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Mastro, Michael A., Neeraj Nepal, Fritz Kub, Jennifer K. Hite, Jihyun Kim et Charles R. Eddy. « Nickel Foam as a Substrate for III-nitride Nanowire Growth ». MRS Proceedings 1538 (2013) : 311–16. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.504.
Texte intégralLeshchenko E. D. et Dubrovskii V. G. « Modeling the growth of tapered nanowires on reflecting substrates ». Technical Physics Letters 48, no 12 (2022) : 11. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.12.54937.19358.
Texte intégralDubrovskii, Vladimir G., et Egor D. Leshchenko. « Modeling the Radial Growth of Self-Catalyzed III-V Nanowires ». Nanomaterials 12, no 10 (16 mai 2022) : 1698. http://dx.doi.org/10.3390/nano12101698.
Texte intégralGAO, Q., H. J. JOYCE, S. PAIMAN, J. H. KANG, H. H. TAN, Y. KIM, L. M. SMITH et al. « III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRES FOR OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, no 01 (mars 2011) : 131–41. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006465.
Texte intégralЛещенко, Е. Д., et В. Г. Дубровский. « Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках ». Письма в журнал технической физики 48, no 23 (2022) : 14. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.23.53945.19358.
Texte intégralYip, Sen Po, Wei Wang et Johnny C. Ho. « (Invited, Digital Presentation) Ternary III-Sb Nanowires : Synthesis and Their Electronic and Optoelectronics Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 36 (9 octobre 2022) : 1306. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02361306mtgabs.
Texte intégralSaleem, Samra, Ammara Maryam, Kaneez Fatima, Hadia Noor, Fatima Javed et Muhammad Asghar. « Phase Control Growth of InAs Nanowires by Using Bi Surfactant ». Coatings 12, no 2 (15 février 2022) : 250. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12020250.
Texte intégralKang, Sung Bum, Rahul Sharma, Minhyeok Jo, Su In Kim, Jeongwoo Hwang, Sang Hyuk Won, Jae Cheol Shin et Kyoung Jin Choi. « Catalysis-Free Growth of III-V Core-Shell Nanowires on p-Si for Efficient Heterojunction Solar Cells with Optimized Window Layer ». Energies 15, no 5 (28 février 2022) : 1772. http://dx.doi.org/10.3390/en15051772.
Texte intégralДубровский, В. Г., А. С. Соколовский et И. В. Штром. « Свободная энергия образования зародыша при росте III-V нитевидного нанокристалла ». Письма в журнал технической физики 46, no 18 (2020) : 3. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.18.49991.18401.
Texte intégralDemontis, Valeria, Valentina Zannier, Lucia Sorba et Francesco Rossella. « Surface Nano-Patterning for the Bottom-Up Growth of III-V Semiconductor Nanowire Ordered Arrays ». Nanomaterials 11, no 8 (16 août 2021) : 2079. http://dx.doi.org/10.3390/nano11082079.
Texte intégralHijazi, Hadi, Mohammed Zeghouane et Vladimir G. Dubrovskii. « Thermodynamics of the Vapor–Liquid–Solid Growth of Ternary III–V Nanowires in the Presence of Silicon ». Nanomaterials 11, no 1 (2 janvier 2021) : 83. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010083.
Texte intégralXu, Hongyi, Qiang Gao, H. Hoe Tan, Chennupati Jagadish et Jin Zou. « Palladium Catalyzed Defect-free <110> ; Zinc-Blende Structured InAs Nanowires ». MRS Proceedings 1551 (2013) : 95–99. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.990.
Texte intégralDubrovskii, Vladimir G., et Hadi Hijazi. « Oscillations of As Concentration and Electron-to-Hole Ratio in Si-Doped GaAs Nanowires ». Nanomaterials 10, no 5 (27 avril 2020) : 833. http://dx.doi.org/10.3390/nano10050833.
Texte intégralDubrovskii, Vladimir G. « Can Nanowires Coalesce ? » Nanomaterials 13, no 20 (16 octobre 2023) : 2768. http://dx.doi.org/10.3390/nano13202768.
Texte intégralKAUR, MANMEET, KAILASA GANAPATHI, NIYANTA DATTA, K. P. MUTHE et S. K. GUPTA. « H2S DETECTION BY CuO NANOWIRES AT ROOM TEMPERATURE ». International Journal of Nanoscience 10, no 04n05 (août 2011) : 733–37. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x11009118.
Texte intégralLi, Ziyuan, Jeffery Allen, Monica Allen, Hark Hoe Tan, Chennupati Jagadish et Lan Fu. « Review on III-V Semiconductor Single Nanowire-Based Room Temperature Infrared Photodetectors ». Materials 13, no 6 (19 mars 2020) : 1400. http://dx.doi.org/10.3390/ma13061400.
Texte intégralVERMA, ASHWANI, BAHNIMAN GHOSH et AKSHAY KUMAR SALIMATH. « EFFECT OF ELECTRIC FIELD, TEMPERATURE AND CORE DIMENSIONS IN III–V COMPOUND CORE–SHELL NANOWIRES ». Nano 09, no 04 (juin 2014) : 1450051. http://dx.doi.org/10.1142/s1793292014500519.
Texte intégralSuriati, Paiman, Gao Qiang, Joyce Hannah, Tan Hark Hoe, Jagadish Chennupati, Kim Yong, Guo Yanan et al. « MOCVD-Grown Indium Phosphide Nanowires for Optoelectronics ». Advanced Materials Research 832 (novembre 2013) : 201–5. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.832.201.
Texte intégralAl Hassan, Ali, Jonas Lähnemann, Arman Davtyan, Mahmoud Al-Humaidi, Jesús Herranz, Danial Bahrami, Taseer Anjum et al. « Beam damage of single semiconductor nanowires during X-ray nanobeam diffraction experiments ». Journal of Synchrotron Radiation 27, no 5 (12 août 2020) : 1200–1208. http://dx.doi.org/10.1107/s1600577520009789.
Texte intégralMäntynen, Henrik, Nicklas Anttu, Zhipei Sun et Harri Lipsanen. « Single-photon sources with quantum dots in III–V nanowires ». Nanophotonics 8, no 5 (2 avril 2019) : 747–69. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2019-0007.
Texte intégralReznik R. R., Gridchin V. O., Kotlyar K. P., Khrebtov A. I., Ubyivovk E. V., Mikushev S. V., Li D. et al. « Formation of InGaAs quantum dots in the body of AlGaAs nanowires via molecular-beam epitaxy ». Semiconductors 56, no 7 (2022) : 492. http://dx.doi.org/10.21883/sc.2022.07.54653.16.
Texte intégralLeshchenko, Egor D., et Vladimir G. Dubrovskii. « An Overview of Modeling Approaches for Compositional Control in III–V Ternary Nanowires ». Nanomaterials 13, no 10 (17 mai 2023) : 1659. http://dx.doi.org/10.3390/nano13101659.
Texte intégralBerwanger, Mailing, Aline L. Schoenhalz, Cláudia L. dos Santos et Paulo Piquini. « Oxidation of InP nanowires : a first principles molecular dynamics study ». Physical Chemistry Chemical Physics 18, no 45 (2016) : 31101–6. http://dx.doi.org/10.1039/c6cp05901e.
Texte intégralKim, P. SG, Y. H. Tang, T. K. Sham et S. T. Lee. « Condensation of silicon nanowires from silicon monoxide by thermal evaporation — An X-ray absorption spectroscopy investigation ». Canadian Journal of Chemistry 85, no 10 (1 octobre 2007) : 695–701. http://dx.doi.org/10.1139/v07-054.
Texte intégralSALIMATH, AKSHAYKUMAR, et BAHNIMAN GHOSH. « SPIN RELAXATION IN InP AND STRAINED InP NANOWIRES ». SPIN 04, no 03 (septembre 2014) : 1450003. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324714500039.
Texte intégralBakkers, Erik P. A. M., Magnus T. Borgström et Marcel A. Verheijen. « Epitaxial Growth of III-V Nanowires on Group IV Substrates ». MRS Bulletin 32, no 2 (février 2007) : 117–22. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2007.43.
Texte intégralParamasivam, Pattunnarajam, Naveenbalaji Gowthaman et Viranjay M. Srivastava. « Design and Analysis of Gallium Arsenide-Based Nanowire Using Coupled Non-Equilibrium Green Function for RF Hybrid Applications ». Nanomaterials 13, no 6 (7 mars 2023) : 959. http://dx.doi.org/10.3390/nano13060959.
Texte intégralTirrito, Matteo, Phillip Manley, Christiane Becker, Eva Unger et Magnus T. Borgström. « Optical Analysis of Perovskite III-V Nanowires Interpenetrated Tandem Solar Cells ». Nanomaterials 14, no 6 (14 mars 2024) : 518. http://dx.doi.org/10.3390/nano14060518.
Texte intégralDubrovskii V. G., Rylkova M. V., Sokolovskii A. S., Sokolova Zh. V. et Mikushev S. V. « Role of the shadowing effect in the growth kinetics of III-V nanowires by molecular beam epitaxy ». Technical Physics Letters 48, no 6 (2022) : 12. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.06.53455.19202.
Texte intégralDick, Kimberly A., Knut Deppert, Lisa S. Karlsson, Magnus W. Larsson, Werner Seifert, L. Reine Wallenberg et Lars Samuelson. « Directed Growth of Branched Nanowire Structures ». MRS Bulletin 32, no 2 (février 2007) : 127–33. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2007.45.
Texte intégralAlam, Kazi, Pawan Kumar, Devika Laishram, Charles Jensen, Annabelle Degg, Narendra Chaulagain, Frank Hegmann, Tom Nilges, Rakesh Sharma et Karthik Shankar. « C3N4 and C3N5 Nanosheets As Passivation Layers and Carrier Extractors for Inorganic Semiconductor Nanowires and Quantum Dots ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 15 (7 juillet 2022) : 2379. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01152379mtgabs.
Texte intégralHuang, Yueyue, Egan H. Doeven, Lifen Chen, Yuanyuan Yao, Yueliang Wang, Bingyong Lin, Yanbo Zeng, Lei Li, Zhaosheng Qian et Longhua Guo. « Facial Preparation of Cyclometalated Iridium (III) Nanowires as Highly Efficient Electrochemiluminescence Luminophores for Biosensing ». Biosensors 13, no 4 (4 avril 2023) : 459. http://dx.doi.org/10.3390/bios13040459.
Texte intégralSuo, Guoquan, Shuai Jiang, Juntao Zhang, Jianye Li et Meng He. « Synthetic Strategies and Applications of GaN Nanowires ». Advances in Condensed Matter Physics 2014 (2014) : 1–11. http://dx.doi.org/10.1155/2014/456163.
Texte intégralPolyakov, Alexander Y., Taehwan Kim, In‐Hwan Lee et Stephen J. Pearton. « III‐Nitride Nanowires as Building Blocks for Advanced Light Emitting Diodes ». physica status solidi (b) 256, no 5 (21 février 2019) : 1800589. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201800589.
Texte intégralDubrovskii V. G. et Mikushev S. V. « Kinetics of radial growth of III-V nanowires in vapor phase epitaxy ». Technical Physics Letters 48, no 10 (2022) : 71. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.10.54804.19340.
Texte intégralNorris, Kate J., Junce Zhang, David M. Fryauf, Elane Coleman, Gary S. Tompa et Nobuhiko P. Kobayashi. « Growth of Polycrystalline Indium Phosphide Nanowires on Copper ». MRS Proceedings 1543 (2013) : 131–36. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.933.
Texte intégralAlekseev, Prokhor A., Mikhail S. Dunaevskiy, George E. Cirlin, Rodion R. Reznik, Alexander N. Smirnov, Demid A. Kirilenko, Valery Yu Davydov et Vladimir L. Berkovits. « Unified mechanism of the surface Fermi level pinning in III-As nanowires ». Nanotechnology 29, no 31 (31 mai 2018) : 314003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/aac480.
Texte intégralLi, Botian, Da Xiao, Dongsheng Deng, Haimu Ye, Qiong Zhou et Liming Tang. « A metal–organic gel based on Fe(iii) and bi-pyridine ligand for template synthesis of core/shell composite polymer nanowires ». Soft Matter 14, no 43 (2018) : 8764–70. http://dx.doi.org/10.1039/c8sm01755g.
Texte intégralAndjelkovic, Ivan, Sara Azari, Mason Erkelens, Peter Forward, Martin F. Lambert et Dusan Losic. « Bacterial iron-oxide nanowires from biofilm waste as a new adsorbent for the removal of arsenic from water ». RSC Advances 7, no 7 (2017) : 3941–48. http://dx.doi.org/10.1039/c6ra26379h.
Texte intégralTabrizi, Leila, et Hossein Chiniforoshan. « Sonochemical synthesis of Au nanowires in the III–I oxidation state bridged by 4,4′-dicyanamidobiphenyl and their application as selective CO gas sensors ». Dalton Transactions 44, no 5 (2015) : 2488–95. http://dx.doi.org/10.1039/c4dt03427a.
Texte intégralKim, Sung-Un, et Yong-Ho Ra. « Modeling and Epitaxial Growth of Homogeneous Long-InGaN Nanowire Structures ». Nanomaterials 11, no 1 (23 décembre 2020) : 9. http://dx.doi.org/10.3390/nano11010009.
Texte intégralPetrov, Vladimir, Zhong Chen, Anna Romanchuk, Valeria Demina, Yuxin Tang et Stepan Kalmykov. « Sorption of Eu (III) onto Nano-Sized H-Titanates of Different Structures ». Applied Sciences 9, no 4 (18 février 2019) : 697. http://dx.doi.org/10.3390/app9040697.
Texte intégralРезник, Р. Р., В. О. Гридчин, К. П. Котляр, А. И. Хребтов, Е. В. Убыйвовк, С. В. Микушев, D. Li et al. « Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии ». Физика и техника полупроводников 56, no 7 (2022) : 689. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2022.07.52761.16.
Texte intégralHeiss, Martin, Bernt Ketterer, Emanuele Uccelli, Joan Ramon Morante, Jordi Arbiol et Anna Fontcuberta i. Morral. « In(Ga)As quantum dot formation on group-III assisted catalyst-free InGaAs nanowires ». Nanotechnology 22, no 19 (23 mars 2011) : 195601. http://dx.doi.org/10.1088/0957-4484/22/19/195601.
Texte intégralVenkatesan, Sriram, Morten H. Madsen, Herbert Schmid, Peter Krogstrup, Erik Johnson et Christina Scheu. « Direct observation of interface and nanoscale compositional modulation in ternary III-As heterostructure nanowires ». Applied Physics Letters 103, no 6 (5 août 2013) : 063106. http://dx.doi.org/10.1063/1.4818338.
Texte intégralRao, C. N. R., Ved Varun Agrawal, Kanishka Biswas, Ujjal K. Gautam, Moumita Ghosh, A. Govindaraj, G. U. Kulkarni, K. P. Kalyanikutty, Kripasindhu Sardar et S. R. C. Vivekchand. « Soft chemical approaches to inorganic nanostructures ». Pure and Applied Chemistry 78, no 9 (1 janvier 2006) : 1619–50. http://dx.doi.org/10.1351/pac200678091619.
Texte intégralSatoungar, Mohammad Taghi, Hamed Azizi, Saeid Fattahi, Mohammad Khajeh Mehrizi et Hedieh Fallahi. « Effect of Different Mediated Agents on Morphology and Crystallinity of Synthesized Silver Nanowires Prepared by Polyol Process ». Journal of Nanomaterials 2016 (2016) : 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2016/4354136.
Texte intégralFloris, Francesco, Lucia Fornasari, Vittorio Bellani, Andrea Marini, Francesco Banfi, Franco Marabelli, Fabio Beltram et al. « Strong Modulations of Optical Reflectance in Tapered Core–Shell Nanowires ». Materials 12, no 21 (31 octobre 2019) : 3572. http://dx.doi.org/10.3390/ma12213572.
Texte intégralKannappan, Perumal, Nabiha Ben Sedrine, Jennifer P. Teixeira, Maria R. Soares, Bruno P. Falcão, Maria R. Correia, Nestor Cifuentes et al. « Substrate and Mg doping effects in GaAs nanowires ». Beilstein Journal of Nanotechnology 8 (11 octobre 2017) : 2126–38. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.8.212.
Texte intégralChen, Guobao, Zhangfu Zhu et Yong Qin. « Synthesis of Pure Micro- and Nanopyrite and Their Application for As (III) Removal from Aqueous Solution ». Advances in Materials Science and Engineering 2016 (2016) : 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2016/6290420.
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