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Littérature scientifique sur le sujet « Keldysha »

Auteur : Grafiati
Publié le 25 juillet 2024
Mis à jour le 26 juillet 2024

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Articles de revues sur le sujet "Keldysha"

1

Radovskaya, A. A., et A. G. Semenov. « Lokal'nyy kvench v tekhnike Keldysha ». Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики 118, no 11-12 (12) (15 décembre 2023) : 921–27. http://dx.doi.org/10.31857/s1234567823240096.

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2

Popov, Vladimir S. « Tunnel and multiphoton ionization of atoms and ions in a strong laser field (Keldysh theory) ». Uspekhi Fizicheskih Nauk 174, no 9 (2004) : 921. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0174.200409a.0921.

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3

Capasso, Federico, Paul Corkum, Olga Kocharovskaya, Lev Pitaevskii et Michael V. Sadovskii. « Leonid Keldysh ». Physics Today 70, no 6 (juin 2017) : 75–76. http://dx.doi.org/10.1063/pt.3.3605.

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4

Galiautdinov, Andrei. « Anisotropic Keldysh interaction ». Physics Letters A 383, no 25 (septembre 2019) : 3167–74. http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2019.07.002.

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5

Polilova, Tatyana Alekseevna. « Keldysh Institute Preprints in the diagrams of the Science Space system ». Keldysh Institute Preprints, no 27 (2022) : 1–38. http://dx.doi.org/10.20948/prepr-2022-27.

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Résumé :
The bibliometric and statistical indicators of the scientific journal "Keldysh Institute Preprints" are considered. The functionality of the system named “Science Space” is demonstrated. The issues of correspondence of the thematic directions of the GRNTI rubricator used in the Science Space system and the thematic scientific directions fixed in the charter and in the electronic library of the Keldysh Insitute are discussed. The given bibliometric characteristics of the "Keldysh Institute Preprints" is forced to be more careful about the interpretation of scientometric indicators and the results of the ratings in the eLibrary.ru.
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6

Andreev, Aleksandr F., N. G. Basov, Vitalii L. Ginzburg, Aleksandr V. Gurevich, Boris B. Kadomtsev, D. A. Kirzhnits, Yurii V. Kopaev et al. « Leonid Veniaminovich Keldysh (On his sixtieth birthday) ». Uspekhi Fizicheskih Nauk 161, no 4 (1991) : 179. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0161.199104h.0179.

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7

Volkov, Boris A., Aleksandr V. Gurevich, Vitalii L. Ginzburg, Yurii V. Kopaev, Oleg N. Krokhin, Vladimir I. Ritus, Viktor P. Silin, V. Ya Fainberg, Evgenii L. Feinberg et Dmitrii S. Chernavskii. « Leonid Veniaminovich Keldysh (on his seventieth birthday) ». Uspekhi Fizicheskih Nauk 171, no 4 (2001) : 435. http://dx.doi.org/10.3367/ufnr.0171.200104e.0435.

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8

Bauer, Jarosław H. « Keldysh theory re-examined ». Journal of Physics B : Atomic, Molecular and Optical Physics 49, no 14 (15 juin 2016) : 145601. http://dx.doi.org/10.1088/0953-4075/49/14/145601.

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9

Jauho, A. P., et K. Johnsen. « Dynamical Franz-Keldysh Effect ». Physical Review Letters 76, no 24 (10 juin 1996) : 4576–79. http://dx.doi.org/10.1103/physrevlett.76.4576.

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10

Trunin, Dmitrii A. « Comments on the adiabatic theorem ». International Journal of Modern Physics A 33, no 24 (30 août 2018) : 1850140. http://dx.doi.org/10.1142/s0217751x18501403.

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Résumé :
We consider the simplest example of a nonstationary quantum system which is quantum mechanical oscillator with varying frequency and [Formula: see text] self-interaction. We calculate loop corrections to the Keldysh, retarded/advanced propagators and vertices using Schwinger–Keldysh diagrammatic technique and show that there is no physical secular growth of the loop corrections in the cases of constant and adiabatically varying frequency. This fact corresponds to the well-known adiabatic theorem in quantum mechanics. However, in the case of nonadiabatically varying frequency we obtain strong IR corrections to the Keldysh propagator which come from the “sunset” diagrams, grow with time indefinitely and indicate energy pumping into the system. It reveals itself via the change in time of the level population and of the anomalous quantum average.
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Plus de sources

Thèses sur le sujet "Keldysha"

1

Leeson, Mark Stephen. « Franz-Keldysh effect planar optical modulators ». Thesis, University of Cambridge, 1990. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.334205.

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2

Desplanque, Ludovic. « Caractérisation électro-optique de composants térahertz par échantillonnage Franz-Keldysh subpicoseconde ». Phd thesis, Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2003. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00012147.

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Résumé :
L'augmentation du débit des télécommunications nécessite la réalisation de circuits intégrés utilisant des transistors dont les fréquences de coupure sont de plus en plus élevées. L'évaluation des performances intrinsèques de ces composants fonctionnant aujourd'hui jusqu'à plusieurs centaines de GHz pose un gros problème d'instrumentation. Les capacités des analyseurs de réseaux généralement utilisés pour ces caractérisations sont en effet dépassées.

Les méthodes d'échantillonnage électro-optique basées sur l'utilisation d'un laser impulsionnel femtoseconde constituent une méthode alternative de caractérisation hyperfréquences. Ces mesures dont la résolution temporelle peut être inférieure à la picoseconde permettent d'étudier la réponse en fréquence de composants intégrés jusqu'à plus de 1 THz.

La méthode d'échantillonnage ultra-rapide que nous proposons est basée sur un effet d'électroabsorption présent dans de nombreux semiconducteurs massifs : l'effet Franz-Keldysh. Cet effet nous permet de sonder optiquement des impulsions électriques ultra-brèves se propageant sur une ligne de transmission déposée sur Arséniure de Gallium (GaAs). Ces impulsions sont également générées par voie optique grâce à un matériau photoconducteur ultra-rapide : le GaAs épitaxié à basse température.

La démonstration expérimentale de cette méthode de caractérisation est tout d'abord effectuée en utilisant les propriétés intrinsèques du substrat semiconducteur. Dans un deuxième temps, des améliorations technologiques sont apportées au dispositif expérimental pour permettre une généralisation de la technique de mesure à tout type de substrat. Pour cela, nous avons en particulier mis au point une technique de « lift-off » épitaxial permettant le report des matériaux nécessaires à la mesure sur un circuit ayant déjà subi les étapes technologiques. Ces différentes méthodes de mesure sont ensuite appliquées à la caractérisation de lignes de transmission ou de composants passifs THz. Elles ont permis entre autre la mise en évidence du phénomène de couplage par onde de choc électromagnétique entre deux lignes de transmission coplanaires, ou l'évaluation des paramètres S d'un filtre réjecteur de Bragg intégré sur substrat de quartz jusqu'à 1,2 THz. Enfin, la possibilité d'étudier un transistor bipolaire à hétérojonction à doigt d'émetteur submicronique par cette technique de mesure est envisagée.
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3

Nakata, Kouki. « Non-Equilibrium Quantum Spin Transport Theory Based on Schwinger-Keldysh Formalism ». 京都大学 (Kyoto University), 2014. http://hdl.handle.net/2433/188467.

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4

Souza, Fabricio Macedo de. « Transporte quântico em spintrônica : corrente e shot noise via funções de Green de não equilíbrio ». Universidade de São Paulo, 2004. http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76131/tde-26112008-143946/.

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Résumé :
Estudamos transporte quântico dependente de spin em sistemas de ponto e de poço quântico acoplados a contatos magnéticos. O primeiro passo do nosso estudo foi a dedução de fórmulas originais para a corrente e para o ruído em sistemas com tunelamento dependente de spin, através do formalismo de funções de Green de mão equilíbrio. As equações deduzidas reproduzem casos limites da literatura - em particular as fórmulas de Landauer-Buttiker. Posteriormente aplicamos essas fórmulas para estudar três sistemas distintos: (1) ponto quântico acoplado a contatos ferromagnéticos, (2) um ponto quântico acoplado a múltiplos terminais ferromagnéticos, e (3) um poço quântico acoplado a terminais de semicondutor magnético diluído (DMS). No sistema (1) consideramos os alinhamentos paralelo (P) e anti-paralelo (AP) entre as magnetizações dos terminais. Nesse sistema levamos em conta interação de Coulomb e espalhamento de spin no ponto quântico. Com as fórmulas para corrente e ruído deduzidas aqui, encontramos, por exemplo, que a interação de Coulomb, combinada com o magnetismo dos eletrodos, leva a um bloqueio de Coulomb dependente de spin. Esse efeito por sua vez leva a uma polarização da corrente que pode ser modulada (intensidade e sinal) através de uma tens~ao externa. Também encontramos que o espalhamento de spin leva a comportamentos contrastantes entre corrente e ruído. Enquanto a corrente na configuração AP aumenta com a taxa de espalhamento de spin R, o ruído nessa mesma configuração é suprimido para uma certa faixa de valores de R. Um outro efeito interessante que observamos foi a possibilidade de se suprimir o ruído térmico através de uma tensão de porta. Para o sistema (2) mostramos que é possível injetar corrente ↑-polarizada no ponto quântico e coletar simultaneamente correntes ↑ e ↓ polarizadas em terminais diferentes. Além disso, a corrente ao passar do reservatório emissor para um dos reservatórios coletores tem a sua polarização intensificada. Portanto esse sistema pode operar como inversor e amplificador de polarização de corrente. Por último, analisamos os efeitos de terminais DMS e quantização de Landau (na presença de um campo magnético externo) sobre a corrente e o ruído no sistema (3). Encontramos que o efeito Zeeman gigante nos terminais DMS, gerado pela interação de troca s-d, leva a uma polarização da corrente. Em particular, para uma certa faixa de tensão o efeito Zeeman gigante resulta na completa supressão de uma dada componente de spin no transporte. Com isso é possível controlar a polarização da corrente através de uma tensão externa. Também observamos oscilações na corrente, no ruído e no fator de Fano como função do campo magnético.
We study spin dependent quantum transport in quantum dots and quantum well devices attached to magnetic leads. We first derive general formulas, including electron-electron interaction and spin flip, for both current and noise, using the no equilibrium Green function technique (Keldysh). From our equations we regain limiting cases in the literature - in particular the Landauer-Buttiker formula when we neglect electron-electron interaction. We apply these formulas to study three distinct systems: (1) a quantum dot attached to two ferromagnetic leads, (2) a quantum dot linked to many ferromagnetic leads, and (3) a quantum well coupled to dilute magnetic semiconductor (DMS) terminals. In the first system we consider both parallel (P) and anti-parallel (AP) ferromagnetic alignments of the leads. Coulomb interaction and spin flip scattering are also taken into account. With the formulas for the current and the noise derived here, we find, for instance, that the Coulomb interaction, combined with the magnetism of the electrodes, gives rise to a spin-dependent Coulomb blockade. This effect allows the control (intensity and sign) of the current polarization via the bias voltage. We also observe that spin flip scattering yields contrasting behavior between current and shot noise. While the current in the AP configuration increases with the spin flip, the shot noise becomes suppressed for a range of spin flip rates. Another interesting finding is the possibility to suppress the thermal noise via a gate voltage. For the dot coupled to three magnetic leads, we show that it is possible to inject current ↑-polarized into the dot from the FM emitter, detect simultaneously ↑ and ↓ - polarized currents at distinct collectors. In addition, we find that the current has its polarization amplified when going from the emitter to one of the collectors. Therefore we have a device that operates as both as current polarization inverter and amplifier. Finally, we analyze the effects of DMS leads and Landau quantization on the current and noise of system (3). We and that the giant Zeeman effect in the DMS leads, due to the it s-d exchange interaction, gives rise to a spin polarized current, and for a particular bias voltage range, full suppression of one spin component. This gives rise to the possibility of tuning the current polarization via the bias voltage. We also observe oscillations in the current, the noise and the Fano factor as a function of the magnetic field.
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5

Lima, Leandro Romão Fernandes. « Aplicações do formalismo de Keldysh ao transporte e ao bombeamento de calor em nanoestruturas ». Universidade do Estado do Rio de Janeiro, 2009. http://www.bdtd.uerj.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=6304.

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Résumé :
Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior
Num regime balísstico e a baixas temperaturas, a fórmula de Landauer dá uma boa descrição do transporte de calor para nano-junções conectadas a dois fios acoplados a banhos térmicos a temperaturas diferentes. Partindo de um modelo microscópico e utilizando o método de funções de Green fora do equilíbrio, é possível obter uma expressão para a condutância térmica na nano-junção equivalente a fórmula de Landauer. Esta depende dos valores das constantes de acoplamento entre os modos de fônons da região central e dos fios, além do gradiente térmico. A expressão para a condutância térmica é muito semelhante aquela obtida para a condutância elétrica. Neste trabalho nós apresentamos o método para o cálculo de grandezas relacionadas ao transporte térmico em um regime onde não há um gradiente de temperatura entre os reservatórios mas o sistema sofre uma perturbação dependente do tempo. Ou seja, com uma escolha conveniente da parametrização temporal dos termos de acoplamento entre a nano-junção e os fios é possível produzir uma corrente de calor na ausência de diferença de temperaturas entre os banhos térmicos aos quais os fios estão conectados. Esse fenômeno caracteriza o bombeamento de calor. Desenvolvemos uma teoria de transporte dependente do tempo para descrever o bombeamento. A teoria é geral, dependendo da densidade de fônons, da intensidade e dependência temporal do acoplamento. Aplicamos o formalismo em um modelo simples demonstrando que, em princípio, é possível bombear calor através de uma cadeia linear de átomos sem gradiente térmico.
In the ballistic regime at low temperatures, the Landauer formula gives a good description of heat transport for nano-junctions, connected to two leads attached to thermal baths at different temperatures. Starting from a microscopic model and using the nonequilibrium Green functions, it is possible to obtain an expression for the thermal conductance in nano-junction equivalent to the Landauer formula. The latest depends on the values of the coupling constants between phonon modes of the central region and leads, as well as on the thermal gradient. The expression for the thermal conductance is quite similar to that obtained for electrical conductance. In this work we present the method to calculate quantities related to heat transport in a regime where there is no temperature gradient between the reservoirs, but the system suffers a time depending perturbation. That is, with a convenient choice of time parameterization of the coupling terms between the nano-junction and the leads it is possible to produce a heat flow in the absence of a temperature difference between the thermal baths connected to the leads. This phenomenon characterizes the heat pumping. We develop a time-dependent transport theory to describe the pumping. The theory is general, depending on the phonons density, intensity and time dependence of the coupling. We apply the formalism in a simple model showing that in principle it is possible to pump heat through a linear chain of atoms without thermal gradient.
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6

Schmidt, Christian [Verfasser]. « Transiente Hochfeldeffekte im Volumenhalbleiter Galliumarsenid : Von der Franz-Keldysh-Absorption zur Wannier-Stark-Lokalisierung / Christian Schmidt ». Konstanz : Bibliothek der Universität Konstanz, 2016. http://d-nb.info/1137835648/34.

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Souquet, Jean-René. « Transport dans les nanostructures quantiques ». Phd thesis, Université Paris Sud - Paris XI, 2014. http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01010433.

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Résumé :
Cette thèse est consacrée à l'étude du transport dans les nanostructures quantiques unidimensionnelles dont les propriétés sont étudiées en s'appuyant notamment sur le bruit en excès à fréquence finie. La première partie de cette thèse est consacrée à l'étude du transport à travers une impureté dans un liquide de Luttinger couplée à un environnement électromagnétique arbitraire. L'impureté est traitée dans deux limites de transmission, la limite tunnel et la limite de faible rétrodiffusion. Les calculs sont menés dans le formalisme de Keldysh. Nous montrons ainsi que la théorie du blocage de Coulomb dynamique, établie pour une jonction tunnel couplée à un environnement à l'équilibre, demeure valide pour un liquide de Luttinger. Par ailleurs nous montrons que les relations de fluctuation dissipation reliant le bruit à fréquence finie au courant reste valide. Nous montrons que cette théorie peut également s'étendre dans la limite de faible rétrodiffusion à condition de prendre en compte la rétro-action du liquide électronique sur l'environnement. En revanche, les relations de fluctuation dissipation ne sont respectées que pour le bruit en émission. Dans une seconde partie nous intéressons effets d'une modulation radiofréquence sur les propriétés de transport des mêmes systèmes. Nous montrons notamment que ces effets peuvent être décrit par une théorie du blocage de Coulomb dynamique effective en convoluant la statistique d'absorption de photon avec la statistique de Tien-Gordon. Notons cependant que les relations de fluctuation dissipation ne sont plus vérifiées. Ces prédictions théoriques sont comparées aux résultats expériments obtenus par une équipe du SPEC au CEA de Saclay. Enfin nous étudions les propriétés de transport lorsque l'environnement, ici un oscillateur harmonique, est maintenu dans un état excité. Nous montrons que la présence de photons autorise d'une part le processus photo-assistés mais favorise également l'absorption de photons par des processus de bunching. Nous montrons finalement que les propriétés du transport s'obtiennent en convoluant la loi de Poisson du blocage de Coulomb avec la fonction caractéristique de Glauber de l'état peuplant l'oscillateur, menant à des statistiques exotiques. Ce dernier point nous permet d'utiliser ce système comme un détecteur d'état quantique.
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Dobrescu, Bogdan E. « Production of bosonic molecules in the nonequilibrium dynamics of a degenerate Fermi gas across a Feshbach resonance ». [College Station, Tex. : Texas A&M University, 2006. http://hdl.handle.net/1969.1/ETD-TAMU-1838.

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Sohns, Joachim. « Modellierung von Transportprozessen in Alkaligläsern ». [S.l. : s.n.], 2008. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:289-vts-66128.

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10

Claveau, Yann. « Modeling of ballistic electron emission microscopy ». Thesis, Rennes 1, 2014. http://www.theses.fr/2014REN1S074/document.

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Résumé :
Après la découverte de la magnéto-résistance géante (GMR) par Albert Fert et Peter Grünberg, l'électronique a connu une véritable avancée avec la naissance d'une nouvelle branche appelée spintronique. Cette discipline, encore jeune, consiste à exploiter le spin des électrons dans le but notamment de stocker de l'information numérique. La plupart des dispositifs exploitant cette propriété quantique des électrons consistent en une alternance de fines couches magnétiques et non magnétiques sur un substrat semi-conducteur. L'un des outils de choix pour la caractérisation de ces structures, inventé en 1988 par Kaiser et Bell, est le microscope à émission d'électrons balistiques (BEEM). A l'origine, ce microscope, dérivé du microscope à effet tunnel (STM), était dédié à l'imagerie d'objets (nanométriques) enterrés ainsi qu'à l'étude de la barrière de potentiel (barrière Schottky) qui se forme à l'interface d'un métal et d'un semi-conducteur lors de leur mise en contact. Avec l'essor de la spintronique, le BEEM est devenu une technique de spectroscopie essentielle mais encore fondamentalement incomprise. C'est en 1996 que le premier modèle réaliste, basé sur le formalisme hors équilibre de Keldysh, a été proposé pour décrire le transport des électrons dans cette microscopie. Il permettait notamment d'expliquer certains résultats expérimentaux jusqu'alors incompris. Cependant, malgré son succès, son usage a été limité à l'étude de structures semi-infinies via un méthode de calcul appelée décimation de fonctions de Green. Dans ce contexte, nous avons étendu ce modèle au cas des films minces et des hétéro-structures du type vanne de spin : partant du même postulat que les électrons suivent la structure de bandes du matériaux dans lesquels ils se propagent, nous avons établi une formule itérative permettant le calcul des fonctions de Green du système fini par la méthode des liaisons fortes. Ce calcul des fonctions de Green a été encodé dans un programme Fortran 90, BEEM v3, afin de calculer le courant BEEM ainsi que la densité d'états de surface. En parallèle, nous avons développé une autre méthode, plus simple, qui permet de s'affranchir du formalisme hors équilibre de Keldysh. En dépit de sa naïveté, nous avons montré que cette approche permettait l'interprétation et la prédiction de certains résultats expérimentaux de manière intuitive. Cependant, pour une étude plus fine, le recours à l'approche “hors équilibre” reste inévitable, notamment pour la mise en évidence d'effets d'épaisseur, lés aux interfaces inter-plans. Nous espérons que ces deux outils puissent se révéler utiles aux expérimentateurs, et notamment pour l'équipe Surfaces et Interfaces de notre département
After the discovery of Giant Magneto-Resistance (GMR) by Albert Fert and Peter Grünberg, electronics had a breakthrough with the birth of a new branch called spintronics. This discipline, while still young, exploit the spin of electrons, for instance to store digital information. Most quantum devices exploiting this property of electrons consist of alternating magnetic and nonmagnetic thin layers on a semiconductor substrate. One of the best tools used for characterizing these structures, invented in 1988 by Kaiser and Bell, is the so-called Ballistic Electron Emission Microscope (BEEM). Originally, this microscope, derived from the scanning tunneling microscope (STM), was dedicated to the imaging of buried (nanometer-scale) objects and to the study of the potential barrier (Schottky barrier) formed at the interface of a metal and a semiconductor when placed in contact. With the development of spintronics, the BEEM became an essential spectroscopy technique but still fundamentally misunderstood. It was in 1996 that the first realistic model, based on the non-equilibrium Keldysh formalism, was proposed to describe the transport of electrons during BEEM experiments. In particular, this model allowed to explain some experimental results previously misunderstood. However, despite its success, its use was limited to the study of semi-infinite structures through a calculation method called decimation of Green functions. In this context, we have extended this model to the case of thin films and hetero-structures like spin valves: starting from the same postulate that electrons follow the band structure of materials in which they propagate, we have established an iterative formula allowing calculation of the Green functions of the finite system by tight-binding method. This calculation of Green’s functions has been encoded in a FORTRAN 90 program, BEEM v3, in order to calculate the BEEM current and the surface density of states. In parallel, we have developed a simpler method which allows to avoid passing through the non-equilibrium Keldysh formalism. Despite its simplicity, we have shown that this intuitive approach gives some physical interpretation qualitatively similar to the non-equilibrium approach. However, for a more detailed study, the use of “non-equilibrium approach” is inevitable, especially for the detection of thickness effects linked to layer interfaces. We hope these both tools should be useful to experimentalists, especially for the Surfaces and Interfaces team of our department
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Plus de sources

Livres sur le sujet "Keldysha"

1

Kozʹmenko, M. V., et V. M. Vvedenskai︠a︡. "Slozhnai︠a︡ t︠s︡elostnostʹ" literatury : Issledovanii︠a︡ i publikat︠s︡ii : k i︠u︡bilei︠u︡ V.A. Keldysha. Moskva : IMLI RAN, 2019.

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2

Begieva-Kuchmezova, R. Svet zvezdy i svechi... : K 90-letii︠u︡ Timura Magometovicha Ėneeva. Moskva : IPM imeni M.V. Keldysha RAN, 2015.

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3

A, Keldysh V., Lekmanov O. A, Polonskiĭ V. V et Institut mirovoĭ literatury imeni A.M. Gorʹkogo., dir. Russkai︠a︡ literatura kont︠s︡a XIX-nachala XX veka v zerkale sovremennoĭ nauki : V chestʹ V.A. Keldysha : issledovanii︠a︡ i publikat︠s︡ii. Moskva : IMLI RAN, 2008.

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4

Teterina, N. I. I︠U︡riĭ Vsevolodovich Keldysh : Vospominanii︠a︡, issledovanii︠a︡, materialy, dokumenty. Moskva : Gosudarstvennyĭ institut iskusstvoznanii︠a︡, 2015.

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5

V, Zabrodin A., dir. M.V. Keldysh : Tvorcheskiĭ portret po vospominanii︠a︡m sovremennikov. Moskva : Nauka, 2002.

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6

Svishchëv, G. P. Vydai︠u︡shchiesi︠a︡ mekhaniki : N.E. Zhukovskiĭ, S.A. Chaplygin, M.V. Keldysh. Moskva : T︠S︡entr. aėrogidrodinamicheskiĭ in-t im. N.E. Zhukovskogo, 1996.

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7

Otway, Thomas H. The Dirichlet Problem for Elliptic-Hyperbolic Equations of Keldysh Type. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-24415-5.

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8

Lake, Roger Kevin. Application of the keldysh formalism to quantum device modeling and analysis. Ann Arbor, Michigan : UMI, 2002.

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9

Chernavskiĭ, A. V. Geometric topology and set theory : Collected papers dedicated to the 100th birthday of professor Lyudmila Vsevolodovna Keldysh. Moscow : Maik Nauka/Interperiodica, 2004.

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10

V, Chernavskiĭ A., dir. Geometric topology and set theory : Collected papers dedicated to the 100th birthday of professor Lyudmila Vsevolodovna Keldysh. Moscow : Maik Nauka/Interperiodica, 2004.

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Plus de sources

Chapitres de livres sur le sujet "Keldysha"

1

Gurshtein, Alexander A. « Keldysh, Mstislav Vsevolodovich ». Dans Biographical Encyclopedia of Astronomers, 1174. New York, NY : Springer New York, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4419-9917-7_9311.

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2

Biró, Tamás Sándor, et Antal Jakovác. « Keldysh (Two-Time) Formalism ». Dans SpringerBriefs in Physics, 35–50. Cham : Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-11689-7_3.

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3

van Leeuwen, R., N. E. Dahlen, G. Stefanucci, C. O. Almbladh et U. von Barth. « Introduction to the Keldysh Formalism ». Dans Time-Dependent Density Functional Theory, 33–59. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/3-540-35426-3_3.

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4

Datta, S. « Keldysh Formalism and the Landauer Approach ». Dans Physics of Low-Dimensional Semiconductor Structures, 299–331. Boston, MA : Springer US, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-2415-5_8.

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5

Milton, Kimball A. « Time-Cycle or Schwinger-Keldysh Formulation ». Dans SpringerBriefs in Physics, 51–61. Cham : Springer International Publishing, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-20128-3_5.

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6

Ginzburg, Vitaly L. « Mstislav Vsevoldovich Keldysh (A Detached View) ». Dans The Physics of a Lifetime, 425–27. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-04455-1_24.

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7

Merino, Jaime, et Alfredo Levy Yeyati. « Introduction to Non-equilibrium : The Keldysh Contour ». Dans UNITEXT for Physics, 97–100. Cham : Springer Nature Switzerland, 2024. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-55143-7_7.

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8

Kamenev, Alex. « Keldysh and DOI-Peliti Techniques for Out-of-Equilibrium Systems ». Dans Strongly Correlated Fermions and Bosons in Low-Dimensional Disordered Systems, 313–40. Dordrecht : Springer Netherlands, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-010-0530-2_13.

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9

Reiss, H. R. « The Keldysh Theory of Strong Field Ionization and its Extensions ». Dans Atoms in Strong Fields, 425–46. Boston, MA : Springer US, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4757-9334-5_22.

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10

Eckstein, Martin. « From the Keldysh Formalism to Non-equilibrium Dynamical Mean-Field Theory ». Dans Out-of-Equilibrium Physics of Correlated Electron Systems, 61–119. Cham : Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-94956-7_3.

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Actes de conférences sur le sujet "Keldysha"

1

Leonov, Gennady A., et Nikolay V. Kuznetsov. « On the Keldysh problem of flutter suppression ». Dans THE EIGHTH POLYAKHOV’S READING : Proceedings of the International Scientific Conference on Mechanics. Author(s), 2018. http://dx.doi.org/10.1063/1.5034578.

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2

Hoshina, Hiroki, Hirotsugu Fujii et Yoshio Kikukawa. « Schwinger-Keldysh formalism for Lattice Gauge Theories ». Dans 37th International Symposium on Lattice Field Theory. Trieste, Italy : Sissa Medialab, 2020. http://dx.doi.org/10.22323/1.363.0190.

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3

Sarid, Dror, et Wayne M. Gibbons. « Temporal response of the Franz-Keldysh effect ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1985.we5.

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Résumé :
External perturbations such as temperature, stress, or electric fields, which can modulate the band gap of a semiconductor, play a major role in the study of energy band structures. In electroabsorption, in particular, the modulation of the band gap of a semiconductor by an externally applied electric field, referred to as the Franz-Keldysh effect, can be detected as a change in the sample's reflectivity. By measuring the relative change in the reflectivity due to a modulating external perturbation as a function of wavelength, one can study the band structure of semiconductors. The relative change in the reflectivity as a function of wavelength is given by the third derivative of the unperturbed dielectric constant.1 Yacoby2 discussed the case where the duration of the perturbing electric field is comparable to or shorter than the characteristic time of the system. Here we show, using the time gauge and the Fourier time transform of the time-dependent current operator, that if the duration of the perturbing electric field is shorter than the characteristic time of the system, the relative change in the reflectivity due to the Franz-Keldysh effect will be proportional to the first-order rather than the third-order derivative and will therefore yield results similar to those obtained in piezoreflectance, thermoreflectance, and wavelength modulation.1
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4

Chang, Guo-En. « Analysis of Franz-Keldysh Effect in GeSn Alloys ». Dans 2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/phosst.2019.8794967.

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5

Hughes, S., et D. S. Citrin. « Dynamical Franz-Keldysh Effect in the terahertz regime ». Dans Radiative Processes and Dephasing in Semiconductors. Washington, D.C. : OSA, 1998. http://dx.doi.org/10.1364/rpds.1998.rmd7.

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6

Freericks, J. K., V. Turkowski et V. Zlatic. « Parallelizing the Keldysh formalism for strongly correlated electrons ». Dans Proceedings. Users Group Conference. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/dod_ugc.2004.32.

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7

Gruzdev, Vitali E. « Laser-induced ionization of solids : back to Keldysh ». Dans Boulder Damage Symposium XXXVI, sous la direction de Gregory J. Exarhos, Arthur H. Guenther, Norbert Kaiser, Keith L. Lewis, M. J. Soileau et Christopher J. Stolz. SPIE, 2005. http://dx.doi.org/10.1117/12.578469.

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8

Weiser, Gerhard, A. Horvath et H. J. Kolbe. « Franz-Keldysh effect of band states in polydiacetylene ». Dans Optical Science, Engineering and Instrumentation '97, sous la direction de Z. Valy Vardeny et Lewis J. Rothberg. SPIE, 1997. http://dx.doi.org/10.1117/12.279276.

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9

Lucchini, Matteo, Shunsuke A. Sato, Giacinto D. Lucarelli, Bruno Moio, Giacomo Inzani, Rocío Borrego-Varillas, Fabio Frassetto et al. « Attosecond Dynamical Franz-Keldysh Effect in Core Excitons ». Dans International Conference on Ultrafast Phenomena. Washington, D.C. : OSA, 2020. http://dx.doi.org/10.1364/up.2020.w1a.1.

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10

Abadia, N., S. Olivier, D. Marris-Morini, L. Vivien, T. Bernadin et J. C. Weeber. « A CMOS-compatible Franz-Keldysh effect plasmonic modulator ». Dans 2014 IEEE 11th International Conference on Group IV Photonics. IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/group4.2014.6962021.

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