Articles de revues sur le sujet « Metal-Insulator Transition devices »
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Lee, D., B. Chung, Y. Shi, G. Y. Kim, N. Campbell, F. Xue, K. Song et al. « Isostructural metal-insulator transition in VO2 ». Science 362, no 6418 (29 novembre 2018) : 1037–40. http://dx.doi.org/10.1126/science.aam9189.
Texte intégralLi, Dasheng, Jonathan M. Goodwill, James A. Bain et Marek Skowronski. « Scaling behavior of oxide-based electrothermal threshold switching devices ». Nanoscale 9, no 37 (2017) : 14139–48. http://dx.doi.org/10.1039/c7nr03865h.
Texte intégralWang, Qi, Kai Liang Zhang, Fang Wang, Kai Song et Zhi Xiang Hu. « Investigation on the Electric-Field-Induced Metal-Insulator Transition in VoX-Based Devices ». Applied Mechanics and Materials 130-134 (octobre 2011) : 1–4. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.130-134.1.
Texte intégralPolak, Paweł, Jan Jamroz et Tomasz K. Pietrzak. « Observation of Metal–Insulator Transition (MIT) in Vanadium Oxides V2O3 and VO2 in XRD, DSC and DC Experiments ». Crystals 13, no 9 (23 août 2023) : 1299. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13091299.
Texte intégralCheng, Shaobo, Min-Han Lee, Richard Tran, Yin Shi, Xing Li, Henry Navarro, Coline Adda et al. « Inherent stochasticity during insulator–metal transition in VO2 ». Proceedings of the National Academy of Sciences 118, no 37 (7 septembre 2021) : e2105895118. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.2105895118.
Texte intégralHong, Woong-Ki, SeungNam Cha, Jung Inn Sohn et Jong Min Kim. « Metal-Insulator Phase Transition in Quasi-One-Dimensional VO2Structures ». Journal of Nanomaterials 2015 (2015) : 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2015/538954.
Texte intégralWei, Na, Xiang Ding, Shifan Gao, Wenhao Wu et Yi Zhao. « HfOx/Ge RRAM with High ON/OFF Ratio and Good Endurance ». Electronics 11, no 22 (20 novembre 2022) : 3820. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11223820.
Texte intégralHuang, Tiantian, Rui Zhang, Lepeng Zhang, Peiran Xu, Yunkai Shao, Wanli Yang, Zhimin Chen, Xin Chen et Ning Dai. « Energy-adaptive resistive switching with controllable thresholds in insulator–metal transition ». RSC Advances 12, no 55 (2022) : 35579–86. http://dx.doi.org/10.1039/d2ra06866d.
Texte intégralWeidemann, Sebastian, Mark Kremer, Stefano Longhi et Alexander Szameit. « Topological triple phase transition in non-Hermitian Floquet quasicrystals ». Nature 601, no 7893 (19 janvier 2022) : 354–59. http://dx.doi.org/10.1038/s41586-021-04253-0.
Texte intégralHeo, Jinseong, Heejeong Jeong, Yeonchoo Cho, Jaeho Lee, Kiyoung Lee, Seunggeol Nam, Eun-Kyu Lee et al. « Reconfigurable van der Waals Heterostructured Devices with Metal–Insulator Transition ». Nano Letters 16, no 11 (5 octobre 2016) : 6746–54. http://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.6b02199.
Texte intégralMcGee, Ryan, Ankur Goswami, Rosmi Abraham, Syed Bukhari et Thomas Thundat. « Phase transformation induced modulation of the resonance frequency of VO2/tio2 coated microcantilevers ». MRS Advances 3, no 6-7 (2018) : 359–64. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.140.
Texte intégralCalhoun, Seth, Rachel Evans, Cameron Nickle, Isaiah O. Oladeji, Justin Cleary, Evan M. Smith, Sayan Chandra, Debashis Chanda et Robert E. Peale. « Vanadium Oxide Thin Film by Aqueous Spray Deposition ». MRS Advances 3, no 45-46 (2018) : 2777–82. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.512.
Texte intégralMa, Chung T., Salinporn Kittiwatanakul, Apiprach Sittipongpittaya, Yuhan Wang, Md Golam Morshed, Avik W. Ghosh et S. Joseph Poon. « Phase Change-Induced Magnetic Switching through Metal–Insulator Transition in VO2/TbFeCo Films ». Nanomaterials 13, no 21 (27 octobre 2023) : 2848. http://dx.doi.org/10.3390/nano13212848.
Texte intégralWalls, Brian, Oisín Murtagh, Sergey I. Bozhko, Andrei Ionov, Andrey A. Mazilkin, Daragh Mullarkey, Ainur Zhussupbekova et al. « VOx Phase Mixture of Reduced Single Crystalline V2O5 : VO2 Resistive Switching ». Materials 15, no 21 (31 octobre 2022) : 7652. http://dx.doi.org/10.3390/ma15217652.
Texte intégralKwon, Osung, Hongmin Lee et Sungjun Kim. « Effects of Oxygen Flow Rate on Metal-to-Insulator Transition Characteristics in NbOx-Based Selectors ». Materials 15, no 23 (1 décembre 2022) : 8575. http://dx.doi.org/10.3390/ma15238575.
Texte intégralDruzhinin, Anatoly, Igor Ostrovskii, Yuriy Khoverko et Sergij Yatsukhnenko. « Magnetic Properties of Doped Si<B,Ni> ; Whiskers for Spintronics ». Journal of Nano Research 39 (février 2016) : 43–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.39.43.
Texte intégralXu, Zhen, Ayrton A. Bernussi et Zhaoyang Fan. « Voltage Pulse Driven VO2 Volatile Resistive Transition Devices as Leaky Integrate-and-Fire Artificial Neurons ». Electronics 11, no 4 (9 février 2022) : 516. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11040516.
Texte intégralParihar, Abhinav, Nikhil Shukla, Matthew Jerry, Suman Datta et Arijit Raychowdhury. « Computing with dynamical systems based on insulator-metal-transition oscillators ». Nanophotonics 6, no 3 (19 avril 2017) : 601–11. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2016-0144.
Texte intégralLu, Chang, Qingjian Lu, Min Gao et Yuan Lin. « Dynamic Manipulation of THz Waves Enabled by Phase-Transition VO2 Thin Film ». Nanomaterials 11, no 1 (6 janvier 2021) : 114. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010114.
Texte intégralGim, Hyeongyu, et Kootak Hong. « Nonvolatile Control of Metal-Insulator Transition in VO2 and Its Applications ». Ceramist 26, no 1 (31 mars 2023) : 3–16. http://dx.doi.org/10.31613/ceramist.2023.26.1.01.
Texte intégralWei, Guodong, Xiaofei Fan, Yiang Xiong, Chen Lv, Shen Li et Xiaoyang Lin. « Highly disordered VO2 films : appearance of electronic glass transition and potential for device-level overheat protection ». Applied Physics Express 15, no 4 (1 avril 2022) : 043002. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac605d.
Texte intégralLin, Jianqiang, Shriram Ramanathan et Supratik Guha. « Electrically Driven Insulator–Metal Transition-Based Devices—Part II : Transient Characteristics ». IEEE Transactions on Electron Devices 65, no 9 (septembre 2018) : 3989–95. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2018.2859188.
Texte intégralLi, Dasheng, Abhishek A. Sharma, Darshil K. Gala, Nikhil Shukla, Hanjong Paik, Suman Datta, Darrell G. Schlom, James A. Bain et Marek Skowronski. « Joule Heating-Induced Metal–Insulator Transition in Epitaxial VO2/TiO2 Devices ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 8, no 20 (10 mai 2016) : 12908–14. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b03501.
Texte intégralMakino, Kotaro, Kosaku Kato, Yuta Saito, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga, Takashi Nakano et Makoto Nakajima. « Terahertz spectroscopic characterization of Ge2Sb2Te5 phase change materials for photonics applications ». Journal of Materials Chemistry C 7, no 27 (2019) : 8209–15. http://dx.doi.org/10.1039/c9tc01456j.
Texte intégralGarcía, Héctor, Jonathan Boo, Guillermo Vinuesa, Óscar G. Ossorio, Benjamín Sahelices, Salvador Dueñas, Helena Castán, Mireia B. González et Francesca Campabadal. « Influences of the Temperature on the Electrical Properties of HfO2-Based Resistive Switching Devices ». Electronics 10, no 22 (17 novembre 2021) : 2816. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10222816.
Texte intégralDarwish, Mahmoud, et László Pohl. « Insulator Metal Transition-Based Selector in Crossbar Memory Arrays ». Electronic Materials 5, no 1 (23 février 2024) : 17–29. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat5010002.
Texte intégralLee, Su Yeon, Hyun Kyu Seo, Se Yeon Jeong et Min Kyu Yang. « Improved Electrical Characteristics of Field Effect Transistors with GeSeTe-Based Ovonic Threshold Switching Devices ». Materials 16, no 12 (11 juin 2023) : 4315. http://dx.doi.org/10.3390/ma16124315.
Texte intégralCardarilli, Gian Carlo, Gaurav Mani Khanal, Luca Di Nunzio, Marco Re, Rocco Fazzolari et Raj Kumar. « Memristive and Memory Impedance Behavior in a Photo-Annealed ZnO–rGO Thin-Film Device ». Electronics 9, no 2 (7 février 2020) : 287. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9020287.
Texte intégralBasyooni, Mohamed A., Mawaheb Al-Dossari, Shrouk E. Zaki, Yasin Ramazan Eker, Mucahit Yilmaz et Mohamed Shaban. « Tuning the Metal–Insulator Transition Properties of VO2 Thin Films with the Synergetic Combination of Oxygen Vacancies, Strain Engineering, and Tungsten Doping ». Nanomaterials 12, no 9 (26 avril 2022) : 1470. http://dx.doi.org/10.3390/nano12091470.
Texte intégralZhang, Shenli, Hien Vo et Giulia Galli. « Predicting the Onset of Metal–Insulator Transitions in Transition Metal Oxides—A First Step in Designing Neuromorphic Devices ». Chemistry of Materials 33, no 9 (20 avril 2021) : 3187–95. http://dx.doi.org/10.1021/acs.chemmater.1c00061.
Texte intégralKim, Jihoon, Sungwook Choi, Seul-Lee Lee, Do Kyung Kim, Min Seok Kim, Bong-Jun Kim et Yong Wook Lee. « Reversible 100 mA Current Switching in a VO2/Al2O3-Based Two-Terminal Device Using Focused Far-Infrared Laser Pulses ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, no 3 (1 mars 2021) : 1862–68. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.18905.
Texte intégralChen, Yiheng, Wen-Ti Guo, Zi-Si Chen, Suyun Wang et Jian-Min Zhang. « First-principles study on the heterostructure of twisted graphene/hexagonal boron nitride/graphene sandwich structure ». Journal of Physics : Condensed Matter 34, no 12 (7 janvier 2022) : 125504. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ac45b5.
Texte intégralShin, Jaemin, Tyafur Pathan, Guanyu Zhou et Christopher L. Hinkle. « (Invited) Bulk Traps in Layered 2D Gate Dielectrics ». ECS Transactions 113, no 2 (17 mai 2024) : 25–33. http://dx.doi.org/10.1149/11302.0025ecst.
Texte intégralSampaio-Silva, Alessandre, Gervásio Protásio dos Santos Cavalcante, Carlos Alberto B. Silva et Jordan Del Nero. « Design of Molecular Positive Electronic Transition Device ». Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 18, no 6 (1 juin 2021) : 1714–23. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2021.9729.
Texte intégralSampaio-Silva, Alessandre, Gervásio Protásio dos Santos Cavalcante, Carlos Alberto B. Silva et Jordan Del Nero. « Design of Molecular Positive Electronic Transition Device ». Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 18, no 6 (1 juin 2021) : 1714–23. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2021.9729.
Texte intégralWang, Peng-Fei, Qianqian Hu, Tan Zheng, Yu Liu, Xiaofeng Xu et Jia-Lin Sun. « Optically Monitored Electric-Field-Induced Phase Transition in Vanadium Dioxide Crystal Film ». Crystals 10, no 9 (29 août 2020) : 764. http://dx.doi.org/10.3390/cryst10090764.
Texte intégralMizsei, János, Jyrki Lappalainen et Laszló Pohl. « Active thermal-electronic devices based on heat-sensitive metal-insulator-transition resistor elements ». Sensors and Actuators A : Physical 267 (novembre 2017) : 14–20. http://dx.doi.org/10.1016/j.sna.2017.09.052.
Texte intégralHong, X., A. Posadas et C. H. Ahn. « Examining the screening limit of field effect devices via the metal-insulator transition ». Applied Physics Letters 86, no 14 (4 avril 2005) : 142501. http://dx.doi.org/10.1063/1.1897076.
Texte intégralM, Arunachalam, Thamilmaran P et Sakthipandi K. « Effect of Sintering Temperature on Metal-Insulator Phase Transition in La1-xCaxMnO3 Perovskites ». Frontiers in Advanced Materials Research 2, no 1 (26 mai 2020) : 37–42. http://dx.doi.org/10.34256/famr2014.
Texte intégralCheng, Shaobo, Min-Han Lee, Xing Li, Lorenzo Fratino, Federico Tesler, Myung-Geun Han, Javier del Valle et al. « Operando characterization of conductive filaments during resistive switching in Mott VO2 ». Proceedings of the National Academy of Sciences 118, no 9 (23 février 2021) : e2013676118. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.2013676118.
Texte intégralKlein, D. R., D. MacNeill, J. L. Lado, D. Soriano, E. Navarro-Moratalla, K. Watanabe, T. Taniguchi et al. « Probing magnetism in 2D van der Waals crystalline insulators via electron tunneling ». Science 360, no 6394 (3 mai 2018) : 1218–22. http://dx.doi.org/10.1126/science.aar3617.
Texte intégralRakshit, Abhishek, Karimul Islam, Anil Kumar Sinha et Supratic Chakraborty. « Insulator-to-metal transition of vanadium oxide-based metal-oxide-semiconductor devices at discrete measuring temperatures ». Semiconductor Science and Technology 34, no 5 (4 avril 2019) : 055001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab07d7.
Texte intégralYu, Wenhao, Luqiu Chen, Yifei Liu, Bobo Tian, Qiuxiang Zhu et Chungang Duan. « Resistive switching polarity reversal due to ferroelectrically induced phase transition at BiFeO3/Ca0.96Ce0.04MnO3 heterostructures ». Applied Physics Letters 122, no 2 (9 janvier 2023) : 022902. http://dx.doi.org/10.1063/5.0132819.
Texte intégralNishikawa, K., S. Takakura, M. Nakatake, M. Yoshimura et Y. Watanabe. « Effect of surface modification by Ar+ ion irradiation on thermal hysteresis of VO2 ». Journal of Applied Physics 133, no 4 (28 janvier 2023) : 045305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0132957.
Texte intégralZhang, Yanqing, Weiming Xiong, Weijin Chen et Yue Zheng. « Recent Progress on Vanadium Dioxide Nanostructures and Devices : Fabrication, Properties, Applications and Perspectives ». Nanomaterials 11, no 2 (28 janvier 2021) : 338. http://dx.doi.org/10.3390/nano11020338.
Texte intégralRafiq, Fareenpoornima, Parthipan Govindsamy et Selvakumar Periyasamy. « Synthesis of a Novel Nanoparticle BaCoO2.6 through Sol-Gel Method and Elucidation of Its Structure and Electrical Properties ». Journal of Nanomaterials 2022 (19 juillet 2022) : 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2022/3877879.
Texte intégralHa, Sieu D., B. Viswanath et Shriram Ramanathan. « Electrothermal actuation of metal-insulator transition in SmNiO3 thin film devices above room temperature ». Journal of Applied Physics 111, no 12 (15 juin 2012) : 124501. http://dx.doi.org/10.1063/1.4729490.
Texte intégralYoon, Jongwon, Woong-Ki Hong, Yonghun Kim et Seung-Young Park. « Nanostructured Vanadium Dioxide Materials for Optical Sensing Applications ». Sensors 23, no 15 (27 juillet 2023) : 6715. http://dx.doi.org/10.3390/s23156715.
Texte intégralRai, R. K., R. B. Ray, G. C. Kaphle et O. P. Niraula. « A Continuous Time Quantum Monte Carlo as an Impurity Solver for Strongly Correlated System ». Journal of Nepal Physical Society 7, no 3 (31 décembre 2021) : 14–26. http://dx.doi.org/10.3126/jnphyssoc.v7i3.42185.
Texte intégralMoon, Jaehyun, Ju-Hun Lee, Kitae Kim, Junho Kim, Soohyung Park, Yeonjin Yi et Seung-Youl Kang. « Threshold Switching of ALD-NbOx Films for Neuromorphic Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2023-02, no 30 (22 décembre 2023) : 1558. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-02301558mtgabs.
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