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Kiffner, Martin, Jonathan Coulthard, Frank Schlawin, Arzhang Ardavan et Dieter Jaksch. « Mott polaritons in cavity-coupled quantum materials ». New Journal of Physics 21, no 7 (31 juillet 2019) : 073066. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/ab31c7.
Texte intégralFurukawa, Tetsuya, Kazuya Miyagawa, Hiromi Taniguchi, Reizo Kato et Kazushi Kanoda. « Quantum criticality of Mott transition in organic materials ». Nature Physics 11, no 3 (9 février 2015) : 221–24. http://dx.doi.org/10.1038/nphys3235.
Texte intégralFeng, Dong-Lai. « Mott physics — one of main themes in quantum materials ». Acta Physica Sinica 72, no 23 (2023) : 237101. http://dx.doi.org/10.7498/aps.72.20231508.
Texte intégralWang, Yue, Kyung-Mun Kang, Minjae Kim, Hong-Sub Lee, Rainer Waser, Dirk Wouters, Regina Dittmann, J. Joshua Yang et Hyung-Ho Park. « Mott-transition-based RRAM ». Materials Today 28 (septembre 2019) : 63–80. http://dx.doi.org/10.1016/j.mattod.2019.06.006.
Texte intégralInoue, Isao H., et Marcelo J. Rozenberg. « Taming the Mott Transition for a Novel Mott Transistor ». Advanced Functional Materials 18, no 16 (22 août 2008) : 2289–92. http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200800558.
Texte intégralGavrichkov, Vladimir A. « A simple metal–insulator criterion for the doped Mott–Hubbard materials ». Solid State Communications 208 (avril 2015) : 11–14. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2015.02.014.
Texte intégralTan, Yuting, Vladimir Dobrosavljević et Louk Rademaker. « How to Recognize the Universal Aspects of Mott Criticality ? » Crystals 12, no 7 (30 juin 2022) : 932. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12070932.
Texte intégralBrandow, Baird. « The physics of Mott electron localization ». Journal of Alloys and Compounds 181, no 1-2 (avril 1992) : 377–96. http://dx.doi.org/10.1016/0925-8388(92)90334-6.
Texte intégralLaGasse, Samuel W., Prathamesh Dhakras, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi et Ji Ung Lee. « Schottky-Mott Limit : Gate-Tunable Graphene-WSe2 Heterojunctions at the Schottky-Mott Limit (Adv. Mater. 24/2019) ». Advanced Materials 31, no 24 (juin 2019) : 1970169. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201970169.
Texte intégralH�fner, S. « Mott insulation in transition metal compounds ». Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 61, no 2 (juin 1985) : 135–38. http://dx.doi.org/10.1007/bf01307767.
Texte intégralCuono, Giuseppe, et Carmine Autieri. « Mott Insulator Ca2RuO4 under External Electric Field ». Materials 15, no 19 (26 septembre 2022) : 6657. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196657.
Texte intégralPorai-Koshits, E. A. « Recipient of the 1988 Mott Award ». Journal of Non-Crystalline Solids 111, no 1 (septembre 1989) : v. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(89)90413-4.
Texte intégralEric Spear, Walter, et Robert A. Weeks. « Recipient of the 1989 Mott award ». Journal of Non-Crystalline Solids 124, no 2-3 (octobre 1990) : i. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(90)90250-p.
Texte intégralLashley, J. C., K. Gofryk, B. Mihaila, J. L. Smith et E. K. H. Salje. « Thermal avalanches near a Mott transition ». Journal of Physics : Condensed Matter 26, no 3 (18 décembre 2013) : 035701. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/26/3/035701.
Texte intégralHuda, Muhammad N., Mowafak M. Al-Jassim et John A. Turner. « Mott insulators : An early selection criterion for materials for photoelectrochemical H2 production ». Journal of Renewable and Sustainable Energy 3, no 5 (septembre 2011) : 053101. http://dx.doi.org/10.1063/1.3637367.
Texte intégralPesin, Dmytro, et Leon Balents. « Mott physics and band topology in materials with strong spin–orbit interaction ». Nature Physics 6, no 5 (21 mars 2010) : 376–81. http://dx.doi.org/10.1038/nphys1606.
Texte intégralScheiderer, Philipp, Matthias Schmitt, Judith Gabel, Michael Zapf, Martin Stübinger, Philipp Schütz, Lenart Dudy et al. « Tailoring Materials for Mottronics : Excess Oxygen Doping of a Prototypical Mott Insulator ». Advanced Materials 30, no 25 (7 mai 2018) : 1706708. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201706708.
Texte intégralPollak, Michael. « Electrons in Anderson–Mott insulators ». European Physical Journal Special Topics 227, no 15-16 (28 janvier 2019) : 2221–40. http://dx.doi.org/10.1140/epjst/e2018-800055-9.
Texte intégralNichols, Matthew A., Lawrence W. Cheuk, Melih Okan, Thomas R. Hartke, Enrique Mendez, T. Senthil, Ehsan Khatami, Hao Zhang et Martin W. Zwierlein. « Spin transport in a Mott insulator of ultracold fermions ». Science 363, no 6425 (6 décembre 2018) : 383–87. http://dx.doi.org/10.1126/science.aat4387.
Texte intégralRajbhandari, A., K. Manandhar et R. R. Pradhananga. « Mott-Schottky Analysis of Laboratory Prepared Ag2S-AgI Membrane Electrode ». Journal of Nepal Chemical Society 28 (23 mai 2013) : 89–93. http://dx.doi.org/10.3126/jncs.v28i0.8113.
Texte intégralZheng, Ming, et Pengfei Guan. « Coupled straintronic–optoelectronic effect in Mott oxide films ». Nanoscale 14, no 14 (2022) : 5545–50. http://dx.doi.org/10.1039/d2nr01099b.
Texte intégralMarianetti, C. A., G. Kotliar et G. Ceder. « A first-order Mott transition in LixCoO2 ». Nature Materials 3, no 9 (22 août 2004) : 627–31. http://dx.doi.org/10.1038/nmat1178.
Texte intégralManuel, L. O., C. J. Gazza, A. E. Feiguin et A. E. Trumper. « The spectral function for Mott insulating surfaces ». Journal of Physics : Condensed Matter 15, no 17 (22 avril 2003) : 2435–40. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/15/17/301.
Texte intégralCasado, J. M., J. H. Harding et G. J. Hyland. « Small-polaron hopping in Mott-insulating UO2 ». Journal of Physics : Condensed Matter 6, no 25 (20 juin 1994) : 4685–98. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/6/25/007.
Texte intégralStefanovich, G., A. Pergament et D. Stefanovich. « Electrical switching and Mott transition in VO2 ». Journal of Physics : Condensed Matter 12, no 41 (26 septembre 2000) : 8837–45. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/12/41/310.
Texte intégralLogan, David E., Martin R. Galpin et Jonathan Mannouch. « Mott transitions in the periodic Anderson model ». Journal of Physics : Condensed Matter 28, no 45 (12 septembre 2016) : 455601. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/28/45/455601.
Texte intégralLogan, David E., et Martin R. Galpin. « Mott insulators and the doping-induced Mott transition within DMFT : exact results for the one-band Hubbard model ». Journal of Physics : Condensed Matter 28, no 2 (11 décembre 2015) : 025601. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/28/2/025601.
Texte intégralCiorciaro, L., T. Smoleński, I. Morera, N. Kiper, S. Hiestand, M. Kroner, Y. Zhang et al. « Kinetic magnetism in triangular moiré materials ». Nature 623, no 7987 (15 novembre 2023) : 509–13. http://dx.doi.org/10.1038/s41586-023-06633-0.
Texte intégralBelitz, D., et T. R. Kirkpatrick. « Order parameter description of the Anderson-Mott transition ». Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 98, no 4 (décembre 1995) : 513–26. http://dx.doi.org/10.1007/bf01320853.
Texte intégralBrazovskii, S., P. Monceau et F. Nad. « The ferroelectric Mott-Hubbard phase in organic conductors ». Synthetic Metals 137, no 1-3 (avril 2003) : 1331–33. http://dx.doi.org/10.1016/s0379-6779(02)01076-7.
Texte intégralKawasugi, Yoshitaka, Kazuhiro Seki, Satoshi Tajima, Jiang Pu, Taishi Takenobu, Seiji Yunoki, Hiroshi M. Yamamoto et Reizo Kato. « Two-dimensional ground-state mapping of a Mott-Hubbard system in a flexible field-effect device ». Science Advances 5, no 5 (mai 2019) : eaav7282. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aav7282.
Texte intégralIoffe, L. B., et A. J. Millis. « D-wave superconductivity in doped Mott insulators ». Journal of Physics and Chemistry of Solids 63, no 12 (décembre 2002) : 2259–68. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-3697(02)00254-8.
Texte intégralGrzybowski, Przemysław R., et Ravindra W. Chhajlany. « Hubbard-I approach to the Mott transition ». physica status solidi (b) 249, no 11 (6 août 2012) : 2231–38. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201248194.
Texte intégralHansmann, P., A. Toschi, G. Sangiovanni, T. Saha-Dasgupta, S. Lupi, M. Marsi et K. Held. « Mott-Hubbard transition in V2 O3 revisited ». physica status solidi (b) 250, no 7 (20 mars 2013) : 1251–64. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201248476.
Texte intégralBaskaran, Ganapathy. « Impurity band Mott insulators : a new route to highTcsuperconductivity ». Science and Technology of Advanced Materials 9, no 4 (décembre 2008) : 044104. http://dx.doi.org/10.1088/1468-6996/9/4/044104.
Texte intégralMartelo, L. M., M. Dzierzawa, L. Siffert et D. Baeriswyl. « Mott-Hubbard transition and antiferromagnetism on the honeycomb lattice ». Zeitschrift für Physik B Condensed Matter 103, no 2 (juin 1996) : 335–38. http://dx.doi.org/10.1007/s002570050384.
Texte intégralPustogow, A., M. Bories, A. Löhle, R. Rösslhuber, E. Zhukova, B. Gorshunov, S. Tomić et al. « Quantum spin liquids unveil the genuine Mott state ». Nature Materials 17, no 9 (6 août 2018) : 773–77. http://dx.doi.org/10.1038/s41563-018-0140-3.
Texte intégralSipos, B., A. F. Kusmartseva, A. Akrap, H. Berger, L. Forró et E. Tutiš. « From Mott state to superconductivity in 1T-TaS2 ». Nature Materials 7, no 12 (9 novembre 2008) : 960–65. http://dx.doi.org/10.1038/nmat2318.
Texte intégralNAYAK, CHETAN, et FRANK WILCZEK. « POSSIBLE ELECTRONIC STRUCTURE OF DOMAIN WALLS IN MOTT INSULATORS ». International Journal of Modern Physics B 10, no 17 (30 juillet 1996) : 2125–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979296000970.
Texte intégralCraco, L., M. S. Laad et E. Müller-Hartmann. « Metallizing the Mott insulator TiOCl by electron doping ». Journal of Physics : Condensed Matter 18, no 48 (17 novembre 2006) : 10943–53. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/18/48/021.
Texte intégralSaket, Abhinav, et Rajarshi Tiwari. « Orbital Mott transition in two dimensional pyrochlore lattice ». Journal of Physics : Condensed Matter 32, no 25 (30 mars 2020) : 255601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ab7a4b.
Texte intégralSuzuki, Yuta, Seiji Shibasaki, Yoshihiro Kubozono et Takashi Kambe. « Antiferromagnetic resonance in the Mott insulator fcc-Cs3C60 ». Journal of Physics : Condensed Matter 25, no 36 (8 août 2013) : 366001. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/25/36/366001.
Texte intégralJanotti, A., L. Bjaalie, B. Himmetoglu et C. G. Van de Walle. « Band alignment at band-insulator/Mott-insulator interfaces ». physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 8, no 6 (14 mai 2014) : 577–82. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201409088.
Texte intégralMitra, Sanchali, et Santanu Mahapatra. « Schottky–Mott limit in graphene inserted 2D semiconductor–metal interfaces ». Journal of Applied Physics 132, no 14 (14 octobre 2022) : 145301. http://dx.doi.org/10.1063/5.0106620.
Texte intégralGrimes, Robin W., et C. Richard A. Catlow. « Modeling Localized Defects in Ionic Materials Using Mott-Littleton and Embedded Quantum Cluster Methodology ». Journal of the American Ceramic Society 73, no 11 (novembre 1990) : 3251–56. http://dx.doi.org/10.1111/j.1151-2916.1990.tb06446.x.
Texte intégralHo, Chang-Ming, V. N. Muthukumar, Masao Ogata et P. W. Anderson. « Nature of Spin Excitations in Two-Dimensional Mott Insulators : Undoped Cuprates and Other Materials ». Physical Review Letters 86, no 8 (19 février 2001) : 1626–29. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.86.1626.
Texte intégralShore, K. Alan. « Electronic Processes in Non-crystalline Materials (Second Edition), by N.F. Mott and E.A. Davis ». Contemporary Physics 55, no 4 (25 juin 2014) : 337. http://dx.doi.org/10.1080/00107514.2014.933254.
Texte intégralNagaosa, N., T. K. Lee, C. M. Ho, T. Tohyama et S. Maekawa. « Theory of slightly doped Mott insulator ». Physica C : Superconductivity 388-389 (mai 2003) : 15–18. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4534(02)02604-7.
Texte intégralKohno, Masanori, Xiao Hu et Masashi Tachiki. « Charge dynamics in doped Mott insulators ». Physica C : Superconductivity 412-414 (octobre 2004) : 82–85. http://dx.doi.org/10.1016/j.physc.2003.11.077.
Texte intégralvan Loon, Erik G. C. P., Malte Schüler, Daniel Springer, Giorgio Sangiovanni, Jan M. Tomczak et Tim O. Wehling. « Coulomb engineering of two-dimensional Mott materials ». npj 2D Materials and Applications 7, no 1 (6 juillet 2023). http://dx.doi.org/10.1038/s41699-023-00408-x.
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