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Nikolić, K., M. Forshaw et R. Compañó. « The Current Status of Nanoelectronic Devices ». International Journal of Nanoscience 02, no 01n02 (février 2003) : 7–29. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x03001048.
Texte intégralKosina, Hans, et Siegfried Selberherr. « Device Simulation Demands of Upcoming Microelectronics Devices ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, no 01 (mars 2006) : 115–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406003576.
Texte intégralWhite, Marvin H., Yu (Richard) Wang, Stephen J. Wrazien et Yijie (Sandy) Zhao. « ADVANCEMENTS IN NANOELECTRONIC SONOS NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY (NVSM) DEVICES AND TECHNOLOGY ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, no 02 (juin 2006) : 479–501. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406003801.
Texte intégralPanfilov, Y. V., I. A. Rodionov, I. A. Ryzhikov, A. S. Baburin, D. O. Moskalev et E. S. Lotkov. « Ultrathin film deposition for nanoelectronic device manucturing ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 781 (5 mai 2020) : 012021. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/781/1/012021.
Texte intégralSaxena, Shubhangi, et Kamsali Manjunathachari. « Novel Nanoelectronic Materials and Devices : For Future Technology Node ». ECS Transactions 107, no 1 (24 avril 2022) : 15701–11. http://dx.doi.org/10.1149/10701.15701ecst.
Texte intégralKOSINA, HANS. « NANOELECTRONIC DEVICE SIMULATION BASED ON THE WIGNER FUNCTION FORMALISM ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 17, no 03 (septembre 2007) : 475–84. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156407004667.
Texte intégralNidhi, Tashi Nautiyal et Samaresh Das. « Large-Scale Synthesis of Nickel Sulfide for Electronic Device Applications ». MRS Advances 5, no 52-53 (2020) : 2727–35. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.339.
Texte intégralLiffmann, R., M. Homberger, M. Mennicken, S. Karthäuser et U. Simon. « Polydiacetylene stabilized gold nanoparticles – extraordinary high stability and integration into a nanoelectrode device ». RSC Advances 5, no 125 (2015) : 102981–92. http://dx.doi.org/10.1039/c5ra17545c.
Texte intégralJanes, D. B., V. R. Kolagunta, M. Batistuta, B. L. Walsh, R. P. Andres, Jia Liu, J. Dicke et al. « Nanoelectronic device applications of a chemically stable GaAs structure ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 17, no 4 (1999) : 1773. http://dx.doi.org/10.1116/1.590824.
Texte intégralMüller, T., A. Lorke, Q. T. Do, F. J. Tegude, D. Schuh et W. Wegscheider. « A three-terminal planar selfgating device for nanoelectronic applications ». Solid-State Electronics 49, no 12 (décembre 2005) : 1990–95. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2005.09.004.
Texte intégralBae, Choelhwyi, et Gerald Lucovsky. « Low temperature semiconductor surface passivation for nanoelectronic device applications ». Surface Science 532-535 (juin 2003) : 759–63. http://dx.doi.org/10.1016/s0039-6028(03)00181-x.
Texte intégralWONG, H. S. PHILIP. « NANOELECTRONICS – OPPORTUNITIES AND CHALLENGES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, no 01 (mars 2006) : 83–94. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406003540.
Texte intégralBondarev, A. V., et V. N. Efanov. « ANALYSIS OF DYNAMIC PROCESSES IN NANOELECTRONIC STRUCTURES BASED ON MEMRESISTIVE ELEMENTS ». Izvestiya of Samara Scientific Center of the Russian Academy of Sciences 23, no 2 (2021) : 91–97. http://dx.doi.org/10.37313/1990-5378-2021-23-2-91-97.
Texte intégralMennicken, Max, Sophia Katharina Peter, Corinna Kaulen, Ulrich Simon et Silvia Karthäuser. « Impact of device design on the electronic and optoelectronic properties of integrated Ru-terpyridine complexes ». Beilstein Journal of Nanotechnology 13 (15 février 2022) : 219–29. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.13.16.
Texte intégralVahapoglu, Ensar, James P. Slack-Smith, Ross C. C. Leon, Wee Han Lim, Fay E. Hudson, Tom Day, Tuomo Tanttu et al. « Single-electron spin resonance in a nanoelectronic device using a global field ». Science Advances 7, no 33 (août 2021) : eabg9158. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abg9158.
Texte intégralLei, Wen, Bo Cai, Huanfu Zhou, Gunter Heymann, Xin Tang, Shengli Zhang et Xing Ming. « Ferroelastic lattice rotation and band-gap engineering in quasi 2D layered-structure PdSe2 under uniaxial stress ». Nanoscale 11, no 25 (2019) : 12317–25. http://dx.doi.org/10.1039/c9nr03101d.
Texte intégralFedoseyev, Alexander I., Marek Turowski et Marek S. Wartak. « Kinetic and Quantum Models for Nanoelectronic and Optoelectronic Device Simulation ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 2, no 3 (1 décembre 2007) : 234–56. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2007.303.
Texte intégralMuhonen, Juha T., Juan P. Dehollain, Arne Laucht, Fay E. Hudson, Rachpon Kalra, Takeharu Sekiguchi, Kohei M. Itoh et al. « Storing quantum information for 30 seconds in a nanoelectronic device ». Nature Nanotechnology 9, no 12 (12 octobre 2014) : 986–91. http://dx.doi.org/10.1038/nnano.2014.211.
Texte intégralSajjad, Muhammad, Gerardo Morell et Peter Feng. « Advance in Novel Boron Nitride Nanosheets to Nanoelectronic Device Applications ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 5, no 11 (23 mai 2013) : 5051–56. http://dx.doi.org/10.1021/am400871s.
Texte intégralRose, G. S., M. M. Ziegler et M. R. Stan. « Large-signal two-terminal device model for nanoelectronic circuit analysis ». IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 12, no 11 (novembre 2004) : 1201–8. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2004.836291.
Texte intégralPetrakov, Dmitry S., Dmitry I. Smirnov, Nikolay N. Gerasimenko, Nurlan A. Medetov et Azamat A. Jikeev. « Implementation of software for data processing of X-ray optical measurements for the analysis of structural parameters ». Journal of Applied Crystallography 52, no 1 (1 février 2019) : 186–92. http://dx.doi.org/10.1107/s1600576718016837.
Texte intégralAbderrahmane, Abdelkader, Changlim Woo et Pil-Ju Ko. « Low Power Consumption Gate-Tunable WSe2/SnSe2 van der Waals Tunnel Field-Effect Transistor ». Electronics 11, no 5 (7 mars 2022) : 833. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11050833.
Texte intégralLe, Ha-Linh Thi, Fatme Jardali et Holger Vach. « Deposition of hydrogenated silicon clusters for efficient epitaxial growth ». Physical Chemistry Chemical Physics 20, no 23 (2018) : 15626–34. http://dx.doi.org/10.1039/c8cp00764k.
Texte intégralLi, Chao, Bo Lei, Wendy Fan, Daihua Zhang, M. Meyyappan et Chongwu Zhou. « Molecular Memory Based on Nanowire–Molecular Wire Heterostructures ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 7, no 1 (1 janvier 2007) : 138–50. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2007.18011.
Texte intégralSchuerle, Simone, Manish K. Tiwari, Kaiyu Shou, Dimos Poulikakos et Bradley J. Nelson. « Fabricating devices with dielectrophoretically assembled, suspended single walled carbon nanotubes for improved nanoelectronic device characterization ». Microelectronic Engineering 88, no 8 (août 2011) : 2740–43. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.01.008.
Texte intégralYue, Chenxi, Shuye Jiang, Hao Zhu, Lin Chen, Qingqing Sun et David Zhang. « Device Applications of Synthetic Topological Insulator Nanostructures ». Electronics 7, no 10 (1 octobre 2018) : 225. http://dx.doi.org/10.3390/electronics7100225.
Texte intégralChen, An. « (Invited, Digital Presentation) Emerging Materials and Devices for Energy-Efficient Computing ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 19 (7 juillet 2022) : 1073. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01191073mtgabs.
Texte intégralEl Sachat, Alexandros, Francesc Alzina, Clivia M. Sotomayor Torres et Emigdio Chavez-Angel. « Heat Transport Control and Thermal Characterization of Low-Dimensional Materials : A Review ». Nanomaterials 11, no 1 (13 janvier 2021) : 175. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010175.
Texte intégralPrasad, Vikash, et Debaprasad Das. « A Review on MOSFET-Like CNTFETs ». Science & ; Technology Journal 4, no 2 (1 juillet 2016) : 124–29. http://dx.doi.org/10.22232/stj.2016.04.02.06.
Texte intégralTERANISHI, Toshiharu, et Masayuki KANEHARA. « Strategy to Fabricate Small Gold Nanoparticle Superlattices and Application to Nanoelectronic Device ». Journal of the Vacuum Society of Japan 51, no 11 (2008) : 731–36. http://dx.doi.org/10.3131/jvsj2.51.731.
Texte intégralHaley, Benjamin P., Sunhee Lee, Mathieu Luisier, Hoon Ryu, Faisal Saied, Steve Clark, Hansang Bae et Gerhard Klimeck. « Advancing nanoelectronic device modeling through peta-scale computing and deployment on nanoHUB ». Journal of Physics : Conference Series 180 (1 juillet 2009) : 012075. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/180/1/012075.
Texte intégralKumar, S. Bala, S. G. Tan, M. B. A. Jalil, P. Q. Cheung et Yong Jiang. « Nanoelectronic logic device based on the manipulation of magnetic and electric barriers ». Journal of Applied Physics 103, no 5 (mars 2008) : 054310. http://dx.doi.org/10.1063/1.2838211.
Texte intégralKang, Jeong Won, et Ho Jung Hwang. « Model schematics of a nanoelectronic device based on multi-endo-fullerenes electromigration ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 27, no 1-2 (mars 2005) : 245–52. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2004.11.014.
Texte intégralGan, C. L., E. K. Ng, B. L. Chan, U. Hashim et F. C. Classe. « Technical Barriers and Development of Cu Wirebonding in Nanoelectronics Device Packaging ». Journal of Nanomaterials 2012 (2012) : 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2012/173025.
Texte intégralVaknin, Yonatan, Ronen Dagan et Yossi Rosenwaks. « Pinch-Off Formation in Monolayer and Multilayers MoS2 Field-Effect Transistors ». Nanomaterials 9, no 6 (14 juin 2019) : 882. http://dx.doi.org/10.3390/nano9060882.
Texte intégralBayan, Sayan, et Dambarudhar Mohanta. « Significant Fowler–Nordheim tunneling across ZnO – Nanorod based nanojunctions for nanoelectronic device applications ». Current Applied Physics 13, no 4 (juin 2013) : 705–9. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2012.11.009.
Texte intégralYang, Xiaonian, Qiang Li, Guofeng Hu, Zegao Wang, Zhenyu Yang, Xingqiang Liu, Mingdong Dong et Caofeng Pan. « Controlled synthesis of high-quality crystals of monolayer MoS2 for nanoelectronic device application ». Science China Materials 59, no 3 (mars 2016) : 182–90. http://dx.doi.org/10.1007/s40843-016-0130-1.
Texte intégralChuan, Mu Wen, Muhammad Amirul Irfan Misnon, Nurul Ezaila Alias et Michael Loong Peng Tan. « Device Performance of Double-Gate Schottky-Barrier Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistors with Physical Scaling ». Journal of Nanotechnology 2023 (16 janvier 2023) : 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2023/1709570.
Texte intégralCao, Liemao, Xiaohui Deng, Zhenkun Tang, Guanghui Zhou et Yee Sin Ang. « Designing high-efficiency metal and semimetal contacts to two-dimensional semiconductor γ-GeSe ». Applied Physics Letters 121, no 11 (12 septembre 2022) : 113104. http://dx.doi.org/10.1063/5.0117670.
Texte intégralYue, Dewu, Ximing Rong, Shun Han, Peijiang Cao, Yuxiang Zeng, Wangying Xu, Ming Fang, Wenjun Liu, Deliang Zhu et Youming Lu. « High Photoresponse Black Phosphorus TFTs Capping with Transparent Hexagonal Boron Nitride ». Membranes 11, no 12 (1 décembre 2021) : 952. http://dx.doi.org/10.3390/membranes11120952.
Texte intégralWang, Hui, Xin Wang, Chuandong Li et Ling Chen. « SPICE Mutator Model for Transforming Memristor into Meminductor ». Abstract and Applied Analysis 2013 (2013) : 1–5. http://dx.doi.org/10.1155/2013/281675.
Texte intégralБондарев, А. В., et В. Н. Ефанов. « Investigation of Robustness of Nanoelectronic Structures Based on Resonant Tunneling Elements ». Proceedings of Universities. Electronics 26, no 6 (décembre 2021) : 491–507. http://dx.doi.org/10.24151/1561-5405-2021-26-6-491-507.
Texte intégralWagner, Tino, Hannes Beyer, Patrick Reissner, Philipp Mensch, Heike Riel, Bernd Gotsmann et Andreas Stemmer. « Kelvin probe force microscopy for local characterisation of active nanoelectronic devices ». Beilstein Journal of Nanotechnology 6 (23 novembre 2015) : 2193–206. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.6.225.
Texte intégralSaga, Koichiro, et Takeshi Hattori. « Wafer Cleaning Using Supercritical CO2 in Semiconductor and Nanoelectronic Device Fabrication ». Solid State Phenomena 134 (novembre 2007) : 97–103. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.134.97.
Texte intégralDavidson, J. L., W. P. Kang, K. Subramanian et Y. M. Wong. « Forms and behaviour of vacuum emission electronic devices comprising diamond or other carbon cold cathode emitters ». Philosophical Transactions of the Royal Society A : Mathematical, Physical and Engineering Sciences 366, no 1863 (19 novembre 2007) : 281–93. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2007.2154.
Texte intégralVenkataraman, Anusha, Eberechukwu Amadi et Chris Papadopoulos. « Molecular-Scale Hardware Encryption Using Tunable Self-Assembled Nanoelectronic Networks ». Micro 2, no 3 (21 juin 2022) : 361–68. http://dx.doi.org/10.3390/micro2030024.
Texte intégralMajidi, Mohammad, Mohammad Taghi Ahmadi et Meisam Rahmani. « Analytical Modeling of Carbon Nanoparticle-Based Symmetric p–n Junction ». Advanced Science, Engineering and Medicine 11, no 11 (1 novembre 2019) : 1031–35. http://dx.doi.org/10.1166/asem.2019.2446.
Texte intégralAl-mashaal, Asaad K. Edaan, et Rebecca Cheung. « Delamination of polyimide in hydrofluoric acid ». Acta Polytechnica 61, no 6 (31 décembre 2021) : 684–88. http://dx.doi.org/10.14311/ap.2021.61.0684.
Texte intégralCui, Huanqing, Li Cai, Sen Wang, Xiaoqiang Liu et Xiaokuo Yang. « Accurate reliability analysis method for quantum-dot cellular automata circuits ». International Journal of Modern Physics B 29, no 29 (13 novembre 2015) : 1550203. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979215502033.
Texte intégralKelly, Thomas F., Keith Thompson, Emmanuelle A. Marquis et David J. Larson. « Atom Probe Tomography Defines Mainstream Microscopy at the Atomic Scale ». Microscopy Today 14, no 4 (juillet 2006) : 34–41. http://dx.doi.org/10.1017/s1551929500050264.
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