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Texte intégralZhang, John H., Stan Tsai, Charan Surisetty, Jody Fronheiser, Shariq Siddiqui, Steven Bentley, Raghuveer Patlolla, Donald F. Canaperi, Walter Kleemeier et Cathy Labelle. « CMP Challenges for Advanced Technology Nodes beyond Si ». MRS Advances 2, no 51 (2017) : 2891–902. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.339.
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Texte intégralLiliental-Weber, Z., M. Li, G. S. Li, C. Chang-Hasnain et E. R. Weber. « Structure of III-V oxides ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 54 (11 août 1996) : 942–43. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100167172.
Texte intégralThakur, R. P. S., R. Singh, A. J. Nelson et A. B. Swartzlander. « Role ofinsiturapid isothermal processing in advanced III‐V technology ». Journal of Applied Physics 70, no 7 (octobre 1991) : 3857–61. http://dx.doi.org/10.1063/1.349191.
Texte intégralPearton, S. J., F. Ren, S. N. G. Chu, W. S. Hobson, C. R. Abernathy, T. R. Fullowan, J. R. Lothian, R. G. Elliman, D. C. Jacobson et J. M. Poate. « Applications of ion implantation in III–V device technology ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B : Beam Interactions with Materials and Atoms 79, no 1-4 (juin 1993) : 648–50. http://dx.doi.org/10.1016/0168-583x(93)95434-7.
Texte intégralDutta, P. S. « III–V Ternary bulk substrate growth technology : a review ». Journal of Crystal Growth 275, no 1-2 (février 2005) : 106–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.10.073.
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Texte intégralShahrjerdi, D., S. W. Bedell, B. Hekmatshoar, C. Bayram et D. Sadana. « (Invited) New Paradigms for Cost-Effective III-V Photovoltaic Technology ». ECS Transactions 50, no 40 (1 avril 2013) : 15–22. http://dx.doi.org/10.1149/05040.0015ecst.
Texte intégralVitanov, P., M. Milanova, E. Goranova, Ch Dikov, Pl Ivanov et V. Bakardjieva. « Solar cell technology on the base of III–V heterostructures ». Journal of Physics : Conference Series 253 (1 novembre 2010) : 012044. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/253/1/012044.
Texte intégralHashimoto, H., et E. Miyauchi. « Finely focused ion beam technology in III-V compound semiconductors ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B : Beam Interactions with Materials and Atoms 19-20 (janvier 1987) : 381–87. http://dx.doi.org/10.1016/s0168-583x(87)80075-7.
Texte intégralAlles, David S., et Kevin J. Brady. « Packaging Technology for III-V Photonic Devices and Integrated Circuits ». AT&T Technical Journal 68, no 1 (2 janvier 1989) : 83–92. http://dx.doi.org/10.1002/j.1538-7305.1989.tb00648.x.
Texte intégralThadathil, George. « Editorial : Technology and Evolving Social Spaces ». SALESIAN JOURNAL OF HUMANITIES & ; SOCIAL SCIENCES 4, no 1 (1 mai 2013) : v—iii. http://dx.doi.org/10.51818/sjhss.04.2013.v-iii.
Texte intégralPacella, Nan Y., Kunal Mukherjee, Mayank T. Bulsara et Eugene A. Fitzgerald. « Silicon CMOS Ohmic Contact Technology for Contacting III-V Compound Materials ». ECS Journal of Solid State Science and Technology 2, no 7 (2013) : P324—P331. http://dx.doi.org/10.1149/2.015307jss.
Texte intégralNISHIYAMA, Nobuhiko. « Low-Temperature Direct Bonding Technology for III-V/Si Heterogeneous Integration ». Review of Laser Engineering 48, no 10 (2020) : 520. http://dx.doi.org/10.2184/lsj.48.10_520.
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Texte intégralQuay, Ruediger, Arnulf Leuther, Sebastien Chartier, Laurenz John et Axel Tessmann. « (Invited) III-V Integration on Silicon for Resource-Efficient Sensor-Technology ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 33 (28 août 2023) : 1853. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01331853mtgabs.
Texte intégralQuay, Ruediger, Arnulf Leuther, Sebastien Chartier, Laurenz John et Axel Tessmann. « (Invited) III-V Integration on Silicon for Resource-Efficient Sensor-Technology ». ECS Transactions 111, no 1 (19 mai 2023) : 117–22. http://dx.doi.org/10.1149/11101.0117ecst.
Texte intégralPEARTON, S. J. « REACTIVE ION ETCHING OF III–V SEMICONDUCTORS ». International Journal of Modern Physics B 08, no 14 (30 juin 1994) : 1781–876. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979294000762.
Texte intégralMcMORROW, DALE, JOSEPH S. MELINGER et ALVIN R. KNUDSON. « SINGLE-EVENT EFFECTS IN III-V SEMICONDUCTOR ELECTRONICS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, no 02 (juin 2004) : 311–25. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002375.
Texte intégralJi, Chunnuan, Rongjun Qu, Qinghua Tang, Xiguang Liu, Hou Chen, Changmei Sun et Peng Yin. « Removal of trace As(V) from aqueous solution by Fe(III)-loaded porous amidoximated polyacrylonitrile ». Water Supply 16, no 6 (18 mai 2016) : 1603–13. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.085.
Texte intégralXi, Jianhong, et Mengchang He. « Removal of Sb(III) and Sb(V) from aqueous media by goethite ». Water Quality Research Journal 48, no 3 (1 août 2013) : 223–31. http://dx.doi.org/10.2166/wqrjc.2013.030.
Texte intégralNayak, Bishwajit, Md Amir Hossain, Mrinal Kumar Sengupta, Saad Ahamed, Bhaskar Das, Arup Pal et Amitava Mukherjee. « Adsorption Studies with Arsenic onto Ferric Hydroxide Gel in a Non-oxidizing Environment : the Effect of Co-occurring Solutes and Speciation ». Water Quality Research Journal 41, no 3 (1 août 2006) : 333–40. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.037.
Texte intégralWEAVER, B. D., DALE McMORROW et L. M. COHN. « RADIATION EFFECTS IN III-V SEMICONDUCTOR ELECTRONICS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 13, no 01 (mars 2003) : 293–326. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156403001624.
Texte intégralBarnett, Joel, Richard Hill et Prashant Majhi. « Achieving Ultra-Shallow Junctions in Future CMOS Devices by a Wet Processing Technique ». Solid State Phenomena 187 (avril 2012) : 33–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.187.33.
Texte intégralSingh, Jay, C. L. Maurya, Rishabh Gupta, Sunil Kumar, Shivam Chaturvedi, Ajay Pratap Singh et Dhruvendra Singh Sachan. « Genetic Divergence Analysis of Wheat (Triticum aestivum L.) Genotypes ». Journal of Experimental Agriculture International 46, no 5 (21 mars 2024) : 287–92. http://dx.doi.org/10.9734/jeai/2024/v46i52377.
Texte intégralYan, Zhao, et Qiang Li. « Recent progress in epitaxial growth of dislocation tolerant and dislocation free III–V lasers on silicon ». Journal of Physics D : Applied Physics 57, no 21 (29 février 2024) : 213001. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ad26cd.
Texte intégralJi, Chunnuan, Suwen Sun, Shenghua Chi, Rongjun Qu, Changmei Sun et Peng Yin. « Arsenic adsorption using Fe(III)-loaded porous amidoximated acrylonitrile/itaconic copolymers ». Water Supply 17, no 3 (11 octobre 2016) : 698–706. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2016.148.
Texte intégralGao, Luyao, Mengna Hao, Fanling Bu, Chunnuan Ji, Rongjun Qu, Changmei Sun et Ying Zhang. « As(III) removal by Fe(III)-amidoximated PAN in the presence of H2O2 through simultaneous oxidation and adsorption ». Water Supply 20, no 2 (30 décembre 2019) : 565–73. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2019.201.
Texte intégralLiu, G. J., X. R. Zhang, J. Jain, J. W. Talley et C. R. Neal. « Stability of inorganic arsenic species in simulated raw waters with the presence of NOM ». Water Supply 6, no 6 (1 décembre 2006) : 175–82. http://dx.doi.org/10.2166/ws.2006.954.
Texte intégralGhosh, Uday Chand, Durjoy Bandyopadhyay, Biswaranjan Manna et Manik Mandal. « Hydrous Iron(III)-Tin(IV) Binary Mixed Oxide : Arsenic Adsorption Behaviour from Aqueous Solution ». Water Quality Research Journal 41, no 2 (1 mai 2006) : 198–209. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.023.
Texte intégralHiraki, Tatsurou, Takuma Aihara, Koji Takeda, Takuro Fujii, Takaaki Kakitsuka, Tai Tsuchizawa, Hiroshi Fukuda et Shinji Matsuo. « III–V/Si integration technology for laser diodes and Mach–Zehnder modulators ». Japanese Journal of Applied Physics 58, SB (27 mars 2019) : SB0803. http://dx.doi.org/10.7567/1347-4065/ab0741.
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Texte intégralSri sukmawati, Ni made, I. made Citra wibawa et Putu Aditya antara. « Pengaruh Model Pembelajaran Science Environment Technology Society Terhadap Hasil Belajar Ilmu Pengetahuan Alam ». Jurnal Ilmiah Sekolah Dasar 2, no 3 (28 novembre 2018) : 329. http://dx.doi.org/10.23887/jisd.v2i3.16149.
Texte intégralSingh, Tony Sarvinder, et Kamal K. Pant. « Kinetics and Mass Transfer Studies on the Adsorption of Arsenic onto Activated Alumina and Iron Oxide Impregnated Activated Alumina ». Water Quality Research Journal 41, no 2 (1 mai 2006) : 147–56. http://dx.doi.org/10.2166/wqrj.2006.017.
Texte intégralChang, Y. Y., K. S. Kim, J. H. Jung, J. K. Yang et S. M. Lee. « Application of iron-coated sand and manganese-coated sand on the treatment of both As(III) and As(V) ». Water Science and Technology 55, no 1-2 (1 janvier 2007) : 69–75. http://dx.doi.org/10.2166/wst.2007.029.
Texte intégralYamaguchi, Masafumi, Frank Dimroth, Nicholas J. Ekins-Daukes, Nobuaki Kojima et Yoshio Ohshita. « Overview and loss analysis of III–V single-junction and multi-junction solar cells ». EPJ Photovoltaics 13 (2022) : 22. http://dx.doi.org/10.1051/epjpv/2022020.
Texte intégralHorng, Ray-Hua, Ming-Chun Tseng et Shui-Yang Lien. « Reliability Analysis of III-V Solar Cells Grown on Recycled GaAs Substrates and an Electroplated Nickel Substrate ». International Journal of Photoenergy 2013 (2013) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2013/108696.
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