Livres sur le sujet « III-V technology »
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Ayşe, Erol, dir. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems : Physics and technology. Berlin : Springer, 2008.
Trouver le texte intégralErol, Ayşe. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems : Physics and technology. Berlin : Springer, 2008.
Trouver le texte intégralAyşe, Erol, dir. Dilute III-V nitride semiconductors and material systems : Physics and technology. Berlin : Springer, 2008.
Trouver le texte intégralLi, Tingkai, Michael A. Mastro et Armin Dadgar. III-V compound semiconductors : Integration with silicon-based microelectronics. Boca Raton : Taylor & Francis, 2010.
Trouver le texte intégralConference on Semi-insulating III-V Materials (5th 1988 Malmö, Sweden). Semi-insulating III-V materials : Malmö, 1988 : proceedings of the 5th Conference on Semi-insulating III-V Materials held in Malmö, Sweden, 1-3 June 1988. Bristol, England : A. Hilger, 1988.
Trouver le texte intégralEkaterinburg, Russia) Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar "Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v. upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti" (3rd 2001. Intellektualʹnye informat︠s︡ionnye tekhnologii v upravlencheskoĭ dei︠a︡telʹnosti : III Mezhdunarodnyĭ nauchno-prakticheskiĭ seminar, 23-24 i︠a︡nvari︠a︡ 2001 g. : materialy. Ekaterinburg : Uralʹskiĭ gos. tekhn. universitet, 2001.
Trouver le texte intégralMezhdunarodnai︠a︡, nauchnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Chelovek kulʹtura i. obshchestvo v. kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira" (3rd 2004 Moscow Russia). Chelovek, kulʹtura i obshchestvo v kontekste globalizat︠s︡ii sovremennogo mira : Ėlektronnai︠a︡ kulʹtura i novye gumanitarnye tekhnologii XXI veka : materialy III Mezhdunarodnoĭ nauchnoĭ konferent︠s︡ii. Moskva : Izd-vo "Nezavisimyĭ in-t grazhdanskogo ob-va", 2004.
Trouver le texte intégralSoldatkina, I͡A V., et Elena I͡Urʹevna Lazareva. Mediĭnye prot︠s︡essy v sovremennom gumanitarnom prostranstve : Podkhody k izuchenii︠u︡, ėvoli︠u︡t︠s︡ii︠a︡, perspektivy : materialy III nauchno-prakticheskoĭ konferent︠s︡ii. Moskva : MPGU, 2017.
Trouver le texte intégralBelarus) Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ "Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii" (3nd 2006 Minsk. Informat︠s︡ionnye sistemy i tekhnologii (IST'2006) : Tretʹi︠a︡ Mezhdunarodnai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ (Minsk, 1--3 noi︠a︡bri︠a︡ 2006 g.) : materialy : v 2 chasti︠a︡kh = Information systems and technologies (IST'2006) : proceedings of the III International conference (Minsk, November 1--3, 2006) In two parts. Minsk : Akademii︠a︡ upravlenii︠a︡ pri Prezidente Respubliki Belarusʹ, 2006.
Trouver le texte intégralUnited States. National Aeronautics and Space Administration., dir. Growth and characterization of binary and pseudo-binary III-V compounds exhibiting non-linear optical behavior and undergraduate research opportunities in microgravity science and technology. [Washington, DC : National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Trouver le texte intégralConference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors (2nd 1986 Budapest, Hungary). Gallium arsenide : Proceedings of the Second Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, held in Budapest, Hungary, September 8-11, 1986. Sous la direction de Lendvay E et Magyar Tudományos Akadémia. [Aedermannsdorf], Switzerland : Trans Tech Publications, 1987.
Trouver le texte intégralProst, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-60786-8.
Texte intégralTiku, Shiban, et Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Trouver le texte intégralTiku, Shiban, et Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Taylor & Francis Group, 2016.
Trouver le texte intégralTiku, Shiban, et Dhrubes Biswas. III-V Integrated Circuit Fabrication Technology. Jenny Stanford Publishing, 2016.
Trouver le texte intégralLi, Tingkai, Armin Dadgar et Michael Mastro. III V Compound Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2011.
Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2021.
Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Multinary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Trouver le texte intégralProperties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors. New York : John Wiley & Sons, Ltd., 2005.
Trouver le texte intégralErol, Ayse. Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems : Physics and Technology. Springer, 2010.
Trouver le texte intégralNirmal, D., et J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2020.
Trouver le texte intégralNirmal, D., et J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Trouver le texte intégralNirmal, D., et J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Trouver le texte intégralNirmal, D., et J. Ajayan. Handbook for III-V High Electron Mobility Transistor Technologies. Taylor & Francis Group, 2019.
Trouver le texte intégralLi, Tingkai, Armin Dadgar et Michael Mastro. III-V Compound Semiconductors : Integration with Silicon-Based Microelectronics. Taylor & Francis Group, 2016.
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Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
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Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
Trouver le texte intégralTomashyk, Vasyl. Quaternary Alloys Based on III-V Semiconductors. Taylor & Francis Group, 2018.
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Trouver le texte intégralMadelung, Otfried. Semiconductors : Group IV Elements and Iii-V Compounds (Data in Science and Technology). Springer-Verlag, 1991.
Trouver le texte intégralGrossman. Semi-insulating III-V Materials, Malmo 1988, Proceedings of the 5th Conference on Semi-insulating III-V Materials, Malmo, Sweden, 1-3 June 1988. Taylor & Francis, 1988.
Trouver le texte intégralMadelung, Otfried. Semiconductors : Others Than Group IV Elements and Iii-V Compounds (Data in Science and Technology). Springer, 1992.
Trouver le texte intégralHeime, Klaus. Indium Gallium Arsenide Field-effect Transistors (Electronic & Electrical Engineering Research Studies - III-V Compound Technology Series). Research Studies Press, 1989.
Trouver le texte intégralRössler, U., et W. von der Osten. Intrinsic Properties of Group IV Elements and III-V, II-VI and I-VII Compounds / Intrinsische Eigenschaften von Elementen der IV. Gruppe und von III-V-, ... Relationships in Science & Technology). Springer, 1986.
Trouver le texte intégralPearton, S. J., C. R. Abernathy et F. Ren. Topics in Growth and Device Processing of Iii-V Semiconductors (International Series on Advances in Solid State Electronics and Technology). World Scientific Publishing Company, 1996.
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Trouver le texte intégralGrowth and characterization of binary and pseudo-binary III-V compounds exhibiting non-linear optical behavior and undergraduate research opportunities in microgravity science and technology. [Washington, DC : National Aeronautics and Space Administration, 1992.
Trouver le texte intégralHepp, A. F. Covalent Ceramics III : Science and Technology of Non-Oxides : Symposium Held November 27-29, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A (Materials Research Society Symposia Proceedings, V. 410.). Materials Research Society, 1996.
Trouver le texte intégralConference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors (2nd 1986 Budapest, Hungary). Gallium arsenide : Proceedings of the second conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, held in Budapest, Hungary, September 8-11, 1986. Sous la direction de Lendvay E et Magyar Tudoma nyos Akade mia. Switzerland ; Distributed in North America by Trans Tech Publications, Brookfield, VT, 1987.
Trouver le texte intégralBrownsword, Roger, Eloise Scotford et Karen Yeung, dir. The Oxford Handbook of Law, Regulation and Technology. Oxford University Press, 2016. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199680832.001.0001.
Texte intégralTechnologie der III/V-Halbleiter : III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1997.
Trouver le texte intégralProst, Werner. Technologie der III/V-Halbleiter. III/V-Heterostrukturen und elektronische Höchstfrequenz-Bauelemente. Springer Verlag, 1997.
Trouver le texte intégralSolymar, L., D. Walsh et R. R. A. Syms. Semiconductors. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198829942.003.0008.
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