Livres sur le sujet « Nanostructured Oxide Semiconductors »
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Teherani, Ferechteh Hosseini. Oxide-based materials and devices : 24-27 January 2010, San Francisco, California, United States. Bellingham, WA : SPIE, 2010.
Trouver le texte intégralJ, Rogers David, Ferechteh Hosseini Teherani et D. C. Look. Oxide-based materials and devices III : 22-25 January 2012, San Francisco, California, United States. Sous la direction de SPIE (Society). Bellingham, Wash : SPIE, 2012.
Trouver le texte intégralC, Jagadish, et Pearton S. J, dir. Zinc oxide bulk, thin films and nanostructures : Processing, properties and applications. Amsterdam : Elsevier, 2006.
Trouver le texte intégralTsu-Jae, King, Materials Research Society Meeting et Symposium on CMOS Front-End Materials and Process Technology (2003 : San Francisco, Calif.), dir. CMOS front-end materials and process technology : Symposium held April 22-24, 2003, San Francisco, California, U.S.A. Warrendale, Pa : Materials Research Society, 2003.
Trouver le texte intégralI, Gardner Mark, et Materials Research Society, dir. Novel materials and processes for advanced CMOS : Symposium held December 2-4, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa : Materials Research Society, 2003.
Trouver le texte intégralSudipta, Seal, Materials Research Society Meeting et Symposium on Semiconductor Materials for Sensing (2004 : Boston, Mass.), dir. Semiconductor materials for sensing : Symposium held November 29-December 2, 2004, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa : Materials Research Society, 2005.
Trouver le texte intégralCMOS nanoelectronics : Analog and RF VLSI circuits. New York : McGraw-Hill, 2011.
Trouver le texte intégralNano-semiconductors : Devices and technology. Boca Raton, FL : CRC Press, 2012.
Trouver le texte intégralNano-CMOS gate dielectric engineering. Boca Raton : CRC Press, 2012.
Trouver le texte intégralInternational, Symposium on Advanced Materials (11th 2009 Islamabad Pakistan), et International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics (2010 Tokyo Institute of Technology). Advanced materials XI : Selected, peer reviewed papers from the 11th International Symposium on Advanced Materials, 08-12 August, 2009, Islamabad, Pakistan. Stafa-Zurich, Switzerland : Trans Tech Publications, 2010.
Trouver le texte intégralUchida, Ken, Nobuyuki Sugii, Kiyoshi Takeuchi et Toshirō Hiramoto. Shūseki nanodebaisu. Tōkyō : Maruzen, 2009.
Trouver le texte intégralKatsutoshi, Komeya, Matsuo Yohtaro, Goto Takashi, Nihon Seramikkusu Kyōkai et Nihon Gakujutsu Shinkōkai. Kōbutsu Shinkatsuyō Dai 124 Iinkai., dir. Innovation in ceramic science and engineering : Selected, peer reviewed papers from the 3rd International Symposium on Advanced Ceramics, Grand Copthorne Waterfront Hotel, December 11-15, 2006, Singapore. Stafa-Zurich, Switzerland : Trans Tech Publications, 2007.
Trouver le texte intégralZhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.
Trouver le texte intégralNanostructured Semiconductors. Elsevier Science & Technology, 2018.
Trouver le texte intégralRogers, David, Ferechteh Teherani et David Look. Oxide-Based Materials and Devices VIII. SPIE, 2018.
Trouver le texte intégralZhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices : Properties and Applications. Elsevier Science & Technology, 2017.
Trouver le texte intégralZhuiykov, Serge. Nanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices : Properties and Applications. Elsevier Science & Technology, 2014.
Trouver le texte intégralNanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2019.
Trouver le texte intégralVakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov et Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices. Taylor & Francis Group, 2021.
Trouver le texte intégralScalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices : Insights from First-Principles Simulations. Springer London, Limited, 2014.
Trouver le texte intégralTabata, Hitoshi, et Seiichi Miyazaki. Technology Evolution for Silicon Nano-Electronics. Trans Tech Publications, Limited, 2011.
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Trouver le texte intégralGuo, Jing, et Mark Lundstrom. Nanoscale Transistors : Device Physics, Modeling and Simulation. Springer London, Limited, 2006.
Trouver le texte intégralJing, Guo, dir. Nanoscale Transistors : Device Physics, Modeling and Simulation. Gardners Books, 2010.
Trouver le texte intégralZinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures : Processing, Properties, and Applications. Elsevier Science, 2006.
Trouver le texte intégral(Editor), Chennupati Jagadish, et Stephen J. Pearton (Editor), dir. Zinc Oxide Bulk, Thin Films and Nanostructures : Processing, Properties, and Applications. Elsevier Science, 2006.
Trouver le texte intégralYang, Yi, et Sun Xiaowei. ZnO Nanostructures and Their Applications. Jenny Stanford Publishing, 2016.
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Trouver le texte intégralZnO Nanostructures and Their Applications. Taylor & Francis Group, 2011.
Trouver le texte intégralVakhrushev, Alexander V., Rishat G. Valeev, Aleksey Yu Fedotov et Dmitrii I. Petukhov. Nanostructured Semiconductors in Porous Alumina Matrices : Modeling, Synthesis, and Properties. Apple Academic Press, Incorporated, 2019.
Trouver le texte intégralCMOS Front-End Materials and Process Technology : Volume 765. Materials Research Society, 2003.
Trouver le texte intégralLockwood, David J., Leonid Tsybeskov, Christophe Delerue, Masakazu Ichikawa et Anthony W. van Buuren. Group IV Semiconductor Nanostructures - 2006. University of Cambridge ESOL Examinations, 2014.
Trouver le texte intégralMcGlynn, E., M. O. Henry et J. P. Mosnier. ZnO wide-bandgap semiconductor nanostructures : Growth, characterization and applications. Sous la direction de A. V. Narlikar et Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.14.
Texte intégralWong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.
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Trouver le texte intégralWong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2017.
Trouver le texte intégralWong, Hei. Nano-CMOS Gate Dielectric Engineering. Taylor & Francis Group, 2013.
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Trouver le texte intégralVibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices : Insights from First-Principles Simulations. Springer, 2014.
Trouver le texte intégralScalise, Emilio. Vibrational Properties of Defective Oxides and 2D Nanolattices : Insights from First-Principles Simulations. Springer International Publishing AG, 2016.
Trouver le texte intégralAnalog Filters in Nanometer CMOS Springer Series in Advanced Microelectronics. Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH &, 2013.
Trouver le texte intégralLight, Water, Hydrogen : The Solar Generation of Hydrogen by Water Photoelectrolysis. Springer, 2007.
Trouver le texte intégralGroup IV Semiconductor Nanostructures : 2006 : Symposium Held November 27-December 1, 2006, Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 2007.
Trouver le texte intégralZinc Oxide and Related Materials : Symposium Held November 27-30, 2006. Boston, Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 2007.
Trouver le texte intégralNanostructured Semiconductor Oxides for the Next Generation of Electronics and Functional Devices. Elsevier, 2014. http://dx.doi.org/10.1016/c2013-0-16486-0.
Texte intégralZimmermann, Horst, et Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer London, Limited, 2016.
Trouver le texte intégralZimmermann, Horst, et Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer, 2016.
Trouver le texte intégralZimmermann, Horst, et Mohamed Atef. Optoelectronic Circuits in Nanometer CMOS Technology. Springer, 2018.
Trouver le texte intégralFundamentals Of Nanoscaled Field Effect Transistors. Springer-Verlag New York Inc., 2013.
Trouver le texte intégralGuo, Jing, et Mark Lundstrom. Nanoscale Transistors : Device Physics, Modeling and Simulation. Springer, 2005.
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