Articles de revues sur le sujet « NAND Flash Interface »
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Myramuru, Shanmukha Sai Nikhil, Dr S. Chandra Mohan Reddy et Dr Gannera Mamatha. « Design and Integration of NAND Flash Memory Controller for Open Power-based Fabless SoC ». International Journal of Engineering and Advanced Technology 12, no 2 (30 décembre 2022) : 137–44. http://dx.doi.org/10.35940/ijeat.d3470.1212222.
Texte intégralLiu, Hai Ke, Shun Wang, Xin Gna Kang et Jin Liang Wang. « Realization of NAND FLASH Control Glueless Interface Circuit ». Advanced Materials Research 1008-1009 (août 2014) : 659–62. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1008-1009.659.
Texte intégralLiu, Gen Xian, et Dong Sheng Wang. « Low Cost Wear Leveling for High-Density SPI NAND Flash in Memory Constrained Embedded System ». Applied Mechanics and Materials 427-429 (septembre 2013) : 1277–80. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.427-429.1277.
Texte intégralHung, Ji Jun, Kai Bu, Zhao Lin Sun, Jie Tao Diao et Jian Bin Liu. « PCI Express-Based NVMe Solid State Disk ». Applied Mechanics and Materials 464 (novembre 2013) : 365–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.464.365.
Texte intégralMissimer, Katherine, Manos Athanassoulis et Richard West. « Telomere : Real-Time NAND Flash Storage ». ACM Transactions on Embedded Computing Systems 21, no 1 (31 janvier 2022) : 1–24. http://dx.doi.org/10.1145/3479157.
Texte intégralYan, Chin-Rung, Jone F. Chen, Ya-Jui Lee, Yu-Jie Liao, Chung-Yi Lin, Chih-Yuan Chen, Yin-Chia Lin et Huei-Haurng Chen. « Extraction and Analysis of Interface States in 50-nm nand Flash Devices ». IEEE Transactions on Electron Devices 60, no 3 (mars 2013) : 992–97. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2013.2240458.
Texte intégralKim, Geukchan, Hyejin Kim et Sunghoon Chun. « A New Package for High Speed and High Density eStorage Using the Frequency Boosting Chip ». International Symposium on Microelectronics 2015, no 1 (1 octobre 2015) : 000220–24. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2015-wa22.
Texte intégralLi, Qing, Shan Qing Hu, Yang Feng et Teng Long. « The Design and Implementation of a High-Speed and Large-Capacity NAND Flash Storage System ». Applied Mechanics and Materials 543-547 (mars 2014) : 568–71. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.543-547.568.
Texte intégralJeong, Jun-Kyo, Jae-Young Sung, Woon-San Ko, Ki-Ryung Nam, Hi-Deok Lee et Ga-Won Lee. « Physical and Electrical Analysis of Poly-Si Channel Effect on SONOS Flash Memory ». Micromachines 12, no 11 (15 novembre 2021) : 1401. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111401.
Texte intégralYi, Hyun Ju, et Tae Hee Han. « Adaptive Design Techniques for High-speed Toggle 2.0 NAND Flash Interface Considering Dynamic Internal Voltage Fluctuations ». Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea 49, no 9 (25 septembre 2012) : 251–58. http://dx.doi.org/10.5573/ieek.2012.49.9.251.
Texte intégralKang, K. ‐T, S. ‐Y Kim et K. ‐Y Lee. « Open‐loop per‐pin skew compensation with lock fault detector for parallel NAND flash memory interface ». Electronics Letters 54, no 6 (mars 2018) : 346–48. http://dx.doi.org/10.1049/el.2017.4341.
Texte intégralKang, Ho-Jung, Sung-Ho Bae, Min-Kyu Jeong, Sung-Min Joe, Byung-Gook Park et Jong-Ho Lee. « Extraction of Interface Trap Density in the Region Between Adjacent Wordlines in NAND Flash Memory Strings ». IEEE Electron Device Letters 36, no 1 (janvier 2015) : 53–55. http://dx.doi.org/10.1109/led.2014.2367025.
Texte intégralRamesh, Sivaramakrishnan, Arjun Ajaykumar, Lars-Åke Ragnarsson, Laurent Breuil, Gabriel El Hajjam, Ben Kaczer, Attilio Belmonte et al. « Understanding the Origin of Metal Gate Work Function Shift and Its Impact on Erase Performance in 3D NAND Flash Memories ». Micromachines 12, no 9 (8 septembre 2021) : 1084. http://dx.doi.org/10.3390/mi12091084.
Texte intégralLee, Jun Gyu, et Tae Whan Kim. « Effects of the Grain Boundary and Interface Traps on the Electrical Characteristics of 3D NAND Flash Memory Devices ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 18, no 3 (1 mars 2018) : 1944–47. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2018.15000.
Texte intégralKim, Chulbum, Jinho Ryu, Taesung Lee, Hyunggon Kim, Jaewoo Lim, Jaeyong Jeong, Seonghwan Seo et al. « A 21 nm High Performance 64 Gb MLC NAND Flash Memory With 400 MB/s Asynchronous Toggle DDR Interface ». IEEE Journal of Solid-State Circuits 47, no 4 (avril 2012) : 981–89. http://dx.doi.org/10.1109/jssc.2012.2185341.
Texte intégralGillingham, Peter, David Chinn, Eric Choi, Jin-Ki Kim, Don Macdonald, Hakjune Oh, Hong-Beom Pyeon et Roland Schuetz. « 800 MB/s DDR NAND Flash Memory Multi-Chip Package With Source-Synchronous Interface for Point-to-Point Ring Topology ». IEEE Access 1 (2013) : 811–16. http://dx.doi.org/10.1109/access.2013.2294433.
Texte intégralZou, Xingqi, Lei Jin, Liang Yan, Yu Zhang, Di Ai, Chenglin Zhao, Feng Xu, Chunlong Li et Zongliang Huo. « The influence of grain boundary interface traps on electrical characteristics of top select gate transistor in 3D NAND flash memory ». Solid-State Electronics 153 (mars 2019) : 67–73. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2018.12.007.
Texte intégralAn, Ho-Myoung, Hee-Dong Kim et Tae Geun Kim. « Analysis of the energy distribution of interface traps related to tunnel oxide degradation using charge pumping techniques for 3D NAND flash applications ». Materials Research Bulletin 48, no 12 (décembre 2013) : 5084–87. http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2013.05.008.
Texte intégralChu, Kai-Chun, Kuo-Chi Chang, Hsiao-Chuan Wang, Yuh-Chung Lin et Tsui-Lien Hsu. « Field-Programmable Gate Array-Based Hardware Design of Optical Fiber Transducer Integrated Platform ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 15, no 5 (1 mai 2020) : 663–71. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2020.2835.
Texte intégralZhao, Dongxue, Zhiliang Xia, Linchun Wu, Tao Yang, Dongyu Fan, Yuancheng Yang, Lei Liu, Wenxi Zhou et Zongliang Huo. « Optimization of Bump Defect at High-Concentration In-Situ Phosphorus Doped Polysilicon/TEOS Oxide Interface for 3D NAND Flash Memory Application ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 9 (2021) : 1243–47. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2021.3123844.
Texte intégralSon, C. I., S. Yoon, S. W. Chung, C. I. Park et E. Y. Chung. « Variability-insensitive scheme for NAND flash memory interfaces ». Electronics Letters 42, no 23 (2006) : 1335. http://dx.doi.org/10.1049/el:20062239.
Texte intégralKang, Jing, Fei Liu, Ya Hai et Yongshan Wang. « A Wide-Range Four-Phase All-Digital DLL with De-Skew Circuit ». Electronics 12, no 7 (29 mars 2023) : 1610. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12071610.
Texte intégralDeng, He Lian, et You Gang Xiao. « Development of General Embedded Intelligent Monitoring System for Tower Crane ». Applied Mechanics and Materials 103 (septembre 2011) : 394–98. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.103.394.
Texte intégralKurinjimalar, Ramu, Selvam Manjula, M. Ramachandran et RajKumar Sangeetha. « A Review on Solid state Drives transformer concept A new era in power supply ». Electrical and Automation Engineering 2, no 1 (1 mars 2023) : 104–10. http://dx.doi.org/10.46632/eae/2/1/15.
Texte intégralSong, Wan Soo, Ju Eun Kang et Sang Jeen Hong. « Spectroscopic Analysis of CF4/O2 Plasma Mixed with N2 for Si3N4 Dry Etching ». Coatings 12, no 8 (27 juillet 2022) : 1064. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12081064.
Texte intégralRui, Ying, Meng-Hsien Chen, Sumeet Pandey et Lan Li. « Applications and mechanisms of anisotropic two-step Si3N4 etching with hydrogen plasma conditioning ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 41, no 2 (mars 2023) : 022601. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002139.
Texte intégral« LSI joins open NAND Flash Interface Working Group ». Microelectronics International 25, no 3 (25 juillet 2008). http://dx.doi.org/10.1108/mi.2008.21825cab.012.
Texte intégralChoi, Saeyan, Seungsob Kim, Seain Bang, Jungchun Kim, Dong Geun Park, Seunghee Jin, Min Jung Kim, Eunmee Kwon et Jae Woo Lee. « Interface engineering of 9X stacked 3D NAND flash memory using hydrogen post-treatment annealing ». Nanotechnology, 5 octobre 2022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac97a1.
Texte intégralHou, Tuo-Hung, Jaegoo Lee, Jonathan T. Shaw et Edwin C. Kan. « Flash Memory Scaling : From Material Selection to Performance Improvement ». MRS Proceedings 1071 (2008). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1071-f02-01.
Texte intégralLiu, Liwei, Yibo Sun, Xiaohe Huang, Chunsen Liu, Zhaowu Tang, Senfeng Zeng, David Wei Zhang, Shaozhi Deng et Peng Zhou. « Ultrafast Flash Memory with Large Self-Rectifying Ratio Based on Atomically Thin MoS2-Channel Transistor ». Materials Futures, 17 mai 2022. http://dx.doi.org/10.1088/2752-5724/ac7067.
Texte intégralCacciato, Antonio, Laurent Breuil, Geert Van den bosch, Olivier Richard, Aude Rothschild, Arnaud Furnémont, Hugo Bender, Jorge A. Kittl et Jan Van Houdt. « Effect of Top Dielectric Morphology and Gate Material on the Performance of Nitride-based FLASH Memory Cells ». MRS Proceedings 1071 (2008). http://dx.doi.org/10.1557/proc-1071-f02-08.
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