Littérature scientifique sur le sujet « III-As nanowires »
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Articles de revues sur le sujet "III-As nanowires"
Mastro, Michael A., Neeraj Nepal, Fritz Kub, Jennifer K. Hite, Jihyun Kim et Charles R. Eddy. « Nickel Foam as a Substrate for III-nitride Nanowire Growth ». MRS Proceedings 1538 (2013) : 311–16. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.504.
Texte intégralLeshchenko E. D. et Dubrovskii V. G. « Modeling the growth of tapered nanowires on reflecting substrates ». Technical Physics Letters 48, no 12 (2022) : 11. http://dx.doi.org/10.21883/tpl.2022.12.54937.19358.
Texte intégralDubrovskii, Vladimir G., et Egor D. Leshchenko. « Modeling the Radial Growth of Self-Catalyzed III-V Nanowires ». Nanomaterials 12, no 10 (16 mai 2022) : 1698. http://dx.doi.org/10.3390/nano12101698.
Texte intégralGAO, Q., H. J. JOYCE, S. PAIMAN, J. H. KANG, H. H. TAN, Y. KIM, L. M. SMITH et al. « III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRES FOR OPTOELECTRONIC DEVICE APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 20, no 01 (mars 2011) : 131–41. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156411006465.
Texte intégralЛещенко, Е. Д., et В. Г. Дубровский. « Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках ». Письма в журнал технической физики 48, no 23 (2022) : 14. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2022.23.53945.19358.
Texte intégralYip, Sen Po, Wei Wang et Johnny C. Ho. « (Invited, Digital Presentation) Ternary III-Sb Nanowires : Synthesis and Their Electronic and Optoelectronics Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 36 (9 octobre 2022) : 1306. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02361306mtgabs.
Texte intégralSaleem, Samra, Ammara Maryam, Kaneez Fatima, Hadia Noor, Fatima Javed et Muhammad Asghar. « Phase Control Growth of InAs Nanowires by Using Bi Surfactant ». Coatings 12, no 2 (15 février 2022) : 250. http://dx.doi.org/10.3390/coatings12020250.
Texte intégralKang, Sung Bum, Rahul Sharma, Minhyeok Jo, Su In Kim, Jeongwoo Hwang, Sang Hyuk Won, Jae Cheol Shin et Kyoung Jin Choi. « Catalysis-Free Growth of III-V Core-Shell Nanowires on p-Si for Efficient Heterojunction Solar Cells with Optimized Window Layer ». Energies 15, no 5 (28 février 2022) : 1772. http://dx.doi.org/10.3390/en15051772.
Texte intégralДубровский, В. Г., А. С. Соколовский et И. В. Штром. « Свободная энергия образования зародыша при росте III-V нитевидного нанокристалла ». Письма в журнал технической физики 46, no 18 (2020) : 3. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2020.18.49991.18401.
Texte intégralDemontis, Valeria, Valentina Zannier, Lucia Sorba et Francesco Rossella. « Surface Nano-Patterning for the Bottom-Up Growth of III-V Semiconductor Nanowire Ordered Arrays ». Nanomaterials 11, no 8 (16 août 2021) : 2079. http://dx.doi.org/10.3390/nano11082079.
Texte intégralThèses sur le sujet "III-As nanowires"
Hölzel, Sara Sibylle [Verfasser]. « Group III-Nitride Nanowires as Multifunctional Optical Biosensors / Sara Sibylle Hölzel ». Gießen : Universitätsbibliothek, 2018. http://d-nb.info/1173615059/34.
Texte intégralHölzel, Sara [Verfasser]. « Group III-Nitride Nanowires as Multifunctional Optical Biosensors / Sara Sibylle Hölzel ». Gießen : Universitätsbibliothek, 2018. http://d-nb.info/1173615059/34.
Texte intégralChereau, Emmanuel. « Synthèse et modélisation de nanofils III-As par SAG-HVPE : vers des dispositifs pour l'infrarouge et la conversion d'énergie ». Electronic Thesis or Diss., Université Clermont Auvergne (2021-...), 2024. http://www.theses.fr/2024UCFA0020.
Texte intégralThis work focuses on the selective area growth (SAG) of III-As nanowires (NWs) by hydride vapor-phase epitaxy (HVPE). First, we have studied the SAG of GaAs NWs on GaAs substrates. Systematic studies according to growth conditions have demonstrated a growth suppression effect under arsenic-rich atmosphere. These observations were supported by a kinetic model which, for the first time in HVPE, takes into account the diffusion of Ga adatoms on the NWs side facets. Then, a preliminary study of the doping of NWs was carried out, as well as the growth of p-i-n junctions in NWs. The results are encouraging regarding the fabrication of NW-based devices by HVPE. Secondly, we have studied the SAG of InAs and InGaAs on GaAs and Si substrates. It turned out that growth suppression also occurs for InAs NWs. As for InGaAs, NW arrays with various compositions have been successfully obtained. A growth model was developed revealing that the NWs composition is controlled by growth kinetics rather than thermodynamic factors. This greatly simplifies the control of the composition across a wide range of HVPE parameters. These results show the capability of HVPE for the fabrication of homogeneous InGaAs NW arrays with widely tunable compositions
Burgess, Timothy. « From Dopant to Source : The Use of Zinc as an Enabler in the Synthesis of Nanostructures by Metalorganic Vapour Phase Epitaxy ». Phd thesis, 2017. http://hdl.handle.net/1885/144611.
Texte intégralChapitres de livres sur le sujet "III-As nanowires"
Shilla, Pooja, Raj Kumar et Arvind Kumar. « III-V-Based Gate-All-Around Cylindrical Nanowire Junctionless Field Effect Transistor ». Dans Advances in Computer and Electrical Engineering, 101–21. IGI Global, 2021. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-7998-6467-7.ch005.
Texte intégralRoutray, Soumyaranjan, et Trupti Lenka. « III-Nitride Nanowires : Future Prospective for Photovoltaic Applications ». Dans Nanowires - Recent Progress [Working Title]. IntechOpen, 2020. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.95011.
Texte intégralTakele Geldasa, Fikadu. « Solar Energy Conversion Efficiency, Growth Mechanism and Design of III–V Nanowire-Based Solar Cells : Review ». Dans Advances in Nanowires Synthesis and Applications to Sensing Technologies [Working Title]. IntechOpen, 2022. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.105985.
Texte intégralNguyen, Hoang-Duy, Mano Bala Sankar Muthu et Hieu Pham Trung Nguyen. « Phosphor-Converted III-Nitride Nanowire White Light-Emitting Diodes ». Dans Nanoelectronic Devices and Applications, 72–89. BENTHAM SCIENCE PUBLISHERS, 2024. http://dx.doi.org/10.2174/9789815238242124010005.
Texte intégralKumar, Raj, Shashi Bala et Arvind Kumar. « Comparative Performance Analysis of Nanowire and Nanotube Field Effect Transistors ». Dans Advances in Computer and Electrical Engineering, 54–70. IGI Global, 2021. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-7998-6467-7.ch003.
Texte intégralBala, Shashi, Raj Kumar, Jeetendra Singh et Sanjeev Kumar Sharma. « Design and Simulation Analysis of NWFET for Digital Application ». Dans Advances in Computer and Electrical Engineering, 123–38. IGI Global, 2021. http://dx.doi.org/10.4018/978-1-7998-6467-7.ch006.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "III-As nanowires"
Saerens, G., I. Tang, E. Bloch, K. Frizyuk, M. Reig Escalé, C. Renaut, F. Timpu et al. « Semiconductor III-V Nanowires as Building Blocks for Flexible Nonlinear Photonic Components ». Dans CLEO : QELS_Fundamental Science. Washington, D.C. : OSA, 2020. http://dx.doi.org/10.1364/cleo_qels.2020.ftu3q.3.
Texte intégralLiu, Wenjun, Yizhang Yang et Mehdi Asheghi. « Thermal Characterization of Silicon Nanowires ». Dans ASME 4th Integrated Nanosystems Conference. ASMEDC, 2005. http://dx.doi.org/10.1115/nano2005-87063.
Texte intégralFlorini, Nikoletta. « Core-shell nanowires based on III-V alloys : Strain distribution as a function of structure and composition ». Dans European Microscopy Congress 2020. Royal Microscopical Society, 2021. http://dx.doi.org/10.22443/rms.emc2020.1230.
Texte intégralLyeo, Ho-Ki, C. K. Ken Shih, Uttam Ghoshal et Li Shi. « Thermoelectric Mapping of Nanostructures ». Dans ASME 2002 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2002. http://dx.doi.org/10.1115/imece2002-32766.
Texte intégralKleindienst, R., V. Cimalla, M. Eickhoff, A. Grewe, K. Holc, J. Schätzle, U. Schwarz, J. Teubert et S. Sinzinger. « Micro-optical system as integration platform for III-N nanowire based opto-chemical detectors ». Dans SPIE MOEMS-MEMS, sous la direction de Georg von Freymann, Winston V. Schoenfeld et Raymond C. Rumpf. SPIE, 2013. http://dx.doi.org/10.1117/12.2002411.
Texte intégralGeelhaar, L. « (Invited) Nanowire Growth as a Means for the Monolithic Integration of III-V Compound Semiconductors on Si ». Dans 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials. The Japan Society of Applied Physics, 2015. http://dx.doi.org/10.7567/ssdm.2015.d-6-1.
Texte intégralStellari, Franco, Alan J. Weger, Seongwon Kim, Dzmitry Maliuk, Peilin Song, Herschel A. Ainspan, Young Kwark et al. « A Superconducting Nanowire Single-Photon Detector (SnSPD) System for Ultra Low Voltage Time-Resolved Emission (TRE) Measurements of VLSI Circuits ». Dans ISTFA 2013. ASM International, 2013. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2013p0182.
Texte intégralRomero, David A., Elham Pakseresht, Daniel Sellan, Aydin Nabovati et Cristina Amon. « A Hierarchical Framework for Thermal Modelling of Electronic Devices : From Atoms to Chips ». Dans ASME 2013 International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems. American Society of Mechanical Engineers, 2013. http://dx.doi.org/10.1115/ipack2013-73202.
Texte intégral