Articles de revues sur le sujet « Metal oxide semiconductors, Complementary Design and construction »
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Sotner, Roman, Jan Jerabek, Ladislav Polak, Roman Prokop et Vilem Kledrowetz. « Integrated Building Cells for a Simple Modular Design of Electronic Circuits with Reduced External Complexity : Performance, Active Element Assembly, and an Application Example ». Electronics 8, no 5 (22 mai 2019) : 568. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8050568.
Texte intégralBreslin, Catherine, et Adrian O'Lenskie. « Neuromorphic hardware databases for exploring structure–function relationships in the brain ». Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series B : Biological Sciences 356, no 1412 (29 août 2001) : 1249–58. http://dx.doi.org/10.1098/rstb.2001.0904.
Texte intégralAnusha, N., et T. Sasilatha. « Performance Analysis of Wide AND OR Structures Using Keeper Architectures in Various Complementary Metal Oxide Semiconductors Technologies ». Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 13, no 10 (1 octobre 2016) : 6999–7008. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2016.5660.
Texte intégralRajendran, Selvakumar, Arvind Chakrapani, Srihari Kannan et Abdul Quaiyum Ansari. « A Research Perspective on CMOS Current Mirror Circuits : Configurations and Techniques ». Recent Advances in Electrical & ; Electronic Engineering (Formerly Recent Patents on Electrical & ; Electronic Engineering) 14, no 4 (17 juin 2021) : 377–97. http://dx.doi.org/10.2174/2352096514666210127140831.
Texte intégralKalagadda, B., N. Muthyala et K. K. Korlapati. « Performance Comparison of Digital Circuits Using Subthreshold Leakage Power Reduction Techniques ». Journal of Engineering Research [TJER] 14, no 1 (1 mars 2017) : 74. http://dx.doi.org/10.24200/tjer.vol14iss1pp74-84.
Texte intégralWang, Xiaochun, Meicheng Fu, Heng Yang, Jiali Liao et Xiujian Li. « Temperature and Pulse-Energy Range Suitable for Femtosecond Pulse Transmission in Si Nanowire Waveguide ». Applied Sciences 10, no 23 (26 novembre 2020) : 8429. http://dx.doi.org/10.3390/app10238429.
Texte intégralMizuno, Tomohisa, Naoki Mizoguchi, Kotaro Tanimoto, Tomoaki Yamauchi, Mitsuo Hasegawa, Toshiyuki Sameshima et Tsutomu Tezuka. « New Source Heterojunction Structures with Relaxed/Strained Semiconductors for Quasi-Ballistic Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Transistors : Relaxation Technique of Strained Substrates and Design of Sub-10 nm Devices ». Japanese Journal of Applied Physics 49, no 4 (20 avril 2010) : 04DC13. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.49.04dc13.
Texte intégralChang, Wen-Teng, Hsu-Jung Hsu et Po-Heng Pao. « Vertical Field Emission Air-Channel Diodes and Transistors ». Micromachines 10, no 12 (6 décembre 2019) : 858. http://dx.doi.org/10.3390/mi10120858.
Texte intégralHeyns, M., et W. Tsai. « Ultimate Scaling of CMOS Logic Devices with Ge and III–V Materials ». MRS Bulletin 34, no 7 (juillet 2009) : 485–92. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.136.
Texte intégralBanerjee, Writam. « Challenges and Applications of Emerging Nonvolatile Memory Devices ». Electronics 9, no 6 (22 juin 2020) : 1029. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9061029.
Texte intégralRen, Xiaojiao, Ming Zhang, Nicolas Llaser et Yiqi Zhuang. « On-Chip Measurement of Quality Factor Implemented in 0.35μm CMOS ». Journal of Circuits, Systems and Computers 25, no 08 (17 mai 2016) : 1650087. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126616500870.
Texte intégralKajal et Vijay Kumar Sharma. « An Investigation for the Negative-Bias Temperature Instability Aware CMOS Logic ». Micro and Nanosystems 13 (25 janvier 2021). http://dx.doi.org/10.2174/1876402913666210125144339.
Texte intégral« The Mixed Logic Style based Low Power and High Speed 3-2 Compressor for ASIC designs at 32nm Technology ». International Journal of Engineering and Advanced Technology 9, no 1 (30 octobre 2019) : 43–49. http://dx.doi.org/10.35940/ijeat.a1027.109119.
Texte intégral« The Mixed Logic Style based Low Power and High Speed One-bit Binary adder for SOI Designs AT 32NM Technology ». International Journal of Recent Technology and Engineering 8, no 4 (30 novembre 2019) : 361–66. http://dx.doi.org/10.35940/ijrte.d6903.118419.
Texte intégralNaz, Syed Farah, Sadat Riyaz et Vijay Kumar Sharma. « A Review of QCA Nanotechnology as an Alternate to CMOS ». Current Nanoscience 17 (1 mars 2021). http://dx.doi.org/10.2174/1573413717666210301111822.
Texte intégralTorres, Florent, Eric Kerhervé, Andreia Cathelin et Magali De Matos. « A 31 GHz body-biased configurable power amplifier in 28 nm FD-SOI CMOS for 5 G applications ». International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 25 août 2020, 1–18. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078720001087.
Texte intégralTR, Mrs Lakshmidevi, Mr K. N. Jeevan Reddy, Mr Ashrith Rao, Mr Dhanush Kashyap S et Ms Chandini K. « Comparison of 4-Bit SAR ADC Using Different Logic Styles in 90nm Technology ». International Journal of Advanced Research in Science, Communication and Technology, 6 août 2021, 100–108. http://dx.doi.org/10.48175/ijarsct-1817.
Texte intégralChang, Jane P. « Innovative Curriculum on Electronic Materials Processing and Engingeering ». MRS Proceedings 684 (2001). http://dx.doi.org/10.1557/proc-684-gg5.2.
Texte intégralLi, Kai, Chao Teng, Shuang Wang et Qianhao Min. « Recent Advances in TiO2-Based Heterojunctions for Photocatalytic CO2 Reduction With Water Oxidation : A Review ». Frontiers in Chemistry 9 (15 avril 2021). http://dx.doi.org/10.3389/fchem.2021.637501.
Texte intégralRahimi, Ronak, et D. Korakakis. « Charge transport in ambipolar pentacene thin film transistors ». MRS Proceedings 1286 (2011). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.239.
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