer Materials for High-Performance Two-Terminal Resistive Switching Memory ». Polymers 15, no 22 (10 novembre 2023) : 4374. http://dx.doi.org/10.3390/polym15224374.
Texte intégralMikhaylov, A. N. « Neuroelectronics as neuromorphic and neurohybryd systems enabled by memristive technology ». Genes & ; Cells 18, no 4 (15 décembre 2023) : 825–26. http://dx.doi.org/10.17816/gc623426.
Texte intégralAbd, Hamam, et Andreas König. « On-Chip Adaptive Implementation of Neuromorphic Spiking Sensory Systems with Self-X Capabilities ». Chips 2, no 2 (6 juin 2023) : 142–58. http://dx.doi.org/10.3390/chips2020009.
Texte intégralAkai-Kasaya, Megumi, Yuki Takeshima, Shaohua Kan, Kohei Nakajima, Takahide Oya et Tetsuya Asai. « Performance of reservoir computing in a random network of single-walled carbon nanotubes complexed with polyoxometalate ». Neuromorphic Computing and Engineering 2, no 1 (24 janvier 2022) : 014003. http://dx.doi.org/10.1088/2634-4386/ac4339.
Texte intégralShen, Zongjie, Chun Zhao, Yanfei Qi, Ivona Z. Mitrovic, Li Yang, Jiacheng Wen, Yanbo Huang, Puzhuo Li et Cezhou Zhao. « Memristive Non-Volatile Memory Based on Graphene Materials ». Micromachines 11, no 4 (25 mars 2020) : 341. http://dx.doi.org/10.3390/mi11040341.
Texte intégralZatsarinny, A. A., et K. K. Abgaryan. « Factors determining the relevance of creation research infrastructure for the synthesis of new materials in the framework of the implementation of the priorities of scientific and technological development of Russia ». Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering 22, no 4 (4 février 2020) : 298–301. http://dx.doi.org/10.17073/1609-3577-2019-4-298-301.
Texte intégralKamath, Rachana, Parantap Sarkar, Sindhoora Kaniyala Melanthota, Rajib Biswas, Nirmal Mazumder et Shounak De. « Resistive Memory-Switching Behavior in Solution-Processed Trans, trans-1,4-bis-(2-(2-naphthyl)-2-(butoxycarbonyl)-vinyl) Benzene–PVA-Composite-Based Aryl Acrylate on ITO-Coated PET ». Polymers 16, no 2 (12 janvier 2024) : 218. http://dx.doi.org/10.3390/polym16020218.
Texte intégralOu, Qiao-Feng, Bang-Shu Xiong, Lei Yu, Jing Wen, Lei Wang et Yi Tong. « In-Memory Logic Operations and Neuromorphic Computing in Non-Volatile Random Access Memory ». Materials 13, no 16 (10 août 2020) : 3532. http://dx.doi.org/10.3390/ma13163532.
Texte intégralRahmani, Amir Masoud, Rizwan Ali Naqvi, Saqib Ali, Seyedeh Yasaman Hosseini Mirmahaleh, Mohammed Alswaitti, Mehdi Hosseinzadeh et Kamran Siddique. « An Astrocyte-Flow Mapping on a Mesh-Based Communication Infrastructure to Defective Neurons Phagocytosis ». Mathematics 9, no 23 (24 novembre 2021) : 3012. http://dx.doi.org/10.3390/math9233012.
Texte intégralPedretti, Giacomo, et Daniele Ielmini. « In-Memory Computing with Resistive Memory Circuits : Status and Outlook ». Electronics 10, no 9 (30 avril 2021) : 1063. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10091063.
Texte intégralOstrovskii, V. Yu, O. S. Druzhina, O. Kamal, T. I. Karimov et D. N. Butusov. « Design of a memristor-based neuron for spiking neural networks ». Genes & ; Cells 18, no 4 (15 décembre 2023) : 827–30. http://dx.doi.org/10.17816/gc623428.
Texte intégralYanushkevich, Svetlana, Hong Tran, Golam Tangim, Vladimir Shmerko, Elena Zaitseva et Vitaly Levashenko. « The EXOR gate under uncertainty : A case study ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 24, no 3 (2011) : 451–82. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1103451y.
Texte intégralFiorelli, Rafaella, Eduardo Peralías, Roberto Méndez-Romero, Mona Rajabali, Akash Kumar, Mohammad Zahedinejad, Johan Åkerman, Farshad Moradi, Teresa Serrano-Gotarredona et Bernabé Linares-Barranco. « CMOS Front End for Interfacing Spin-Hall Nano-Oscillators for Neuromorphic Computing in the GHz Range ». Electronics 12, no 1 (3 janvier 2023) : 230. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12010230.
Texte intégralChen, An. « (Invited, Digital Presentation) Emerging Materials and Devices for Energy-Efficient Computing ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1073. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191073mtgabs.
Texte intégralJi, Xiaoyue, Donglian Qi, Zhekang Dong, Chun Sing Lai, Guangdong Zhou et Xiaofang Hu. « TSSM : Three-State Switchable Memristor Model Based on Ag/TiOx Nanobelt/Ti Configuration ». International Journal of Bifurcation and Chaos 31, no 07 (15 juin 2021) : 2130020. http://dx.doi.org/10.1142/s0218127421300202.
Texte intégralPrzyczyna, Dawid, Krzysztof Mech, Ewelina Kowalewska, Mateusz Marzec, Tomasz Mazur, Piotr Zawal et Konrad Szaciłowski. « The Memristive Properties and Spike Timing-Dependent Plasticity in Electrodeposited Copper Tungstates and Molybdates ». Materials 16, no 20 (13 octobre 2023) : 6675. http://dx.doi.org/10.3390/ma16206675.
Texte intégralPassian, Ali, et Neena Imam. « Nanosystems, Edge Computing, and the Next Generation Computing Systems ». Sensors 19, no 18 (19 septembre 2019) : 4048. http://dx.doi.org/10.3390/s19184048.
Texte intégralSong, Young-Woong, Min-Kyu Song, Yoon Jeong Hyun, Daehwan Choi et J. Y. Kwon. « Fluoropolymer Passivation Enhanced Switching Endurance of MoS2 Memristors ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 18 (7 juillet 2022) : 1029. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01181029mtgabs.
Texte intégralQin, Fei, et Sunghwan Lee. « (Digital Presentation) Investigation of Top Electrodes Impact on Performance of Transparent Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide (a-InGaZnO) Based Resistive Random Access Memory ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1075. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191075mtgabs.
Texte intégralWoo, Jiyong, Jeong Hun Kim, Jong‐Pil Im et Seung Eon Moon. « Recent Advancements in Emerging Neuromorphic Device Technologies ». Advanced Intelligent Systems 2, no 10 (23 août 2020) : 2000111. http://dx.doi.org/10.1002/aisy.202000111.
Texte intégralZhou, Kui, Ziqi Jia, Xin-Qi Ma, Wenbiao Niu, Yao Zhou, Ning Huang, Guanglong Ding et al. « Manufacturing of graphene based synaptic devices for optoelectronic applications ». International Journal of Extreme Manufacturing, 8 août 2023. http://dx.doi.org/10.1088/2631-7990/acee2e.
Texte intégralWan, Changjin, Mengjiao Pei, Kailu Shi, Hangyuan Cui, Haotian Long, Lesheng Qiao, Qianye Xing et Qing Wan. « Toward a Brain‐Neuromorphics Interface ». Advanced Materials, 10 février 2024. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202311288.
Texte intégralShen, Jiabin, Zengguang Cheng et Peng Zhou. « Optical and optoelectronic neuromorphic devices based on emerging memory technologies ». Nanotechnology, 23 mai 2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac723f.
Texte intégralKim, Sungho, Hee-Dong Kim et Sung-Jin Choi. « Impact of Synaptic Device Variations on Classification Accuracy in a Binarized Neural Network ». Scientific Reports 9, no 1 (23 octobre 2019). http://dx.doi.org/10.1038/s41598-019-51814-5.
Texte intégralDonati, Elisa, et Giacomo Valle. « Neuromorphic hardware for somatosensory neuroprostheses ». Nature Communications 15, no 1 (16 janvier 2024). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-024-44723-3.
Texte intégralCovi, Erika, Elisa Donati, Xiangpeng Liang, David Kappel, Hadi Heidari, Melika Payvand et Wei Wang. « Adaptive Extreme Edge Computing for Wearable Devices ». Frontiers in Neuroscience 15 (11 mai 2021). http://dx.doi.org/10.3389/fnins.2021.611300.
Texte intégralDeng, Sunbin, Haoming Yu, Tae Joon Park, A. N. M. Nafiul Islam, Sukriti Manna, Alexandre Pofelski, Qi Wang et al. « Selective area doping for Mott neuromorphic electronics ». Science Advances 9, no 11 (15 mars 2023). http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.ade4838.
Texte intégralLiu, Xuerong, Cui Sun, Xiaoyu Ye, Xiaojian Zhu, Cong Hu, Hongwei Tan, Shang He, Mengjie Shao et Run‐Wei Li. « Neuromorphic Nanoionics for human‐machine Interaction : from Materials to Applications ». Advanced Materials, 29 février 2024. http://dx.doi.org/10.1002/adma.202311472.
Texte intégralIvanov, Dmitry, Aleksandr Chezhegov, Mikhail Kiselev, Andrey Grunin et Denis Larionov. « Neuromorphic artificial intelligence systems ». Frontiers in Neuroscience 16 (14 septembre 2022). http://dx.doi.org/10.3389/fnins.2022.959626.
Texte intégralKang, Kyowon, Kiho Kim, Junhyeong Baek, Doohyun J. Lee et Ki Jun Yu. « Biomimic and bioinspired soft neuromorphic tactile sensory system ». Applied Physics Reviews 11, no 2 (1 juin 2024). http://dx.doi.org/10.1063/5.0204104.
Texte intégralLi, Shen-Yi, Ji-Tuo Li, Kui Zhou, Yan Yan, Guanglong Ding, Su-Ting Han et Ye Zhou. « In-sensor neuromorphic computing using perovskites and transition metal dichalcogenides ». Journal of Physics : Materials, 30 mai 2024. http://dx.doi.org/10.1088/2515-7639/ad5251.
Texte intégralMerces, Leandro, Letícia Mariê Minatogau Ferro, Ali Nawaz et Prashant Sonar. « Advanced Neuromorphic Applications Enabled by Synaptic Ion‐Gating Vertical Transistors ». Advanced Science, 17 mai 2024. http://dx.doi.org/10.1002/advs.202305611.
Texte intégralBeilliard, Yann, et Fabien Alibart. « Multi-Terminal Memristive Devices Enabling Tunable Synaptic Plasticity in Neuromorphic Hardware : A Mini-Review ». Frontiers in Nanotechnology 3 (19 novembre 2021). http://dx.doi.org/10.3389/fnano.2021.779070.
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