Articles de revues sur le sujet « NANOWIRE RECONFIGURABLE »
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Heinzig, André, Stefan Slesazeck, Franz Kreupl, Thomas Mikolajick et Walter M. Weber. « Reconfigurable Silicon Nanowire Transistors ». Nano Letters 12, no 1 (décembre 2011) : 119–24. http://dx.doi.org/10.1021/nl203094h.
Texte intégralWeber, W. M., A. Heinzig, J. Trommer, D. Martin, M. Grube et T. Mikolajick. « Reconfigurable nanowire electronics – A review ». Solid-State Electronics 102 (décembre 2014) : 12–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2014.06.010.
Texte intégralBaldauf, Tim, Andre Heinzig, Thomas Mikolajick et Walter M. Weber. « Vertically Integrated Reconfigurable Nanowire Arrays ». IEEE Electron Device Letters 39, no 8 (août 2018) : 1242–45. http://dx.doi.org/10.1109/led.2018.2847902.
Texte intégralPark, So Jeong, Dae-Young Jeon, Sabrina Piontek, Matthias Grube, Johannes Ocker, Violetta Sessi, André Heinzig et al. « Reconfigurable Si Nanowire Nonvolatile Transistors ». Advanced Electronic Materials 4, no 1 (11 décembre 2017) : 1700399. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201700399.
Texte intégralTrommer, Jens, André Heinzig, Anett Heinrich, Paul Jordan, Matthias Grube, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick et Walter M. Weber. « Material Prospects of Reconfigurable Transistor (RFETs) – From Silicon to Germanium Nanowires ». MRS Proceedings 1659 (2014) : 225–30. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.110.
Texte intégralHashim, Uda, Tijjani Adam, M. N. Afnan Uda et M. N. A. Uda. « Determination of Silicon Electrical Properties Using First Principles Approach ». Journal of Physics : Conference Series 2129, no 1 (1 décembre 2021) : 012056. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2129/1/012056.
Texte intégralLi, Xianglong, Xiaoqiao Yang, Zhe Zhang, Teng Wang, Yabin Sun, Ziyu Liu, Xiaojin Li, Yanling Shi et Jun Xu. « Impact of Process Fluctuations on Reconfigurable Silicon Nanowire Transistor ». IEEE Transactions on Electron Devices 68, no 2 (février 2021) : 885–91. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2020.3045689.
Texte intégralWeber, Walter M., Andre Heinzig, Jens Trommer, Matthias Grube, Franz Kreupl et Thomas Mikolajick. « Reconfigurable Nanowire Electronics-Enabling a Single CMOS Circuit Technology ». IEEE Transactions on Nanotechnology 13, no 6 (novembre 2014) : 1020–28. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2014.2362112.
Texte intégralBetz, A. C., M. L. V. Tagliaferri, M. Vinet, M. Broström, M. Sanquer, A. J. Ferguson et M. F. Gonzalez-Zalba. « Reconfigurable quadruple quantum dots in a silicon nanowire transistor ». Applied Physics Letters 108, no 20 (16 mai 2016) : 203108. http://dx.doi.org/10.1063/1.4950976.
Texte intégralTrommer, Jens, Andre Heinzig, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick et Walter Michael Weber. « Elementary Aspects for Circuit Implementation of Reconfigurable Nanowire Transistors ». IEEE Electron Device Letters 35, no 1 (janvier 2014) : 141–43. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2290555.
Texte intégralBaldauf, Tim, Andre Heinzig, Jens Trommer, Thomas Mikolajick et Walter Michael Weber. « Stress-Dependent Performance Optimization of Reconfigurable Silicon Nanowire Transistors ». IEEE Electron Device Letters 36, no 10 (octobre 2015) : 991–93. http://dx.doi.org/10.1109/led.2015.2471103.
Texte intégralBoehm, Sarah J., Lei Kang, Douglas H. Werner et Christine D. Keating. « Field-Switchable Broadband Polarizer Based on Reconfigurable Nanowire Assemblies ». Advanced Functional Materials 27, no 5 (19 décembre 2016) : 1604703. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.201604703.
Texte intégralSun, Bin, Benjamin Richstein, Patrick Liebisch, Thorben Frahm, Stefan Scholz, Jens Trommer, Thomas Mikolajick et Joachim Knoch. « On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors ». IEEE Transactions on Electron Devices 68, no 7 (juillet 2021) : 3684–89. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2021.3081527.
Texte intégralWessely, Frank, Tillmann Krauss et Udo Schwalke. « Reconfigurable CMOS with undoped silicon nanowire midgap Schottky-barrier FETs ». Microelectronics Journal 44, no 12 (décembre 2013) : 1072–76. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2012.08.004.
Texte intégralSaha, Priyanka, Dinesh Kumar Dash et Subir Kumar Sarkar. « Nanowire reconfigurable FET as biosensor : Based on dielectric modulation approach ». Solid-State Electronics 161 (novembre 2019) : 107637. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2019.107637.
Texte intégralBanerjee, Sayanti, Markus Löffler, Uwe Muehle, Katarzyna Berent, André Heinzig, Jens Trommer, Walter Weber et Ehrenfried Zschech. « TEM Study of Schottky Junctions in Reconfigurable Silicon Nanowire Devices ». Advanced Engineering Materials 18, no 2 (25 mars 2015) : 180–84. http://dx.doi.org/10.1002/adem.201400577.
Texte intégralSimon, Maik, Andre Heinzig, Jens Trommer, Tim Baldauf, Thomas Mikolajick et Walter M. Weber. « Top-Down Technology for Reconfigurable Nanowire FETs With Symmetric On-Currents ». IEEE Transactions on Nanotechnology 16, no 5 (septembre 2017) : 812–19. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2017.2694969.
Texte intégralWu, Jun, et Minsu Choi. « Latency/area analysis and optimization of asynchronous nanowire reconfigurable crossbar system ». Nano Communication Networks 1, no 4 (décembre 2010) : 301–9. http://dx.doi.org/10.1016/j.nancom.2011.01.003.
Texte intégralTrommer, Jens, Andre Heinzig, Tim Baldauf, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick et Walter M. Weber. « Functionality-Enhanced Logic Gate Design Enabled by Symmetrical Reconfigurable Silicon Nanowire Transistors ». IEEE Transactions on Nanotechnology 14, no 4 (juillet 2015) : 689–98. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2015.2429893.
Texte intégralShiratori, Yuta, Kensuke Miura, Rui Jia, Nan-Jian Wu et Seiya Kasai. « Compact Reconfigurable Binary-Decision-Diagram Logic Circuit on a GaAs Nanowire Network ». Applied Physics Express 3, no 2 (29 janvier 2010) : 025002. http://dx.doi.org/10.1143/apex.3.025002.
Texte intégralYellambalase, Yadunandana, et Minsu Choi. « Cost-driven repair optimization of reconfigurable nanowire crossbar systems with clustered defects ». Journal of Systems Architecture 54, no 8 (août 2008) : 729–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.sysarc.2008.01.001.
Texte intégralDuan, Jingyu, Janne S. Lehtinen, Michael A. Fogarty, Simon Schaal, Michelle M. L. Lam, Alberto Ronzani, Andrey Shchepetov et al. « Dispersive readout of reconfigurable ambipolar quantum dots in a silicon-on-insulator nanowire ». Applied Physics Letters 118, no 16 (19 avril 2021) : 164002. http://dx.doi.org/10.1063/5.0040259.
Texte intégralDarbandy, Ghader, Martin Claus et Michael Schroter. « High-Performance Reconfigurable Si Nanowire Field-Effect Transistor Based on Simplified Device Design ». IEEE Transactions on Nanotechnology 15, no 2 (mars 2016) : 289–94. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2016.2521897.
Texte intégralSingh, Sangeeta, Ruchir Sinha et P. N. Kondekar. « A novel ultra steep dynamically reconfigurable electrostatically doped silicon nanowire Schottky Barrier FET ». Superlattices and Microstructures 93 (mai 2016) : 40–49. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.02.039.
Texte intégralBiswas, Ayan K., Jayasimha Atulasimha et Supriyo Bandyopadhyay. « Energy-Efficient Hybrid Spintronic–Straintronic Nonvolatile Reconfigurable Equality Bit Comparator ». SPIN 07, no 02 (23 mai 2017) : 1750004. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324717500047.
Texte intégralBaldauf, Tim, André Heinzig, Jens Trommer, Thomas Mikolajick et Walter Michael Weber. « Tuning the tunneling probability by mechanical stress in Schottky barrier based reconfigurable nanowire transistors ». Solid-State Electronics 128 (février 2017) : 148–54. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2016.10.009.
Texte intégralMikolajick, T., A. Heinzig, J. Trommer, T. Baldauf et W. M. Weber. « The RFET—a reconfigurable nanowire transistor and its application to novel electronic circuits and systems ». Semiconductor Science and Technology 32, no 4 (1 mars 2017) : 043001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aa5581.
Texte intégralHongal, Veeresh, Raghavendra Kotikalapudi et Minsu Choi. « Design, Test, and Repair of MLUT (Memristor Look-Up Table) Based Asynchronous Nanowire Reconfigurable Crossbar Architecture ». IEEE Journal on Emerging and Selected Topics in Circuits and Systems 4, no 4 (décembre 2014) : 427–37. http://dx.doi.org/10.1109/jetcas.2014.2361067.
Texte intégralShiratori, Yuta, Kensuke Miura et Seiya Kasai. « Programmable nano-switch array using SiN/GaAs interface traps on a GaAs nanowire network for reconfigurable BDD logic circuits ». Microelectronic Engineering 88, no 8 (août 2011) : 2755–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.12.007.
Texte intégralYu, Zhiqiang, Qing Shi, Huaping Wang, Junyi Shang, Qiang Huang et Toshio Fukuda. « Controllable Melting and Flow of Ag in Self-Formed Amorphous Carbonaceous Shell for Nanointerconnection ». Micromachines 13, no 2 (29 janvier 2022) : 213. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020213.
Texte intégralSingh, Sangeeta, P. N. Kondekar et Ruchir Sinha. « Estimation of Analog/Radio-Frequency Figures-of-Merits and Circuit Performance of Dynamically Reconfigurable Electrostatically Doped Silicon Nanowire Schottky Barrier FET ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 12, no 4 (1 avril 2017) : 343–51. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2017.2013.
Texte intégralZou, Qiushun, Wenjie Liu, Yang Shen et Chongjun Jin. « Flexible plasmonic modulators induced by the thermomechanical effect ». Nanoscale 11, no 24 (2019) : 11437–44. http://dx.doi.org/10.1039/c9nr04068d.
Texte intégralSchonbrun, Ethan, Kwanyong Seo et Kenneth B. Crozier. « Reconfigurable Imaging Systems Using Elliptical Nanowires ». Nano Letters 11, no 10 (12 octobre 2011) : 4299–303. http://dx.doi.org/10.1021/nl202324s.
Texte intégralZhang, Douguo, Ruxue Wang, Yifeng Xiang, Yan Kuai, Cuifang Kuang, Ramachandram Badugu, Yingke Xu et al. « Silver Nanowires for Reconfigurable Bloch Surface Waves ». ACS Nano 11, no 10 (20 septembre 2017) : 10446–51. http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.7b05638.
Texte intégralBegari, Krishna, et Arabinda Haldar. « Reconfigurable microwave properties of zigzag magnetic nanowires ». Journal of Physics D : Applied Physics 53, no 45 (18 août 2020) : 455005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/aba571.
Texte intégralLiang, Zexi, et Donglei Fan. « Visible light–gated reconfigurable rotary actuation of electric nanomotors ». Science Advances 4, no 9 (septembre 2018) : eaau0981. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aau0981.
Texte intégralGuo, Jie, Yong Zhou, Huajun Yuan, Ding Zhao, Yanling Yin, Kuo Hai, Yuehua Peng, Weichang Zhou et Dongsheng Tang. « Reconfigurable resistive switching devices based on individual tungsten trioxide nanowires ». AIP Advances 3, no 4 (avril 2013) : 042137. http://dx.doi.org/10.1063/1.4804067.
Texte intégralIftimie, S., A. Radu et D. Dragoman. « Reconfigurable logic gates in nanowires with Rashba spin-orbit interaction ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 120 (juin 2020) : 114064. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2020.114064.
Texte intégralKhan, Muhammad Bilal, Dipjyoti Deb, Jochen Kerbusch, Florian Fuchs, Markus Löffler, Sayanti Banerjee, Uwe Mühle et al. « Towards Reconfigurable Electronics : Silicidation of Top-Down Fabricated Silicon Nanowires ». Applied Sciences 9, no 17 (22 août 2019) : 3462. http://dx.doi.org/10.3390/app9173462.
Texte intégralPatra, Partha Pratim, Rohit Chikkaraddy, Sreeja Thampi, Ravi P. N. Tripathi et G. V. Pavan Kumar. « Large-scale dynamic assembly of metal nanostructures in plasmofluidic field ». Faraday Discussions 186 (2016) : 95–106. http://dx.doi.org/10.1039/c5fd00127g.
Texte intégralJeon, Dae-Young, So Jeong Park, Sebastian Pregl, Thomas Mikolajick et Walter M. Weber. « Reconfigurable thin-film transistors based on a parallel array of Si-nanowires ». Journal of Applied Physics 129, no 12 (28 mars 2021) : 124504. http://dx.doi.org/10.1063/5.0036029.
Texte intégralBoehm, Sarah J., Lan Lin, Nermina Brljak, Nicole R. Famularo, Theresa S. Mayer et Christine D. Keating. « Reconfigurable Positioning of Vertically-Oriented Nanowires Around Topographical Features in an AC Electric Field ». Langmuir 33, no 41 (3 octobre 2017) : 10898–906. http://dx.doi.org/10.1021/acs.langmuir.7b02163.
Texte intégral« Reconfigurable Nanowire Electronics ». ECS Meeting Abstracts, 2011. http://dx.doi.org/10.1149/ma2011-01/18/1191.
Texte intégralLee, Hoo-Cheol, Jungkil Kim, Ha-Reem Kim, Kyoung-Ho Kim, Kyung-Jun Park, Jae-Pil So, Jung Min Lee, Min-Soo Hwang et Hong-Gyu Park. « Nanograin network memory with reconfigurable percolation paths for synaptic interactions ». Light : Science & ; Applications 12, no 1 (15 mai 2023). http://dx.doi.org/10.1038/s41377-023-01168-5.
Texte intégralGartside, Jack C., Son G. Jung, Seung Y. Yoo, Daan M. Arroo, Alex Vanstone, Troy Dion, Kilian D. Stenning et Will R. Branford. « Current-controlled nanomagnetic writing for reconfigurable magnonic crystals ». Communications Physics 3, no 1 (30 novembre 2020). http://dx.doi.org/10.1038/s42005-020-00487-y.
Texte intégralKim, Taekham, Doohyeok Lim, Jaemin Son, Kyoungah Cho et Sangsig Kim. « Reconfiguration of operation modes in silicon nanowire field-effect transistors by electrostatic virtual doping ». Nanotechnology, 1 juillet 2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac7dae.
Texte intégralZhu, Zhongyunshen, Anton E. O. Persson et Lars-Erik Wernersson. « Reconfigurable signal modulation in a ferroelectric tunnel field-effect transistor ». Nature Communications 14, no 1 (3 mai 2023). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-023-38242-w.
Texte intégralQuijada, Jorge Navarro, Tim Baldauf, Shubham Rai, Andre Heinzig, Akash Kumar, Walter M. Weber, Thomas Mikolajick et Jens Trommer. « A Germanium Nanowire Reconfigurable Transistor Model for Predictive Technology Evaluation ». IEEE Transactions on Nanotechnology, 2022, 1–8. http://dx.doi.org/10.1109/tnano.2022.3221836.
Texte intégralLiang, Zexi, Daniel Teal et Donglei (Emma) Fan. « Light programmable micro/nanomotors with optically tunable in-phase electric polarization ». Nature Communications 10, no 1 (21 novembre 2019). http://dx.doi.org/10.1038/s41467-019-13255-6.
Texte intégral« (Invited) High-Yield Reconfigurable Silicon and Germanium Nanowire Transistors and Compact Logic Circuits ». ECS Meeting Abstracts, 2016. http://dx.doi.org/10.1149/ma2016-02/37/2315.
Texte intégral