Littérature scientifique sur le sujet « Infrared optoelectronics »
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Articles de revues sur le sujet "Infrared optoelectronics"
Zhuravlyova, L. M., M. R. Ivashevsky et I. F. Muzafarov. « NEW MATERIALS IN OPTOELECTRONICS ». World of Transport and Transportation 16, no 2 (28 avril 2018) : 74–83. http://dx.doi.org/10.30932/1992-3252-2018-16-2-7.
Texte intégralJOHNSTONE, DANIEL K. « THERMAL MANAGEMENT IN OPTOELECTRONICS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no 02 (juin 2002) : 501–10. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001411.
Texte intégralGubbin, Christopher R., Simone De Liberato et Thomas G. Folland. « Surface phonon polaritons for infrared optoelectronics ». Journal of Applied Physics 131, no 3 (21 janvier 2022) : 030901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0064234.
Texte intégralMonroy, E., F. Guillot, S. Leconte, E. Bellet-Amalric, L. Nevou, L. Doyennette, M. Tchernycheva et al. « III-Nitride Nanostructures for Infrared Optoelectronics ». Acta Physica Polonica A 110, no 3 (septembre 2006) : 295–301. http://dx.doi.org/10.12693/aphyspola.110.295.
Texte intégralKrier, A. « Mid-infrared optoelectronics materials and devices ». III-Vs Review 9, no 2 (avril 1996) : 77. http://dx.doi.org/10.1016/s0961-1290(96)80025-1.
Texte intégralJoullié, A. « Editorial : Mid-infrared optoelectronics : materials and devices ». IEE Proceedings - Optoelectronics 149, no 1 (1 février 2002) : 21. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20020166.
Texte intégralHaywood, S. « Editorial : Mid-infrared optoelectronics materials and devices ». IEE Proceedings - Optoelectronics 150, no 4 (2003) : 281. http://dx.doi.org/10.1049/ip-opt:20030871.
Texte intégralLhuillier, Emmanuel, et Philippe Guyot-Sionnest. « Recent Progresses in Mid Infrared Nanocrystal Optoelectronics ». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 23, no 5 (septembre 2017) : 1–8. http://dx.doi.org/10.1109/jstqe.2017.2690838.
Texte intégralSchöler, Michael, Maximilian W. Lederer et Peter J. Wellmann. « Deep Electronic Levels in n-Type and p-Type 3C-SiC ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 297–300. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.297.
Texte intégralAssali, S., A. Attiaoui, S. Koelling, M. R. M. Atalla, A. Kumar, J. Nicolas, F. A. Chowdhury, C. Lemieux-Leduc et O. Moutanabbir. « Micrometer-thick, atomically random Si0.06Ge0.90Sn0.04 for silicon-integrated infrared optoelectronics ». Journal of Applied Physics 132, no 19 (21 novembre 2022) : 195305. http://dx.doi.org/10.1063/5.0120505.
Texte intégralThèses sur le sujet "Infrared optoelectronics"
Badioli, Michela. « Graphene optoelectronics from the visible to the mid-infrared ». Doctoral thesis, Universitat Politècnica de Catalunya, 2015. http://hdl.handle.net/10803/336097.
Texte intégralDesde su descubrimiento en 2004, el grafeno, una sola capa átomos de carbono en un retículo hexagonal, ha atraído un gran interés de la comunidad científica debido a sus propiedades electrónicas, mecánicas y ópticas extraordinarias. Los primeros estudios se centraron en el transporte electrónico, pero en los últimos años estudios en el campo de la fotónica y de las propiedades optoelectrónicas del grafeno han suscitado un mayor interés. El objetivo de esta tesis es explorar el uso del grafeno para nuevos dispositivos optoelectrónicos, adoptando diferentes enfoques para mejorar la interacción del grafeno con la luz en un amplio rango espectral, desde el rango visible hasta el infrarrojo medio. Esto incluye la investigación de la interacción y la transferencia de energía entre un dipolo y una monocapa de grafeno cercana, así como trabajar en esquemas de fotodetección eficientes. La alta movilidad electrónica, la absorción de banda ancha, la flexibilidad y las propiedades optoelectrónicas sintonizables (véase Capítulo 1) hacen que el grafeno sea extremadamente atractivo para el desarrollo de aplicaciones optoelectrónicas con nuevas propiedades funcionalidades. En cuanto a los dispositivos, el punto de partida de los experimentos presentados en esta tesis son transistores de efecto de campo con diferentes geometrías, cuya fabricación y técnicas de caracterización se describen en el Capítulo 2. La capacidad de ajuste de las propiedades optoelectrónicas a través del control de la energía de Fermi es una característica esencial de los dispositivos, y se logra con la aplicación de un voltaje de puerta. Nos dirigimos a ambos aspectos a la base de la optoelectrónica, es decir, el control de las propiedades ópticas con campos eléctricos y la modificación de magnitudes eléctricas, como la corriente con la luz incidente. Por tanto, la primera parte de la tesis (Capítulos 3, 4 y 5) se dedica al estudio de la nanofotónica y plasmónica del grafeno, mientras que la segunda parte se ocupa de fotodetección basada en grafeno (Capítulos 6, 7, 8 y 9). En el Capítulo 3, se explican los principales conceptos del campo de la nanofotónica de grafeno, como la capacidad de ajuste eléctrico y el fuerte confinamiento de los plasmones 2D, así como el acoplamiento de un emisor óptico con los plasmones o pares electrón-hueco. Luego se presentan dos experimentos que muestran el control de la luz por medio de campos eléctricos estáticos. En el Capítulo 4 se muestra el control eléctrico de las vías de relajación de iones de erbio en las proximidades de una monocapa de grafeno: el flujo de energía a partir de los emisores se puede dirigir a pares electrón-hueco en el grafeno, a fotones y a plasmones cambiando el nivel de Fermi del grafeno. En el Capítulo 5 se presenta la excitación y el ajuste de plasmones de grafeno altamente confinados en el infrarrojo medio, activado mediante el dipolo de una punta de microscopia de campo cercano (Capítulo 5). En el Capítulo 6 se revisan los fotodetectores de grafeno existentes y los principales mecanismos que permitan fotodetección con grafeno. A continuación se presentan tres casos donde la fotorrespuesta del grafeno se mejora con la explotación de la interacción con los materiales circundantes. Un fototransistor híbrido de grafeno y puntos cuánticos (véase Capitulo 7) llega a responsividad extremadamente alta en el visible y infrarrojo cercano (más de un millón de A/W). En el Capítulo 8 se demuestra cómo la excitación de fonones de bulk de un sustrato polar aumenta la fotocorriente en el infrarrojo medio a través de un efecto fototermoeléctrico. También fonones superficie del sustrato, lanzados por la iluminación de un borde de metal con luz polarizada perpendicularmente, conducen a un aumento en la fotorrespuesta (Capítulo 9). Los resultados presentados en esta tesis abren nuevos caminos en el campo de la optoelectrónica basada en el grafeno en el campo de la nano-fotónica activa y de los sensores
Cook, Neil B. « Growth and characterisation of pentanary GaInAsSbP Alloys for mid-infrared optoelectronics ». Thesis, Lancaster University, 2009. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.536032.
Texte intégralLivache, Clément. « Quantum-confined nanocrystals for infrared optoelectronics : carrier dynamics and intraband transitions ». Electronic Thesis or Diss., Sorbonne université, 2019. http://www.theses.fr/2019SORUS216.
Texte intégralColloidal nanocrystals are crystalline objects grown by colloidal chemistry approaches. Thanks to quantum confinement, their optical properties depend on their size, and can then be tuned accordingly. Using mercury selenide and mercury telluride, we grow infrared-absorbing nanocrystals. While HgTe nanocrystals interband gap can be tuned from the NIR to the MWIR, HgSe nanocrystals display self-doping and intraband transitions in the MWIR to LWIR. With a careful control of their surface chemistry, those nanocrystals can be integrated into electrical devices to create cheap infrared photodetectors. In my PhD work, I am interested in probing carrier dynamics in those devices using various time-resolved techniques, either based on photocurrent measurements or on direct observation of the photocarriers relaxation. From dynamic study of HgSe intraband devices, I identify the issue brought by the degenerative doping level of those nanocrystals: transport is driven by the doping of this material, resulting in very poor IR-sensing performances. By taking inspiration from the III-V semiconductor developments, I propose several successful approaches to uncouple optical and transport properties in HgSe-based, MWIR detectors
Norton, Dennis Thomas Jr. « Type-II InAs/GaSb superlattice LEDs : applications for infrared scene projector systems ». Diss., University of Iowa, 2013. https://ir.uiowa.edu/etd/5031.
Texte intégralDOMINICI, STEFANO. « Numerical investigation of efficiency loss mechanisms in light emitting diodes and determination of radiative and non-radiative lifetimes for infrared optoelectronics ». Doctoral thesis, Politecnico di Torino, 2017. http://hdl.handle.net/11583/2669184.
Texte intégralDuperron, Matthieu. « Conception et caractérisation de nanoantennes plasmoniques pour la photodétection infrarouge refroidie ». Thesis, Troyes, 2013. http://www.theses.fr/2013TROY0030/document.
Texte intégralThe market for cooled infrared imaging technologies is growing fast due to a range of applications covering military, commercial and space. Current research for innovative systems focuses on high operating temperature and multispectral detectors.To achieve these aims, optical resonators can be used to concentrate electromagnetic fields in thin absorbing media. This thesis investigates the possibility of using plasmonic resonators for HgCdTe photodetection.Temporal coupled-mode theory is used to optimise analytically the absorption in a plasmonic resonator incorporating an absorbing semiconductor subject to the critical coupling condition. A design of a thin plasmonic HgCdTe diode is then described. This includes a hybrid plasmonic mode arising from the coupling between a surface plasmon and a cavity gap-plasmon mode
Hollingworth, Andrew Roy. « Semiconductor optoelectronic infrared spectroscopy ». Thesis, University of Surrey, 2001. http://epubs.surrey.ac.uk/842674/.
Texte intégralJollivet, Arnaud. « Dispositifs infrarouges à cascade quantique à base de semiconducteurs GaN/AlGaN et ZnO/ZnMgO ». Thesis, Université Paris-Saclay (ComUE), 2019. http://www.theses.fr/2019SACLS058/document.
Texte intégralThis manuscript focuses on the study and on the development of semiconductor heterostructures based on GaN and ZnO material. These materials are particularly promising for the development of infrared optoelectronic intersubband devices in particular for quantum cascade devices. These semiconductors own several advantages to design quantum cascade devices such as a large conduction band offset and a large energy of the LO phonon. These properties predict the possibility to develop devices covering a large spectral range from near-infrared to terahertz and offer the possibility to realize terahertz quantum cascade lasers operating at room temperature
Giannopoulos, Mihail. « Tunable bandwidth quantum well infrared photo detector (TB-QWIP) ». Thesis, Monterey, Calif. : Springfield, Va. : Naval Postgraduate School ; Available from National Technical Information Service, 2003. http://library.nps.navy.mil/uhtbin/hyperion-image/03Dec%5FGiannopoulos.pdf.
Texte intégralThesis advisor(s): Gamani Karunasiri, James Luscombe. Includes bibliographical references (p. 59-61). Also available online.
Cheetham, Kieran James. « GaInAsSbP alloys for mid-infrared optoelectronic devices ». Thesis, Lancaster University, 2011. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.618809.
Texte intégralLivres sur le sujet "Infrared optoelectronics"
Krier, Anthony, dir. Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8.
Texte intégralNunley, William. Infrared optoelectronics : Devices and applications. New York : M. Dekker, 1987.
Trouver le texte intégralDave, Birtalan, Nunley William 1928- et Nunley William 1928-, dir. Optoelectronics : Infrared-visible-ultraviolet devices and applications. 2e éd. Boca Raton : CRC Press, 2009.
Trouver le texte intégralJ, Brown Gail, et Razeghi M, dir. Photodetectors : Materials and devices IV : 27-29 January 1999, San Jose, California. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 1999.
Trouver le texte intégralInfrared, Sensors Devices and Applications (Conference) (3rd 2013 San Diego Calif ). Infrared Sensors, Devices, and Applications III : 26-28 August 2013, San Diego, California, United States. Bellingham, Washington : SPIE, 2013.
Trouver le texte intégralW, Bryant Richard, et Business Communications Co, dir. Advanced optical materials, infrared, ultraviolet broadband, and solid state laser media. Norwalk, Conn., U.S.A : Business Communications Co., 1987.
Trouver le texte intégralFedorovich, Sizov Fedor, Teterkin Vladimir V, Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. Ukraine Chapter., Institut poluprovodnikov (Akademii͡a︡ nauk Ukraïny). et Uz͡h︡horodsʹkyĭ derz͡h︡avnyĭ universytet, dir. Material science and material properties for infrared optoelectronics : 30 September-2 October, Uzhgorod, Ukraine. Bellingham, Washington : SPIE, 1997.
Trouver le texte intégralFedorovich, Sizov Fedor, Institut poluprovodnikov (Akademii͡a︡ nauk Ukraïny), Akademii͡a︡ nauk Ukraïny et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Fourth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics : 29 September-2 October 1998, Kiev, Ukraine. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 1999.
Trouver le texte intégralFedorovich, Sizov Fedor, Kostyukevych Sergey, Institut poluprovodnikov (Akademii͡a︡ nauk Ukraïny), Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. Ukraine Chapter., Ukraine. Ministerstvo osvity i nauky., Ukrainian Physical Society et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Fifth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics : 22-24 May, 2000, Kiev, Ukraine. Bellingham, Washington : SPIE, 2001.
Trouver le texte intégralFedorovich, Sizov Fedor, Gumenjuk-Sichevska Johanna V, Kostyukevych Sergey, Institut poluprovodnikov (Akademii͡a︡ nauk Ukraïny), Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. Ukraine Chapter., Akademii͡a︡ nauk Ukraïny, Ukraine. Ministerstvo osvity i nauky. et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Sixth International Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics : 22-24 May 2002, Kiev, Ukraine. Bellingham, Wash., USA : SPIE, 2003.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Infrared optoelectronics"
Rogalski, Antoni, et Krzysztof Chrzanowski. « Infrared devices and techniques ». Dans Handbook of Optoelectronics, 633–86. Second edition. | Boca Raton : Taylor & Francis, CRC Press, : CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315157009-18.
Texte intégralOlesberg, J. T., et M. E. Flatté. « Theory of Mid-wavelength Infrared Laser Active Regions : Intrinsic Properties and Design Strategies ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 3–92. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_1.
Texte intégralCockburn, J. « Mid-infrared Quantum Cascade Lasers ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 323–55. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_10.
Texte intégralKrier, A., X. L. Huang et V. V. Sherstnev. « Mid-infrared Electroluminescence in LEDs Based on InAs and Related Alloys ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 359–94. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_11.
Texte intégralMatveev, Boris A. « LED-Photodiode Opto-pairs ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 395–428. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_12.
Texte intégralHaywood, S., K. T. Lai et M. Missous. « QWIP Detectors for the MWIR ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 429–52. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_13.
Texte intégralAshley, T., et G. R. Nash. « Negative Luminescence ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 453–85. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_14.
Texte intégralBhattacharya, P., A. D. Stiff-Roberts et S. Chakrabarti. « Mid-infrared Quantum Dot Photodetectors ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 487–513. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_15.
Texte intégralWei, Y., A. Gin et M. Razeghi. « Quantum Photovoltaic Devices Based on Antimony Compound Semiconductors ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 515–45. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_16.
Texte intégralCrowder, J. G., S. D. Smith, A. Vass et J. Keddie. « Infrared Methods for Gas Detection ». Dans Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, 595–613. London : Springer London, 2006. http://dx.doi.org/10.1007/1-84628-209-8_18.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Infrared optoelectronics"
Li, Sheng S., Jerome T. Chu, Jiangchi Chiang, Jung H. Lee et Anjali Singh. « Broadband quantum well infrared photodetectors ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344551.
Texte intégralDupont, Emmanuel, Hui C. Liu, Margaret Buchanan, Zbigniew R. Wasilewski, Daniel St-Germain et Paul C. Chevrette. « Pixelless infrared imaging devices based on the integration of an n-type quantum well infrared photodetector with a near-infrared light-emitting diode ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344553.
Texte intégralQureshi, Jawad, et Kai Shum. « Ultrafast infrared-photon-induced optoelectronic switching ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Kong-Thon F. Tsen. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.349309.
Texte intégralKruck, Peter, Carlo Sirtori, Stefano Barbieri, Philippe Collot, Julien Nagle, Mattias Beck, Jerome Faist et Ursula Oesterle. « Mid-infrared GaAs/AlGaAs quantum cascade lasers ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Peter Blood, Akira Ishibashi et Marek Osinski. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.356945.
Texte intégralPresting, Hartmut, Johannes Konle, Markus Hepp, Horst Kibbel, Klaus Thonke, Rolf Sauer, Wolfgang A. Cabanski et Milan Jaros. « Mid-infrared silicon/germanium focal plane detector arrays ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Derek C. Houghton et Eugene A. Fitzgerald. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.342804.
Texte intégralOlesberg, Jonathon T., Michael E. Flatte, Bennett J. Brown, Tom C. Hasenberg, Scott A. Anson, Thomas F. Boggess et Christoph H. Grein. « Comparison of mid-infrared laser diode active regions ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Hong K. Choi et Peter S. Zory. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344541.
Texte intégralRogalski, Antoni, et Robert Ciupa. « InGaAs versus HgCdTe for short-wavelength infrared applications ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344570.
Texte intégralKeraenen, Kimmo, Martti Blomberg, Outi Rusanen, Pentti Karioja, Jussi Tenhunen, Harri K. Kopola et Ari Lehto. « Main characteristics of a miniaturized multipurpose infrared spectrometer ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Michael R. Feldman, James G. Grote et Mary K. Hibbs-Brenner. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.348309.
Texte intégralErshov, Maxim. « Generation-recombination noise in multiple quantum well infrared photodetectors ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344548.
Texte intégralMalik, Alexander I., Manuela Vieira, Miguel Fernandes, Filipe Macarico et Zinaida M. Grushka. « Near-infrared photodetectors based on a HgInTe-semiconductor compound ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344582.
Texte intégral