Articles de revues sur le sujet « III-NITRIDE DEVICE »
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Jamal-Eddine, Zane, Yuewei Zhang et Siddharth Rajan. « Recent Progress in III-Nitride Tunnel Junction-Based Optoelectronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940012. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400123.
Texte intégralMuthuraj, Vineeta R., Caroline E. Reilly, Thomas Mates, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars et Stacia Keller. « Properties of high to ultrahigh Si-doped GaN grown at 550 °C by flow modulated metalorganic chemical vapor deposition ». Applied Physics Letters 122, no 14 (3 avril 2023) : 142103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0142941.
Texte intégralHangleiter, Andreas. « III–V Nitrides : A New Age for Optoelectronics ». MRS Bulletin 28, no 5 (mai 2003) : 350–53. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.99.
Texte intégralBaten, Md Zunaid, Shamiul Alam, Bejoy Sikder et Ahmedullah Aziz. « III-Nitride Light-Emitting Devices ». Photonics 8, no 10 (7 octobre 2021) : 430. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8100430.
Texte intégralFu, Wai Yuen, et Hoi Wai Choi. « Progress and prospects of III-nitride optoelectronic devices adopting lift-off processes ». Journal of Applied Physics 132, no 6 (14 août 2022) : 060903. http://dx.doi.org/10.1063/5.0089750.
Texte intégralZolper, J. C., et R. J. Shul. « Implantation and Dry Etching of Group-III-Nitride Semiconductors ». MRS Bulletin 22, no 2 (février 1997) : 36–43. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400032553.
Texte intégralFu, Houqiang. « (Invited) III-Oxide/III-Nitride Heterostructures for Power Electronics and Optoelectronics Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 34 (9 octobre 2022) : 1243. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341243mtgabs.
Texte intégralZhang, Shuai, Bingcheng Zhu, Zheng Shi, Jialei Yuan, Yuan Jiang, Xiangfei Shen, Wei Cai, Yongchao Yang et Yongjin Wang. « Spatial signal correlation from an III-nitride synaptic device ». Superlattices and Microstructures 110 (octobre 2017) : 296–304. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2017.08.028.
Texte intégralGaevski, Mikhail, Jianyu Deng, Grigory Simin et Remis Gaska. « 500 °C operation of AlGaN/GaN and AlInN/GaN Integrated Circuits ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000084–89. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-tp16.
Texte intégralIslam, Md Sherajul, Md Arafat Hossain, Sakib Mohammed Muhtadi et Ashraful G. Bhuiyan. « Transport Properties of Insulated Gate AlInN/InN Heterojunction Field Effect Transistor ». Advanced Materials Research 403-408 (novembre 2011) : 64–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.403-408.64.
Texte intégralJoglekar, Sameer, Mohamed Azize et Tomás Palacios. « Reactive sputtering of III-N materials for applications in electronic devices ». MRS Advances 1, no 2 (2016) : 141–46. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.38.
Texte intégralKhan, Asif, et Krishnan Balakrishnan. « Present Status of Deep UV Nitride Light Emitters ». Materials Science Forum 590 (août 2008) : 141–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.590.141.
Texte intégralJohnson, M. A. L., Zhonghai Yu, J. D. Brown, F. A. Koeck, N. A. El-Masry, H. S. Kong, J. A. Edmond, J. W. Cook et J. F. Schetzina. « A Critical Comparison Between MOVPE and MBE Growth of III-V Nitride Semiconductor Materials for Opto-Electronic Device Applications ». MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999) : 594–99. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003100.
Texte intégralFunato, Mitsuru, et Yoichi Kawakami. « Semipolar III Nitride Semiconductors : Crystal Growth, Device Fabrication, and Optical Anisotropy ». MRS Bulletin 34, no 5 (mai 2009) : 334–40. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2009.96.
Texte intégralZavada, J. M. « Revisiting Impurity Doping of III-Nitride Materials for Photonic Device Applications ». ECS Transactions 50, no 6 (15 mars 2013) : 253–59. http://dx.doi.org/10.1149/05006.0253ecst.
Texte intégralBrunner, F., J.-T. Zettler et M. Weyers. « Advanced in-situ control for III-nitride RF power device epitaxy ». Semiconductor Science and Technology 33, no 4 (26 mars 2018) : 045014. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/aab410.
Texte intégralRienzi, Vincent, Jordan Smith, Norleakvisoth Lim, Hsun-Ming Chang, Philip Chan, Matthew S. Wong, Michael J. Gordon, Steven P. DenBaars et Shuji Nakamura. « Demonstration of III-Nitride Red LEDs on Si Substrates via Strain-Relaxed Template by InGaN Decomposition Layer ». Crystals 12, no 8 (15 août 2022) : 1144. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12081144.
Texte intégralHite, Jennifer K. « A Review of Homoepitaxy of III-Nitride Semiconductors by Metal Organic Chemical Vapor Deposition and the Effects on Vertical Devices ». Crystals 13, no 3 (24 février 2023) : 387. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13030387.
Texte intégralLiu, Zhiyuan, Yi Lu et Xiaohang Li. « 53‐1 : Invited Paper : Enhanced Performance of III‐Nitride‐Based Light‐Emitting Diodes Through Novel Band Engineering and Fabrication Technology ». SID Symposium Digest of Technical Papers 54, no 1 (juin 2023) : 761–62. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.16672.
Texte intégralKhediri, Abdelkrim, Abbasia Talbi, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher et Ali Soltani. « Impact of III-Nitride/Si Interface Preconditioning on Breakdown Voltage in GaN-on-Silicon HEMT ». Micromachines 12, no 11 (21 octobre 2021) : 1284. http://dx.doi.org/10.3390/mi12111284.
Texte intégralFernández, Susana, Fernando B. Naranjo, Miguel Ángel Sánchez-García et Enrique Calleja. « III-Nitrides Resonant Cavity Photodetector Devices ». Materials 13, no 19 (5 octobre 2020) : 4428. http://dx.doi.org/10.3390/ma13194428.
Texte intégralChen, Qi, Yue Yin, Fang Ren, Meng Liang, Xiaoyan Yi et Zhiqiang Liu. « Van der Waals Epitaxy of III-Nitrides and Its Applications ». Materials 13, no 17 (31 août 2020) : 3835. http://dx.doi.org/10.3390/ma13173835.
Texte intégralKang, Jian-Bin, Qian Li et Mo Li. « Effects of material structure on device efficiency of III-nitride intersubband photodetectors ». Acta Physica Sinica 68, no 22 (2019) : 228501. http://dx.doi.org/10.7498/aps.68.20190722.
Texte intégralPurnamaningsih, Retno Wigajatri, Nyi Raden Poespawati et Elhadj Dogheche. « III-Nitride Semiconductors based Optical Power Splitter Device Design for underwater Application ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 8, no 5 (1 octobre 2018) : 3866. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v8i5.pp3866-3874.
Texte intégralBhouri, A., A. Ben Fredj, J. L. Lazzari et M. Said. « Band offset calculations applied to III–V nitride quantum well device engineering ». Superlattices and Microstructures 36, no 4-6 (octobre 2004) : 799–806. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2004.09.036.
Texte intégralZhao, Chao, Nasir Alfaraj, Ram Chandra Subedi, Jian Wei Liang, Abdullah A. Alatawi, Abdullah A. Alhamoud, Mohamed Ebaid, Mohd Sharizal Alias, Tien Khee Ng et Boon S. Ooi. « III-nitride nanowires on unconventional substrates : From materials to optoelectronic device applications ». Progress in Quantum Electronics 61 (septembre 2018) : 1–31. http://dx.doi.org/10.1016/j.pquantelec.2018.07.001.
Texte intégralJena, Debdeep, John Simon, Albert Kejia Wang, Yu Cao, Kevin Goodman, Jai Verma, Satyaki Ganguly et al. « Polarization-engineering in group III-nitride heterostructures : New opportunities for device design ». physica status solidi (a) 208, no 7 (8 juin 2011) : 1511–16. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201001189.
Texte intégralMasui, Hisashi, et Shuji Nakamura. « Nonpolar and Semipolar Orientations : Material Growth and Properties ». Materials Science Forum 590 (août 2008) : 211–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.590.211.
Texte intégralWong, Matthew S., Philip Chan, Norleakvisoth Lim, Haojun Zhang, Ryan C. White, James S. Speck, Steven P. Denbaars et Shuji Nakamura. « Low Forward Voltage III-Nitride Red Micro-Light-Emitting Diodes on a Strain Relaxed Template with an InGaN Decomposition Layer ». Crystals 12, no 5 (19 mai 2022) : 721. http://dx.doi.org/10.3390/cryst12050721.
Texte intégralHagar, B. G., M. Abdelhamid, E. L. Routh, P. C. Colter et S. M. Bedair. « Ohmic co-doped GaN/InGaN tunneling diode grown by MOCVD ». Applied Physics Letters 121, no 5 (1 août 2022) : 052104. http://dx.doi.org/10.1063/5.0103152.
Texte intégralMudiyanselage, Dinusha Herath, Dawei Wang, Yuji Zhao et Houqiang Fu. « Intersubband transitions in nonpolar and semipolar III-nitrides : Materials, devices, and applications ». Journal of Applied Physics 131, no 21 (7 juin 2022) : 210901. http://dx.doi.org/10.1063/5.0088021.
Texte intégralBrown, J. M., F. A. Baiocchi, D. S. Williams, R. C. Beairsto, R. V. Knoell et S. P. Murarka. « Rutherford backscattering & ; TEM studies of nitrogen, oxygen & ; argon incorporation in sputter-deposited titanium nitride films ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 45 (août 1987) : 250–51. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100126159.
Texte intégralKOMIRENKO, S. M., K. W. KIM, V. A. KOCHELAP et M. A. STROSCIO. « HIGH-FIELD ELECTRON TRANSPORT CONTROLLED BY OPTICAL PHONON EMISSION IN NITRIDES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 12, no 04 (décembre 2002) : 1057–81. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156402001927.
Texte intégralWeisbuch, Claude, Shuji Nakamura, Yuh-Renn Wu et James S. Speck. « Disorder effects in nitride semiconductors : impact on fundamental and device properties ». Nanophotonics 10, no 1 (18 novembre 2020) : 3–21. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2020-0590.
Texte intégralPavlidis, Spyridon, Dolar Khachariya, Dennis Szymanski, Pramod Reddy, Erhard Kohn, Zlatko Sitar et Ramon Collazo. « (Invited, Digital Presentation) Exploring Interfaces and Polarity to Realize Vertical III-Nitride Superjunction Devices ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 31 (7 juillet 2022) : 1313. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01311313mtgabs.
Texte intégralMozharov, A. M., A. A. Vasiliev, A. D. Bolshakov, G. A. Sapunov, V. V. Fedorov, G. E. Cirlin et I. S. Mukhin. « Core-shell III-nitride nanowire heterostructure : negative differential resistance and device application potential ». Физика и техника полупроводников 52, no 4 (2018) : 475. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2018.04.45824.13.
Texte intégralMozharov, A. M., A. A. Vasiliev, A. D. Bolshakov, G. A. Sapunov, V. V. Fedorov, G. E. Cirlin et I. S. Mukhin. « Core-Shell III-Nitride Nanowire Heterostructure : Negative Differential Resistance and Device Application Potential ». Semiconductors 52, no 4 (avril 2018) : 489–92. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782618040231.
Texte intégralAnnab, N., T. Baghdadli, S. Mamoun et A. E. Merad. « Numerical simulation of highly photovoltaic efficiency of InGaN based solar cells with ZnO as window layer ». Journal of Ovonic Research 19, no 4 (août 2023) : 421–31. http://dx.doi.org/10.15251/jor.2023.194.421.
Texte intégralMeneghesso, Gaudenzio, Matteo Meneghini, Augusto Tazzoli, Nicolo' Ronchi, Antonio Stocco, Alessandro Chini et Enrico Zanoni. « Reliability issues of Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors ». International Journal of Microwave and Wireless Technologies 2, no 1 (février 2010) : 39–50. http://dx.doi.org/10.1017/s1759078710000097.
Texte intégralKIM, K. W., V. A. KOCHELAP, V. N. SOKOLOV et S. M. KOMIRENKO. « QUASI-BALLISTIC AND OVERSHOOT TRANSPORT IN GROUP III-NITRIDES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, no 01 (mars 2004) : 127–54. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002272.
Texte intégralLi, Kexin, et Shaloo Rakheja. « Modeling and Simulation of Quasi-Ballistic III-Nitride Transistors for RF and Digital Applications ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940011. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400111.
Texte intégralHo, W. Y., W. K. Fong, Charles Surya, K. Y. Tong, L. W. Lu et W. K. Ge. « Characterization of Hot-Electron Effects on Flicker Noise in III-V Nitride Based Heterojunctions ». MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999) : 560–64. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003045.
Texte intégralEl-Ghoroury, Hussein S., Mikhail V. Kisin et Chih-Li Chuang. « III-Nitride Multi-Quantum-Well Light Emitting Structures with Selective Carrier Injection ». Applied Sciences 9, no 18 (15 septembre 2019) : 3872. http://dx.doi.org/10.3390/app9183872.
Texte intégralChandrasekar, Hareesh. « Substrate Effects in GaN-on-Silicon RF Device Technology ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940001. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400019.
Texte intégralKhafagy, Khaled H., Tarek M. Hatem et Salah M. Bedair. « Modelling of III-Nitride Epitaxial Layers Grown on Silicon Substrates with Low Dislocation-Densities ». MRS Advances 4, no 13 (2019) : 755–60. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2019.49.
Texte intégralKuball, M., M. Benyoucef, F. H. Morrissey et C. T. Foxon. « Focused Ion Beam Etching of Nanometer-Size GaN/AlGaN Device Structures and their Optical Characterization by Micro-Photoluminescence/Raman Mapping ». MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 5, S1 (2000) : 950–56. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300005317.
Texte intégralOnyeaju, M. C., A. N. Ikot, C. A. Onate, E. Aghemenloh et H. Hassanabadi. « Electronic states in core/shell GaN/YxGa1−xN quantum well (QW) with the modified Pöschl–Teller plus Woods–Saxon potential in the presence of electric field ». International Journal of Modern Physics B 31, no 15 (7 mars 2017) : 1750119. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979217501193.
Texte intégralMi, Zetian. « (Invited) Artificial Photosynthesis on III-Nitride Nanowire Arrays ». ECS Meeting Abstracts MA2018-01, no 31 (13 avril 2018) : 1850. http://dx.doi.org/10.1149/ma2018-01/31/1850.
Texte intégralSIMIN, G., M. ASIF KHAN, M. S. SHUR et R. GASKA. « INSULATED GATE III-N HETEROSTRUCTURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 14, no 01 (mars 2004) : 197–224. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156404002302.
Texte intégralBulashevich, Kirill, Sergey Konoplev et Sergey Karpov. « Effect of Die Shape and Size on Performance of III-Nitride Micro-LEDs : A Modeling Study ». Photonics 5, no 4 (27 octobre 2018) : 41. http://dx.doi.org/10.3390/photonics5040041.
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