Littérature scientifique sur le sujet « Integrated circuits »
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Articles de revues sur le sujet "Integrated circuits"
Wu, Jian, Yi-an Liu et Tingting Luo. « Research on Talents Training Mode for integrated circuit major under the Background of the Science-education and Industry-education Integration ». SHS Web of Conferences 171 (2023) : 03028. http://dx.doi.org/10.1051/shsconf/202317103028.
Texte intégralShepherd, Paul, Dillon Kaiser, Michael Glover, Sonia Perez, A. Matt Francis et H. Alan Mantooth. « Integrated Protection Circuits for an NMOS Silicon Carbide Gate Driver Integrated Circuit ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000218–23. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-wp14.
Texte intégralJackson, Keit, et JeffreyA Niehaus. « 4752729 Test circuit for VSLI integrated circuits ». Microelectronics Reliability 29, no 2 (janvier 1989) : 291. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(89)90600-8.
Texte intégralLi, Zihan. « Application of Integrated Circuits in Cardiac Pacemakers ». Highlights in Science, Engineering and Technology 62 (27 juillet 2023) : 84–89. http://dx.doi.org/10.54097/hset.v62i.10428.
Texte intégralM., Kalmuratov, et Dauletmuratova R. « INTEGRATED CIRCUITS AND THEIR APPLICATIONS IN ELECTRONICS ». American Journal of Applied Science and Technology 4, no 4 (1 avril 2024) : 24–27. http://dx.doi.org/10.37547/ajast/volume04issue04-05.
Texte intégralMoldovan, Emilia, Nazih Khaddaj Mallat et Serioja Ovidiu Tatu. « MHMIC Six-port Interferometer for W-band Transceivers : Design and Characterization ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 9, no 4 (1 août 2019) : 2703. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v9i4.pp2703-2714.
Texte intégralGuang, Yang, Bin Yu et Huang Hai. « Design of a High Performance CMOS Bandgap Voltage Reference ». Advanced Materials Research 981 (juillet 2014) : 90–93. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.981.90.
Texte intégralLim, Taek-Kyu, Kunal Sandip Garud, Jae-Hyeong Seo, Moo-Yeon Lee et Dong-Yeon Lee. « Experimental Study on Heating Performances of Integrated Battery and HVAC System with Serial and Parallel Circuits for Electric Vehicle ». Symmetry 13, no 1 (7 janvier 2021) : 93. http://dx.doi.org/10.3390/sym13010093.
Texte intégralLim, Taek-Kyu, Kunal Sandip Garud, Jae-Hyeong Seo, Moo-Yeon Lee et Dong-Yeon Lee. « Experimental Study on Heating Performances of Integrated Battery and HVAC System with Serial and Parallel Circuits for Electric Vehicle ». Symmetry 13, no 1 (7 janvier 2021) : 93. http://dx.doi.org/10.3390/sym13010093.
Texte intégralKoo, Jae-Mo, Sungjun Im, Linan Jiang et Kenneth E. Goodson. « Integrated Microchannel Cooling for Three-Dimensional Electronic Circuit Architectures ». Journal of Heat Transfer 127, no 1 (1 janvier 2005) : 49–58. http://dx.doi.org/10.1115/1.1839582.
Texte intégralThèses sur le sujet "Integrated circuits"
Загулов, Станіслав Русланович. « Flexible integrated circuits ». Thesis, Київський національний університет технологій та дизайну, 2020. https://er.knutd.edu.ua/handle/123456789/15297.
Texte intégralPettazzi, Federico. « Integrated soliton circuits ». Besançon, 2008. http://www.theses.fr/2008BESA2001.
Texte intégralIn the present thesis the development of three dimensional integrated optical circuits exploiting the technique of photorefractive bright spatial solitons is addressed. The considered host material is Lithium Niobate (LiNbO3) that benefits from a well developed technological standard and possesses a large photorefractive response. Ln the first part, main problems related to optical interconnections are identified, and a solution based on photorefractive bright spatial solitons is proposed. Ln a second Chapter, after a brief review of the material properties, the formation of photorefractive bright solitons is demonstrated both tlleoretically and experimentally. Subsequently, the occurrence of photorefractive self-focusing via second hannonic generation is investigated in conditions near and far from perfect phase matching. Experimetal and numerical analysis shows that, in the case near phase matching, a complexe interaction between nonlinear quadratic process and photorefractivity causes multimode propagation inside self induced waveguide. Proper initial conditions can however lead to stable singlemode operation with high second harmonic conversion efficiency. For strongly mismatched condition we demonstrate that self-focusing effect can occur in the near infrared spectrum due to the weak second harmonic generated signal. Finally, the potentiality of erbium doped LiNbO3 has been tested by performing material characterization and self-focusing experiments. Results show that erbium doped crystals are suitable for formation of self-induced waveguides. Realisation of optical ciruits performing optical amplification and lasing in self-induced waveguides can be envisioned
Gustard, N. C. « Optimizes switched-capacitor filter circuits for integrated circuit realization ». Thesis, University of Essex, 1995. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.294667.
Texte intégralKapur, Kishen Narain. « Mechanical and electrical characterization of IC leads during fatigue cycling ». Diss., Online access via UMI:, 2009.
Trouver le texte intégralIncludes bibliographical references.
Lee, Kyung Tek. « Crosstalk fault test generation and hierarchical timing verification in VLSI digital circuits / ». Digital version accessible at:, 1999. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Texte intégralFayed, Ayman Adel. « Adaptive techniques for analog and mixed signal integrated circuits ». Connect to this title online, 2004. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc%5Fnum=osu1097519730.
Texte intégralTitle from first page of PDF file. Document formatted into pages; contains xix, 232 p.; also includes graphics (some col.). Includes bibliographical references (p. 222-230).
Bakir, Muhannad S. « Sea of Leads electrical-optical polymer pillar chip I/O interconnections for gigascale integration ». Diss., Available online, Georgia Institute of Technology, 2004:, 2003. http://etd.gatech.edu/theses/available/etd-04082004-180010/unrestricted/bakir%5Fmuhannad%5Fs%5F200312%5Fphd.pdf.
Texte intégralQazi, Masood. « Circuit design for embedded memory in low-power integrated circuits ». Thesis, Massachusetts Institute of Technology, 2012. http://hdl.handle.net/1721.1/75645.
Texte intégralCataloged from PDF version of thesis.
Includes bibliographical references (p. 141-152).
This thesis explores the challenges for integrating embedded static random access memory (SRAM) and non-volatile memory-based on ferroelectric capacitor technology-into lowpower integrated circuits. First considered is the impact of process variation in deep-submicron technologies on SRAM, which must exhibit higher density and performance at increased levels of integration with every new semiconductor generation. Techniques to speed up the statistical analysis of physical memory designs by a factor of 100 to 10,000 relative to the conventional Monte Carlo Method are developed. The proposed methods build upon the Importance Sampling simulation algorithm and efficiently explore the sample space of transistor parameter fluctuation. Process variation in SRAM at low-voltage is further investigated experimentally with a 512kb 8T SRAM test chip in 45nm SOI CMOS technology. For active operation, an AC coupled sense amplifier and regenerative global bitline scheme are designed to operate at the limit of on current and off current separation on a single-ended SRAM bitline. The SRAM operates from 1.2 V down to 0.57 V with access times from 400ps to 3.4ns. For standby power, a data retention voltage sensor predicts the mismatch-limited minimum supply voltage without corrupting the contents of the memory. The leakage power of SRAM forces the chip designer to seek non-volatile memory in applications such as portable electronics that retain significant quantities of data over long durations. In this scenario, the energy cost of accessing data must be minimized. This thesis presents a ferroelectric random access memory (FRAM) prototype that addresses the challenges of sensing diminishingly small charge under conditions favorable to low access energy with a time-to-digital sensing scheme. The 1 Mb IT1C FRAM fabricated in 130 nm CMOS operates from 1.5 V to 1.0 V with corresponding access energy from 19.2 pJ to 9.8 pJ per bit. Finally, the computational state of sequential elements interspersed in CMOS logic, also restricts the ability to power gate. To enable simple and fast turn-on, ferroelectric capacitors are integrated into the design of a standard cell register, whose non-volatile operation is made compatible with the digital design flow. A test-case circuit containing ferroelectric registers exhibits non-volatile operation and consumes less than 1.3 pJ per bit of state information and less than 10 clock cycles to save or restore with no minimum standby power requirement in-between active periods.
by Masood Qazi.
Ph.D.
Paroski, Andrew John. « Deform a new approach for redistributing placements / ». Diss., Online access via UMI:, 2006.
Trouver le texte intégralAgnihotri, Ameya Ramesh. « Combinatorial optimization techniques for VLSI placement ». Diss., Online access via UMI:, 2007.
Trouver le texte intégralLivres sur le sujet "Integrated circuits"
Components, Philips. Integrated circuits. London : Philips Components Ltd, 1990.
Trouver le texte intégralComponents, Philips. Integrated circuits. London : Philips Components Ltd, 1991.
Trouver le texte intégralComponents, Philips. Integrated circuits. London : Philips Components Ltd, 1990.
Trouver le texte intégralComponents, Philips. Integrated circuits. London : Philips Components Ltd, 1990.
Trouver le texte intégralSemiconductors, Philips. Integrated circuits. Eindhoven : Philips Semiconductors, 1991.
Trouver le texte intégralSemiconductors, Philips. Integrated circuits. Eindhoven : Philips Semiconductors, 1991.
Trouver le texte intégralComponents, Philips. Integrated circuits. London : Philips Components Ltd, 1990.
Trouver le texte intégralSemiconductors, Philips. Integrated circuits. Eindhoven : Philips Semiconductors, 1992.
Trouver le texte intégralComponents, Philips. Integrated circuits. London : Philips Components Ltd, 1991.
Trouver le texte intégralComponents, Philips. Integrated circuits. London : Philips Components Ltd, 1990.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Integrated circuits"
Sangwine, S. J. « Integrated circuits ». Dans Electronic Components and Technology, 27–48. Boston, MA : Springer US, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-6934-7_3.
Texte intégralSparkes, J. J. « Integrated circuits ». Dans Semiconductor Devices, 173–88. Boston, MA : Springer US, 1994. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4899-7128-9_5.
Texte intégralWarnes, Lionel. « Integrated circuits ». Dans Electronic and Electrical Engineering, 190–96. London : Macmillan Education UK, 1998. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-349-15052-6_10.
Texte intégralCraig, Edwin C. « Integrated Circuits ». Dans Electronics via Waveform Analysis, 237–78. New York, NY : Springer New York, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4612-4338-0_12.
Texte intégralWarnes, Lionel. « Integrated circuits ». Dans Electronic and Electrical Engineering, 193–200. London : Macmillan Education UK, 2003. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-230-21633-4_10.
Texte intégralGinsberg, Gerald L. « Integrated Circuits ». Dans Electronic Equipment Packaging Technology, 29–43. Boston, MA : Springer US, 1992. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-3542-3_2.
Texte intégralBorel, J. « Integrated Circuits ». Dans Silicon, 363–74. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-662-09897-4_17.
Texte intégralBarnes, John R. « Integrated Circuits ». Dans Robust Electronic Design Reference Book, 424–513. New York, NY : Springer US, 2004. http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-7830-7_20.
Texte intégralSnepscheut, Jan L. A. « Integrated Circuits ». Dans What Computing Is All About, 75–99. New York, NY : Springer New York, 1993. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4612-2710-6_5.
Texte intégralWinnacker, Albrecht. « Integrated Circuits ». Dans The Physics Behind Semiconductor Technology, 221–37. Cham : Springer International Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-10314-8_14.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Integrated circuits"
Brown, J. J., J. T. Gardner et S. R. Forrest. « Optically powered monolithically integrated logic circuits ». Dans Integrated Photonics Research. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/ipr.1991.tuc5.
Texte intégralChandrasekhar, S., J. C. Campbell, A. G. Dentai, C. H. Joyner, G. J. Qua, A. H. Gnauck et M. D. Feuer. « An Integrated InP/InGaAs Heterojunction Biploar Photoreceiver ». Dans Integrated and Guided Wave Optics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/igwo.1989.tucc3.
Texte intégralRodwell, M. J. W., K. J. Weingarten et D. M. Bloom. « Picosecond Sampling of Integrated Circuits ». Dans Picosecond Electronics and Optoelectronics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1987. http://dx.doi.org/10.1364/peo.1987.wa2.
Texte intégralGrebel, H., et W. Zhong. « Holographic integrated optical circuits ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1992. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1992.me3.
Texte intégral« Integrated Circuits ». Dans 2006 International Semiconductor Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2006.284031.
Texte intégral« Integrated Circuits ». Dans 2019 International Semiconductor Conference (CAS). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/smicnd.2019.8923890.
Texte intégralБогданов, Даниил Сергеевич, et Светлана Анатольевна Микаева. « INTEGRATED CIRCUITS ». Dans Высокие технологии и инновации в науке : сборник избранных статей Международной научной конференции (Санкт-Петербург, Май 2022). Crossref, 2022. http://dx.doi.org/10.37539/vt197.2022.42.90.008.
Texte intégral« Integrated Circuits ». Dans 2023 International Semiconductor Conference (CAS). IEEE, 2023. http://dx.doi.org/10.1109/cas59036.2023.10303675.
Texte intégralKeyes, Edward, et Jason Abt. « An Advanced Integrated Circuit Analysis System ». Dans ISTFA 2006. ASM International, 2006. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2006p0398.
Texte intégralValdmanis, J. A. « Progress in electrooptic sampling of highspeed devices and integrated circuits ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1988. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1988.tue2.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "Integrated circuits"
Gunn, Cary. Nanophotonic Integrated Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, mai 2003. http://dx.doi.org/10.21236/ada423912.
Texte intégralRamaswamy, Ramu V. Optoelectronic Integrated Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, mars 1998. http://dx.doi.org/10.21236/ada340630.
Texte intégralFetterman, Harold. Nonlinear Optoelectronic Integrated Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, novembre 1998. http://dx.doi.org/10.21236/ada386985.
Texte intégralMittra, Raj. Millimeter-Wave Integrated Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, octobre 1985. http://dx.doi.org/10.21236/ada161444.
Texte intégralHeimlich, Michael, Karu Esselle et L. Matekovits. 2D Electrically Tuneable EBG Integrated Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, avril 2014. http://dx.doi.org/10.21236/ada605325.
Texte intégralMcColl, Malcolm. Voltage-Tunable Microwave Monolithic Integrated Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, mars 1988. http://dx.doi.org/10.21236/ada193003.
Texte intégralKurdahi, F. J., et A. C. Parker. Area Estimation of VLSI Integrated Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juillet 1985. http://dx.doi.org/10.21236/ada160335.
Texte intégralLynn, D. K., et J. B. McCormick. Progress in radiation immune thermionic integrated circuits. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), août 1985. http://dx.doi.org/10.2172/6345437.
Texte intégralMartin, Alain J., Mika Nystroem et Catherine G. Wong. Design Tools for Integrated Asynchronous Electronic Circuits. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juin 2003. http://dx.doi.org/10.21236/ada417138.
Texte intégralShakouri, Ali, Bin Liu, Patrick Abraham et John E. Bowers. 3D Photonic Integrated Circuits for WDM Applications. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, janvier 1998. http://dx.doi.org/10.21236/ada461796.
Texte intégral