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Kumar, Prateek, Maneesha Gupta, Naveen Kumar, Marlon D. Cruz, Hemant Singh, Ishan et Kartik Anand. « Performance Evaluation of Silicon-Transition Metal Dichalcogenides Heterostructure Based Steep Subthreshold Slope-Field Effect Transistor Using Non-Equilibrium Green’s Function ». Sensor Letters 18, no 6 (1 juin 2020) : 468–76. http://dx.doi.org/10.1166/sl.2020.4236.
Texte intégralAnderson, Jackson, Yanbo He, Bichoy Bahr et Dana Weinstein. « Integrated acoustic resonators in commercial fin field-effect transistor technology ». Nature Electronics 5, no 9 (23 septembre 2022) : 611–19. http://dx.doi.org/10.1038/s41928-022-00827-6.
Texte intégralWeng, Wu-Te, Yao-Jen Lee, Horng-Chih Lin et Tiao-Yuan Huang. « Plasma-Induced Damage on the Reliability of Hf-Based High-k/Dual Metal-Gates Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology ». International Journal of Plasma Science and Engineering 2009 (14 décembre 2009) : 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2009/308949.
Texte intégralJohn Chelliah, Cyril R. A., et Rajesh Swaminathan. « Current trends in changing the channel in MOSFETs by III–V semiconducting nanostructures ». Nanotechnology Reviews 6, no 6 (27 novembre 2017) : 613–23. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2017-0155.
Texte intégralOuyang, Zhuping, Wanxia Wang, Mingjiang Dai, Baicheng Zhang, Jianhong Gong, Mingchen Li, Lihao Qin et Hui Sun. « Research Progress of p-Type Oxide Thin-Film Transistors ». Materials 15, no 14 (8 juillet 2022) : 4781. http://dx.doi.org/10.3390/ma15144781.
Texte intégralChoi, Woo Young, Jong Duk Lee et Byung-Gook Park. « Integration Process of Impact-Ionization Metal–Oxide–Semiconductor Devices with Tunneling Field-Effect-Transistors and Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 46, no 1 (10 janvier 2007) : 122–24. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.122.
Texte intégralBendada, E., K. Raïs, P. Mialhe et J. P. Charles. « Surface Recombination Via Interface Defects in Field Effect Transistors ». Active and Passive Electronic Components 21, no 1 (1998) : 61–71. http://dx.doi.org/10.1155/1998/91648.
Texte intégralChoi, Woo Young. « Comparative Study of Tunneling Field-Effect Transistors and Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 49, no 4 (20 avril 2010) : 04DJ12. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.49.04dj12.
Texte intégralDiao Wenhao, 刁文豪, 江伟华 Jiang Weihua et 王新新 Wang Xinxin. « Marx generator using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». High Power Laser and Particle Beams 22, no 3 (2010) : 565–68. http://dx.doi.org/10.3788/hplpb20102203.0565.
Texte intégralIrokawa, Y., Y. Nakano, M. Ishiko, T. Kachi, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila et al. « GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field effect transistors ». physica status solidi (c) 2, no 7 (mai 2005) : 2668–71. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200461280.
Texte intégralGILDENBLAT, G., et D. FOTY. « LOW TEMPERATURE MODELS OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 02 (juin 1995) : 317–73. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000092.
Texte intégralYang, Ji-Woon, Chang Seo Park, Casey E. Smith, Hemant Adhikari, Jeff Huang, Dawei Heh, Prashant Majhi et Raj Jammy. « Mitigation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Variability with Metal Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 48, no 4 (20 avril 2009) : 04C056. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.48.04c056.
Texte intégralChang, Wen-Teng, Hsu-Jung Hsu et Po-Heng Pao. « Vertical Field Emission Air-Channel Diodes and Transistors ». Micromachines 10, no 12 (6 décembre 2019) : 858. http://dx.doi.org/10.3390/mi10120858.
Texte intégralMarcoux, J., J. Orchard-Webb et J. F. Currie. « Complementary metal oxide semiconductor-compatible junction field-effect transistor characterization ». Canadian Journal of Physics 65, no 8 (1 août 1987) : 982–86. http://dx.doi.org/10.1139/p87-156.
Texte intégralАтамуратова, З. А., А. Юсупов, Б. О. Халикбердиев et А. Э. Атамуратов. « Аномальное поведение боковой C-V-характеристики МНОП-транзистора со встроенным локальным зарядом в нитридном слое ». Журнал технической физики 89, no 7 (2019) : 1067. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2019.07.47801.319-18.
Texte intégralDobrovolsky, V. N., et A. N. Krolevets. « Theory of magnetic-field-sensitive metal–oxide–semiconductor field-effect transistors ». Journal of Applied Physics 85, no 3 (février 1999) : 1956–60. http://dx.doi.org/10.1063/1.369187.
Texte intégralZhao, Jian H. « Silicon Carbide Power Field-Effect Transistors ». MRS Bulletin 30, no 4 (avril 2005) : 293–98. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2005.76.
Texte intégralYang, Ji-Woon, Chang Seo Park, Casey E. Smith, Hemant Adhikari, Jeff Huang, Dawei Heh, Prashant Majhi et Raj Jammy. « Erratum : “Mitigation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Variability with Metal Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors” ». Japanese Journal of Applied Physics 50, no 11R (1 novembre 2011) : 119201. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.50.119201.
Texte intégralYang, Ji-Woon, Chang Seo Park, Casey E. Smith, Hemant Adhikari, Jeff Huang, Dawei Heh, Prashant Majhi et Raj Jammy. « Erratum : “Mitigation of Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Variability with Metal Gate Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors” ». Japanese Journal of Applied Physics 50 (31 octobre 2011) : 119201. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.50.119201.
Texte intégralBelford, R. E., B. P. Guo, Q. Xu, S. Sood, A. A. Thrift, A. Teren, A. Acosta, L. A. Bosworth et J. S. Zell. « Strain enhanced p-type metal oxide semiconductor field effect transistors ». Journal of Applied Physics 100, no 6 (15 septembre 2006) : 064903. http://dx.doi.org/10.1063/1.2335678.
Texte intégralLan, H. S., Y. T. Chen, William Hsu, H. C. Chang, J. Y. Lin, W. C. Chang et C. W. Liu. « Electron scattering in Ge metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Applied Physics Letters 99, no 11 (12 septembre 2011) : 112109. http://dx.doi.org/10.1063/1.3640237.
Texte intégralKleinsasser, A. W., et T. N. Jackson. « Critical currents of superconducting metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Physical Review B 42, no 13 (1 novembre 1990) : 8716–19. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.42.8716.
Texte intégralSurya, C., et T. Y. Hsiang. « Surface mobility fluctuations in metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Physical Review B 35, no 12 (15 avril 1987) : 6343–47. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.35.6343.
Texte intégralHuang, Feng-Jung, et K. K. O. « Metal-oxide semiconductor field-effect transistors using Schottky barrier drains ». Electronics Letters 33, no 15 (1997) : 1341. http://dx.doi.org/10.1049/el:19970904.
Texte intégralFiori, G., et G. Iannaccone. « Modeling of ballistic nanoscale metal-oxide-semiconductor field effect transistors ». Applied Physics Letters 81, no 19 (4 novembre 2002) : 3672–74. http://dx.doi.org/10.1063/1.1519349.
Texte intégralRumyantsev, S. L., N. Pala, M. S. Shur, R. Gaska, M. E. Levinshtein, M. Asif Khan, G. Simin, X. Hu et J. Yang. « Low frequency noise in GaN metal semiconductor and metal oxide semiconductor field effect transistors ». Journal of Applied Physics 90, no 1 (juillet 2001) : 310–14. http://dx.doi.org/10.1063/1.1372364.
Texte intégralRUMYANTSEV, S. L., N. PALA, M. S. SHUR, M. E. LEVINSHTEIN, P. A. IVANOV, M. ASIF KHAN, G. SIMIN et al. « LOW-FREQUENCY NOISE IN AlGaN/GaN HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METAL OXIDE SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE FIELD EFFECT TRANSISTORS ». Fluctuation and Noise Letters 01, no 04 (décembre 2001) : L221—L226. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477501000469.
Texte intégralBennett, Brian R., Mario G. Ancona et J. Brad Boos. « Compound Semiconductors for Low-Power p-Channel Field-Effect Transistors ». MRS Bulletin 34, no 7 (juillet 2009) : 530–36. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.141.
Texte intégralAgha, Firas, Yasir Naif et Mohammed Shakib. « Review of Nanosheet Transistors Technology ». Tikrit Journal of Engineering Sciences 28, no 1 (20 mai 2021) : 40–48. http://dx.doi.org/10.25130/tjes.28.1.05.
Texte intégralPreisler, E. J., S. Guha, B. R. Perkins, D. Kazazis et A. Zaslavsky. « Ultrathin epitaxial germanium on crystalline oxide metal-oxide-semiconductor-field-effect transistors ». Applied Physics Letters 86, no 22 (30 mai 2005) : 223504. http://dx.doi.org/10.1063/1.1941451.
Texte intégralYang, Jianan, John P. Denton et Gerold W. Neudeck. « Edge transistor elimination in oxide trench isolated N-channel metal–oxide–semiconductor field effect transistors ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 19, no 2 (2001) : 327. http://dx.doi.org/10.1116/1.1358854.
Texte intégralNatori, Kenji. « Ballistic metal‐oxide‐semiconductor field effect transistor ». Journal of Applied Physics 76, no 8 (15 octobre 1994) : 4879–90. http://dx.doi.org/10.1063/1.357263.
Texte intégralSun, Y., S. E. Thompson et T. Nishida. « Physics of strain effects in semiconductors and metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Journal of Applied Physics 101, no 10 (15 mai 2007) : 104503. http://dx.doi.org/10.1063/1.2730561.
Texte intégralPalma, Fabrizio. « Self-Mixing Model of Terahertz Rectification in a Metal Oxide Semiconductor Capacitance ». Electronics 9, no 3 (14 mars 2020) : 479. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9030479.
Texte intégralKaneko, Kentaro, Yoshito Ito, Takayuki Uchida et Shizuo Fujita. « Growth and metal–oxide–semiconductor field-effect transistors of corundum-structured alpha indium oxide semiconductors ». Applied Physics Express 8, no 9 (1 septembre 2015) : 095503. http://dx.doi.org/10.7567/apex.8.095503.
Texte intégralFerain, Isabelle, Cynthia A. Colinge et Jean-Pierre Colinge. « Multigate transistors as the future of classical metal–oxide–semiconductor field-effect transistors ». Nature 479, no 7373 (novembre 2011) : 310–16. http://dx.doi.org/10.1038/nature10676.
Texte intégralToumazou, Christofer, Tan Sri Lim Kok Thay et Pantelis Georgiou. « A new era of semiconductor genetics using ion-sensitive field-effect transistors : the gene-sensitive integrated cell ». Philosophical Transactions of the Royal Society A : Mathematical, Physical and Engineering Sciences 372, no 2012 (28 mars 2014) : 20130112. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2013.0112.
Texte intégralKoganemaru, Masaaki, Keisuke Yoshida, Naohiro Tada, Toru Ikeda, Noriyuki Miyazaki et Hajime Tomokage. « OS20-3-1 Evaluation of uniaxial-stress effects on DC characteristics of n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Abstracts of ATEM : International Conference on Advanced Technology in Experimental Mechanics : Asian Conference on Experimental Mechanics 2011.10 (2011) : _OS20–3–1—. http://dx.doi.org/10.1299/jsmeatem.2011.10._os20-3-1-.
Texte intégralMaity, Heranmoy. « A New Approach to Design and Implementation of 2-Input XOR Gate Using 4-Transistor ». Micro and Nanosystems 12, no 3 (1 décembre 2020) : 240–42. http://dx.doi.org/10.2174/1876402912666200309120205.
Texte intégralNakatsuka, Nako, Kyung-Ae Yang, John M. Abendroth, Kevin M. Cheung, Xiaobin Xu, Hongyan Yang, Chuanzhen Zhao et al. « Aptamer–field-effect transistors overcome Debye length limitations for small-molecule sensing ». Science 362, no 6412 (6 septembre 2018) : 319–24. http://dx.doi.org/10.1126/science.aao6750.
Texte intégralChoi, J. Y., P. K. Ko et C. Hu. « Effect of oxide field on hot‐carrier‐induced degradation of metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors ». Applied Physics Letters 50, no 17 (27 avril 1987) : 1188–90. http://dx.doi.org/10.1063/1.97906.
Texte intégralHaugerud, B. M., L. A. Bosworth et R. E. Belford. « Mechanically induced strain enhancement of metal–oxide–semiconductor field effect transistors ». Journal of Applied Physics 94, no 6 (15 septembre 2003) : 4102–7. http://dx.doi.org/10.1063/1.1602562.
Texte intégralChen, Qiang, et James D. Meindl. « Nanoscale metal–oxide–semiconductor field-effect transistors : scaling limits and opportunities ». Nanotechnology 15, no 10 (24 juillet 2004) : S549—S555. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/15/10/009.
Texte intégralGaubert, Philippe, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa et Tadahiro Ohmi. « Hole Mobility in Accumulation Mode Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 51, no 4S (1 avril 2012) : 04DC07. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.51.04dc07.
Texte intégralIrokawa, Y., Y. Nakano, M. Ishiko, T. Kachi, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila et al. « MgO/p-GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field-effect transistors ». Applied Physics Letters 84, no 15 (12 avril 2004) : 2919–21. http://dx.doi.org/10.1063/1.1704876.
Texte intégralOmura, Yasuhisa. « Hooge parameter in buried-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Journal of Applied Physics 91, no 3 (février 2002) : 1378–84. http://dx.doi.org/10.1063/1.1434543.
Texte intégralNavid, Reza, Christoph Jungemann, Thomas H. Lee et Robert W. Dutton. « High-frequency noise in nanoscale metal oxide semiconductor field effect transistors ». Journal of Applied Physics 101, no 12 (15 juin 2007) : 124501. http://dx.doi.org/10.1063/1.2740345.
Texte intégralGaubert, Philippe, Akinobu Teramoto, Shigetoshi Sugawa et Tadahiro Ohmi. « Hole Mobility in Accumulation Mode Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 51 (20 avril 2012) : 04DC07. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.51.04dc07.
Texte intégralShi, Xuejie, et Man Wong. « On the threshold voltage of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors ». Solid-State Electronics 49, no 7 (juillet 2005) : 1179–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2005.04.010.
Texte intégralKim, Sang Hyeon, Dae-Myeong Geum, Min-Su Park et Won Jun Choi. « In0.53Ga0.47As-on-Insulator Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors Utilizing Y2O3 Buried Oxide ». IEEE Electron Device Letters 36, no 5 (mai 2015) : 451–53. http://dx.doi.org/10.1109/led.2015.2417872.
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