Articles de revues sur le sujet « Infrared optoelectronics »
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Zhuravlyova, L. M., M. R. Ivashevsky et I. F. Muzafarov. « NEW MATERIALS IN OPTOELECTRONICS ». World of Transport and Transportation 16, no 2 (28 avril 2018) : 74–83. http://dx.doi.org/10.30932/1992-3252-2018-16-2-7.
Texte intégralJOHNSTONE, DANIEL K. « THERMAL MANAGEMENT IN OPTOELECTRONICS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no 02 (juin 2002) : 501–10. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001411.
Texte intégralGubbin, Christopher R., Simone De Liberato et Thomas G. Folland. « Surface phonon polaritons for infrared optoelectronics ». Journal of Applied Physics 131, no 3 (21 janvier 2022) : 030901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0064234.
Texte intégralMonroy, E., F. Guillot, S. Leconte, E. Bellet-Amalric, L. Nevou, L. Doyennette, M. Tchernycheva et al. « III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics ». Acta Physica Polonica A 110, no 3 (septembre 2006) : 295–301. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.110.295.
Texte intégralKrier, A. « Mid-infrared optoelectronics materials and devices ». III-Vs Review 9, no 2 (avril 1996) : 77. http://dx.doi.org/10.1016/s0961-1290(96)80025-1.
Texte intégralJoullié, A. « Editorial : Mid-infrared optoelectronics : materials and devices ». IEE Proceedings - Optoelectronics 149, no 1 (1 février 2002) : 21. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20020166.
Texte intégralHaywood, S. « Editorial : Mid-infrared optoelectronics materials and devices ». IEE Proceedings - Optoelectronics 150, no 4 (2003) : 281. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20030871.
Texte intégralLhuillier, Emmanuel, et Philippe Guyot-Sionnest. « Recent Progresses in Mid Infrared Nanocrystal Optoelectronics ». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 23, no 5 (septembre 2017) : 1–8. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2017.2690838.
Texte intégralSchöler, Michael, Maximilian W. Lederer et Peter J. Wellmann. « Deep Electronic Levels in n-Type and p-Type 3C-SiC ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 297–300. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.297.
Texte intégralAssali, S., A. Attiaoui, S. Koelling, M. R. M. Atalla, A. Kumar, J. Nicolas, F. A. Chowdhury, C. Lemieux-Leduc et O. Moutanabbir. « Micrometer-thick, atomically random Si0.06Ge0.90Sn0.04 for silicon-integrated infrared optoelectronics ». Journal of Applied Physics 132, no 19 (21 novembre 2022) : 195305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0120505.
Texte intégralLiang, Guozhen, Xuechao Yu, Xiaonan Hu, Bo Qiang, Chongwu Wang et Qi Jie Wang. « Mid-infrared photonics and optoelectronics in 2D materials ». Materials Today 51 (décembre 2021) : 294–316. http://dx.doi.org/10.1016/j.mattod.2021.09.021.
Texte intégralSargent, E. H. « Solution-Processed Infrared Optoelectronics : Photovoltaics, Sensors, and Sources ». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 14, no 4 (juillet 2008) : 1223–29. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2008.925766.
Texte intégralBauer, M. R., C. S. Cook, P. Aella, J. Tolle, J. Kouvetakis, P. A. Crozier, A. V. G. Chizmeshya, David J. Smith et S. Zollner. « SnGe superstructure materials for Si-based infrared optoelectronics ». Applied Physics Letters 83, no 17 (27 octobre 2003) : 3489–91. http://dx.doi.org/10.1063/1.1622435.
Texte intégralSizov, F. F., et A. Rogalski. « Semiconductor superlattices and quantum wells for infrared optoelectronics ». Progress in Quantum Electronics 17, no 2 (janvier 1993) : 93–164. http://dx.doi.org/10.1016/0079-6727(93)90005-t.
Texte intégralGámez-Valenzuela, Sergio, David Neusser, Carlos Benitez-Martin, Francisco Najera, Juan A. Guadix, Carlos Moreno-Yruela, Belén Villacampa et al. « V-shaped pyranylidene/triphenylamine-based chromophores with enhanced photophysical, electrochemical and nonlinear optical properties ». Materials Advances 2, no 13 (2021) : 4255–63. http://dx.doi.org/10.1039/d1ma00415h.
Texte intégralLhuillier, Emmanuel. « Narrow band gap nanocrystals for infrared cost-effective optoelectronics ». Photoniques, no 116 (2022) : 54–57. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202211654.
Texte intégralSolov’ev, V. A., A. A. Toropov, B. Ya Meltser, Ya A. Terent’ev, R. N. Kyutt, A. A. Sitnikova, A. N. Semenov et al. « GaAs in GaSb : Strained nanostructures for mid-infrared optoelectronics ». Semiconductors 36, no 7 (juillet 2002) : 816–20. http://dx.doi.org/10.1134/1.1493755.
Texte intégralClark, Samuel M., et Sang Eon Han. « Two-dimensional metamaterial transparent metal electrodes for infrared optoelectronics ». Optics Letters 39, no 12 (13 juin 2014) : 3666. http://dx.doi.org/10.1364/ol.39.003666.
Texte intégralGuillot, F., E. Monroy, B. Gayral, E. Bellet-Amalric, D. Jalabert, J. M. Gérard, Le Si Dang et al. « GaN/AlGaN superlattices for optoelectronics in the mid-infrared ». physica status solidi (b) 243, no 7 (juin 2006) : 1669–73. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200565328.
Texte intégralChoi, Jongmin, Jea Woong Jo, F. Pelayo García de Arquer, Yong-Biao Zhao, Bin Sun, Junghwan Kim, Min-Jae Choi et al. « Activated Electron-Transport Layers for Infrared Quantum Dot Optoelectronics ». Advanced Materials 30, no 29 (28 mai 2018) : 1801720. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201801720.
Texte intégralJia, Jinmei, Huan Liu, Jijie Zhao, Yuxuan Du et Shuai Wen. « Si:HgTe Colloidal Quantum Dots Heterojunction-Based Infrared Photodiode ». Journal of Nanomaterials 2023 (9 février 2023) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2023/4595819.
Texte intégralWang, Lin, Li Huang, Wee Chong Tan, Xuewei Feng, Li Chen et Kah-Wee Ang. « Tunable black phosphorus heterojunction transistors for multifunctional optoelectronics ». Nanoscale 10, no 29 (2018) : 14359–67. http://dx.doi.org/10.1039/c8nr03207f.
Texte intégralKim, Suk Hyun, Kyeong Ho Park, Young Gie Lee, Seong Jun Kang, Yongsup Park et Young Duck Kim. « Color Centers in Hexagonal Boron Nitride ». Nanomaterials 13, no 16 (15 août 2023) : 2344. http://dx.doi.org/10.3390/nano13162344.
Texte intégralLi, Yuyu, Khwanchai Tantiwanichapan, Anna K. Swan et Roberto Paiella. « Graphene plasmonic devices for terahertz optoelectronics ». Nanophotonics 9, no 7 (14 mai 2020) : 1901–20. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0211.
Texte intégralLuo, Lu, Simone Assali, Mahmoud Atalla, Sebastian Koelling et Oussama Moutanabbir. « Tunable Shortwave Infrared and Midwave Infrared Optoelectronics in Germanium/Germanium Tin Core/Shell Nanowires ». ECS Meeting Abstracts MA2020-01, no 22 (1 mai 2020) : 1321. http://dx.doi.org/10.1149/ma2020-01221321mtgabs.
Texte intégralDong, Zhengang, Jiaying Shen, Fan Zhang, Yaping Qi, Yang Zhang, Gongxun Bai, Zhenping Wu et Danfeng Li. « Tunable-wavelength photoluminescence of a flexible transition metal doped oxide phosphor thin film ». Applied Physics Letters 122, no 13 (27 mars 2023) : 132908. http://dx.doi.org/10.1063/5.0147266.
Texte intégralSturm, James C. « Advanced Column-IV Epitaxial Materials for Silicon-Based Optoelectronics ». MRS Bulletin 23, no 4 (avril 1998) : 60–64. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400030281.
Texte intégralYang, Li-Ming, Guo-Yong Fang, Jing Ma, Raghani Pushpa et Eric Ganz. « Halogenated MOF-5 variants show new configuration, tunable band gaps and enhanced optical response in the visible and near infrared ». Physical Chemistry Chemical Physics 18, no 47 (2016) : 32319–30. http://dx.doi.org/10.1039/c6cp06981a.
Texte intégralFang, Cizhe, Yan Liu, Qingfang Zhang, Genquan Han, Xi Gao, Yao Shao, Jincheng Zhang et Yue Hao. « Germanium-tin alloys : applications for optoelectronics in mid-infrared spectra ». Opto-Electronic Advances 1, no 3 (2018) : 18000401–10. http://dx.doi.org/10.29026/oea.2018.180004.
Texte intégralBaek, Se-Woong. « (Invited) Building Colloidal Quantum Dot Solids for Efficient Infrared Optoelectronics ». ECS Meeting Abstracts MA2021-01, no 23 (30 mai 2021) : 900. http://dx.doi.org/10.1149/ma2021-0123900mtgabs.
Texte intégralAidaraliev, M., N. V. Zotova, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’, G. N. Talalakin, V. V. Shustov, V. V. Kuznetsov et E. A. Kognovitskaya. « Lattice-matched GaInPAsSb/InAs structures for devices of infrared optoelectronics ». Semiconductors 36, no 8 (août 2002) : 944–49. http://dx.doi.org/10.1134/1.1500478.
Texte intégralMonroy, Eva, Fabien Guillot, Sylvain Leconte, Laurent Nevou, Laetitia Doyennette, Maria Tchernycheva, Francois H. Julien, Esther Baumann, Fabrizio R. Giorgetta et Daniel Hofstetter. « Latest developments in GaN-based quantum devices for infrared optoelectronics ». Journal of Materials Science : Materials in Electronics 19, no 8-9 (5 décembre 2007) : 821–27. http://dx.doi.org/10.1007/s10854-007-9482-3.
Texte intégralBaek, Se‐Woong, Pau Molet, Min‐Jae Choi, Margherita Biondi, Olivier Ouellette, James Fan, Sjoerd Hoogland, F. Pelayo García de Arquer, Agustín Mihi et Edward H. Sargent. « Nanostructured Back Reflectors for Efficient Colloidal Quantum‐Dot Infrared Optoelectronics ». Advanced Materials 31, no 33 (21 juin 2019) : 1901745. http://dx.doi.org/10.1002/adma.201901745.
Texte intégralPham, Phuong V., The-Hung Mai, Huy-Binh Do, Vinoth Kumar Ponnusamy et Feng-Chuan Chuang. « Integrated Graphene Heterostructures in Optical Sensing ». Micromachines 14, no 5 (17 mai 2023) : 1060. http://dx.doi.org/10.3390/mi14051060.
Texte intégralCao, Fei, Xiaobao Xu, Dejian Yu et Haibo Zeng. « Lead-free halide perovskite photodetectors spanning from near-infrared to X-ray range : a review ». Nanophotonics 10, no 8 (1 juin 2020) : 2221–47. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0632.
Texte intégralAhamed, M. Irshad, et K. Sathish Kumar. « Modelling of electronic and optical properties of Cu2SnS3 quantum dots for optoelectronics applications ». Materials Science-Poland 37, no 1 (1 mars 2019) : 108–15. http://dx.doi.org/10.2478/msp-2018-0103.
Texte intégralJawad, M., S. Selvaraju, M. U. Javed, F. Ali, Q. Rafiq, I. Ur Rahman, B. Masood, M. B. Hussain, S. Azam et H. Elhosiny Ali. « Effect of Ce and Sm doping on optoelectronic and thermoelectric properties of Bi2Te3 alloy ». Chalcogenide Letters 19, no 12 (21 décembre 2022) : 871–83. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2022.1912.871.
Texte intégralPontillas, Shienna Marie, Florentino C. Sumera et Rigoberto C. Advincula. « Reversible Addition-Fragmentation Chain Transfer (RAFT) Polymerization of Poly(ethylmethacrylate) with Pendant Carbazole Groups ». KIMIKA 29, no 1 (7 août 2018) : 41–50. http://dx.doi.org/10.26534/kimika.v29i1.41-50.
Texte intégralAlam, Injamul, Kadambinee Sa, Sonali Das, BVRS Subramanyam, Manoranjan Mandal, Subhasri Subudhi, Santosini Patra et Pitamber Mahanandia. « Study of electrical properties of a few layers of graphene sheets under Ultraviolet and Visible light irradation ». International Journal of Innovative Research in Physics 2, no 4 (5 juillet 2021) : 8–14. http://dx.doi.org/10.15864/ijiip.2402.
Texte intégralHafiz, Shihab Bin, Michael R. Scimeca, Ayaskanta Sahu et Dong-Kyun Ko. « (Invited) Mid-Infrared Colloidal Quantum Dot Based Nanoelectronics and Nano-Optoelectronics ». ECS Transactions 92, no 1 (3 juillet 2019) : 11–16. http://dx.doi.org/10.1149/09201.0011ecst.
Texte intégralWassweiler, Ella, et Fatima Toor. « Gallium antimonide texturing for enhanced light extraction from infrared optoelectronics devices ». AIP Advances 6, no 6 (juin 2016) : 065018. http://dx.doi.org/10.1063/1.4954766.
Texte intégralZhuang, Q. D., H. Alradhi, Z. M. Jin, X. R. Chen, J. Shao, X. Chen, Ana M. Sanchez et al. « Optically efficient InAsSb nanowires for silicon-based mid-wavelength infrared optoelectronics ». Nanotechnology 28, no 10 (8 février 2017) : 105710. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aa59c5.
Texte intégralLei, Yong, Xiaozhan Yang et Wenlin Feng. « Synthesis of vertically-aligned large-area MoS2 nanofilm and its application in MoS2/Si heterostructure photodetector ». Nanotechnology 33, no 10 (17 décembre 2021) : 105709. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3c7e.
Texte intégralSotor, Jarosław, Krzysztof Abramski, Arkadiusz Antończak, Grzegorz Sobon, Paweł Kaczmarek, Adam Wąż, Grzegorz Dudzik et al. « Laser and Fiber Electronics Group ». Photonics Letters of Poland 11, no 2 (1 juillet 2019) : 38. http://dx.doi.org/10.4302/plp.v11i2.901.
Texte intégralDegiron, Aloyse. « Pushing the boundaries of nanocrystal optoelectronics with structured photonic environments ». Photoniques, no 119 (2023) : 52–57. http://dx.doi.org/10.1051/photon/202311952.
Texte intégralMusat, Viorica, Ana Filip, Nicolae Tigau, Rodica Dinica, Elena Herbei, Cosmin Romanitan, Iuliana Mihalache et Munizer Purica. « 1D Nanostructured ZnO Layers by Microwave - Assisted Hydrothermal Synthesis ». Revista de Chimie 69, no 10 (15 novembre 2018) : 2788–93. http://dx.doi.org/10.37358/rc.18.10.6625.
Texte intégralKandaswamy, P. K., H. Machhadani, E. Bellet-Amalric, L. Nevou, M. Tchernycheva, L. Lahourcade, F. H. Julien et E. Monroy. « Strain effects in GaN/AlN multi-quantum-well structures for infrared optoelectronics ». Microelectronics Journal 40, no 2 (février 2009) : 336–38. http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2008.07.058.
Texte intégralGao, Rui, Hairui Liu, Jien Yang, Feng Yang, Tianxing Wang, Zhuxia Zhang, Xuguang Liu, Husheng Jia, Bingshe Xu et Heng Ma. « 2D anisotropic type-I SiS vdW heterostructures toward infrared polarized optoelectronics applications ». Applied Surface Science 529 (novembre 2020) : 147026. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.147026.
Texte intégralVella, Jarrett H., Lifeng Huang, Naresh Eedugurala, Kevin S. Mayer, Tse Nga Ng et Jason D. Azoulay. « Broadband infrared photodetection using a narrow bandgap conjugated polymer ». Science Advances 7, no 24 (juin 2021) : eabg2418. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.abg2418.
Texte intégralYang, Xianguang, et Baojun Li. « Monolayer MoS2 for nanoscale photonics ». Nanophotonics 9, no 7 (3 février 2020) : 1557–77. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2019-0533.
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