Articles de revues sur le sujet « Multi-Gate Transistors »
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Lin, Jinhan. « Advancement and Challenges of Field Effect Transistors based on Multi-gate Transistor ». Journal of Physics : Conference Series 2370, no 1 (1 novembre 2022) : 012004. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2370/1/012004.
Texte intégralSporea, Radu Alexandru. « (Invited) Multi-Gate Contact-Controlled Transistors ». ECS Meeting Abstracts MA2021-01, no 32 (30 mai 2021) : 1058. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-01321058mtgabs.
Texte intégralSeon, Kim, Kim et Jeon. « Analytical Current-Voltage Model for Gate-All-Around Transistor with Poly-Crystalline Silicon Channel ». Electronics 8, no 9 (4 septembre 2019) : 988. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8090988.
Texte intégralZHANG, WEIQIANG, LI SU, YU ZHANG, LINFENG LI et JIANPING HU. « LOW-LEAKAGE FLIP-FLOPS BASED ON DUAL-THRESHOLD AND MULTIPLE LEAKAGE REDUCTION TECHNIQUES ». Journal of Circuits, Systems and Computers 20, no 01 (février 2011) : 147–62. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126611007128.
Texte intégralMo, Zening, Zhidi Jiang et Jianping Hu. « A Novel Three-Input Field Effect Transistor with Parallel Switching Function Using T-Shaped Channel ». Journal of Electrical and Computer Engineering 2022 (11 avril 2022) : 1–12. http://dx.doi.org/10.1155/2022/1432545.
Texte intégralYang, Maolong, Yao Lu, Qiancui Zhang, Zhao Han, Yichi Zhang, Maliang Liu, Ningning Zhang, Huiyong Hu et Liming Wang. « Charge transport behaviors in a multi-gated WSe2/MoS2 heterojunction ». Applied Physics Letters 121, no 4 (25 juillet 2022) : 043501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0097390.
Texte intégralChu, Shunan. « Comparative Analysis of Optimization Schemes of Carry Look-ahead Adder ». Journal of Physics : Conference Series 2290, no 1 (1 juin 2022) : 012008. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2290/1/012008.
Texte intégralKondo, Jun, Murali Lingalugari, Pik-Yiu Chan, Evan Heller et Faquir Jain. « Modeling and Fabrication of Quantum Dot Channel Field Effect Transistors Incorporating Quantum Dot Gate ». MRS Proceedings 1551 (2013) : 149–54. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.899.
Texte intégralBoampong, Amos Amoako, Jae-Hyeok Cho, Yoonseuk Choi et Min-Hoi Kim. « Enhancement of the Retention Characteristics in Solution-Processed Ferroelectric Memory Transistor with Dual-Gate Structure ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, no 3 (1 mars 2021) : 1766–71. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.18923.
Texte intégralBhadra, Debabrata. « USING PERCOLATIVE CRYSTALLINE 0.3 CUO/PVDF NANOCOMPOSITE GATE DIELECTRIC FOR FABRICATING HIGH-EFFECT MOBILITY THIN FILM TRANSISTOR OPERATING AT LOW VOLTAGE ». International Journal of Advanced Research 9, no 11 (30 novembre 2021) : 1095–101. http://dx.doi.org/10.21474/ijar01/13846.
Texte intégralMirdha, Pial, Murali Lingalugari, Evan K. Heller, John A. Chandy et Faquir C. Jain. « Novel Multiplexer Design Using Multi-State Spatial Wavefunction-Switched (SWS) FETs ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 24, no 03n04 (septembre 2015) : 1520011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156415200116.
Texte intégralJeong, Moon-Young, Yoon-Ha Jeong, Sung-Woo Hwang et Dae M. Kim. « Performance of Single-Electron Transistor Logic Composed of Multi-gate Single-Electron Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 36, Part 1, No. 11 (15 novembre 1997) : 6706–10. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.36.6706.
Texte intégralDoucet, Jean-Christophe, Aimad Saib, Christian Mourad, François Piette, Etienne Vanzieleghem et Pierre Delatte. « HADES® : a High-Temperature Isolated Gate Driver Solution for SiC-based Multi-kW Converters ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2011, HITEN (1 janvier 2011) : 000145–51. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-paper3-jcdoucet.
Texte intégralWan, Haoji, Xianyun Liu, Xin Su, Xincheng Ren, Shengting Luo et Qi Zhou. « Characteristics of a Novel FinFET with Multi-Enhanced Operation Gates (MEOG FinFET) ». Applied Sciences 12, no 21 (7 novembre 2022) : 11279. http://dx.doi.org/10.3390/app122111279.
Texte intégralQian, Chuan, Ling-an Kong, Junliang Yang, Yongli Gao et Jia Sun. « Multi-gate organic neuron transistors for spatiotemporal information processing ». Applied Physics Letters 110, no 8 (20 février 2017) : 083302. http://dx.doi.org/10.1063/1.4977069.
Texte intégralZhu, Li Qiang, Hui Xiao, Yang Hui Liu, Chang Jin Wan, Yi Shi et Qing Wan. « Multi-gate synergic modulation in laterally coupled synaptic transistors ». Applied Physics Letters 107, no 14 (5 octobre 2015) : 143502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4932568.
Texte intégralColinge, Jean-Pierre, Dimitri Lederer, Aryan Afzalian, Ran Yan, Chi-Woo Lee, Nima Dehdashti Akhavan et Weize Xiong. « Properties of Accumulation-Mode Multi-Gate Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 48, no 3 (23 mars 2009) : 034502. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.48.034502.
Texte intégralLin, Yu-Ru, Yi-Yun Yang, Yu-Husien Lin, Erry Dwi Kurniawan, Mu-Shih Yeh, Lun-Chun Chen et Yug-Chun Wu. « Performance of Stacked Nanosheets Gate-All-Around and Multi-Gate Thin-Film-Transistors ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 6 (2018) : 1187–91. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2018.2873008.
Texte intégralSamuel, T. S. Arun, et M. Karthigai Pandian. « Comparative Performance Analysis of Multi Gate Tunnel Field Effect Transistors ». Journal of Nano Research 41 (mai 2016) : 1–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.41.1.
Texte intégralAbdul Tahrim, ‘Aqilah binti, Huei Chaeng Chin, Cheng Siong Lim et Michael Loong Peng Tan. « Design and Performance Analysis of 1-Bit FinFET Full Adder Cells for Subthreshold Region at 16 nm Process Technology ». Journal of Nanomaterials 2015 (2015) : 1–13. http://dx.doi.org/10.1155/2015/726175.
Texte intégralMaisurah Mohd Hassan, Siti, Yusman M. Yusof, Arjuna Marzuki, Nazif Emran Farid, Siti Amalina Enche Ab Rahim et Mohd Hafis M. Ali. « RF characteristics of 0.13-μm NMOS transistors for millimeter-wave application ». Microelectronics International 31, no 2 (29 avril 2014) : 116–20. http://dx.doi.org/10.1108/mi-09-2013-0044.
Texte intégralKwon, Hyunah, Hocheon Yoo, Masahiro Nakano, Kazuo Takimiya, Jae-Joon Kim et Jong Kyu Kim. « Gate-tunable gas sensing behaviors in air-stable ambipolar organic thin-film transistors ». RSC Advances 10, no 4 (2020) : 1910–16. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra09195e.
Texte intégralWessely, F., T. Krauss et U. Schwalke. « CMOS without doping : Multi-gate silicon-nanowire field-effect-transistors ». Solid-State Electronics 70 (avril 2012) : 33–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2011.11.011.
Texte intégralErine, Catherine, Jun Ma, Giovanni Santoruvo et Elison Matioli. « Multi-Channel AlGaN/GaN In-Plane-Gate Field-Effect Transistors ». IEEE Electron Device Letters 41, no 3 (mars 2020) : 321–24. http://dx.doi.org/10.1109/led.2020.2967458.
Texte intégralWang, Xiangjing, Li Zhu, Chunsheng Chen, Huiwu Mao, Yixin Zhu, Ying Zhu, Yang Yang, Changjin Wan et Qing Wan. « Freestanding multi-gate IZO-based neuromorphic transistors on composite electrolyte membranes ». Flexible and Printed Electronics 6, no 4 (1 décembre 2021) : 044008. http://dx.doi.org/10.1088/2058-8585/ac4203.
Texte intégralYu, Ji-Man, Chungryeol Lee, Joon-Kyu Han, Seong-Joo Han, Geon-Beom Lee, Sung Gap Im et Yang-Kyu Choi. « Multi-functional logic circuits composed of ultra-thin electrolyte-gated transistors with wafer-scale integration ». Journal of Materials Chemistry C 9, no 22 (2021) : 7222–27. http://dx.doi.org/10.1039/d1tc01486b.
Texte intégralKondo, Jun, Pial Mirdha, Barath Parthasarathy, Pik-Yiu Chan, Bander Saman, Faquir Jain et Evan Heller. « Modeling and Fabrication of GeOx-Ge Cladded Quantum Dot Channel (QDC) FETs on Poly-Silicon ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 27, no 01n02 (mars 2018) : 1840005. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156418400050.
Texte intégralKwon, Hyuk-Min, Dae-Hyun Kim et Tae-Woo Kim. « Instability in In0.7Ga0.3As Quantum-Well MOSFETs with Single-Layer Al2O3 and Bi-Layer Al2O3/HfO2 Gate Stacks Caused by Charge Trapping under Positive Bias Temperature (PBT) Stress ». Electronics 9, no 12 (1 décembre 2020) : 2039. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9122039.
Texte intégralWang, Ding, Ping Wang, Minming He, Jiangnan Liu, Shubham Mondal, Mingtao Hu, Danhao Wang, Yuanpeng Wu, Tao Ma et Zetian Mi. « Fully epitaxial, monolithic ScAlN/AlGaN/GaN ferroelectric HEMT ». Applied Physics Letters 122, no 9 (27 février 2023) : 090601. http://dx.doi.org/10.1063/5.0143645.
Texte intégralChang, P. C., K. H. Lee, Z. H. Wang et S. J. Chang. « AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Multi-MgxNy/GaN Buffer ». Journal of Nanomaterials 2014 (2014) : 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2014/623043.
Texte intégralZhao, Yuhang, et Jie Jiang. « Recent Progress on Neuromorphic Synapse Electronics : From Emerging Materials, Devices, to Neural Networks ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 18, no 12 (1 décembre 2018) : 8003–15. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2018.16428.
Texte intégralNagy, Daniel, Manuel Aldegunde, Muhammad A. Elmessary, Antonio J. García-Loureiro, Natalia Seoane et Karol Kalna. « Modelling of nanoscale multi-gate transistors affected by atomistic interface roughness ». Journal of Physics : Condensed Matter 30, no 14 (15 mars 2018) : 144006. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/aab10f.
Texte intégralMalik, Gul Faroz Ahmad, Mubashir Ahmad Kharadi et Farooq Ahmad Khanday. « Electrically reconfigurable logic design using multi-gate spin Field Effect Transistors ». Microelectronics Journal 90 (août 2019) : 278–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2019.07.003.
Texte intégralDeng, Guoqing, et Chunhong Chen. « Binary Multiplication Using Hybrid MOS and Multi-Gate Single-Electron Transistors ». IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 21, no 9 (septembre 2013) : 1573–82. http://dx.doi.org/10.1109/tvlsi.2012.2217993.
Texte intégralLiu, Kai, Yuan Liu, Yu-Rong Liu, Yun-Fei En et Bin Li. « Comparative study of mobility extraction methods in p-type polycrystalline silicon thin film transistors ». Modern Physics Letters B 31, no 19-21 (27 juillet 2017) : 1740007. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984917400073.
Texte intégralYang, Hsin-Chia, Sung-Ching Chi et Wen-Shiang Liao. « Comparison of Fitting Current–Voltage Characteristics Curves of FinFET Transistors with Various Fixed Parameters ». Applied Sciences 12, no 20 (18 octobre 2022) : 10519. http://dx.doi.org/10.3390/app122010519.
Texte intégralChatterjee, A., S. W. Aur, T. Niuya, P. Yang et J. A. Seitchik. « Failure in CMOS circuits induced by hot carriers in multi-gate transistors ». IEEE Electron Device Letters 9, no 11 (novembre 1988) : 564–66. http://dx.doi.org/10.1109/55.9277.
Texte intégralNitayama, A., F. Horiguchi, H. Takato, N. Okabe, K. Sunouchi, K. Hieda et F. Masuoka. « High speed and compact CMOS circuits with multi-pillar surrounding gate transistors ». IEEE Transactions on Electron Devices 36, no 11 (novembre 1989) : 2605–6. http://dx.doi.org/10.1109/16.43705.
Texte intégralJian, Jhang-Jie, Hsin-Ying Lee, Edward-Yi Chang et Ching-Ting Lee. « Investigation of Multi-Mesa-Channel-Structured AlGaN/GaN MOSHEMTs with SiO2 Gate Oxide Layer ». Coatings 11, no 12 (3 décembre 2021) : 1494. http://dx.doi.org/10.3390/coatings11121494.
Texte intégralToral-Lopez, A., F. Pasadas, E. G. Marin, A. Medina-Rull, J. M. Gonzalez-Medina, F. G. Ruiz, D. Jiménez et A. Godoy. « Multi-scale analysis of radio-frequency performance of 2D-material based field-effect transistors ». Nanoscale Advances 3, no 8 (2021) : 2377–82. http://dx.doi.org/10.1039/d0na00953a.
Texte intégralYang, Ling, Hao Lu, Xuerui Niu, Meng Zhang, Chunzhou Shi, Longge Deng, Bin Hou et al. « Investigation of contact mechanism and gate electrostatic control in multi-channel AlGaN/GaN high electron mobility transistors with deep recessed ohmic contact ». Journal of Applied Physics 132, no 16 (28 octobre 2022) : 165703. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106827.
Texte intégralSehgal, Amit, Tina Mangla, Mridula Gupta et R. S. Gupta. « Multi-material gate poly-crystalline thin film transistors : Modeling and simulation for an improved gate transport efficiency ». Thin Solid Films 516, no 8 (février 2008) : 2162–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.06.119.
Texte intégralLiu, Bo-Ying, Gao-Sheng Wang, Ming-Lang Tseng, Zhi-Gang Li et Kuo-Jui Wu. « New Energy Empowerment Using Kernel Principal Component Analysis in Insulated Gate Bipolar Transistors Module Monitoring ». Sustainability 10, no 10 (11 octobre 2018) : 3644. http://dx.doi.org/10.3390/su10103644.
Texte intégralKushwah, Preeti, Saurabh Khandelwal et Shyam Akashe. « Multi-Threshold Voltage CMOS Design for Low-Power Half Adder Circuit ». International Journal of Nanoscience 14, no 05n06 (octobre 2015) : 1550022. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x15500222.
Texte intégralOpoku, C., K. F. Hoettges, M. P. Hughes, V. Stolojan, S. R. P. Silva et M. Shkunov. « Solution processable multi-channel ZnO nanowire field-effect transistors with organic gate dielectric ». Nanotechnology 24, no 40 (12 septembre 2013) : 405203. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/24/40/405203.
Texte intégralCho, Kyungjune, Tae-Young Kim, Woanseo Park, Juhun Park, Dongku Kim, Jingon Jang, Hyunhak Jeong, Seunghun Hong et Takhee Lee. « Gate-bias stress-dependent photoconductive characteristics of multi-layer MoS2 field-effect transistors ». Nanotechnology 25, no 15 (18 mars 2014) : 155201. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/25/15/155201.
Texte intégralPark, Mingyo, et Byung-Wook Min. « X-band T/R switch with body-floating multi-gate PDSOI NMOS transistors ». Solid-State Electronics 141 (mars 2018) : 69–73. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2017.12.009.
Texte intégralConde, J., I. Mejia, F. S. Aguirre-Tostado, C. Young et M. A. Quevedo-Lopez. « Design considerations for II–VI multi-gate transistors : the case of cadmium sulfide ». Semiconductor Science and Technology 29, no 4 (20 février 2014) : 045006. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/29/4/045006.
Texte intégralLima, Vitor Gonçalves, Guilherme Paim, Rodrigo Wuerdig, Leandro Mateus Giacomini Rocha, Leomar Da Rosa Júnior, Felipe Marques, Vinicius Valduga, Eduardo Costa, Rafael Soares et Sergio Bampi. « Enhancing Side Channel Attack-Resistance of the STTL Combining Multi-Vt Transistors with Capacitance and Current Paths Counterbalancing ». Journal of Integrated Circuits and Systems 15, no 1 (26 mai 2020) : 1–11. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v15i1.100.
Texte intégralTsai, Meng-Ju, Kang-Hui Peng, Chong-Jhe Sun, Siao-Cheng Yan, Chieng-Chung Hsu, Yu-Ru Lin, Yu-Hsien Lin et Yung-Chun Wu. « Fabrication and Characterization of Stacked Poly-Si Nanosheet With Gate-All-Around and Multi-Gate Junctionless Field Effect Transistors ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 7 (2019) : 1133–39. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2019.2952150.
Texte intégral