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Articles de revues sur le sujet « Meyer-Neldel »

Auteur : Grafiati
Publié le 10 mars 2023

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1

Okamoto, Hiroaki, Yasushi Sobajima, Toshihiko Toyama et Akihisa Matsuda. « Laplace Meyer-Neldel relation ». physica status solidi (a) 207, no 3 (5 janvier 2010) : 566–69. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200982657.

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2

Schmidt, Heidemarie, Maria Wiebe, Beatrice Dittes et Marius Grundmann. « Meyer-Neldel rule in ZnO ». Applied Physics Letters 91, no 23 (3 décembre 2007) : 232110. http://dx.doi.org/10.1063/1.2819603.

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3

Przybytek, Jacek, Vladimir Markovich et Grzegorz Jung. « Meyer-Neldel rule in the conductivity of phase separated manganites ». Journal of Electrical Engineering 70, no 7 (1 décembre 2019) : 65–70. http://dx.doi.org/10.2478/jee-2019-0043.

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Résumé :
Abstract Meyer-Neldel behaviour of the conductivity of phase separated La1−xCaxMnO3 manganite system in the low Ca-doping range has been investigated. Evolution of the isokinetic temperature of the conductivity, modified by Ca-doping, hydrostatic pressure and current bias has been determined. In addition, the evolution of the isokinetic temperature with ageing has also been studied. It is found that the Meyer-Neldel behaviour of the manganite system stems from multi-excitation entropy mechanism. The isokinetic temperatures estimated from pressure and doping effects coincide but differ from those determined using current and ageing controlled conductivity changes. It is concluded that in the presence of a detailed theoretical model of the excitations coupling in manganites, the investigations of the Meyer-Neldel effect may became a powerful tool for characterization and investigation of transport mechanisms in phase separated manganites.
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4

Wang, J. C., et Y. F. Chen. « The Meyer–Neldel rule in fullerenes ». Applied Physics Letters 73, no 7 (17 août 1998) : 948–50. http://dx.doi.org/10.1063/1.122048.

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5

Fortner, J., V. G. Karpov et Marie‐Louise Saboungi. « Meyer–Neldel rule for liquid semiconductors ». Applied Physics Letters 66, no 8 (20 février 1995) : 997–99. http://dx.doi.org/10.1063/1.113824.

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6

El-Sayed, Samy A. « Fractal explanation of Meyer–Neldel rule ». Journal of Non-Crystalline Solids 458 (février 2017) : 137–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2016.12.026.

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7

Shimakawa, K., et F. Abdel-Wahab. « The Meyer–Neldel rule in chalcogenide glasses ». Applied Physics Letters 70, no 5 (3 février 1997) : 652–54. http://dx.doi.org/10.1063/1.118323.

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8

Lubianiker, Y., et I. Balberg. « Two Meyer-Neldel Rules in Porous Silicon ». Physical Review Letters 78, no 12 (24 mars 1997) : 2433–36. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.78.2433.

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9

Dalvi, Anshuman, N. Parvathala Reddy et S. C. Agarwal. « The Meyer–Neldel rule and hopping conduction ». Solid State Communications 152, no 7 (avril 2012) : 612–15. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2012.01.018.

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PRAKASH, S., KULBIR KAUR, NAVDEEP GOYAL et S. K. Tripathi. « Meyer–Neldel DC conduction in chalcogenide glasses ». Pramana 76, no 4 (avril 2011) : 629–37. http://dx.doi.org/10.1007/s12043-011-0013-7.

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11

Singh, Karishma, Neeraj Mehta, Sudhir Sharma et Ashok Kumar. « Crystallization kinetics of glassy Se90In10-xAgx alloys : Observation of Mayer-Neldel rule ». Processing and Application of Ceramics 10, no 3 (2016) : 137–42. http://dx.doi.org/10.2298/pac1603137s.

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Résumé :
Glassy alloys of Se90In10-xAgx were prepared using melt quenching technique. Non-isothermal differential scanning calorimetric (DSC) studies were done on Se90In10-xAgx (x = 0, 2, 4, 6, 8 at.%) glassy alloys at four different heating rates (? = 5, 10, 15, 20?C/min). Well defined endothermic and exothermic peaks were obtained at glass transition (Tg) and crystallization temperature (Tc), respectively. Augis and Bennett?s method was used to obtain the composition dependent crystallization activation energy (Ec) and the pre-exponential factor (?0) of the Arrhenius expression. A linear dependence between ln ?0 and Ec was observed showing the existence of compensation effects of the Meyer-Neldel type. These compensation effects confirm the applicability of Meyer-Neldel (MN) rule for the non-isothermal crystallization in the present case.
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12

Palacios, J. Cuauhtemoc, M. Guadalupe Olayo, Guillermo J. Cruz et J. A. Chávez-Carvayar. « Meyer-Neldel Rule in Plasma Polythiophene Thin Films ». Open Journal of Polymer Chemistry 04, no 03 (2014) : 31–37. http://dx.doi.org/10.4236/ojpchem.2014.43004.

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Yelon, A., et B. Movaghar. « Microscopic explanation of the compensation (Meyer-Neldel) rule ». Physical Review Letters 65, no 5 (30 juillet 1990) : 618–20. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.65.618.

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Yelon, Arthur, et Bijan Movaghar. « The Meyer–Neldel conductivity prefactor for chalcogenide glasses ». Applied Physics Letters 71, no 24 (15 décembre 1997) : 3549–51. http://dx.doi.org/10.1063/1.120387.

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Oversluizen, G., R. P. van Kessel, K. J. Nieuwesteeg et J. Boogaard. « The Meyer–Neldel rule in hydrogenated amorphous siliconnindevices ». Journal of Applied Physics 69, no 5 (mars 1991) : 3082–86. http://dx.doi.org/10.1063/1.348571.

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Dyre, J. C. « A phenomenological model for the Meyer-Neldel rule ». Journal of Physics C : Solid State Physics 19, no 28 (10 octobre 1986) : 5655–64. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/19/28/016.

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Ullah, Mujeeb, T. B. Singh, H. Sitter et N. S. Sariciftci. « Meyer–Neldel rule in fullerene field-effect transistors ». Applied Physics A 97, no 3 (2 septembre 2009) : 521–26. http://dx.doi.org/10.1007/s00339-009-5397-6.

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Moser, M., L. P. Scheller et N. H. Nickel. « Charge carrier transport in boron doped poly-Si ». Canadian Journal of Physics 92, no 7/8 (juillet 2014) : 705–8. http://dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0563.

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Résumé :
The influence of the used substrate and the boron doping concentration of the charge-transport properties of solid-phase crystallized polycrystalline silicon (poly-Si) is explored. The samples were characterized using temperature dependent transport measurements to determine mobility, carrier concentration, and conductivity. While Arrhenius plots of the hole concentration cannot be used to determine the position of the Fermi energy, a detailed analysis of the temperature dependent carrier concentration shows a Meyer–Neldel and an anti-Meyer–Neldel rule. Charge transport in poly-Si on SiN coated Borofloat glass with a boron concentraion [B] < 1016 cm–3 is limited by phonon scattering. On the other hand, for all poly-Si samples on Corning glass and poly-Si on SiN coated Borofloat glass with [B] > 1016 cm–3 charge-carrier transport is governed by thermionic emission over potential barriers. The data are discussed in terms of the Baccarani transport model.
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19

Overhof, Harald, et Peter Thomas. « The Statistical Shift Model for the Meyer-Neldel Rule ». Defect and Diffusion Forum 192-193 (août 2001) : 1–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.192-193.1.

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20

Dyre, J. C. « A phenomenological model for the Meyer-Neldel rule : erratum ». Journal of Physics C : Solid State Physics 21, no 12 (30 avril 1988) : 2431–34. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3719/21/12/026.

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Wang, Xiaomei, Y. Bar-Yam, D. Adler et J. D. Joannopoulos. « dc conductivity and the Meyer-Neldel rule ina-Si:H ». Physical Review B 38, no 2 (15 juillet 1988) : 1601–4. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.38.1601.

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Hariech, S., M. S. Aida et H. Moualkia. « Observation of Meyer–Neldel rule in CdS thin films ». Materials Science in Semiconductor Processing 15, no 2 (avril 2012) : 181–86. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2011.10.008.

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Emin, David. « Theory of Meyer–Neldel compensation for adiabatic charge transfer ». Monatshefte für Chemie - Chemical Monthly 144, no 1 (15 septembre 2012) : 3–10. http://dx.doi.org/10.1007/s00706-012-0836-z.

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Narasimhan, K. L. « Comments on the Meyer-Neldel rule in amorphous semiconductors ». Pramana 34, no 6 (juin 1990) : 561–63. http://dx.doi.org/10.1007/bf02846432.

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Meijer, E. J., M. Matters, P. T. Herwig, D. M. de Leeuw et T. M. Klapwijk. « The Meyer–Neldel rule in organic thin-film transistors ». Applied Physics Letters 76, no 23 (5 juin 2000) : 3433–35. http://dx.doi.org/10.1063/1.126669.

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Morii, K., T. Matsui, H. Tsuda et H. Mabuchi. « Meyer–Neldel rule in amorphous strontium titanate thin films ». Applied Physics Letters 77, no 15 (9 octobre 2000) : 2361–63. http://dx.doi.org/10.1063/1.1317543.

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Franchini, Giulio, Gerardo Malavena, Christian Monzio Compagnoni et Alessandro S. Spinelli. « Investigation of the Meyer-Neldel Rule in Si MOSFETs ». IEEE Electron Device Letters 41, no 12 (décembre 2020) : 1821–24. http://dx.doi.org/10.1109/led.2020.3033583.

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Widenhorn, Ralf, Michael Fitzgibbons et Erik Bodegom. « The Meyer-Neldel rule for diodes in forward bias ». Journal of Applied Physics 96, no 12 (15 décembre 2004) : 7379–82. http://dx.doi.org/10.1063/1.1818353.

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Yelon, A., B. Movaghar et H. M. Branz. « Origin and consequences of the compensation (Meyer-Neldel) law ». Physical Review B 46, no 19 (15 novembre 1992) : 12244–50. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.46.12244.

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Yildiz, A., F. Iacomi, M. Cazacu, A. Amironesei, G. I. Rusu et S. Simon. « The Meyer-Neldel rule in layered silicone-silver nanocomposites ». Polymer Composites 32, no 11 (13 octobre 2011) : 1751–56. http://dx.doi.org/10.1002/pc.21204.

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Lubianiker, Y., et I. Balberg. « Observation of a Meyer-Neldel Rule for Hopping Conductivity ». physica status solidi (b) 205, no 1 (janvier 1998) : 119–24. http://dx.doi.org/10.1002/(sici)1521-3951(199801)205:1<119 ::aid-pssb119>3.0.co;2-#.

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Jung, Grzegorz. « Macroscopic Random Telegraph Noise ». Fluctuation and Noise Letters 18, no 02 (29 mai 2019) : 1940003. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477519400030.

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Résumé :
It is proposed that macroscopic telegraph noise in superconductors is due to dynamic coexistence of ordered and disordered vortex phases (DP and OP) created by edge contamination mechanism. A novel, robust, with bias insensitive rates, macroscopic telegraph noise in low Ca-doped manganites is ascribed to the dynamic current redistribution assisted by a positive resistance feedback associated with Meyer–Neldel compensation rule.
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Qin, Jian, et Lei Qiang. « Analysis of Carrier Transport Mechanism for p-Type SnO Thin-Film Transistor ». Key Engineering Materials 748 (août 2017) : 122–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.748.122.

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Résumé :
Temperature effect on the I-V characteristics of tin monoxide thin film transistors (SnO TFTs) has been analyzed. The result shows that the drain current of the SnO TFT obeys the Meyer-Neldel rule under low temperature, where current conduction is a thermally activated process. The carrier transport would be dominated by multiple trapping conduction, while, percolation conduction mechanism holds as the temperature increase.
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Paul, Reginald, et Venkataraman Thangadurai. « Understanding transport properties of conducting solids : Meyer-Neldel rule revisited ». Ionics 27, no 11 (1 octobre 2021) : 4917–25. http://dx.doi.org/10.1007/s11581-021-04212-9.

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Chen, Y. F., et S. F. Huang. « Connection between the Meyer-Neldel rule and stretched-exponential relaxation ». Physical Review B 44, no 24 (15 décembre 1991) : 13775–78. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.44.13775.

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Schricker, April D., Michael B. Sigman et Brian A. Korgel. « Electrical transport, Meyer–Neldel rule and oxygen sensitivity of Bi2S3nanowires ». Nanotechnology 16, no 7 (18 mai 2005) : S508—S513. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/16/7/027.

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Abdel-Wahab, F., et A. Yelon. « Meyer-Neldel rule and Poole-Frenkel effect in chalcogenide glasses ». Journal of Applied Physics 114, no 2 (14 juillet 2013) : 023707. http://dx.doi.org/10.1063/1.4813128.

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Widenhorn, Ralf, Lars Mündermann, Armin Rest et Erik Bodegom. « Meyer–Neldel rule for dark current in charge-coupled devices ». Journal of Applied Physics 89, no 12 (15 juin 2001) : 8179–82. http://dx.doi.org/10.1063/1.1372365.

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Wu, Xiaoping, et Yong-Fei Zheng. « The Meyer-Neldel compensation law for electrical conductivity in olivine ». Applied Physics Letters 87, no 25 (19 décembre 2005) : 252116. http://dx.doi.org/10.1063/1.2150270.

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Zangenberg, N. R., et A. Nylandsted Larsen. « The Meyer–Neldel rule for diffusion in Si and SiGe ». Physica B : Condensed Matter 340-342 (décembre 2003) : 780–83. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2003.09.124.

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Jackson, W. B. « Connection between the Meyer-Neldel relation and multiple-trapping transport ». Physical Review B 38, no 5 (15 août 1988) : 3595–98. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.38.3595.

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Onishi, Koichi, Kouki Sezaimaru, Fumihiro Nakashima, Yong Sun, Kenta Kirimoto, Masamichi Sakaino et Shigeru Kanemitsu. « Current-voltage characteristics of C70 solid near Meyer-Neldel temperature ». Journal of Applied Physics 121, no 22 (14 juin 2017) : 225108. http://dx.doi.org/10.1063/1.4985173.

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García-Hemme, Eric, Rodrigo García-Hernansanz, Javier Olea, David Pastor, Alvaro del Prado, Ignacio Mártil et Germán González-Díaz. « Meyer Neldel rule application to silicon supersaturated with transition metals ». Journal of Physics D : Applied Physics 48, no 7 (2 février 2015) : 075102. http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/48/7/075102.

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Popescu, Corneliu, et Toma Stoica. « Meyer-Neldel correlation in semiconductors and Mott’s minimum metallic conductivity ». Physical Review B 46, no 23 (15 décembre 1992) : 15063–71. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.46.15063.

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Juma, Albert, Henry Wafula, Elke Wendler et Thomas Dittrich. « Meyer-Neldel rule for Cu (I) diffusion in In2S3 layers ». Journal of Applied Physics 115, no 5 (7 février 2014) : 053703. http://dx.doi.org/10.1063/1.4864125.

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Philibert, Jean. « Some Thoughts and/or Questions about Activation Energy and Pre-Exponential Factor ». Defect and Diffusion Forum 249 (janvier 2006) : 61–72. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.249.61.

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Résumé :
The first part of this paper presents a brief historical account of the Arrhenius law, starting from the seminal paper by Arrhenius (1889) up to theoretical developments mainly based on the rate theory. The second part describes the so called compensation rule (Meyer-Neldel rule), a correlation between activation enthalpy and entropy (or between pre-exponential factor and activation energy) , and discusses whether this correlation is trivial or bears some physical meaning.
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Baník, Ivan, Jozefa Lukovičová et Gabriela Pavlendová. « Self-Diffusion on Pd(111) from the Point of View of the Band Model of Diffusion ». Defect and Diffusion Forum 353 (mai 2014) : 292–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.353.292.

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Résumé :
In this article we present a different view on the results of experimental investigation of the self - diffusion on Pd (111) published in „Surface Science“ [1]. Our consideration is based on the band model of diffusion. This model is able to explain the Meyer-Neldel rule (MNR) and to clarify “puzzles” mentioned in [1]. The aim of this article is also to familiarize the readers with this model, to the band model of diffusion.
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Gao, Yirong, Nana Li, Yifan Wu, Wenge Yang et Shou‐Hang Bo. « Rethinking the Design of Ionic Conductors Using Meyer–Neldel–Conductivity Plot ». Advanced Energy Materials 11, no 13 (28 février 2021) : 2100325. http://dx.doi.org/10.1002/aenm.202100325.

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Kotkata, M. F., M. S. Al-Kotb et I. G. El-Houssieny. « Observation of the Meyer–Neldel rule in nanocrystalline PbSe thin films ». Physica Scripta 89, no 11 (23 octobre 2014) : 115805. http://dx.doi.org/10.1088/0031-8949/89/11/115805.

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Sharma, S. K., P. Sagar, Himanshu Gupta, Rajendra Kumar et R. M. Mehra. « Meyer–Neldel rule in Se and S-doped hydrogenated amorphous silicon ». Solid-State Electronics 51, no 8 (août 2007) : 1124–28. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2007.06.007.

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