Littérature scientifique sur le sujet « Metal oxide semiconductor field-effect transistors »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les listes thématiques d’articles de revues, de livres, de thèses, de rapports de conférences et d’autres sources académiques sur le sujet « Metal oxide semiconductor field-effect transistors ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Articles de revues sur le sujet "Metal oxide semiconductor field-effect transistors"
Kumar, Prateek, Maneesha Gupta, Naveen Kumar, Marlon D. Cruz, Hemant Singh, Ishan et Kartik Anand. « Performance Evaluation of Silicon-Transition Metal Dichalcogenides Heterostructure Based Steep Subthreshold Slope-Field Effect Transistor Using Non-Equilibrium Green’s Function ». Sensor Letters 18, no 6 (1 juin 2020) : 468–76. http://dx.doi.org/10.1166/sl.2020.4236.
Texte intégralAnderson, Jackson, Yanbo He, Bichoy Bahr et Dana Weinstein. « Integrated acoustic resonators in commercial fin field-effect transistor technology ». Nature Electronics 5, no 9 (23 septembre 2022) : 611–19. http://dx.doi.org/10.1038/s41928-022-00827-6.
Texte intégralWeng, Wu-Te, Yao-Jen Lee, Horng-Chih Lin et Tiao-Yuan Huang. « Plasma-Induced Damage on the Reliability of Hf-Based High-k/Dual Metal-Gates Complementary Metal Oxide Semiconductor Technology ». International Journal of Plasma Science and Engineering 2009 (14 décembre 2009) : 1–10. http://dx.doi.org/10.1155/2009/308949.
Texte intégralJohn Chelliah, Cyril R. A., et Rajesh Swaminathan. « Current trends in changing the channel in MOSFETs by III–V semiconducting nanostructures ». Nanotechnology Reviews 6, no 6 (27 novembre 2017) : 613–23. http://dx.doi.org/10.1515/ntrev-2017-0155.
Texte intégralOuyang, Zhuping, Wanxia Wang, Mingjiang Dai, Baicheng Zhang, Jianhong Gong, Mingchen Li, Lihao Qin et Hui Sun. « Research Progress of p-Type Oxide Thin-Film Transistors ». Materials 15, no 14 (8 juillet 2022) : 4781. http://dx.doi.org/10.3390/ma15144781.
Texte intégralChoi, Woo Young, Jong Duk Lee et Byung-Gook Park. « Integration Process of Impact-Ionization Metal–Oxide–Semiconductor Devices with Tunneling Field-Effect-Transistors and Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 46, no 1 (10 janvier 2007) : 122–24. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.46.122.
Texte intégralBendada, E., K. Raïs, P. Mialhe et J. P. Charles. « Surface Recombination Via Interface Defects in Field Effect Transistors ». Active and Passive Electronic Components 21, no 1 (1998) : 61–71. http://dx.doi.org/10.1155/1998/91648.
Texte intégralChoi, Woo Young. « Comparative Study of Tunneling Field-Effect Transistors and Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors ». Japanese Journal of Applied Physics 49, no 4 (20 avril 2010) : 04DJ12. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.49.04dj12.
Texte intégralDiao Wenhao, 刁文豪, 江伟华 Jiang Weihua et 王新新 Wang Xinxin. « Marx generator using metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». High Power Laser and Particle Beams 22, no 3 (2010) : 565–68. http://dx.doi.org/10.3788/hplpb20102203.0565.
Texte intégralIrokawa, Y., Y. Nakano, M. Ishiko, T. Kachi, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila et al. « GaN enhancement mode metal-oxide semiconductor field effect transistors ». physica status solidi (c) 2, no 7 (mai 2005) : 2668–71. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200461280.
Texte intégralThèses sur le sujet "Metal oxide semiconductor field-effect transistors"
Vega, Reinaldo A. « Schottky field effect transistors and Schottky CMOS circuitry / ». Online version of thesis, 2006. http://hdl.handle.net/1850/5179.
Texte intégralShi, Xuejie. « Compact modeling of double-gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistor / ». View abstract or full-text, 2006. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?ELEC%202006%20SHI.
Texte intégralZhang, Zhikuan. « Source/drain engineering for extremely scaled MOSFETs / ». View abstract or full-text, 2005. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?ELEC%202005%20ZHANG.
Texte intégralFleischer, Stephen. « A study of gate-oxide leakage in MOS devices ». Thesis, [Hong Kong : University of Hong Kong], 1993. http://sunzi.lib.hku.hk/hkuto/record.jsp?B1364600X.
Texte intégralHöhr, Timm. « Quantum-mechanical modeling of transport parameters for MOS devices / ». Konstanz : Hartnung-Gorre, 2006. http://www.loc.gov/catdir/toc/fy0707/2007358987.html.
Texte intégralSummary in German and English, text in English. Includes bibliographical references (p. 123-132).
Turner, Gary Chandler. « Zinc Oxide MESFET Transistors ». Thesis, University of Canterbury. Electrical and Computer Engineering, 2009. http://hdl.handle.net/10092/3439.
Texte intégralRandell, Heather Eve. « Applications of stress from boron doping and other challenges in silicon technology ». [Gainesville, Fla.] : University of Florida, 2005. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/UFE0010292.
Texte intégralWu, Xu Sheng. « Three dimensional multi-gates devices and circuits fabrication, characterization, and modeling / ». View abstract or full-text, 2005. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?ELEC%202005%20WUX.
Texte intégralModzelewski, Kenneth Paul. « DC parameter extraction technique for independent double gate MOSFETs a thesis presented to the faculty of the Graduate School, Tennessee Technological University / ». Click to access online, 2009. http://proquest.umi.com/pqdweb?index=11&did=1759989211&SrchMode=1&sid=1&Fmt=6&VInst=PROD&VType=PQD&RQT=309&VName=PQD&TS=1250600320&clientId=28564.
Texte intégralTrivedi, Vishal P. « Physics and design of nonclassical nanoscale CMOS devices with ultra-thin bodies ». [Gainesville, Fla.] : University of Florida, 2005. http://purl.fcla.edu/fcla/etd/UFE0009860.
Texte intégralLivres sur le sujet "Metal oxide semiconductor field-effect transistors"
Pierret, Robert F. Field effect devices. 2e éd. Reading, Mass : Addison-Wesley Pub. Co., 1990.
Trouver le texte intégralSoclof, Sidney. Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETS) : Principles and applications. Boston : Artech House, 1996.
Trouver le texte intégralBaliga, B. Jayant. Advanced power MOSFET concepts. New York : Springer, 2010.
Trouver le texte intégralCroon, Jeroen A. Matching properties of deep sub-micron MOS transistors. New York : Springer, 2005.
Trouver le texte intégralShur, Michael. Physics of semiconductor devices. Englewood Cliffs, N.J : Prentice Hall, 1990.
Trouver le texte intégralKorec, Jacek. Low voltage power MOSFETs : Design, performance and applications. New York : Springer, 2011.
Trouver le texte intégralPaul, Reinhold. MOS-Feldeffekttransistoren. Berlin : Springer-Verlag, 1994.
Trouver le texte intégralT, Andre Noah, et Simon Lucas M, dir. MOSFETS : Properties, preparations to performance. New York : Nova Science Publishers, 2008.
Trouver le texte intégralShur, Michael. Physics of semiconductor devices : Software and manual. London : Prentice-Hall, 1990.
Trouver le texte intégralOktyabrsky, Serge, et Peide D. Ye. Fundamentals of III-V semiconductor MOSFETs. New York : Springer, 2010.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Metal oxide semiconductor field-effect transistors"
Li, Sheng S. « Metal—Oxide—Semiconductor Field-Effect Transistors ». Dans Semiconductor Physical Electronics, 423–54. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-0489-0_14.
Texte intégralYuan, J. S., et J. J. Liou. « Metal—Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors ». Dans Semiconductor Device Physics and Simulation, 127–61. Boston, MA : Springer US, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-1904-5_5.
Texte intégralLi, Yiming, Jam-Wem Lee et Hong-Mu Chou. « Comparison of Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors ». Dans Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2004, 307–10. Vienna : Springer Vienna, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-0624-2_72.
Texte intégralEvstigneev, Mykhaylo. « Metal–Oxide–Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) ». Dans Introduction to Semiconductor Physics and Devices, 233–55. Cham : Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-08458-4_10.
Texte intégralTsang, Paul J. « Structures and Fabrication of Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistor ». Dans Handbook of Advanced Semiconductor Technology and Computer Systems, 92–147. Dordrecht : Springer Netherlands, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-011-7056-7_4.
Texte intégralSaha, Jhuma, Amrita Kumari, Shankaranand Jha et Subindu Kumar. « On the Voltage Transfer Characteristics (VTC) of some Nanoscale Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors (MOSFETs) ». Dans Physics of Semiconductor Devices, 211–14. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_52.
Texte intégralTilak, Vinayak. « Inversion Layer Electron Transport in 4H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors ». Dans Silicon Carbide, 267–90. Weinheim, Germany : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2011. http://dx.doi.org/10.1002/9783527629077.ch11.
Texte intégralBharti, Deepshikha, et Aminul Islam. « Operational Characteristics of Vertically Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ». Dans Nanoscale Devices, 91–108. Boca Raton : Taylor & Francis, a CRC title, part of the Taylor & Francis imprint, a member of the Taylor & Francis Group, the academic division of T&F Informa, plc, 2019. : CRC Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1201/9781315163116-5.
Texte intégralKumar, Prateek, Maneesha Gupta, Kunwar Singh et Ashok Kumar Gupta. « Study of Transition Metal Dichalcogenides in Junctionless Transistors and Effect of Variation in Dielectric Oxide ». Dans Sub-Micron Semiconductor Devices, 39–48. Boca Raton : CRC Press, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003126393-3.
Texte intégralBharti, Deepshikha, et Aminul Islam. « U-Shaped Gate Trench Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor : Structures and Characteristics ». Dans Nanoscale Devices, 69–90. Boca Raton : Taylor & Francis, a CRC title, part of the Taylor & Francis imprint, a member of the Taylor & Francis Group, the academic division of T&F Informa, plc, 2019. : CRC Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1201/9781315163116-4.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Metal oxide semiconductor field-effect transistors"
Lee, Ching-Ting, et Ya-Lan Chou. « GaN-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Dans 2014 IEEE 12th International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/icsict.2014.7021209.
Texte intégralYu, Jeng-Wei, Yuh-Renn Wu, Jian-Jang Huang et Lung-Han Peng. « 75GHz Ga2O3/GaN Single Nanowire Metal- Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors ». Dans 2010 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/csics.2010.5619673.
Texte intégralAihara, Takuma, Ayumi Takeda, Masashi Fukuhara, Yuya Ishii et Mitsuo Fukuda. « Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors operated by surface plasmon polaritons ». Dans SPIE Micro+Nano Materials, Devices, and Applications, sous la direction de James Friend et H. Hoe Tan. SPIE, 2013. http://dx.doi.org/10.1117/12.2033618.
Texte intégralOkumura, H., T. Takahashi et M. Shimizu. « Demonstration of m-plane GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Dans 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2019. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2019.ps-4-25.
Texte intégralSakai, Hiroki, Takuma Aihara, Masashi Fukuhara, Masashi Ota, Yu Kimura, Yuya Ishii et Mitsuo Fukuda. « Integration of plasmonic device with metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Dans 2014 International Conference on Optical MEMS and Nanophotonics (OMN). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/omn.2014.6924581.
Texte intégralKoide, Yasuo. « High-k Oxides on Hydrogenated-Diamond for Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors [Invited] ». Dans 2019 IEEE 32nd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/icmts.2019.8730974.
Texte intégralGirardi, Stefano, Marta Maschietto, Ralf Zeitler, Mufti Mahmud et Stefano Vassanelli. « High resolution cortical imaging using electrolyte-(metal)-oxide-semiconductor field effect transistors ». Dans 5th International IEEE/EMBS Conference on Neural Engineering (NER 2011). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/ner.2011.5910539.
Texte intégralAihara, Takuma, Ayumi Takeda, Masashi Fukuhara, Yuya Ishii et Mitsuo Fukuda. « Plasmonic signal amplification by monolithically integrated metal-oxide-semiconductor field-effect transistors ». Dans 2013 IEEE Photonics Conference (IPC). IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/ipcon.2013.6656689.
Texte intégralVinod Adivarahan, Mikhail Gaevski, Naveen Tipirneni, Bin Zhang, Yanqing Deng, Zijiang Yang et Asif Khan. « 0.18 μm double-recessed III-nitride metal-oxide double heterostructure field-effect transistors ». Dans 2007 International Semiconductor Device Research Symposium. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/isdrs.2007.4422460.
Texte intégralSonnet, A. M., R. V. Galatage, M. N. Jivani, M. Milojevic, R. A. Chapman, C. L. Hinkle, R. M. Wallace et E. M. Vogel. « Interfacial engineering of InGaAs/high-k metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) ». Dans 2009 IEEE International Integrated Reliability Workshop (IRW). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/irws.2009.5383036.
Texte intégral