Littérature scientifique sur le sujet « III-NITRIDE DEVICE »
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Articles de revues sur le sujet "III-NITRIDE DEVICE"
Jamal-Eddine, Zane, Yuewei Zhang et Siddharth Rajan. « Recent Progress in III-Nitride Tunnel Junction-Based Optoelectronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940012. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400123.
Texte intégralMuthuraj, Vineeta R., Caroline E. Reilly, Thomas Mates, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars et Stacia Keller. « Properties of high to ultrahigh Si-doped GaN grown at 550 °C by flow modulated metalorganic chemical vapor deposition ». Applied Physics Letters 122, no 14 (3 avril 2023) : 142103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0142941.
Texte intégralHangleiter, Andreas. « III–V Nitrides : A New Age for Optoelectronics ». MRS Bulletin 28, no 5 (mai 2003) : 350–53. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.99.
Texte intégralBaten, Md Zunaid, Shamiul Alam, Bejoy Sikder et Ahmedullah Aziz. « III-Nitride Light-Emitting Devices ». Photonics 8, no 10 (7 octobre 2021) : 430. http://dx.doi.org/10.3390/photonics8100430.
Texte intégralFu, Wai Yuen, et Hoi Wai Choi. « Progress and prospects of III-nitride optoelectronic devices adopting lift-off processes ». Journal of Applied Physics 132, no 6 (14 août 2022) : 060903. http://dx.doi.org/10.1063/5.0089750.
Texte intégralZolper, J. C., et R. J. Shul. « Implantation and Dry Etching of Group-III-Nitride Semiconductors ». MRS Bulletin 22, no 2 (février 1997) : 36–43. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400032553.
Texte intégralFu, Houqiang. « (Invited) III-Oxide/III-Nitride Heterostructures for Power Electronics and Optoelectronics Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 34 (9 octobre 2022) : 1243. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341243mtgabs.
Texte intégralZhang, Shuai, Bingcheng Zhu, Zheng Shi, Jialei Yuan, Yuan Jiang, Xiangfei Shen, Wei Cai, Yongchao Yang et Yongjin Wang. « Spatial signal correlation from an III-nitride synaptic device ». Superlattices and Microstructures 110 (octobre 2017) : 296–304. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2017.08.028.
Texte intégralGaevski, Mikhail, Jianyu Deng, Grigory Simin et Remis Gaska. « 500 °C operation of AlGaN/GaN and AlInN/GaN Integrated Circuits ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, HITEC (1 janvier 2014) : 000084–89. http://dx.doi.org/10.4071/hitec-tp16.
Texte intégralIslam, Md Sherajul, Md Arafat Hossain, Sakib Mohammed Muhtadi et Ashraful G. Bhuiyan. « Transport Properties of Insulated Gate AlInN/InN Heterojunction Field Effect Transistor ». Advanced Materials Research 403-408 (novembre 2011) : 64–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.403-408.64.
Texte intégralThèses sur le sujet "III-NITRIDE DEVICE"
Monika, Sadia K. « III- Nitride Enhancement Mode Device ». The Ohio State University, 2017. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1483535296785214.
Texte intégralLiu, Jie. « Channel engineering of III-nitride HEMTs for enhanced device performance / ». View abstract or full-text, 2006. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?ECED%202006%20LIUJ.
Texte intégralEiting, Christopher James. « Growth of III-V nitride materials by MOCVD for device applications / ». Digital version accessible at:, 1999. http://wwwlib.umi.com/cr/utexas/main.
Texte intégralFeng, Zhihong. « Enhanced device performance of III-nitride HEMTs on sapphire substrates by MOCVD / ». View abstract or full-text, 2006. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?ELEC%202006%20FENG.
Texte intégralNath, Digbijoy N. « Advanced polarization engineering of III-nitride heterostructures towards high-speed device applications ». The Ohio State University, 2013. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1376927078.
Texte intégralNguyen, Hieu. « Molecular beam epitaxial growth, characterization and device applications of III-Nitride nanowire heterostructures ». Thesis, McGill University, 2012. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=107905.
Texte intégralRécemment, les hétérostructures à base de nitride et de groupe III ont fait l'objet de recherches intensives. Grâce à la relaxation latérale effective du stress, de telles hétérostructures d'échelle nanométrique peuvent être déposés sur du Silicium ou d'autres substrats. Celles-ci démontrent une réduction dramatique des dislocations et des champs de polarisations comparativement à leurs contreparties planes. Cette dissertation rapporte l'accomplissement d'une nouvelle classe de matériau nanométrique, soit des hétérostructures III-nitride incluant InGaN/GaN point dans fils ainsi que des nanofils d'InN presque sans défauts sur du Silicium. De plus, nous avons développé une nouvelle génération de dispositifs à base de nanofils, incluant des diodes émettrices de lumière (LEDs) à efficacité ultra haute et spectre visible complet ainsi que des cellules solaires sur une gaufre de Silicium. Nous avons identifié 2 mécanismes majeurs, incluant le faible transport des trous et le surplus d'électrons, qui limitent sérieusement la performance des LEDs à base de nanofils de GaN. Avec l'ajout de certaines techniques spéciales de modulation de type p, et une couche bloquante d'électrons faite de AlGaN dans la région active de la LED point dans fil. Par ailleurs, nous avons démontré des LEDs blanche sans phosphore qui démontrent, pour la première fois, une efficacité quantique supérieure à 50% ainsi qu'une baisse d'efficacité négligeable jusqu'à ~ 2,000A/cm2 et des caractéristiques d'émissions très hautes et stables à température pièce. Celles-ci sont donc toutes désignées pour des applications d'illumination intelligentes et des écrans pleines couleurs. La croissance par épitaxie, la fabrication et la caractérisation des nanofils d'InN:Mg/i-InN/InN:Si axiaux sur des substrats de Si(111) de type n et démontré la première cellule solaire à base d'InN. Sous l'illumination d'un soleil (AM 1.5G), les dispositifs démontrent une densité de courant de ~ 14.4 mA/cm2 en court-circuit, un voltage de circuit ouvert de 0.14V, un facteur de remplissage de 34.0% et une efficacité de conversion d'énergie de 0.68%. Ce travail ouvre des portes excitantes pour des cellules solaires plein spectre de troisième génération à base de nanofils d'InGaN.
Miller, Eric Justin. « Influence of material properties on device design and performance in III-V nitride alloys / ». Diss., Connect to a 24 p. preview or request complete full text in PDF format. Access restricted to UC campuses, 2003. http://wwwlib.umi.com/cr/ucsd/fullcit?p3091322.
Texte intégralJackson, Christine M. « Correlations of Electronic Interface States and Interface Chemistry on Dielectric/III Nitride Heterostructures for Device Applications ». The Ohio State University, 2018. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu15257361319909.
Texte intégralGrowden, Tyler A. « III-V Tunneling Based Quantum Devices for High Frequency Applications ». The Ohio State University, 2016. http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1469199253.
Texte intégralNamkoong, Gon. « Molecular beam epitaxy grown III-nitride materials for high-power and high-temperture applications : impact of nucleation kinetics on material and device structure quality ». Diss., Georgia Institute of Technology, 2003. http://hdl.handle.net/1853/16426.
Texte intégralLivres sur le sujet "III-NITRIDE DEVICE"
Chuan, Feng Zhe, dir. III-nitride devices and nanoengineering. London : Imperial College Press, 2008.
Trouver le texte intégralT, Yu E., et Manasreh Mahmoud Omar, dir. III-V nitride semiconductors : Applications & devices. New York : Taylor & Francis, 2003.
Trouver le texte intégralSeong, Tae-Yeon. III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications. Dordrecht : Springer Netherlands, 2013.
Trouver le texte intégralMorkoç, Hadis. Gallium nitride materials and devices III : 21-24 January 2008, San Jose, California, USA. Sous la direction de Society of Photo-optical Instrumentation Engineers. Bellingham, Wash : SPIE, 2008.
Trouver le texte intégralKurt, Gaskill D., Brandt Charles D, Nemanich R. J et Materials Research Society Meeting, dir. III-Nitride, SiC, and diamond materials for electronic devices : Symposium held April, 1996, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa : Materials Research Society, 1996.
Trouver le texte intégralSymposium on III-Nitride Based Semiconductor Electronic and Optical Devices (2001 Washington, D.C.). III-nitride based semiconductor electronics and optical devices : And, thirty-fourth state-of-the-art-program on compound semiconductors (SOTAPOCS XXXIV) : proceedings of the international symposia. Sous la direction de Ren F, Electrochemical Society Meeting et State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors (34th : 2001 : Washington, D.C.). Pennington, NJ : Electrochemical society, 2001.
Trouver le texte intégralIII-Nitride Electronic Devices. Elsevier, 2019. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(19)x0004-6.
Texte intégralFeng, Zhe Chuan. III-Nitride Materials Devices. World Scientific Publishing Co Pte Ltd, 2017.
Trouver le texte intégralChu, Rongming, et Keisuke Shinohara. III-Nitride Electronic Devices. Elsevier Science & Technology Books, 2019.
Trouver le texte intégralChu, Rongming, et Keisuke Shinohara. III-Nitride Electronic Devices. Elsevier Science & Technology, 2019.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "III-NITRIDE DEVICE"
Zhou, Shengjun, et Sheng Liu. « Device Reliability and Measurement ». Dans III-Nitride LEDs, 217–39. Singapore : Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-0436-3_6.
Texte intégralFan, Shizhao, Songrui Zhao, Faqrul A. Chowdhury, Renjie Wang et Zetian Mi. « Molecular Beam Epitaxial Growth of III-Nitride Nanowire Heterostructures and Emerging Device Applications ». Dans Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, 243–83. Boca Raton : Taylor & Francis, CRC Press, 2017. | Series : Series in optics and optoelectronics : CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315152011-7.
Texte intégralMukherjee, Moumita, et D. N. Bose. « Large-Signal Analysis of III-V Nitride Based DD-Transit Time Device : A New Source for THz Power Generation ». Dans Physics of Semiconductor Devices, 107–11. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_26.
Texte intégralMukherjee, Moumita. « Large Signal Physical Operation of a III–V Nitride Based Double Velocity Transit Time Device : A Potential Source For THz Imaging ». Dans Physics of Semiconductor Devices, 225–28. Cham : Springer International Publishing, 2014. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-03002-9_56.
Texte intégralMaiti, Chinmay K. « III-Nitride Flexible Electronic Devices ». Dans Fabless Semiconductor Manufacturing, 211–47. New York : Jenny Stanford Publishing, 2022. http://dx.doi.org/10.1201/9781003314974-6.
Texte intégralBisi, Davide, Isabella Rossetto, Matteo Meneghini, Gaudenzio Meneghesso et Enrico Zanoni. « Reliability in III-Nitride Devices ». Dans Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, 367–430. Boca Raton : Taylor & Francis, CRC Press, 2017. | Series : Series in optics and optoelectronics : CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315152011-12.
Texte intégralBinari, Steven C., et Harry B. Dietrich. « III-V Nitride Electronic Devices ». Dans GaN and Related Materials, 509–34. London : CRC Press, 2021. http://dx.doi.org/10.1201/9781003211082-16.
Texte intégralShen, Bo, Ning Tang, XinQiang Wang, ZhiZhong Chen, FuJun Xu, XueLin Yang, TongJun Yu et al. « III-Nitride Materials and Characterization ». Dans Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, 3–52. Boca Raton : Taylor & Francis, CRC Press, 2017. | Series : Series in optics and optoelectronics : CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315152011-1.
Texte intégralLin, Chien-Chung, Lung-Hsing Hsu, Yu-Ling Tsai, Hao-chung (Henry) Kuo, Wei-Chih Lai et Jinn-Kong Sheu. « III–V Nitride-Based Photodetection ». Dans Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, 597–613. Boca Raton : Taylor & Francis, CRC Press, 2017. | Series : Series in optics and optoelectronics : CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315152011-19.
Texte intégralLin, Chien-Chung, Lung-Hsing Hsu, Yu-Ling Tsai, Hao-chung Kuo, Wei-Chih Lai et Jinn-Kong Sheu. « III–V Nitride-Based Photodetection ». Dans Handbook of GaN Semiconductor Materials and Devices, 597–613. Taylor & Francis Group, 6000 Broken Sound Parkway NW, Suite 300, Boca Raton, FL 33487-2742 : CRC Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315152011-25.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "III-NITRIDE DEVICE"
Toledo, Nikholas G., Samantha C. Cruz, Carl J. Neufeld, Jordan R. Lang, Michael A. Scarpulla, Trevor Buehl, Arthur C. Gossard, Steven P. Denbaars, James S. Speck et Umesh K. Mishra. « Integrated non-III-nitride/III-nitride tandem solar cell ». Dans 2011 69th Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2011.5994525.
Texte intégralFeezell, Daniel, Arman Rashidi, Morteza Monavarian, Andrew Aragon, Mohsen Nami, Saadat Mishkat-Ul-Masabih et Ashwin Rishinaramangalam. « III-Nitride High-Speed Optoelectronics ». Dans 2019 Device Research Conference (DRC). IEEE, 2019. http://dx.doi.org/10.1109/drc46940.2019.9046403.
Texte intégralRuden, P. P. « Materials-theory-based device modeling for III-nitride devices ». Dans Optoelectronics '99 - Integrated Optoelectronic Devices, sous la direction de Gail J. Brown et Manijeh Razeghi. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.344555.
Texte intégralSimin, G., Z.-j. Yang, A. Koudymov, V. Adivarahan, J. Yang et M. Khan. « III-Nitride Field-Effect Transistors with Capacitively-Coupled Contacts ». Dans 2006 64th Device Research Conference. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2006.305139.
Texte intégralShahedipour-Sandvik, F., M. Tungare, J. Leathersich, P. Suvarna, R. Tompkins et K. A. Jones. « III-Nitride devices on Si : Challenges and opportunities ». Dans 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS 2011). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/isdrs.2011.6135260.
Texte intégralNikishin, Sergey, et Mark Holtz. « Growth of III-Nitride quantum structures for device applications ». Dans 2010 IEEE 10th Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/nano.2010.5698066.
Texte intégralWang, Ping, Ding Wang, Shubham Mondal et Zetian Mi. « Fully Epitaxial Ferroelectric III-Nitride Semiconductors : From Materials to Devices ». Dans 2022 Device Research Conference (DRC). IEEE, 2022. http://dx.doi.org/10.1109/drc55272.2022.9855651.
Texte intégralYang, Z., A. Kudymov, X. Hu, J. Yang, G. Simin, M. Shur et R. Gaska. « Sub-0.1 dB loss III-Nitride MOSHFET RF Switches ». Dans 2008 66th Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2008. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2008.4800845.
Texte intégralHung, Ting-Hsiang, Pil Sung Park, Sriram Krishnamoorthy, Digbijoy N. Nath, Sanyam Bajaj et Siddharth Rajan. « Lateral energy band engineering of Al2O3/III-nitride interfaces ». Dans 2014 72nd Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2014.6872332.
Texte intégralYang, Z. C., D. N. Nath, Y. Zhang et S. Rajan. « N-polar III-nitride tunneling hot electron transfer amplifier ». Dans 2014 72nd Annual Device Research Conference (DRC). IEEE, 2014. http://dx.doi.org/10.1109/drc.2014.6872353.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "III-NITRIDE DEVICE"
Kurtz, Steven Ross, Terry W. Hargett, Darwin Keith Serkland, Karen Elizabeth Waldrip, Normand Arthur Modine, John Frederick Klem, Eric Daniel Jones, Michael Joseph Cich, Andrew Alan Allerman et Gregory Merwin Peake. III-antimonide/nitride based semiconductors for optoelectronic materials and device studies : LDRD 26518 final report. Office of Scientific and Technical Information (OSTI), décembre 2003. http://dx.doi.org/10.2172/918384.
Texte intégralDavis, R. F., M. Harris, S. Halpern, S. Siebert et M. Patel. Materials Processing and Device Development to Achieve Integration of Low Defect Density III Nitride Based Radio Frequency. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, avril 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada389624.
Texte intégralDavis, Robert F., et Kevin J. Linthicum. Materials Processing and Device Development to Achieve Integration of Low Defect Density III Nitride Based Radio Frequency. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, octobre 2000. http://dx.doi.org/10.21236/ada383629.
Texte intégralPark, Gil Han, et Jin-Joo Song. (DURIP 99) MOCVD Growth With In-Situ Characterization and Femto-second Two-Color Laser Experiments for Widegap III-Nitride Materials and Device Development. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, décembre 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada397733.
Texte intégralMcCartney, Martha R., et David J. Smith. Failure Mechanisms for III-Nitride HEMT Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, novembre 2013. http://dx.doi.org/10.21236/ada601810.
Texte intégralJiang, Hongxing, et Jingyu Lin. UV/Blue III-Nitride Micro-Cavity Photonic Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, mars 2002. http://dx.doi.org/10.21236/ada399578.
Texte intégralJiang, Hongxing, et Jingyu Lin. UV/Blue III-Nitride Micro-Cavity Photonic Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, août 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada390015.
Texte intégralJiang, Hongxing, et Jingyu Lin. UV/Blue III-Nitride Micro-Cavity Photonic Devices. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, juillet 2001. http://dx.doi.org/10.21236/ada390174.
Texte intégralStroscio, Michael A., et Mitra Dutta. III-nitride and Related Wuertzite Quantum-dot-based Optoelectronic Devices with Enhanced Performance. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, janvier 2009. http://dx.doi.org/10.21236/ada495368.
Texte intégral