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Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V. et al. « Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes ». Technical Physics Letters 48, no 14 (2022) : 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Texte intégralBAPTISTA, B. J., et S. L. MUFSON. « RADIATION HARDNESS STUDIES OF InGaAs AND Si PHOTODIODES AT 30, 52, & ; 98 MeV AND FLUENCES TO 5 × 1011 PROTONS/CM2 ». Journal of Astronomical Instrumentation 02, no 01 (septembre 2013) : 1250008. http://dx.doi.org/10.1142/s2251171712500080.
Texte intégralZhuravlev, K. S., A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, A. M. Gilinsky, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov et M. S. Aksenov. « High-power InAlAs/InGaAs Schottky barrier photodiodes for analog microwave signal transmission ». Journal of Semiconductors 43, no 1 (1 janvier 2022) : 012302. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/012302.
Texte intégralSun, H., X. Huang, C. P. Chao, S. W. Chen, B. Deng, D. Gong, S. Hou et al. « QTIA, a 2.5 or 10 Gbps 4-channel array optical receiver ASIC in a 65 nm CMOS technology ». Journal of Instrumentation 17, no 05 (1 mai 2022) : C05017. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/05/c05017.
Texte intégralCampbell, J. C., B. C. Johnson, G. J. Qua et W. T. Tsang. « Frequency response of InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes ». Journal of Lightwave Technology 7, no 5 (mai 1989) : 778–84. http://dx.doi.org/10.1109/50.19113.
Texte intégralMartinelli, Ramon U., Thomas J. Zamerowski et Paul A. Longeway. « 2.6 μm InGaAs photodiodes ». Applied Physics Letters 53, no 11 (12 septembre 1988) : 989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.100050.
Texte intégralYoon, H. W., J. J. Butler, T. C. Larason et G. P. Eppeldauer. « Linearity of InGaAs photodiodes ». Metrologia 40, no 1 (février 2003) : S154—S158. http://dx.doi.org/10.1088/0026-1394/40/1/335.
Texte intégralZhukov A. E., Kryzhanovskaya N. V., Makhov I. S., Moiseev E. I., Nadtochiy A. M., Fominykh N. A., Mintairov S. A., Kalyuzhyy N. A., Zubov F. I. et Maximov M. V. « Model for speed performance of quantum-dot waveguide photodiode ». Semiconductors 57, no 3 (2023) : 211. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2023.03.56238.4783.
Texte intégralWon-Tien Tsang, J. C. Campbell et G. J. Qua. « InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy ». IEEE Electron Device Letters 8, no 7 (juillet 1987) : 294–96. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1987.26636.
Texte intégralCampbell, J. C., S. Chandrasekhar, W. T. Tsang, G. J. Qua et B. C. Johnson. « Multiplication noise of wide-bandwidth InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes ». Journal of Lightwave Technology 7, no 3 (mars 1989) : 473–78. http://dx.doi.org/10.1109/50.16883.
Texte intégralKhomiakova, K. I., A. P. Kokhanenko et A. V. Losev. « Investigation of the parameters of a single photon detector for quantum communication ». Journal of Physics : Conference Series 2140, no 1 (1 décembre 2021) : 012030. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2140/1/012030.
Texte intégralЖуков, А. Е., Н. В. Крыжановская, И. С. Махов, Е. И. Моисеев, А. М. Надточий, Н. А. Фоминых, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Ф. И. Зубов et М. В. Максимов. « Модель быстродействия волноводного фотодиода с квантовыми точками ». Физика и техника полупроводников 57, no 3 (2023) : 215. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2023.03.55632.4783.
Texte intégralFedorenko, A. V. « Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods ». Технология и конструирование в электронной аппаратуре, no 3-4 (2020) : 17–23. http://dx.doi.org/10.15222/tkea2020.3-4.17.
Texte intégralCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua et J. E. Bowers. « InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes with 70 GHz gain‐bandwidth product ». Applied Physics Letters 51, no 18 (2 novembre 1987) : 1454–56. http://dx.doi.org/10.1063/1.98655.
Texte intégralЧиж, А. Л., К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, A. M. Гилинский et И. Б. Чистохин. « Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов ». Письма в журнал технической физики 45, no 14 (2019) : 52. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.14.48026.17764.
Texte intégralZhang, Hewei, Yang Tian, Qian Li, Wenqiang Ding, Xuzhen Yu, Zebiao Lin, Xuyang Feng et Yanli Zhao. « Photon-Trapping Microstructure for InGaAs/Si Avalanche Photodiodes Operating at 1.31 μm ». Sensors 22, no 20 (12 octobre 2022) : 7724. http://dx.doi.org/10.3390/s22207724.
Texte intégralAndryushkin, V. V., A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, E. S. Kolodeznyi, I. I. Novikov, L. Ya Karachinsky, N. A. Maleev et al. « Zn diffusion technology for InP-InGaAs avalanche photodiodes ». Journal of Physics : Conference Series 2103, no 1 (1 novembre 2021) : 012184. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2103/1/012184.
Texte intégralLiu, Hezhuang, Jingyi Wang, Daqian Guo, Kai Shen, Baile Chen et Jiang Wu. « Design and Fabrication of High Performance InGaAs near Infrared Photodetector ». Nanomaterials 13, no 21 (1 novembre 2023) : 2895. http://dx.doi.org/10.3390/nano13212895.
Texte intégralCAMPBELL, J. C., H. NIE, C. LENOX, G. KINSEY, P. YUAN, A. L. HOLMES et B. G. STREETMAN. « HIGH SPEED RESONANT-CAVITY InGaAs/InAlAs AVALANCHE PHOTODIODES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 10, no 01 (mars 2000) : 327–37. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156400000350.
Texte intégralZhou, Qiugui, Allen S. Cross, Andreas Beling, Yang Fu, Zhiwen Lu et Joe C. Campbell. « High-Power V-Band InGaAs/InP Photodiodes ». IEEE Photonics Technology Letters 25, no 10 (mai 2013) : 907–9. http://dx.doi.org/10.1109/lpt.2013.2253766.
Texte intégralOlantera, Lauri, Freya Bottom, Andrea Kraxner, Stephane Detraz, Mohsine Menouni, Paulo Moreira, Carmelo Scarcella et al. « Radiation Effects on High-Speed InGaAs Photodiodes ». IEEE Transactions on Nuclear Science 66, no 7 (juillet 2019) : 1663–70. http://dx.doi.org/10.1109/tns.2019.2902624.
Texte intégralBeling, Andreas, Huapu Pan et Joe C. Campbell. « High-Power High-Linearity InGaAs/InP Photodiodes ». ECS Transactions 16, no 41 (18 décembre 2019) : 39–48. http://dx.doi.org/10.1149/1.3104708.
Texte intégralEkholm, D. T., J. M. Geary, J. N. Hollenhorst, V. D. Mattera et R. Pawelek. « High bandwidth planar InP/InGaAs avalanche photodiodes ». IEEE Transactions on Electron Devices 35, no 12 (1988) : 2434. http://dx.doi.org/10.1109/16.8843.
Texte intégralChiba, Kohei, Akinobu Yoshida, Katsuhiro Tomioka et Junichi Motohisa. « Vertical InGaAs Nanowire Array Photodiodes on Si ». ACS Photonics 6, no 2 (février 2019) : 260–64. http://dx.doi.org/10.1021/acsphotonics.8b01089.
Texte intégralBudtolaev, A. K., P. E. Khakuashev, I. V. Chinareva, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Marmaluk, Yu L. Ryaboshtan et I. V. Yarotskaya. « Epitaxial structures for InGaAs/InP avalanche photodiodes ». Journal of Communications Technology and Electronics 62, no 3 (mars 2017) : 304–8. http://dx.doi.org/10.1134/s1064226917030056.
Texte intégralPoulain, P., M. Razeghi, K. Kazmierski, R. Blondeau et P. Philippe. « InGaAs photodiodes prepared by low-pressure MOCVD ». Electronics Letters 21, no 10 (9 mai 1985) : 441–42. http://dx.doi.org/10.1049/el:19850314.
Texte intégralJin, Chuan, Fangfang Wang, Qingqing Xu, Chengzhang Yu, Jianxin Chen et Li He. « Beryllium compensation doped InGaAs/GaAsSb superlattice photodiodes ». Journal of Crystal Growth 477 (novembre 2017) : 100–103. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.01.050.
Texte intégralSaul, R. H., F. S. Chen et P. W. Shumate. « Reliability of InGaAs Photodiodes for SL Applications ». AT&T Technical Journal 64, no 3 (mars 1985) : 861–82. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1985.tb00450.x.
Texte intégralCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua et B. C. Johnson. « VB-7 InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical-beam epitaxy ». IEEE Transactions on Electron Devices 34, no 11 (novembre 1987) : 2380. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23305.
Texte intégralCampbell, J. C., W. T. Tsang, G. J. Qua et B. C. Johnson. « High-speed InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy ». IEEE Journal of Quantum Electronics 24, no 3 (mars 1988) : 496–500. http://dx.doi.org/10.1109/3.151.
Texte intégralABEDIN, M. NURUL, TAMER F. REFAAT et UPENDRA N. SINGH. « NOISE MEASUREMENT OF III-V COMPOUND DETECTORS FOR 2 μm LIDAR/DIAL REMOTE SENSING APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no 02 (juin 2002) : 531–40. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001447.
Texte intégralCao, Ye, Tarick Blain, Jonathan D. Taylor-Mew, Longyan Li, Jo Shien Ng et Chee Hing Tan. « Extremely low excess noise avalanche photodiode with GaAsSb absorption region and AlGaAsSb avalanche region ». Applied Physics Letters 122, no 5 (30 janvier 2023) : 051103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0139495.
Texte intégralDas, Utpal, Yousef Zebda, Pallab Bhattacharya et Albert Chin. « Performance characteristics of InGaAs/GaAs and GaAs/InGaAlAs coherently strained superlattice photodiodes ». Applied Physics Letters 51, no 15 (12 octobre 1987) : 1164–66. http://dx.doi.org/10.1063/1.98720.
Texte intégralŻak, Dariusz, Jarosław Jureńczyk et Janusz Kaniewski. « Zener Phenomena in InGaAs/InAlAs/InP Avalanche Photodiodes ». Detection 02, no 02 (2014) : 10–15. http://dx.doi.org/10.4236/detection.2014.22003.
Texte intégralOhyama, H., K. Takakura, K. Hayama, Toshio Hirao, Shinobu Onoda, Eddy Simoen et Cor Claeys. « High Temperature Electron Irradiation Effects in InGaAs Photodiodes ». Solid State Phenomena 95-96 (septembre 2003) : 381–86. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.95-96.381.
Texte intégralZappa, F., P. Webb, A. Lacaita et S. Cova. « Nanosecond single-photon timing with InGaAs/InP photodiodes ». Optics Letters 19, no 11 (1 juin 1994) : 846. http://dx.doi.org/10.1364/ol.19.000846.
Texte intégralTulchinsky, D. A., K. J. Williams, A. Pauchard, M. Bitter, Z. Pan, L. Hodge, S. G. Hummel et Y. H. Lo. « High-power InGaAs-on-Si pin RF photodiodes ». Electronics Letters 39, no 14 (2003) : 1084. http://dx.doi.org/10.1049/el:20030693.
Texte intégralKimukin, I., N. Biyikli, B. Butun, O. Aytur, S. M. Unlu et E. Ozbay. « InGaAs-based high-performance p-i-n photodiodes ». IEEE Photonics Technology Letters 14, no 3 (mars 2002) : 366–68. http://dx.doi.org/10.1109/68.986815.
Texte intégralSkrimshire, C. P., J. R. Farr, D. F. Sloan, M. J. Robertson, P. A. Putland, J. C. D. Stokoe et R. R. Sutherland. « Reliability of mesa and planar InGaAs PIN photodiodes ». IEE Proceedings J Optoelectronics 137, no 1 (1990) : 74. http://dx.doi.org/10.1049/ip-j.1990.0015.
Texte intégralDuan, Ning, Xin Wang, Ning Li, Han-Din Liu et Joe C. Campbell. « Thermal Analysis of High-Power InGaAs–InP Photodiodes ». IEEE Journal of Quantum Electronics 42, no 12 (décembre 2006) : 1255–58. http://dx.doi.org/10.1109/jqe.2006.883498.
Texte intégralYuan, Z. L., A. R. Dixon, J. F. Dynes, A. W. Sharpe et A. J. Shields. « Gigahertz quantum key distribution with InGaAs avalanche photodiodes ». Applied Physics Letters 92, no 20 (19 mai 2008) : 201104. http://dx.doi.org/10.1063/1.2931070.
Texte intégralOhyama, H., J. Vanhellemont, Y. Takami, K. Hayama, T. Kudou, S. Kohiki, H. Sunaga et T. Hakata. « Degradation of InGaAs pin photodiodes by neutron irradiation ». Semiconductor Science and Technology 11, no 10 (1 octobre 1996) : 1461–63. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/11/10/001.
Texte intégralWada, Morio, Shoujiro Araki, Takahiro Kudou, Toshimasa Umezawa, Shinichi Nakajima et Toshitsugu Ueda. « Development of InGaAs photodiodes for near-infrared spectroscopy ». IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 122, no 1 (2002) : 29–34. http://dx.doi.org/10.1541/ieejsmas.122.29.
Texte intégralPatel, K. A., J. F. Dynes, A. W. Sharpe, Z. L. Yuan, R. V. Penty et A. J. Shields. « Gigacount/second photon detection with InGaAs avalanche photodiodes ». Electronics Letters 48, no 2 (2012) : 111. http://dx.doi.org/10.1049/el.2011.3265.
Texte intégralFinkelstein, Hod, Sanja Zlatanovic, Yu-Hwa Lo, Sadik C. Esener et Kai Zhao. « External electroluminescence measurements of InGaAs∕InAlAs avalanche photodiodes ». Applied Physics Letters 91, no 24 (10 décembre 2007) : 243510. http://dx.doi.org/10.1063/1.2824463.
Texte intégralMaleev, N. A., A. G. Kuzmenkov, M. M. Kulagina, A. P. Vasyl’ev, S. A. Blokhin, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin et al. « Mushroom Mesa Structure for InAlAs–InGaAs Avalanche Photodiodes ». Technical Physics Letters 49, S3 (décembre 2023) : S215—S218. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785023900819.
Texte intégralREFAAT, TAMER F., M. NURUL ABEDIN et UPENDRA N. SINGH. « SPECTRAL RESPONSE MEASUREMENTS OF SHORT WAVE INFRARED DETECTORS (SWIR) ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no 02 (juin 2002) : 541–50. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001459.
Texte intégralAkano, U. G., I. V. Mitchell, F. R. Shepherd, C. J. Miner, A. Margittai et M. Svilans. « Electrical isolation of pin photodiode devices by oxygen ion bombardment ». Canadian Journal of Physics 74, S1 (1 décembre 1996) : 59–63. http://dx.doi.org/10.1139/p96-833.
Texte intégralParks, Joseph W., Kevin F. Brennan et Larry E. Tarof. « Macroscopic Device Simulation of InGaAs/InP Based Avalanche Photodiodes ». VLSI Design 6, no 1-4 (1 janvier 1998) : 79–82. http://dx.doi.org/10.1155/1998/73839.
Texte intégralJae-Hyung Jang, G. Cueva, W. E. Hoke, P. J. Lemonias, P. Fay et I. Adesida. « Metamorphic graded bandgap InGaAs-InGaAlAs-InAlAs double heterojunction p-i-I-n photodiodes ». Journal of Lightwave Technology 20, no 3 (mars 2002) : 507–14. http://dx.doi.org/10.1109/50.989001.
Texte intégral