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Abouzaid, Oumaima, Hussein Mehdi, Mickael Martin, Jérémy Moeyaert, Bassem Salem, Sylvain David, Abdelkader Souifi et al. « O-Band Emitting InAs Quantum Dots Grown by MOCVD on a 300 mm Ge-Buffered Si (001) Substrate ». Nanomaterials 10, no 12 (7 décembre 2020) : 2450. http://dx.doi.org/10.3390/nano10122450.
Texte intégralLi, Yuan-He, Zhi-Yao Zhuo, Jian Wang, Jun-Hui Huang, Shu-Lun Li, Hai-Qiao Ni, Zhi-Chuan Niu, Xiu-Ming Dou et Bao-Quan Sun. « Controlling exciton spontaneous emission of quantum dots by Au nanoparticles ». Acta Physica Sinica 71, no 6 (2022) : 067804. http://dx.doi.org/10.7498/aps.71.20211863.
Texte intégralYamamoto, N., K. Akahane, S. Gozu et Noboru Ohtani. « Growth of InAs Quantum Dots on a Low Lattice-Mismatched AlGaSb Layer Prepared on GaAs (001) Substrates ». Solid State Phenomena 99-100 (juillet 2004) : 49–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.99-100.49.
Texte intégralSaravanan, S. « Stacking of InAs QDs with Different Spacer Layer Thickness on GaAs Substrate by Molecular Beam Epitaxy ». Advanced Science Letters 24, no 8 (1 août 2018) : 5574–77. http://dx.doi.org/10.1166/asl.2018.12152.
Texte intégralYao, Jian Ming, Ling Min Kong et Shi Lai Wang. « Effects of a InGaAs Strained Layer on Structures and Photoluminescence Characteristics of InAs Quantum Dots ». Advanced Materials Research 148-149 (octobre 2010) : 897–902. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.148-149.897.
Texte intégralMehta, M., D. Reuter, M. Kamruddin, A. K. Tyagi et A. D. Wieck. « Influence of Post-Implantation Annealing Parameters on the Focused Ion Beam Directed Nucleation of InAs Quantum Dots ». Nano 10, no 04 (juin 2015) : 1550049. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292015500496.
Texte intégralVolkova, N. S., A. P. Gorshkov, L. A. Istomin, A. V. Zdoroveyshchev et S. Levichev. « Diagnostic of the Bimodal Distribution of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of a Simple Nondestructive Method Based on the Photoelectrical Spectroscopy ». Nano 11, no 10 (29 septembre 2016) : 1650109. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292016501095.
Texte intégralSchramboeck, M., A. M. Andrews, P. Klang, W. Schrenk, G. Hesser, F. Schäffler et G. Strasser. « InAs/AlGaAs QDs for intersubband devices ». Superlattices and Microstructures 44, no 4-5 (octobre 2008) : 411–15. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2007.10.010.
Texte intégralKim, Eui Tae, et Anupam Madhukar. « Growth Kinetics and Formation of Uniform Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots at ». Solid State Phenomena 124-126 (juin 2007) : 539–42. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.124-126.539.
Texte intégralLi, Zhan Guo, Ming Hui You, Guo Jun Liu, Xin Gao, Lin Li, Zhi Peng Wei, Mei Li, Yong Wang, Xiao Hua Wang et Lian He Li. « Low-Density InAs Quantum Dots Growth by Molecular Beam Epitaxy ». Advanced Materials Research 442 (janvier 2012) : 12–15. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.442.12.
Texte intégralAlshehri, Khairiah, Abdelmajid Salhi, Niyaz Ahamad Madhar et Bouraoui Ilahi. « Size and Shape Evolution of GaAsSb-Capped InAs/GaAs Quantum Dots : Dependence on the Sb Content ». Crystals 9, no 10 (15 octobre 2019) : 530. http://dx.doi.org/10.3390/cryst9100530.
Texte intégralRakhlin, M. V., K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov et A. A. Toropov. « Red single-photon emission from InAs/AlGaAs quantum dots ». Физика и техника полупроводников 52, no 4 (2018) : 480. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.04.45829.18.
Texte intégralРахлин, М. В., К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. С. Мухин, С. В. Иванов et А. А. Торопов. « Однофотонное излучение квантовых точек InAs/AlGaAs ». Физика твердого тела 60, no 4 (2018) : 687. http://dx.doi.org/10.21883/ftt.2018.04.45675.310.
Texte intégralHuang, Xiaoying, Rongbin Su, Jiawei Yang, Mujie Rao, Jin Liu, Ying Yu et Siyuan Yu. « Wafer-Scale Epitaxial Low Density InAs/GaAs Quantum Dot for Single Photon Emitter in Three-Inch Substrate ». Nanomaterials 11, no 4 (6 avril 2021) : 930. http://dx.doi.org/10.3390/nano11040930.
Texte intégralRuiz, Nazaret, Daniel Fernandez, Esperanza Luna, Lazar Stanojević, Teresa Ben, Sara Flores, Verónica Braza et al. « Tailoring of AlAs/InAs/GaAs QDs Nanostructures via Capping Growth Rate ». Nanomaterials 12, no 14 (21 juillet 2022) : 2504. http://dx.doi.org/10.3390/nano12142504.
Texte intégralKim, Hyung Seok, Ju Hyung Suh, Chan Gyung Park, Sang Jun Lee, Sam Kyu Noh, Jin Dong Song, Yong Ju Park, Won Jun Choi et Jung Il Lee. « Microstructures and Growth Characteristics of Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots Investigated by Transmission Electron Microscopy ». Advanced Materials Research 26-28 (octobre 2007) : 1207–10. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.26-28.1207.
Texte intégralFANG, ZHIDAN, ZHENG GONG, ZHENHUA MIAO et ZHICHUAN NIU. « TUNING OF EMISSION WAVELENGTH OF InAs/GaAs QUANTUM DOTS SANDWICHED BY COMBINATION LAYERS ». International Journal of Nanoscience 05, no 06 (décembre 2006) : 847–52. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x0600525x.
Texte intégralNowozin, Tobias, Michael Narodovitch, Leo Bonato, Dieter Bimberg, Mohammed N. Ajour, Khaled Daqrouq et Abdullah Balamash. « Room-Temperature Hysteresis in a Hole-Based Quantum Dot Memory Structure ». Journal of Nanotechnology 2013 (2013) : 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2013/797964.
Texte intégralSuraprapapich, S., S. Thainoi, S. Kanjanachuchai et S. Panyakeow. « Self-Assembled InAs Lateral Quantum Dot Molecules Growth on (001) GaAs by Thin-Capping-and-Regrowth MBE Technique ». Solid State Phenomena 121-123 (mars 2007) : 395–400. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.121-123.395.
Texte intégralKuznetsova, Y. A., F. B. Bayramov, V. V. Toporov, B. H. Bairamov, V. Yu Rud et A. P. Glinushkin. « Recombination radiation of heteroepitaxial structures with InAs quantum dots grown on surface of (311)B GaAs by MBE ». IOP Conference Series : Earth and Environmental Science 1096, no 1 (1 octobre 2022) : 012032. http://dx.doi.org/10.1088/1755-1315/1096/1/012032.
Texte intégralSánchez Trujillo, Diego Javier, Jhon Jairo Prías Barragán, Hernando Ariza Calderón, Álvaro Orlando Pulzara Mora et Máximo López López. « Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots ». Superficies y Vacío 30, no 4 (15 décembre 2017) : 56–60. http://dx.doi.org/10.47566/2017_syv30_1-040056.
Texte intégralBochorishvili, Beka, et Hariton M. Polatoglou. « Interacting Double InAs/GaAs Quantum Dots of Cylindrical Symmetry ». Journal of Nano Research 10 (avril 2010) : 87–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/jnanor.10.87.
Texte intégralOshima, Jin, Nobuhiko Ozaki, Hisaya Oda, Eiichiro Watanabe, Hirotaka Ohsato, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto et Richard A. Hogg. « Near-infrared dual-wavelength surface-emitting light source using InAs quantum dots resonant with vertical cavity modes ». Japanese Journal of Applied Physics 61, SD (24 mars 2022) : SD1003. http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ac5b24.
Texte intégralJanney, Eathan, et Guillermo Muñoz-Matutano. « Interactive Musical Display of Quantum Dot Emission Spectra ». Leonardo 49, no 5 (octobre 2016) : 440–41. http://dx.doi.org/10.1162/leon_a_01293.
Texte intégralYang, B., et E. Pan. « Elastic Fields of Quantum Dots in Multilayered Semiconductors : A Novel Green’s Function Approach ». Journal of Applied Mechanics 70, no 2 (1 mars 2003) : 161–68. http://dx.doi.org/10.1115/1.1544540.
Texte intégralZhou, G. Y., Y. H. Chen, X. L. Zhou, B. Xu, X. L. Ye et Z. G. Wang. « Different growth mechanisms of bimodal InAs/GaAs QDs ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 43, no 1 (novembre 2010) : 308–11. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2010.08.001.
Texte intégralJia, Guo-zhi, Jiang-hong Yao, Yong-chun Shu, Xiao-dong Xing et Biao Pi. « Quantum rings formed in InAs QDs annealing process ». Applied Surface Science 255, no 8 (février 2009) : 4452–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.11.042.
Texte intégralWang, Kun, Qiang He, Deren Yang et Xiaodong Pi. « Highly Efficient Energy Transfer from Silicon to Erbium in Erbium-Hyperdoped Silicon Quantum Dots ». Nanomaterials 13, no 2 (9 janvier 2023) : 277. http://dx.doi.org/10.3390/nano13020277.
Texte intégralLIN, Y. G., C. H. WU, S. L. TYAN, S. D. LIN et C. P. LEE. « PHOTOLUMINESCENCE OF ULTRA SMALL InAs/GaAs QUANTUM DOTS ». Modern Physics Letters B 19, no 18 (10 août 2005) : 907–17. http://dx.doi.org/10.1142/s021798490500892x.
Texte intégralIslam, Sk Masiul, et P. Banerji. « Size effect of InAs quantum dots grown by metal organic chemical vapor deposition technique in storing electrical charges for memory applications ». RSC Advances 5, no 9 (2015) : 6906–11. http://dx.doi.org/10.1039/c4ra13317j.
Texte intégralLiu, Guang Yan, et Wen Cai Wang. « Growth and Characterization of InAs Quantum Dots on GaAsSb ». Applied Mechanics and Materials 184-185 (juin 2012) : 1001–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.184-185.1001.
Texte intégralHolewa, Paweł, Jakub Jasiński, Artem Shikin, Elizaveta Lebedkina, Aleksander Maryński, Marcin Syperek et Elizaveta Semenova. « Optical Properties of Site-Selectively Grown InAs/InP Quantum Dots with Predefined Positioning by Block Copolymer Lithography ». Materials 14, no 2 (14 janvier 2021) : 391. http://dx.doi.org/10.3390/ma14020391.
Texte intégralBoonpeng, P., S. Panyakeow et S. Ratanathammaphan. « In–Mole-Fraction and Thickness of Ultra-Thin InGaAs Insertion Layers Effects on the Structural and Optical Properties of InAs Quantum Dots ». Advanced Materials Research 31 (novembre 2007) : 132–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.132.
Texte intégralKRYZHANOVSKAYA, N. V., A. G. GLADYSHEV, S. A. BLOKHIN, A. P. VASIL'EV, E. S. SEMENOVA, A. E. ZHUKOV, M. V. MAXIMOV et al. « HIGH TEMPERATURE STABILITY OF OPTICAL PROPERTIES OF InAs QUANTUM DOTS REALIZED BY CONTROLLING OF QUANTUM DOTS ELECTRONIC SPECTRUM ». International Journal of Nanoscience 06, no 03n04 (juin 2007) : 283–86. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x07004742.
Texte intégralIlahi, Bouraoui, Manel Souaf, Mourad Baira, Jawaher Alrashdi, Larbi Sfaxi, Abdulaziz Alhazaa et Hassen Maaref. « Evolution of InAs/GaAs QDs Size with the Growth Rate : A Numerical Investigation ». Journal of Nanomaterials 2015 (2015) : 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2015/847018.
Texte intégralQiu, Zheng Rong, et Hong Yu. « Optical Properties of Silicon Quantum Dots ». Key Engineering Materials 483 (juin 2011) : 760–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.483.760.
Texte intégralTanaka, Motoyuki, Keichiro Banba, Tomah Sogabe et Koichi Yamaguchi. « InAs/GaAsSb in-plane ultrahigh-density quantum dot lasers ». Applied Physics Express 14, no 12 (22 novembre 2021) : 124002. http://dx.doi.org/10.35848/1882-0786/ac3542.
Texte intégralYin, Zong You, Xiao Hong Tang, Ji Xuan Zhang, Deny Sentosa, Jing Hua Teng, An Yan Du et Mee Koy Chin. « Morphology and Crystal Quality of InAs QDs Grown by MOVPE Using Different Growth Modes ». Advanced Materials Research 31 (novembre 2007) : 17–19. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.31.17.
Texte intégralSala, Elisa M., Max Godsland, Young In Na, Aristotelis Trapalis et Jon Heffernan. « Droplet epitaxy of InAs/InP quantum dots via MOVPE by using an InGaAs interlayer ». Nanotechnology 33, no 6 (19 novembre 2021) : 065601. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac3617.
Texte intégralLe, Thu-Huong, Dang Thi Thanh Le et Nguyen Van Tung. « Synthesis of Colloidal Silicon Quantum Dot from Rice Husk Ash ». Journal of Chemistry 2021 (2 mars 2021) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2021/6689590.
Texte intégralShang, Xiangjun, Hanqing Liu, Xiangbin Su, Shulun Li, Huiming Hao, Deyan Dai, Zesheng Chen, Haiqiao Ni et Zhichuan Niu. « Light Hole Excitons in Strain-Coupled Bilayer Quantum Dots with Small Fine-Structure Splitting ». Crystals 12, no 8 (10 août 2022) : 1116. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12081116.
Texte intégralСеменов, M. Б., В. Д. Кревчик, Д. O. Филатов, A. В. Шорохов, A. П. Шкуринов, И. А. Ожередов, П. В. Кревчик et al. « Диссипативное туннелирование электронов в вертикально связанных двойных асимметричных квантовых точках InAs/GaAs(001) ». Журнал технической физики 91, no 10 (2021) : 1431. http://dx.doi.org/10.21883/jtf.2021.10.51354.66-21.
Texte intégralWang, Tong, Tim J. Puchtler, Saroj K. Patra, Tongtong Zhu, Muhammad Ali, Tom J. Badcock, Tao Ding, Rachel A. Oliver, Stefan Schulz et Robert A. Taylor. « Direct generation of linearly polarized single photons with a deterministic axis in quantum dots ». Nanophotonics 6, no 5 (21 juillet 2017) : 1175–83. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2017-0027.
Texte intégralIkeri, H. I., A. I. Onyia et F. N. Kalu. « Hot carrier exploitation strategies and model for efficient solar cell applications ». Chalcogenide Letters 18, no 11 (novembre 2021) : 745–57. http://dx.doi.org/10.15251/cl.2021.1811.745.
Texte intégralShi, G. X., Bo Xu, P. Jin, X. L. Ye, C. X. Cui, C. L. Zhang, J. Wu et Z. G. Wang. « The Structural and Photoluminescence Character of InAs Quantum Dots Grown on a Combined InAlAs and GaAs Strained Buffer Layer ». Materials Science Forum 475-479 (janvier 2005) : 1791–94. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.475-479.1791.
Texte intégralLiu, Jian Qing, Yong Hai Chen, Bo Xu et Zhan Guo Wang. « Growth of InAs Quantum Wires with Ga-Assisted Deoxidation on Cleaved-Edge GaAs (110) Surface ». Advanced Materials Research 341-342 (septembre 2011) : 73–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.341-342.73.
Texte intégralSTIFF-ROBERTS, ADRIENNE D. « HYBRID NANOMATERIALS FOR MULTI-SPECTRAL INFRARED PHOTODETECTION ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 17, no 01 (mars 2007) : 165–72. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156407004382.
Texte intégralChatzarakis, N. G., E. A. Amargianitakis, S. Germanis, A. Stavrinidis, G. Konstantinidis, Z. Hatzopoulos et N. T. Pelekanos. « Redshifted biexciton and trion lines in strongly confined (211)B InAs/GaAs piezoelectric quantum dots ». Journal of Applied Physics 131, no 12 (28 mars 2022) : 123101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0084931.
Texte intégralHansen, L., A. Ankudinov, F. Bensing, J. Wagner, G. Ade, P. Hinze, V. Wagner, J. Geurts et A. Waag. « Growth and Characterization of Inas Quantum Dots on Silicon ». MRS Proceedings 583 (1999). http://dx.doi.org/10.1557/proc-583-33.
Texte intégralHolewa, Paweł, Shima Kadkhodazadeh, Michał Gawełczyk, Paweł Baluta, Anna Musiał, Vladimir G. Dubrovskii, Marcin Syperek et Elizaveta Semenova. « Droplet epitaxy symmetric InAs/InP quantum dots for quantum emission in the third telecom window : morphology, optical and electronic properties ». Nanophotonics, 28 janvier 2022. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2021-0482.
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