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Articles de revues sur le sujet « Low Thermal Budget »

Auteur : Grafiati
Publié le 9 mars 2023
Mis à jour le 10 mars 2023

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1

Sharangpani, R., K. C. Cherukuri et R. Singh. « Low thermal budget processing of organic dielectrics ». IEEE Transactions on Electron Devices 43, no 7 (juillet 1996) : 1168–70. http://dx.doi.org/10.1109/16.502430.

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2

Pradeepkumar, Maurya Sandeep, Harsh Vardhan Singh, Sooraj Kumar, Joysurya Basu et Md Imteyaz Ahmad. « Low thermal budget processing of CdS thin films ». Materials Letters 280 (décembre 2020) : 128560. http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2020.128560.

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3

Bhat, N., A. W. Wang et K. C. Saraswat. « Rapid thermal anneal of gate oxides for low thermal budget TFT's ». IEEE Transactions on Electron Devices 46, no 1 (1999) : 63–69. http://dx.doi.org/10.1109/16.737442.

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4

Michael, Aron, et Chee Yee Kwok. « Evaporated Thick Polysilicon Film With Low Stress and Low Thermal Budget ». Journal of Microelectromechanical Systems 22, no 4 (août 2013) : 825–27. http://dx.doi.org/10.1109/jmems.2013.2248129.

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5

Mazzamuto, Fulvio, Sebastien Halty, Hideaki Tanimura et Yoshihiro Mori. « Low Thermal Budget Ohmic Contact Formation by Laser Anneal ». Materials Science Forum 858 (mai 2016) : 565–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.858.565.

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Résumé :
In this work, we demonstrate the possibility to achieve an ohmic contact using a low thermal budget applicable to backside processing after wafer thinning. The process window for laser annealing as a function of the thinning process is investigated. By laser melt annealing, we demonstrate the possibility for different silicide phases from pure nickel deposition on thinned 4H-SiC, formation of uniform carbon nanoclusters at the metal/SiC interface and recovery of thinning-induced defects. This has been demonstrated as a function of different thinning process and surface conditions.
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6

König, U., et J. Hersener. « Needs of Low Thermal Budget Processing in SiGe Technology ». Solid State Phenomena 47-48 (juillet 1995) : 17–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.47-48.17.

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7

Kang, Il-Suk, Sung-Hun Yu, Hyun-Sang Seo, Jeong-Hun Kim, Jun-Mo Yang, Wook-Jung Hwang et Chi Won Ahn. « Low Thermal Budget Crystallization of Amorphous Silicon by Nanoclusters ». Electrochemical and Solid-State Letters 12, no 9 (2009) : H319. http://dx.doi.org/10.1149/1.3152594.

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8

Abbadie, A., J. M. Hartmann, P. Holliger, M. N. Séméria, P. Besson et P. Gentile. « Low thermal budget surface preparation of Si and SiGe ». Applied Surface Science 225, no 1-4 (mars 2004) : 256–66. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.10.018.

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Simon, Daniel K., Thomas Henke, Paul M. Jordan, Franz P. G. Fengler, Thomas Mikolajick, Johann W. Bartha et Ingo Dirnstorfer. « Low-thermal budget flash light annealing for Al2O3surface passivation ». physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 9, no 11 (16 octobre 2015) : 631–35. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.201510306.

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Noh, Joo Hyon, Pooran C. Joshi, Teja Kuruganti et Philip D. Rack. « Pulse Thermal Processing for Low Thermal Budget Integration of IGZO Thin Film Transistors ». IEEE Journal of the Electron Devices Society 3, no 3 (mai 2015) : 297–301. http://dx.doi.org/10.1109/jeds.2014.2376411.

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11

Testard, O. A. « Thermal contacts through mechanical moving parts in low thermal budget optical cryogenic assemblies ». Cryogenics 27, no 1 (janvier 1987) : 20–22. http://dx.doi.org/10.1016/0011-2275(87)90100-7.

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Soubane, Driss, et Nathaniel J. Quitoriano. « Photoluminescence from low thermal budget silicon nano-crystals in silica ». Nanotechnology 26, no 29 (2 juillet 2015) : 295201. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/26/29/295201.

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Liu, Gang, et S. J. Fonash. « Low Thermal Budget Poly-Si Thin Film Transistors on Glass ». Japanese Journal of Applied Physics 30, Part 2, No. 2B (15 février 1991) : L269—L271. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.30.l269.

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14

Fair, R. B. « Low-thermal-budget process modeling with the PREDICT computer program ». IEEE Transactions on Electron Devices 35, no 3 (mars 1988) : 285–93. http://dx.doi.org/10.1109/16.2452.

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Rajendran, Bipin, Rohit S. Shenoy, Daniel J. Witte, Nehal S. Chokshi, Robert L. DeLeon, Gary S. Tompa et R. Fabian W. Pease. « Low Thermal Budget Processing for Sequential 3-D IC Fabrication ». IEEE Transactions on Electron Devices 54, no 4 (avril 2007) : 707–14. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2007.891300.

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Hsiao-Yi Lin, Chun-Yen Chang, Tan Fu Lei, Feng-Ming Liu, Wen-Luh Yang, Juing-Yi Cheng, Hua-Chou Tseng et Liang-Po Chen. « Low-temperature and low thermal budget fabrication of polycrystalline silicon thin-film transistors ». IEEE Electron Device Letters 17, no 11 (novembre 1996) : 503–5. http://dx.doi.org/10.1109/55.541762.

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Jurichich, Steve, Tsu-Jae King, Krishna Saraswat et John Mehlhaff. « Low Thermal Budget Polycrystalline Silicon-Germanium Thin-Film Transistors Fabricated by Rapid Thermal Annealing ». Japanese Journal of Applied Physics 33, Part 2, No. 8B (15 août 1994) : L1139—L1141. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.33.l1139.

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Serrazina, Ricardo, Alexander Tkach, Luis Pereira, Ana M. O. R. Senos et Paula M. Vilarinho. « Flash Sintered Potassium Sodium Niobate : High-Performance Piezoelectric Ceramics at Low Thermal Budget Processing ». Materials 15, no 19 (23 septembre 2022) : 6603. http://dx.doi.org/10.3390/ma15196603.

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Résumé :
Alternative sintering technologies promise to overcome issues associated with conventional ceramic sintering such as high thermal budgets and CO2 footprint. The sintering process becomes even more relevant for alkali-based piezoelectric ceramics such as K0.5Na0.5NbO3 (KNN) typically fired above 1100 °C for several hours that induces secondary phase formation and, thereby, degrades their electrical characteristics. Here, an ability of KNN ceramics to be of high performance is successfully demonstrated, using an electric field- and current-assisted Flash sintering technique at 900 °C only. Reported for the first time, Flash sintered KNN ceramics have room-temperature remnant polarization Pr = 21 μC/cm2 and longitudinal piezoelectric coefficient d33 = 117 pC/N, slightly superior to that of conventional ones due to the reduced content of secondary phases. High-performance KNN ceramics Flash sintered at a low-thermal budget have implications for the development of innovative low carbon technologies, electroceramics stakeholders, and piezoelectric energy harvesters.
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Kim, Hyo Jeong, Yonghwan An, Yong Chan Jung, Jaidah Mohan, Jeong Gyu Yoo, Young In Kim, Heber Hernandez-Arriaga, Harrison Sejoon Kim, Jiyoung Kim et Si Joon Kim. « Low‐Thermal‐Budget Fluorite‐Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications ». physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 15, no 5 (24 février 2021) : 2100028. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.202100028.

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Kim, Hyo Jeong, Yonghwan An, Yong Chan Jung, Jaidah Mohan, Jeong Gyu Yoo, Young In Kim, Heber Hernandez-Arriaga, Harrison Sejoon Kim, Jiyoung Kim et Si Joon Kim. « Low‐Thermal‐Budget Fluorite‐Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications ». physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 15, no 5 (mai 2021) : 2170020. http://dx.doi.org/10.1002/pssr.202170020.

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Celik, S. Muhsin, et Mehmet C. Öztürk. « Low Thermal Budget In Situ Surface Cleaning for Selective Silicon Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 145, no 10 (1 octobre 1998) : 3602–9. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838849.

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Osmond, J., G. Isella, D. Chrastina, R. Kaufmann, M. Acciarri et H. von Känel. « Ultralow dark current Ge/Si(100) photodiodes with low thermal budget ». Applied Physics Letters 94, no 20 (18 mai 2009) : 201106. http://dx.doi.org/10.1063/1.3125252.

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P, Ashok, Yogesh Singh Chauhan et Amit Verma. « Vanadium dioxide thin films synthesized using low thermal budget atmospheric oxidation ». Thin Solid Films 706 (juillet 2020) : 138003. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2020.138003.

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Osburn, C. M. « Formation of silicided, ultra-shallow junctions using low thermal budget processing ». Journal of Electronic Materials 19, no 1 (janvier 1990) : 67–88. http://dx.doi.org/10.1007/bf02655553.

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Inoue, N., T. Nakura et Y. Hayashi. « Low thermal-budget process of sputtered-PZT capacitor over multilevel metallization ». IEEE Transactions on Electron Devices 50, no 10 (octobre 2003) : 2081–87. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2003.816548.

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Lackner, Georg, Florent Domine, Daniel F. Nadeau, Annie-Claude Parent, François Anctil, Matthieu Lafaysse et Marie Dumont. « On the energy budget of a low-Arctic snowpack ». Cryosphere 16, no 1 (13 janvier 2022) : 127–42. http://dx.doi.org/10.5194/tc-16-127-2022.

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Résumé :
Abstract. Arctic landscapes are covered in snow for at least 6 months of the year. The energy balance of the snow cover plays a key role in these environments, influencing the surface albedo, the thermal regime of the permafrost, and other factors. Our goal is to quantify all major heat fluxes above, within, and below a low-Arctic snowpack at a shrub tundra site on the east coast of Hudson Bay in eastern Canada. The study is based on observations from a flux tower that uses the eddy covariance approach and from profiles of temperature and thermal conductivity in the snow and soil. Additionally, we compared the observations with simulations produced using the Crocus snow model. We found that radiative losses due to negative longwave radiation are mostly counterbalanced by the sensible heat flux, whereas the latent heat flux is minimal. At the snow surface, the heat flux into the snow is similar in magnitude to the sensible heat flux. Because the snow cover stores very little heat, the majority of the upward heat flux in the snow is used to cool the soil. Overall, the model was able to reproduce the observed energy balance, but due to the effects of atmospheric stratification, it showed some deficiencies when simulating turbulent heat fluxes at an hourly timescale.
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Huet, Karim, Toshiyuki Tabata, Joris Aubin, Fabien Rozé, Louis Thuries, Sebastien Halty, Benoit Curvers, Fulvio Mazzamuto, J. Liu et Yoshihiro Mori. « (Invited) Laser Thermal Annealing for Low Thermal Budget Applications : From Contact Formation to Material Modification ». ECS Transactions 89, no 3 (23 avril 2019) : 137–53. http://dx.doi.org/10.1149/08903.0137ecst.

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Chang, Wen Hsin, Hsien-Wen Wan, Yi-Ting Cheng, Yen-Hsun G. Lin, Toshifumi Irisawa, Hiroyuki Ishii, Jueinai Kwo, Minghwei Hong et Tatsuro Maeda. « Low thermal budget epitaxial lift off (ELO) for Ge (111)-on-insulator structure ». Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (11 février 2022) : SC1024. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac3fca.

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Résumé :
Abstract Germanium-on-insulator (GeOI) structures with a surface orientation of (111) have been successfully fabricated by using low thermal budget epitaxial-lift-off (ELO) technology via direct bonding and selective etching. The material characteristics and transport properties of the Ge(111)OI structure have been systematically investigated through secondary-ion mass spectrometry, Raman spectroscopy, X-ray diffraction, high-resolution transmission electron microscope, and Hall measurement. The transferred Ge (111) layer remained almost intact from the as-grown epitaxial layers, indicating the benefits of ELO technology. The low thermal budget ELO technology demonstrated in this work is promising to integrate Ge channels with different surface orientations on Si (100) substrates for future monolithic 3D applications.
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Cha, Jun‐Hwe, Dong‐Ha Kim, Cheolmin Park, Seon‐Jin Choi, Ji‐Soo Jang, Sang Yoon Yang, Il‐Doo Kim et Sung‐Yool Choi. « Low‐Thermal‐Budget Doping : Low‐Thermal‐Budget Doping of 2D Materials in Ambient Air Exemplified by Synthesis of Boron‐Doped Reduced Graphene Oxide (Adv. Sci. 7/2020) ». Advanced Science 7, no 7 (avril 2020) : 2070039. http://dx.doi.org/10.1002/advs.202070039.

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Lucovsky, Gerald, David R. Lee, Sunil V. Hattangady, Hiro Niimi, Ze Jing, Chris Parker et John R. Hauser. « Monolayer Nitrogen-Atom Distributions in Ultrathin Gate Dielectrics by Low-Temperature Low-Thermal-Budget Processing ». Japanese Journal of Applied Physics 34, Part 1, No. 12B (30 décembre 1995) : 6827–37. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.34.6827.

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Saha, S. K., R. S. Howell et M. K. Hatalis. « Silicidation reactions with Co–Ni bilayers for low thermal budget microelectronic applications ». Thin Solid Films 347, no 1-2 (juin 1999) : 278–83. http://dx.doi.org/10.1016/s0040-6090(99)00013-9.

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Lim, D. G., B. S. Jang, S. I. Moon, C. Y. Won et J. Yi. « Characteristics of LiNbO3 memory capacitors fabricated using a low thermal budget process ». Solid-State Electronics 45, no 7 (juillet 2001) : 1159–63. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00042-9.

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Rappich, J. « Anodic oxidation as a low thermal budget process for passivation of SiGe ». Solid-State Electronics 45, no 8 (août 2001) : 1465–70. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(01)00056-9.

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Chou, Tzu-Ting, Rui-Wen Song, Hao Chen et Jenq-Gong Duh. « Low thermal budget bonding for 3D-package by collapse-free hybrid solder ». Materials Chemistry and Physics 238 (décembre 2019) : 121887. http://dx.doi.org/10.1016/j.matchemphys.2019.121887.

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Brabant, Paul, Jianqing Wen, Joe Italiano, Trevan Landin, Nyles Cody et Lee Haen. « Achieving a SiGe HBT epitaxial emitter with novel low thermal budget technique ». Applied Surface Science 224, no 1-4 (mars 2004) : 347–49. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.08.105.

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Bietti, S., C. Somaschini, S. Sanguinetti, N. Koguchi, G. Isella, D. Chrastina et A. Fedorov. « Low Thermal Budget Fabrication of III-V Quantum Nanostructures on Si Substrates ». Journal of Physics : Conference Series 245 (1 septembre 2010) : 012078. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/245/1/012078.

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Hieronymus, Magnus, et Jeffrey R. Carpenter. « Energy and Variance Budgets of a Diffusive Staircase with Implications for Heat Flux Scaling ». Journal of Physical Oceanography 46, no 8 (août 2016) : 2553–69. http://dx.doi.org/10.1175/jpo-d-15-0155.1.

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Résumé :
AbstractThe steady-state energy and thermal variance budgets form the basis for most current methods for evaluating turbulent fluxes of buoyancy, heat, and salinity. This study derives these budgets for a double-diffusive staircase and quantifies them using direct numerical simulations; 10 runs with different Rayleigh numbers are considered. The energy budget is found to be well approximated by a simple three-term balance, while the thermal variance budget consists of only two terms. The two budgets are also combined to give an expression for the ratio of the heat and salt fluxes. The heat flux scaling is also studied and found to agree well with earlier estimates based on laboratory experiments and numerical simulations at high Rayleigh numbers. At low Rayleigh numbers, however, the authors find large deviations from earlier scaling laws. Last, the scaling theory of Grossman and Lohse, which was developed for Rayleigh–Bénard convection and is based on the partitioning of the kinetic energy and tracer variance dissipation, is adapted to the diffusive regime of double-diffusive convection. The predicted heat flux scalings are compared to the results from the numerical simulations and earlier estimates.
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Prowse, T. D., et P. Marsh. « Thermal budget of river ice covers during breakup ». Canadian Journal of Civil Engineering 16, no 1 (1 février 1989) : 62–71. http://dx.doi.org/10.1139/l89-008.

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Résumé :
The magnitude and relative importance of atmosheric (air–ice) and hydrothermal (water–ice) heat fluxes to intact and fragmented river ice covers are studied for the case of a thermal breakup. Based on field measurements obtained from the Liard River, the atmospheric sources are shown to be dominant during the period of intact ice cover. Radiation was the primary heat source, but its effect was reduced by a granulation of the decaying columnar ice which increased the cover albedo to that comparable for melting snow. The hydrothermal heat input, even with frazil ice entrained within the flow, was comparable to that from atmospheric sources under low melt conditions. The hydrothermal heat flux dramatically increased with the arrival of the breakup front because of a rapid rise in water temperature and an increase in subsurface ice roughness. Higher surface roughness and lower albedo of the fragmented ice also increased the atmospheric heat fluxes, but these were small relative to the hydrothermal heat input near the leading edge of open water. Key words: floating ice, ice breakup, ice jams, ice melt.
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Ding, Dong, Yunya Zhang, Wei Wu, Dongchang Chen, Meilin Liu et Ting He. « A novel low-thermal-budget approach for the co-production of ethylene and hydrogen via the electrochemical non-oxidative deprotonation of ethane ». Energy & ; Environmental Science 11, no 7 (2018) : 1710–16. http://dx.doi.org/10.1039/c8ee00645h.

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Qin, Shu. « High quality low thermal budget low cost SiO2 film fabricated by O2 plasma immersion ion implantation ». Thin Solid Films 756 (août 2022) : 139385. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139385.

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Jao, Meng-Huan, Chien-Chen Cheng, Chun-Fu Lu, Kai-Chi Hsiao et Wei-Fang Su. « Low temperature and rapid formation of high quality metal oxide thin film via a hydroxide-assisted energy conservation strategy ». Journal of Materials Chemistry C 6, no 37 (2018) : 9941–49. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc03544j.

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Glück, M., J. Hersener, H. G. Umbach, J. Rappich et J. Stein. « Implementation of Low Thermal Budget Techniques to Si and SiGe MOSFET Device Processing ». Solid State Phenomena 57-58 (juillet 1997) : 413–18. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.57-58.413.

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Liu, Y., L. M. Kyaw, M. K. Bera, S. P. Singh, Y. J. Ngoo, G. Q. Lo et E. F. Chor. « Low Thermal Budget Au-Free Hf-Based Ohmic Contacts on InAlN/GaN Heterostructures ». ECS Transactions 61, no 4 (20 mars 2014) : 319–27. http://dx.doi.org/10.1149/06104.0319ecst.

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Anderson, Evan M., DeAnna M. Campbell, Leon N. Maurer, Andrew D. Baczewski, Michael T. Marshall, Tzu-Ming Lu, Ping Lu et al. « Low thermal budget high-k/metal surface gate for buried donor-based devices ». Journal of Physics : Materials 3, no 3 (18 juin 2020) : 035002. http://dx.doi.org/10.1088/2515-7639/ab953b.

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Huang, Wen-Hsien, Jia-Min Shieh, Fu-Ming Pan, Chih-Chao Yang, Chang-Hong Shen, Hsing-Hsiang Wang, Tung-Ying Hsieh, Ssu-Yu Wu et Meng-Chyi Wu. « Charge-trap non-volatile memories fabricated by laser-enabled low-thermal budget processes ». Applied Physics Letters 107, no 18 (2 novembre 2015) : 183506. http://dx.doi.org/10.1063/1.4935224.

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Alian, A., G. Brammertz, N. Waldron, C. Merckling, G. Hellings, H. C. Lin, W. E. Wang et al. « Silicon and selenium implantation and activation in In0.53Ga0.47As under low thermal budget conditions ». Microelectronic Engineering 88, no 2 (février 2011) : 155–58. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2010.10.002.

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Sareen, Alok, Ann-Chatrin Lindgren, Per Lundgren et Stefan Bengtsson. « Electrical characterization of low thermal budget gate oxides on Si/Si0.8Ge0.2/Si substrates ». Solid-State Electronics 46, no 7 (juillet 2002) : 991–95. http://dx.doi.org/10.1016/s0038-1101(02)00032-1.

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Rafie Borujeny, Elham, Oles Sendetskyi, Michael D. Fleischauer et Kenneth C. Cadien. « Low Thermal Budget Heteroepitaxial Gallium Oxide Thin Films Enabled by Atomic Layer Deposition ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 12, no 39 (31 août 2020) : 44225–37. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.0c08477.

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Labrot, M., F. Cheynis, D. Barge, P. Müller et M. Juhel. « Low thermal budget for Si and SiGe surface preparation for FD-SOI technology ». Applied Surface Science 371 (mai 2016) : 436–46. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2016.02.228.

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Jaeger, Christian, Takuya Matsui, Masayoshi Takeuchi, Minoru Karasawa, Michio Kondo et Martin Stutzmann. « Thin Film Solar Cells Prepared on Low Thermal Budget Polycrystalline Silicon Seed Layers ». Japanese Journal of Applied Physics 49, no 11 (22 novembre 2010) : 112301. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.49.112301.

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