Littérature scientifique sur le sujet « InGaAs photodiodes »
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Articles de revues sur le sujet "InGaAs photodiodes"
Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Kulagina M.M., Vasyl’ev A. P., Blokhin S. A., Troshkov S.I., Nashchekin A.V. et al. « Mushroom mesa structure for InAlAs-InGaAs avalanche photodiodes ». Technical Physics Letters 48, no 14 (2022) : 28. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.14.52106.18939.
Texte intégralBAPTISTA, B. J., et S. L. MUFSON. « RADIATION HARDNESS STUDIES OF InGaAs AND Si PHOTODIODES AT 30, 52, & ; 98 MeV AND FLUENCES TO 5 × 1011 PROTONS/CM2 ». Journal of Astronomical Instrumentation 02, no 01 (septembre 2013) : 1250008. http://dx.doi.org/10.1142/s2251171712500080.
Texte intégralZhuravlev, K. S., A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, A. M. Gilinsky, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov et M. S. Aksenov. « High-power InAlAs/InGaAs Schottky barrier photodiodes for analog microwave signal transmission ». Journal of Semiconductors 43, no 1 (1 janvier 2022) : 012302. http://dx.doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/012302.
Texte intégralSun, H., X. Huang, C. P. Chao, S. W. Chen, B. Deng, D. Gong, S. Hou et al. « QTIA, a 2.5 or 10 Gbps 4-channel array optical receiver ASIC in a 65 nm CMOS technology ». Journal of Instrumentation 17, no 05 (1 mai 2022) : C05017. http://dx.doi.org/10.1088/1748-0221/17/05/c05017.
Texte intégralCampbell, J. C., B. C. Johnson, G. J. Qua et W. T. Tsang. « Frequency response of InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes ». Journal of Lightwave Technology 7, no 5 (mai 1989) : 778–84. http://dx.doi.org/10.1109/50.19113.
Texte intégralMartinelli, Ramon U., Thomas J. Zamerowski et Paul A. Longeway. « 2.6 μm InGaAs photodiodes ». Applied Physics Letters 53, no 11 (12 septembre 1988) : 989–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.100050.
Texte intégralYoon, H. W., J. J. Butler, T. C. Larason et G. P. Eppeldauer. « Linearity of InGaAs photodiodes ». Metrologia 40, no 1 (février 2003) : S154—S158. http://dx.doi.org/10.1088/0026-1394/40/1/335.
Texte intégralZhukov A. E., Kryzhanovskaya N. V., Makhov I. S., Moiseev E. I., Nadtochiy A. M., Fominykh N. A., Mintairov S. A., Kalyuzhyy N. A., Zubov F. I. et Maximov M. V. « Model for speed performance of quantum-dot waveguide photodiode ». Semiconductors 57, no 3 (2023) : 211. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2023.03.56238.4783.
Texte intégralWon-Tien Tsang, J. C. Campbell et G. J. Qua. « InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes grown by chemical beam epitaxy ». IEEE Electron Device Letters 8, no 7 (juillet 1987) : 294–96. http://dx.doi.org/10.1109/edl.1987.26636.
Texte intégralCampbell, J. C., S. Chandrasekhar, W. T. Tsang, G. J. Qua et B. C. Johnson. « Multiplication noise of wide-bandwidth InP/InGaAsP/InGaAs avalanche photodiodes ». Journal of Lightwave Technology 7, no 3 (mars 1989) : 473–78. http://dx.doi.org/10.1109/50.16883.
Texte intégralThèses sur le sujet "InGaAs photodiodes"
Xie, Shiyu. « Design and characterisation of InGaAs high speed photodiodes, InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes and novel AlAsSb based avalanche photodiodes ». Thesis, University of Sheffield, 2012. http://etheses.whiterose.ac.uk/2267/.
Texte intégralXie, Jingjing. « Characterisation of low noise InGaAs/AlAsSb avalanche photodiodes ». Thesis, University of Sheffield, 2013. http://etheses.whiterose.ac.uk/4511/.
Texte intégralFaure, Benoit. « MODELISATION ET OPTIMISATION DES PHOTODIODES A AVALANCHE ET HETEROJONCTION InP/InGaAs ». Toulouse, INSA, 1986. http://www.theses.fr/1986ISAT0003.
Texte intégralTabor, Steven Alan. « Spectral and Spatial Quantum Efficiency of AlGaAs/GaAs and InGaAs/InP PIN Photodiodes ». PDXScholar, 1991. https://pdxscholar.library.pdx.edu/open_access_etds/4760.
Texte intégralDentan, Martin. « Photodiode PIN InGaAs en grands signaux hyperfréquence : modélisation, réalisation et caractérisation ». Paris 11, 1989. http://www.theses.fr/1989PA112257.
Texte intégralThe devices coupled to optical fibers in optical links are the laser diode (light emitter) and the P. I. N. Photodiode (light receptor). This thesis concerns the optimization of the photodiode performances, in terms of bandwidth and linearity, in large signal microwave operation. One of the goals is the improvement of the frequency response of this device. Using a small signal modal, we show that we can increase the bandwidth of photodiodes by reducing the active region dimensions. Another important objective is to obtain large signal operation. The absorption of an intense optical signal, by a diode with a very small active region, leads to a non-linear electrical response due to the effects of space-charge. A modal taking into account the equations for the carrier transport in the space-charge region is developed; in particular, it gives the harmonies of the device response. Ln this thesis, we have realized and discuss all the steps necessary for the fabrication of the optical receiver: epitaxy of the material, process of the device and packaging allowing microwave operations. Then the two models described above were experimentally verified by D. C. And microwave electrical characterization. We demonstrate an 18 GHz bandwidth for our photodiode and show in particular that this photodiode has a more linear response than the lasers with direct modulation used in experimental optical links at L. C. R. , for an input electrical power of 0 dBm
An, Serguei. « Material and device characterization of InP/InGaAs avalanche photodiodes for multigigabit optical fiber communications ». Thesis, National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada, 1999. http://www.collectionscanada.ca/obj/s4/f2/dsk1/tape8/PQDD_0008/NQ61622.pdf.
Texte intégralLe, Goff Florian. « Intégration de matériaux semi-conducteurs III-V dans des filières de fabrication silicium avancées pour imagerie proche infrarouge ». Thesis, Strasbourg, 2017. http://www.theses.fr/2017STRAD034/document.
Texte intégralNowadays short wavelength infrared (SWIR) imaging based on InP/InGaAs photo-diodes is quite popular for uncooled camera. The state of the art technology is a double layer planar heterointerface focal plane array. But, it remains expensive. Its cost comes essentially from the individually hybridization of photo-diodes array with read-out circuit, by the mean of an indium-bumps flip-chip process. We suggest an alternative method for hybridization, in order to lowering the cost and providing a sustainable process to decrease the pixel pitch. It consists in a direct integration by bonding silica of InP/InGaAs/InP structure above a finished read-out circuit (with CMOS technology) and circular diode architecture named “LoopHoles”. This diode consists in via-hole through the III-V materials and bonding silica layer down to top metal layer in the readout circuit for each active pixel. Via-hole is also used to diffuse laterally zinc in III-V layer in order to create p-type doping area. Because of the read-out circuit, temperature of diffusion has to be below 400°C which induces parasitic phenomena’s. We have found that a Hf02 coating on InP surface prevent this degradation while allowing zinc diffusion. We were able to control depth of p-n junction inside InP and InGaAs. We also investigated few steps of the processes like the molecular bonding, via etching and metallization. Finally, we succeeded to produce LoopHole photodiodes on bulk InP and on bonded materials with a high spectral efficiency, low pitch and a lower dark currant of 150 fA at room temperature
Hecht, Anna E. « Thermal Drift Compensation in Non-Uniformity Correction for an InGaAs PIN Photodetector 3D Flash LiDAR Camera ». University of Dayton / OhioLINK, 2020. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=dayton1607959309040459.
Texte intégralOzer, Selcuk. « Insb And Inassb Infrared Photodiodes On Alternative Substrates And Inp/ingaas Quantum Well Infrared Photodetectors : Pixel And Focal Plane Array Performance ». Phd thesis, METU, 2005. http://etd.lib.metu.edu.tr/upload/3/12606097/index.pdf.
Texte intégral1010 and 7.5×
108 cmHz½
/W at 77 K and 240 K, respectively, showing that the alloy is promising for both cooled and near room temperature detectors. Under moderate reverse bias, 80 K RoA product limiting mechanism is trap assisted tunneling, which introduces considerable 1/f noise. InSb/Si photodiodes display peak 77 K detectivity as high as ~1×
1010 cmHz 1/2/W and reasonably high peak quantum efficiency in spite of large lattice mismatch. RoA product of detectors at 80 K is limited by Ohmic leakage with small activation energy (25 meV). Bias and temperature dependence of 1/f noise is in reasonable agreement with Kleinpenning&rsquo
s mobility fluctuation model, confirming the validity of this approach. The second part of the study concentrates on InP/In0.53Ga0.47As QWIPs, and 640×
512 FPA, which to our knowledge, is the largest format InP/InGaAs QWIP FPA reported. InP/InGaAs QWIPs yield quantum efficiency-gain product as high as 0.46 under moderate bias. At 70 K, detector performance is background limited with f/2 aperture up to ~3 V bias where peak responsivity (2.9 A/W) is thirty times higher than that of the Al0.275Ga0.725As/GaAs QWIP with similar spectral response. Impact ionization in InP/InGaAs QWIPs does not start until the average electric-field reaches 25 kV/cm, maintaining high detectivity under moderate bias. The 640×
512 InP/InGaAs QWIP FPA yields noise equivalent temperature difference of ~40 mK at an FPA temperature as high as 77 K and reasonably low NETD even with short integration times (t). 70 K NETD values of the FPA with f/1.5 optics are 36 and 64 mK under &ndash
0.5 V (t=11 ms) and &ndash
2 V (t=650 Rs) bias, respectively. The results clearly show the potential of InP/InGaAs QWIPs for thermal imaging applications requiring short integration times. Keywords: Cooled infrared detectors, InAsSb, QWIP, focal plane array.
Pogany, Dionyz. « Etude du bruit télégraphique, du courant d’obscurité et des niveaux profonds dans les photodiodes InP/InGaAs/InP en désaccord de maille ». Lyon, INSA, 1994. http://www.theses.fr/1994ISAL0044.
Texte intégralDark current and low frequency noise are the principal performance limitations of lattice-mismatched InGaAs/InP linear photodetector arrays for space applications in the 1,7 micrometer wavelength range. Excess noise in these devices has essentially a form of the Random Telegraph Signal (RTS). This work mainly concern the study of physical mechanisme controlling the current and noise. We have performed characterisation, classification and modelling of excess crrents. RTS noise has been studied in time and frequency domain. Results show that RTS noise is due to fluctuations of excess current which flows through a dislocation related extended defetc. This current is modulated by a charge fluctuation or structural reconfiguration of complex defects located at the leakage site. To interpret the results we have developped previously proposed RTS noise models for bipolar devices, Measurments of excess noise have been correlated with spatially resolved technique like LBIC. We discuss the influence of material and technological defects as well as surface and bulk origin of RTS noise
Livres sur le sujet "InGaAs photodiodes"
Blaser, Markus. Monolithically integrated InGaAs/Inp photodiode-junction field-effect transistor receivers for fiber-optic telecommunication. Konstanz : Hartung-Gorre, 1997.
Trouver le texte intégralBitter, Martin. InP/InGaAs pin-photodiode arrays for parallel optical interconnects and monolithic InP/InGaAs pin/HBT optical receivers for 10-Gb/s and 40-Gb/s. Konstanz : Hartung-Gorre, 2001.
Trouver le texte intégralInGaAs Avalanche Photodiodes for Ranging and Lidar. Elsevier, 2020. http://dx.doi.org/10.1016/c2017-0-04776-6.
Texte intégralHuntington, Andrew S. InGaAs Avalanche Photodiodes for Ranging and Lidar. Elsevier Science & Technology, 2020.
Trouver le texte intégralHuntington, Andrew S. InGaAs Avalanche Photodiodes for Ranging and Lidar. Elsevier Science & Technology, 2020.
Trouver le texte intégralO'Reilly, Patrick J. Effects of 30 MEV electron irradation on InGaAsp LEDS and InGaAs photodiodes. 1986.
Trouver le texte intégralYu, Young-June. Noise properties of InGaAs/InAlAs multiquantum-well heterostructure p-i-n photodiodes. 1989.
Trouver le texte intégralBerlin, Technische Universität, dir. InGaAsP-Rippen- und Streifenwellenleiter integriert mit InGaAs-Photodioden durch Vertikal- und Horizontalkupplung : Technologie und physikalische Eigenschaften. 1991.
Trouver le texte intégralZürich, Eidgenössische Technische Hochschule, dir. Monolithically integrated InGaAs/InP photodiode-junction field-effect transistor receivers for fiber-optic telecommunication. 1996.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "InGaAs photodiodes"
Bowers, J. E., C. A. Burrus et R. S. Tucker. « 22-GHz Bandwidth InGaAs/InP PIN Photodiodes ». Dans Picosecond Electronics and Optoelectronics, 180–83. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-70780-3_35.
Texte intégralKobayashi, Masahiro, et Takao Kaneda. « Reliability Testing of Planar InGaAs Avalanche Photodiodes ». Dans Semiconductor Device Reliability, 413–21. Dordrecht : Springer Netherlands, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-2482-6_23.
Texte intégralRyzhii, M., et V. Ryzhii. « Ensemble Monte Carlo Particle Modeling of IngaAs/InP Uni-Traveling-Carrier Photodiodes ». Dans Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001, 312–15. Vienna : Springer Vienna, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6244-6_70.
Texte intégralAlbrecht, H. « Pin Photodiodes and Field-Effect Transistors for Monolithically Integrated InP/InGaAs Optoelectronic Circuits ». Dans Micro System Technologies 90, 767–72. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1990. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-45678-7_110.
Texte intégralŠatka, A., D. W. E. Allsopp, J. Kováč, F. Uherek, B. Rheinländer et V. Gottschalch. « Design of InGaAs/InAIGaAs/InP RCE PIN Photodiode ». Dans Heterostructure Epitaxy and Devices, 301–4. Dordrecht : Springer Netherlands, 1996. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-0245-9_54.
Texte intégralZirngibl, M., J. C. Bischoff, R. Sachot, M. Ilegems, P. Beaud et W. Hodel. « An InGaAs/GaAs Strained Superlattice MSM Photodiode for Fast Light Detection at 1.3 μm ». Dans ESSDERC ’89, 77–80. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_15.
Texte intégralNamekata, Naoto, Shunsuke Adachi et Shuichiro Inoue. « High-Speed Single-Photon Detection Using 2-GHz Sinusoidally Gated InGaAs/InP Avalanche Photodiode ». Dans Lecture Notes of the Institute for Computer Sciences, Social Informatics and Telecommunications Engineering, 34–38. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-11731-2_4.
Texte intégralMa, Zongfeng, Ming Zhang et Panfeng Wu. « Research on the Optimal Design of Heterodyne Technique Based on the InGaAs-PIN Photodiode ». Dans 5th International Symposium of Space Optical Instruments and Applications, 205–12. Cham : Springer International Publishing, 2020. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-27300-2_20.
Texte intégralSchohe, K., J. Y. Longère, S. Krawczyk, B. Vilotitch, C. Lenoble, M. Villard et X. Hugon. « Scanning Photoluminescence Assessment MOCVD InGaAs/InP Lattice Mismatched Heterostructures During the Fabrication of Photodiode Arrays ». Dans ESSDERC ’89, 503–7. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_103.
Texte intégralHuntington, Andrew S. « InGaAs Linear-Mode Avalanche Photodiodes ». Dans Encyclopedia of Modern Optics, 415–29. Elsevier, 2018. http://dx.doi.org/10.1016/b978-0-12-803581-8.09421-2.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "InGaAs photodiodes"
Nakamura, Takuma, Dahyeon Lee, Jason Horng, John D. Teufel et Franklyn Quinlan. « Low noise microwave generation for quantum information systems via cryogenic extended-InGaAs photodiodes ». Dans CLEO : Science and Innovations, STu4I.3. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 2024. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_si.2024.stu4i.3.
Texte intégral« InGaAs Photodiodes and Photoreceivers ». Dans 2004 IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics. IEEE, 2004. http://dx.doi.org/10.1109/mwp.2004.1396909.
Texte intégralAchouche, M., G. Glastre, C. Caillaud, M. Lahrichi et D. Carpentier. « InGaAs high speed communication photodiodes ». Dans LEOS 2009 -22nd Annuall Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEO). IEEE, 2009. http://dx.doi.org/10.1109/leos.2009.5343096.
Texte intégralRogalski, Antoni. « Performance limitations of InGaAs photodiodes ». Dans International Conference on Solid State Crystals '98, sous la direction de Antoni Rogalski et Jaroslaw Rutkowski. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344747.
Texte intégralWey, Y. G., K. Giboney, D. L. Crawford, J. E. Bowers, M. J. Rodwell, P. Silvestre, M. J. Hafich et G. Y. Robinson. « Ultrafast Graded Double Heterostructure p-i-n Photodiode ». Dans Picosecond Electronics and Optoelectronics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/peo.1991.thc3.
Texte intégralDoldissen, W., R. J. Deri, R. J. Hawkins, R. Bhat, J. B. D. Soole, L. M. Schiavone, M. Seto, N. Andreadakis, Y. Silberberg et M. A. Koza. « Efficient vertical coupling of photodiodes to InGaAsP rib waveguides ». Dans Integrated Photonics Research. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/ipr.1991.thf7.
Texte intégralSong, Bowen, Bei Shi, Si Zhu, Simone Šuran Brunelli et Jonathan Klamkin. « InGaAs Photodiodes on Silicon by Heteroepitaxy ». Dans Optoelectronics and Communications Conference. Washington, D.C. : OSA, 2021. http://dx.doi.org/10.1364/oecc.2021.w3f.4.
Texte intégralPauchard, Alexandre, Phil Mages, Yimin Kang, Martin Bitter, Z. Pan, D. Sengupta, Steve Hummel, Yu-Hwa Lo et Paul K. L. Yu. « Wafer-bonded InGaAs/silicon avalanche photodiodes ». Dans Symposium on Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 2002. http://dx.doi.org/10.1117/12.467674.
Texte intégralCampbell, Joe C., Ravi Kuchibhotla, Anand Srinivasan, Chun Lei, Dennis G. Deppe, Yue Song He et Ben G. Streetman. « Resonance-enhanced, low-voltage InGaAs avalanche photodiode ». Dans Integrated Photonics Research. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/ipr.1991.we5.
Texte intégralBowers, J. E., C. A. Burrus et R. S. Tucker. « 22-GHz Bandwidth InGaAs/InP PIN Photodiodes ». Dans Picosecond Electronics and Optoelectronics. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/peo.1985.tha3.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "InGaAs photodiodes"
Tabor, Steven. Spectral and Spatial Quantum Efficiency of AlGaAs/GaAs and InGaAs/InP PIN Photodiodes. Portland State University Library, janvier 2000. http://dx.doi.org/10.15760/etd.6644.
Texte intégral