Articles de revues sur le sujet « LED APPLICATIONS »
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Texte intégralWood, Jonathan. « Ultraviolet LED promises new applications ». Materials Today 9, no 7-8 (juillet 2006) : 16. http://dx.doi.org/10.1016/s1369-7021(06)71568-1.
Texte intégralLee, Vincent W., Nancy Twu et Ioannis Kymissis. « Micro-LED Technologies and Applications ». Information Display 32, no 6 (novembre 2016) : 16–23. http://dx.doi.org/10.1002/j.2637-496x.2016.tb00949.x.
Texte intégralHatakoshi, Gen-ichi. « LED and LED Lighting ». Journal of The Institute of Image Information and Television Engineers 66, no 4 (2012) : 281–86. http://dx.doi.org/10.3169/itej.66.281.
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Texte intégralTitkov, I. E., L. A. Delimova, A. S. Zubrilov, N. V. Seredova, I. A. Liniichuk et I. V. Grekhov. « ZnO/GaN heterostructure for LED applications ». Journal of Modern Optics 56, no 5 (10 mars 2009) : 653–60. http://dx.doi.org/10.1080/09500340902737051.
Texte intégralTan, Siew Li, Shiyong Zhang, Wai Mun Soong, Yu Ling Goh, Lionel J. J. Tan, Jo Shien Ng, John P. R. David et al. « GaInNAsSb/GaAs Photodiodes for Long-Wavelength Applications ». IEEE Electron Device Letters 32, no 7 (juillet 2011) : 919–21. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2145351.
Texte intégralWang, Han, Thiti Taychatanapat, Allen Hsu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Pablo Jarillo-Herrero et Tomas Palacios. « BN/Graphene/BN Transistors for RF Applications ». IEEE Electron Device Letters 32, no 9 (septembre 2011) : 1209–11. http://dx.doi.org/10.1109/led.2011.2160611.
Texte intégralLiao, Yu-An, Wei-Hsun Lin, Yi-Kai Chao, Wen-Hao Chang, Jen-Inn Chyi et Shih-Yen Lin. « In-Plane Gate Transistors for Photodetector Applications ». IEEE Electron Device Letters 34, no 6 (juin 2013) : 780–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2258456.
Texte intégralPark, Bong-Ryeol, et Ho-Young Cha. « Thermal consideration in LED array design for LCD backlight unit applications ». IEICE Electronics Express 7, no 1 (2010) : 40–46. http://dx.doi.org/10.1587/elex.7.40.
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Texte intégralJaeseok Jeon, V. Pott, Hei Kam, R. Nathanael, E. Alon et Tsu-Jae King Liu. « Perfectly Complementary Relay Design for Digital Logic Applications ». IEEE Electron Device Letters 31, no 4 (avril 2010) : 371–73. http://dx.doi.org/10.1109/led.2009.2039916.
Texte intégralLee, Yi-Chia, Ming-Huang Li, Y. T. Cheng, Wensyang Hsu et Sheng-Shian Li. « Electroplated Ni-CNT Nanocomposite for Micromechanical Resonator Applications ». IEEE Electron Device Letters 33, no 6 (juin 2012) : 872–74. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190131.
Texte intégralSalcedo, Javier A., Jean-Jacques Hajjar, Slavica Malobabic et Juin J. Liou. « Bidirectional Devices for Automotive-Grade Electrostatic Discharge Applications ». IEEE Electron Device Letters 33, no 6 (juin 2012) : 860–62. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2190261.
Texte intégralYun, Yang-Hun, Te-Yu J. Kao et Kenneth K. O. « Variable Inductors in CMOS for Millimeter-Wave Applications ». IEEE Electron Device Letters 33, no 7 (juillet 2012) : 1081–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2196966.
Texte intégralSun Jung Kim, Byung Jin Cho, Ming Fu Li, Xiongfei Yu, Chunxiang Zhu, A. Chin et Dim-Lee Kwong. « PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications ». IEEE Electron Device Letters 24, no 6 (juin 2003) : 387–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2003.813381.
Texte intégralBonderover, E., et S. Wagner. « A Woven Inverter Circuit for e-Textile Applications ». IEEE Electron Device Letters 25, no 5 (mai 2004) : 295–97. http://dx.doi.org/10.1109/led.2004.826537.
Texte intégralPasslack, M., R. Droopad, Z. Yu, N. Medendorp, D. Braddock, X. W. Wang, T. P. Ma et T. Buyuklimanli. « Screening of Oxide/GaAs Interfaces for MOSFET Applications ». IEEE Electron Device Letters 29, no 11 (novembre 2008) : 1181–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2004569.
Texte intégralYagi, Takaaki. « High Power LED products and its applications ». JOURNAL OF THE ILLUMINATING ENGINEERING INSTITUTE OF JAPAN 85, Appendix (2001) : 289–90. http://dx.doi.org/10.2150/jieij1980.85.appendix_289.
Texte intégralPark, Seo-Jun, Sung-Hwan Byeon, Sun-Jae Kim, Kyoung-Soo Park et Gyung-Suk Kil. « Economic analysis on the applications of shipboard LED luminaires ». Journal of the Korean Society of Marine Engineering 40, no 4 (31 mai 2016) : 342–47. http://dx.doi.org/10.5916/jkosme.2016.40.4.342.
Texte intégralSHATALOV, M., A. LUNEV, X. HU, O. BILENKO, I. GASKA, W. SUN, J. YANG et al. « PERFORMANCE AND APPLICATIONS OF DEEP UV LED ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 21, no 01 (mars 2012) : 1250011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156412500115.
Texte intégralLiu, W. F., J. I. Oh et W. Z. Shen. « Light Trapping in Single Coaxial Nanowires for Photovoltaic Applications ». IEEE Electron Device Letters 32, no 1 (janvier 2011) : 45–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2086428.
Texte intégralMoon, J. S., D. Curtis, D. Zehnder, S. Kim, D. K. Gaskill, G. G. Jernigan, R. L. Myers-Ward et al. « Low-Phase-Noise Graphene FETs in Ambipolar RF Applications ». IEEE Electron Device Letters 32, no 3 (mars 2011) : 270–72. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2100074.
Texte intégralDong, Shurong, Jian Wu, Meng Miao, Jie Zeng, Yan Han et Juin J. Liou. « High-Holding-Voltage Silicon-Controlled Rectifier for ESD Applications ». IEEE Electron Device Letters 33, no 10 (octobre 2012) : 1345–47. http://dx.doi.org/10.1109/led.2012.2208934.
Texte intégralSingh, Pushpapraj, Chua Geng Li, Prakash Pitchappa et Chengkuo Lee. « Tantalum-Nitride Antifuse Electromechanical OTP for Embedded Memory Applications ». IEEE Electron Device Letters 34, no 8 (août 2013) : 987–89. http://dx.doi.org/10.1109/led.2013.2262918.
Texte intégralCan Zheng, R. Coffie, D. Buttari, J. Champlain et U. K. Mishra. « Oxidation control of GaAs pHEMTs for high efficiency applications ». IEEE Electron Device Letters 23, no 7 (juillet 2002) : 380–82. http://dx.doi.org/10.1109/led.2002.1015203.
Texte intégralLevenets, V. V., R. E. Amaya, N. G. Tarr, T. J. Smy et J. W. M. Rogers. « Characterization of silver CPWs for applications in silicon MMICs ». IEEE Electron Device Letters 26, no 6 (juin 2005) : 357–59. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.848120.
Texte intégralPalacios, T., A. Chakraborty, S. Rajan, C. Poblenz, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck et U. K. Mishra. « High-power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-band applications ». IEEE Electron Device Letters 26, no 11 (novembre 2005) : 781–83. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.857701.
Texte intégralQuoc Ngo, A. M. Cassell, A. J. Austin, Jun Li, S. Krishnan, M. Meyyappan et C. Y. Yang. « Characteristics of aligned carbon nanofibers for interconnect via applications ». IEEE Electron Device Letters 27, no 4 (avril 2006) : 221–24. http://dx.doi.org/10.1109/led.2006.870865.
Texte intégralVentrice, D., P. Fantini, Andrea Redaelli, A. Pirovano, A. Benvenuti et F. Pellizzer. « A Phase Change Memory Compact Model for Multilevel Applications ». IEEE Electron Device Letters 28, no 11 (novembre 2007) : 973–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.907288.
Texte intégralChu, Rongming, Likun Shen, Nicholas Fichtenbaum, David Brown, Zhen Chen, Stacia Keller, Steven P. DenBaars et Umesh K. Mishra. « V-Gate GaN HEMTs for X-Band Power Applications ». IEEE Electron Device Letters 29, no 9 (septembre 2008) : 974–76. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.2001639.
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Texte intégralChowdhury, Sk F., Maruthi N. Yogeesh, Sanjay K. Banerjee et Deji Akinwande. « Black Phosphorous Thin-Film Transistor and RF Circuit Applications ». IEEE Electron Device Letters 37, no 4 (avril 2016) : 449–51. http://dx.doi.org/10.1109/led.2016.2536102.
Texte intégralZhang, Kai, Yuechan Kong, Guangrun Zhu, Jianjun Zhou, Xinxin Yu, Cen Kong, Zhonghui Li et Tangsheng Chen. « High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications ». IEEE Electron Device Letters 38, no 5 (mai 2017) : 615–18. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2687440.
Texte intégralSyamsul, Mohd, Nobutaka Oi, Satoshi Okubo, Taisuke Kageura et Hiroshi Kawarada. « Heteroepitaxial Diamond Field-Effect Transistor for High Voltage Applications ». IEEE Electron Device Letters 39, no 1 (janvier 2018) : 51–54. http://dx.doi.org/10.1109/led.2017.2774290.
Texte intégralLuo, Shijiang, Nuo Xu, Zhe Guo, Yue Zhang, Jeongmin Hong et Long You. « Voltage-Controlled Skyrmion Memristor for Energy-Efficient Synapse Applications ». IEEE Electron Device Letters 40, no 4 (avril 2019) : 635–38. http://dx.doi.org/10.1109/led.2019.2898275.
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Texte intégralYang, Guomao, Sheng Peng, Andrew Ridyard et John Kuta. « UV LED Curing in Inkjet Printing Applications ». NIP & ; Digital Fabrication Conference 24, no 1 (1 janvier 2008) : 535–37. http://dx.doi.org/10.2352/issn.2169-4451.2008.24.1.art00020_2.
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Texte intégralChang, S. Z., H. Y. Yu, A. Veloso, A. Lauwers, A. Delabie, J.-L. Everaert, C. Kerner, P. Absil, T. Hoffmann et S. Biesemans. « The Application of an Ultrathin ALD HfSiON Cap Layer on SiON Dielectrics for Ni-FUSI CMOS Technology Targeting at Low-Power Applications ». IEEE Electron Device Letters 28, no 7 (juillet 2007) : 634–36. http://dx.doi.org/10.1109/led.2007.899331.
Texte intégralJeong, Duk Young, Mohammad Masum Billah et Jin Jang. « Amorphous InGaZnO/Poly-Si Coplanar Heterojunction TFT for Memory Applications ». IEEE Electron Device Letters 42, no 8 (août 2021) : 1172–75. http://dx.doi.org/10.1109/led.2021.3090785.
Texte intégralXue, Mei, Sanaz Kabehie, Adam Z. Stieg, Ekaterina Tkatchouk, Diego Benitez, William A. Goddard, Jeffrey I. Zink et Kang L. Wang. « A Molecular-Rotor Device for Nonvolatile High-Density Memory Applications ». IEEE Electron Device Letters 31, no 9 (septembre 2010) : 1047–49. http://dx.doi.org/10.1109/led.2010.2052018.
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