Articles de revues sur le sujet « Isolated gate driver »
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Gras, David, Christophe Pautrel, Amir Fanaei, Gregory Thepaut, Maxime Chabert, Fabien Laplace et Gonzalo Picun. « Highly Integrated and Isolated Universal Half-Bridge Power Gate Driver and Associated Flyback Power Supply for High Temperature and High Reliability Applications ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000206–13. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-wp12.
Texte intégralMatalata, Hendi, et Rozlinda Dewi. « Desain Rangkaian Gate Driver Analog untuk Dual Mosfet Drivers ». Jurnal Ilmiah Universitas Batanghari Jambi 21, no 2 (4 juillet 2021) : 714. http://dx.doi.org/10.33087/jiubj.v21i2.1534.
Texte intégralKuo, Hsuan-Yu, et Jau-Jr Lin. « Development of Miniaturized Monolithic Isolated Gate Driver ». Advances in Science, Technology and Engineering Systems Journal 6, no 5 (septembre 2021) : 177–84. http://dx.doi.org/10.25046/aj060520.
Texte intégralGarcia, Jorge, Sarah Saeed, Emre Gurpinar et Alberto Castellazzi. « A Study of Integrated Signal and Power Transfer for Compact Isolated SiC MOSFET Gate-Drivers ». Electronics 10, no 2 (13 janvier 2021) : 159. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10020159.
Texte intégralDoucet, Jean-Christophe, Aimad Saib, Christian Mourad, François Piette, Etienne Vanzieleghem et Pierre Delatte. « HADES® : a High-Temperature Isolated Gate Driver Solution for SiC-based Multi-kW Converters ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2011, HITEN (1 janvier 2011) : 000145–51. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-paper3-jcdoucet.
Texte intégralMuhammad, Khairul Safuan, et Dylan Dah-Chuan Lu. « Magnetically Isolated Gate Driver With Leakage Inductance Immunity ». IEEE Transactions on Power Electronics 29, no 4 (avril 2014) : 1567–72. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2013.2279548.
Texte intégralZhao, Weichuan, Sohrab Ghafoor, Gijs Willem Lagerweij, Gert Rietveld, Peter Vaessen et Mohamad Ghaffarian Niasar. « Comprehensive Investigation of Promising Techniques to Enhance the Voltage Sharing among SiC MOSFET Strings, Supported by Experimental and Simulation Validations ». Electronics 13, no 8 (13 avril 2024) : 1481. http://dx.doi.org/10.3390/electronics13081481.
Texte intégralMayorga, J. Valle, C. Gutshall, K. Phan, I. Escorcia, H. A. Mantooth, B. Reese, M. Schupbach et A. Lostetter. « High Temperature Silicon-on-Insulator Gate Driver for SiC-FET Power Modules ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2011, HITEN (1 janvier 2011) : 000152–58. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-paper4-jmayorga.
Texte intégralMakki, Loreine, Marc Anthony Mannah, Christophe Batard, Nicolas Ginot et Julien Weckbrodt. « Investigating the Shielding Effect of Pulse Transformer Operation in Isolated Gate Drivers for SiC MOSFETs ». Energies 14, no 13 (27 juin 2021) : 3866. http://dx.doi.org/10.3390/en14133866.
Texte intégralSugano, Ryoko, Yuchong Sun et Hiroo Sekiya. « High-frequency resonant gate driver with isolated class-E amplifier ». Nonlinear Theory and Its Applications, IEICE 9, no 3 (2018) : 358–73. http://dx.doi.org/10.1587/nolta.9.358.
Texte intégralBRAMBILLA, ANGELO. « SNUBBER BEHAVIOR AND DESIGN IN FLYBACK CONVERTERS FOR ISOLATED IGBT DRIVERS ». Journal of Circuits, Systems and Computers 05, no 03 (septembre 1995) : 523–29. http://dx.doi.org/10.1142/s0218126695000321.
Texte intégralZhang, Zhiliang, Fei-Fei Li et Yan-Fei Liu. « A High-Frequency Dual-Channel Isolated Resonant Gate Driver With Low Gate Drive Loss for ZVS Full-Bridge Converters ». IEEE Transactions on Power Electronics 29, no 6 (juin 2014) : 3077–90. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2013.2272662.
Texte intégralSerban, Emanuel, Mohammad Ali Saket et Martin Ordonez. « High-Performance Isolated Gate-Driver Power Supply With Integrated Planar Transformer ». IEEE Transactions on Power Electronics 36, no 10 (octobre 2021) : 11409–20. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2021.3070053.
Texte intégralGarcia, Jorge, Sara Saeed, Emre Gurpinar, Alberto Castellazzi et Pablo Garcia. « Self-Powering High Frequency Modulated SiC Power MOSFET Isolated Gate Driver ». IEEE Transactions on Industry Applications 55, no 4 (juillet 2019) : 3967–77. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2019.2910789.
Texte intégralAhmed Rmila, Salahaldein, et Simon S. Ang. « A High-Input Voltage Two-Phase Series-Capacitor DC-DC Buck Converter ». Journal of Electrical and Computer Engineering 2020 (8 juin 2020) : 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2020/9464727.
Texte intégralChen, Changnan, Pichao Pan, Jiebin Gu et Xinxin Li. « A High-Voltage-Isolated MEMS Quad–Solenoid Transformer with Specific Insulation Barriers for Miniaturized Galvanically Isolated Power Applications ». Micromachines 15, no 2 (31 janvier 2024) : 228. http://dx.doi.org/10.3390/mi15020228.
Texte intégralChen, Lei, Caihui Zhu, Jiaming Zheng, Jian Qiu, Hui Zhao et Kefu Liu. « A Flexible Solid-State Marx Modulator Module Based on Discrete Magnetic Coupling Drivers ». Electronics 12, no 18 (10 septembre 2023) : 3831. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12183831.
Texte intégralPicun, Gonzalo, Khalil El-Falahi, Christophe Pautrel, Yoann Duse, Nicolas Joubert, Anaud Anotta, Georget Lemoyne et al. « More than Drivers in Motor Drives : Closing the Loop ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2015, HiTEN (1 janvier 2015) : 000179–88. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-session5-paper5_3.
Texte intégralRothmund, Daniel, Dominik Bortis et Johann W. Kolar. « Highly Compact Isolated Gate Driver With Ultrafast Overcurrent Protection for 10 kV SiC MOSFETs ». CPSS Transactions on Power Electronics and Applications 3, no 4 (décembre 2018) : 278–91. http://dx.doi.org/10.24295/cpsstpea.2018.00028.
Texte intégralZan, Xin, et Al-Thaddeus Avestruz. « Isolated Ultrafast Gate Driver with Variable Duty Cycle for Pulse and VHF Power Electronics ». IEEE Transactions on Power Electronics 35, no 12 (décembre 2020) : 12678–85. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2020.2999481.
Texte intégralWu, Qunfang, Qin Wang, Jinyi Zhu et Xiao Lan. « Dual-Channel Push–Pull Isolated Resonant Gate Driver for High-Frequency ZVS Full-Bridge Converters ». IEEE Transactions on Power Electronics 34, no 5 (mai 2019) : 4019–24. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2018.2873192.
Texte intégralRashmi, Ruchi, et Shweta Jagtap. « Design of symmetrical half-bridge converter with a series coupling capacitor ». World Journal of Engineering 17, no 5 (30 juin 2020) : 609–20. http://dx.doi.org/10.1108/wje-09-2019-0280.
Texte intégralNaik, B. Satish, S. Shan, L. Umanand et B. Subba Reddy. « A Novel Wide Duty Cycle Range Wide Band High Frequency Isolated Gate Driver for Power Converters ». IEEE Transactions on Industry Applications 54, no 1 (janvier 2018) : 437–46. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2017.2764850.
Texte intégralLu, Xiaozhuang, Lixing Zhou, Zhanwu Yao et Junhua Qin. « FPGA-Based Implementation of Reverse Electrical Pulse Stress and Measurement system for Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistors ». Journal of Physics : Conference Series 2524, no 1 (1 juin 2023) : 012018. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2524/1/012018.
Texte intégralSpataro, Simone, Egidio Ragonese, Nunzio Spina et Giuseppe Palmisano. « A GaN-Integrated Galvanically Isolated Data Link Based on RF Planar Coupling With Voltage Combining for Gate-Driver Applications ». IEEE Access 12 (2024) : 48530–39. http://dx.doi.org/10.1109/access.2024.3383535.
Texte intégralMajima, Hideaki, Hiroaki Ishihara, Katsuyuki Ikeuchi, Toshiyuki Ogawa, Yuichi Sawahara, Tatsuhiro Ogawa, Satoshi Takaya, Kohei Onizuka et Osamu Watanabe. « Cascoded GaN half-bridge with 17 MHz wide-band galvanically isolated current sensor ». Japanese Journal of Applied Physics 61, SC (21 février 2022) : SC1052. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac4446.
Texte intégralNguyen, The Van, Jean-Christophe Crebier et Pierre-Olivier Jeannin. « Design and Investigation of an Isolated Gate Driver Using CMOS Integrated Circuit and HF Transformer for Interleaved DC/DC Converter ». IEEE Transactions on Industry Applications 49, no 1 (janvier 2013) : 189–97. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2012.2229254.
Texte intégralRagonese, Egidio, Nunzio Spina, Alessandro Parisi et Giuseppe Palmisano. « An Experimental Comparison of Galvanically Isolated DC-DC Converters : Isolation Technology and Integration Approach ». Electronics 10, no 10 (15 mai 2021) : 1186. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10101186.
Texte intégralKołodziejski, Wojciech, Jacek Jasielski, Stanisław W. Kuta, Grzegorz Szerszeń et Witold Machowski. « Review and comparison of methods for limiting leakage currents in single-phase transformerless PV inverter topologies ». Science, Technology and Innovation 16, no 3-4 (31 mars 2023) : 1–19. http://dx.doi.org/10.55225/sti.477.
Texte intégralHong, Kuo-Bin, Chun-Yen Peng, Wei-Cheng Lin, Kuan-Lun Chen, Shih-Chen Chen, Hao-Chung Kuo, Edward Yi Chang et Chun-Hsiung Lin. « Thermal Analysis of Flip-Chip Bonding Designs for GaN Power HEMTs with an On-Chip Heat-Spreading Layer ». Micromachines 14, no 3 (23 février 2023) : 519. http://dx.doi.org/10.3390/mi14030519.
Texte intégralJeng, Shyr-Long, Chih-Chiang Wu et Wei-Hua Chieng. « Gallium Nitride Electrical Characteristics Extraction and Uniformity Sorting ». Journal of Nanomaterials 2015 (2015) : 1–15. http://dx.doi.org/10.1155/2015/478375.
Texte intégralThakre, Kishor, Kanungo Barada Mohanty, Vinaya Sagar Kommukuri et Aditi Chatterjee. « New Topology for Asymmetrical Multilevel Inverter : An Effort to Reduced Device Count ». Journal of Circuits, Systems and Computers 27, no 04 (6 décembre 2017) : 1850055. http://dx.doi.org/10.1142/s021812661850055x.
Texte intégralPrathaban, Arumbu Venkadasamy, Karthikeyan Dhandapani et Ahamed Ibrahim Soni Abubakar. « Compact Thirteen-Level Inverter for PV Applications ». Energies 15, no 8 (12 avril 2022) : 2808. http://dx.doi.org/10.3390/en15082808.
Texte intégralWu, Chih-Chiang, Ching-Yao Liu, Guo-Bin Wang, Yueh-Tsung Shieh, Wei-Hua Chieng et Edward-Yi Chang. « A New GaN-Based Device, P-Cascode GaN HEMT, and Its Synchronous Buck Converter Circuit Realization ». Energies 14, no 12 (11 juin 2021) : 3477. http://dx.doi.org/10.3390/en14123477.
Texte intégralMohanty, Kanungo Barada, Kishor Thakre, Aditi Chatterjee, Ashwini Kumar Nayak et Vinaya Sagar Kommukuri. « Reduction in components using modified topology for asymmetrical multilevel inverter ». World Journal of Engineering 16, no 1 (11 février 2019) : 71–77. http://dx.doi.org/10.1108/wje-01-2017-0010.
Texte intégralJasielski, Jacek, et Stanisław Kuta. « Applied methods of power supply and galvanic isolation of gate drivers of power transistors in bridging end stages of Class D amplifiers and inverters ». Science, Technology and Innovation 2, no 1 (28 juin 2018) : 31–41. http://dx.doi.org/10.5604/01.3001.0012.1413.
Texte intégralPathak, Medha, Lisa Kurtz, Francesco Tombola et Ehud Isacoff. « The Cooperative Voltage Sensor Motion that Gates a Potassium Channel ». Journal of General Physiology 125, no 1 (28 décembre 2004) : 57–69. http://dx.doi.org/10.1085/jgp.200409197.
Texte intégralPeracchia, Camillo, et Lillian Mae Leverone Peracchia. « Calmodulin-Connexin Partnership in Gap Junction Channel Regulation-Calmodulin-Cork Gating Model ». International Journal of Molecular Sciences 22, no 23 (2 décembre 2021) : 13055. http://dx.doi.org/10.3390/ijms222313055.
Texte intégralPetruhanov, Vadim N., et Alexander N. Pechen. « Quantum Control Landscapes for Generation of H and T Gates in an Open Qubit with Both Coherent and Environmental Drive ». Photonics 10, no 11 (27 octobre 2023) : 1200. http://dx.doi.org/10.3390/photonics10111200.
Texte intégralHui, S. Y., S. C. Tang et Henry Shu-Hung Chung. « Optimal operation of coreless PCB transformer-isolated gate drive circuits with wide switching frequency range ». IEEE Transactions on Power Electronics 14, no 3 (mai 1999) : 506–14. http://dx.doi.org/10.1109/63.761694.
Texte intégralPeracchia, C., et S. J. Girsch. « Functional modulation of cell coupling : evidence for a calmodulin-driven channel gate ». American Journal of Physiology-Heart and Circulatory Physiology 248, no 6 (1 juin 1985) : H765—H782. http://dx.doi.org/10.1152/ajpheart.1985.248.6.h765.
Texte intégralHu, Bo Xue, He Li, Zhuo Wei, Ya Feng Wang, Diang Xing, Ri Sha Na et Jin Wang. « An Auxiliary Power Supply for Gate Drive of Medium Voltage SiC Devices in High Voltage Applications ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 836–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.836.
Texte intégralSpro, Ole Christian, Pierre Lefranc, Sanghyeon Park, Juan M. Rivas-Davila, Dimosthenis Peftitsis, Ole-Morten Midtgard et Tore Undeland. « Optimized Design of Multi-MHz Frequency Isolated Auxiliary Power Supply for Gate Drivers in Medium-Voltage Converters ». IEEE Transactions on Power Electronics 35, no 9 (septembre 2020) : 9494–509. http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2020.2972977.
Texte intégralUSLU-OZKUCUK, Gonca. « TRIAC Based Isolated AC Load Drive Equivalent Circuit Design of Solid-State Relay ». Eurasia Proceedings of Science Technology Engineering and Mathematics 26 (30 décembre 2023) : 183–89. http://dx.doi.org/10.55549/epstem.1409469.
Texte intégralHernández-García, C., T. Popmintchev, M. M. Murnane, H. C. Kapteyn, L. Plaja, A. Becker et A. Jaron-Becker. « Isolated broadband attosecond pulse generation with near- and mid-infrared driver pulses via time-gated phase matching ». Optics Express 25, no 10 (11 mai 2017) : 11855. http://dx.doi.org/10.1364/oe.25.011855.
Texte intégralChoudhury, Subhashree, Mohit Bajaj, Taraprasanna Dash, Salah Kamel et Francisco Jurado. « Multilevel Inverter : A Survey on Classical and Advanced Topologies, Control Schemes, Applications to Power System and Future Prospects ». Energies 14, no 18 (13 septembre 2021) : 5773. http://dx.doi.org/10.3390/en14185773.
Texte intégralDíaz-Martín, Cristian, Eladio Durán, Salvador P. Litrán, José Luis Álvarez et Jorge Semião. « Single-Switch Non-Isolated Resonant DC-DC Converter for Single-Input Dual-Output Applications ». Applied Sciences 13, no 15 (30 juillet 2023) : 8798. http://dx.doi.org/10.3390/app13158798.
Texte intégralHitzemann, Moritz, Martin Lippmann, Jonas Trachte, Alexander Nitschke, Olaf Burckhardt et Stefan Zimmermann. « Wireless Low-Power Transfer for Galvanically Isolated High-Voltage Applications ». Electronics 11, no 6 (16 mars 2022) : 923. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11060923.
Texte intégralBhattacharya, Shilpi, Prabal Deb, Sujit K. Biswas et Ambarnath Banerjee. « Open-Delta VSC Based Voltage Controller in Isolated Power Systems ». International Journal of Power Electronics and Drive Systems (IJPEDS) 6, no 2 (1 juin 2015) : 376. http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v6.i2.pp376-386.
Texte intégralLi, Meiye, Meiying Li, Xiaoxia Hu et Ge Li. « Research on Anomie Behavior of Drivers on Non-physical Isolated Urban Road Based on Game Theory ». MATEC Web of Conferences 259 (2019) : 03004. http://dx.doi.org/10.1051/matecconf/201925903004.
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