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Flores, David, Salvador Hidalgo et Jesús Urresti. « New generation of 3.3kV IGBTs with monolitically integrated voltage and current sensors ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 28, no 2 (2015) : 213–21. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1502213f.
Texte intégralFu, Xiao Jin, Chun Lan Que, Shuai Zhang, En Xing Yang et Hang Ye. « The Design of Parallel IGBT Modular for Modularized Wind Power Converter ». Applied Mechanics and Materials 734 (février 2015) : 873–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.734.873.
Texte intégralLi, Cui, Yao Sheng Li, Jun Xu Liu, Hua Qiang Shao, Zhong yuan Chen et Jin Yuan Li. « Research on performance parameter degradation of high voltage and high power IGBT module in power cycling test ». Journal of Physics : Conference Series 2290, no 1 (1 juin 2022) : 012041. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2290/1/012041.
Texte intégralWang, Yan Gang, Dinesh Chamund, Shi Ping Li, Kevin Wu, Steve Jones et Gary Liu. « Lifetime Prediction for Power IGBT Modules in Metro Traction Systems ». Advanced Materials Research 846-847 (novembre 2013) : 724–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.846-847.724.
Texte intégralLevchuk, Svetlana, Monika Poebl et Gerhard Mitic. « Diamond Composites for Power Electronics Application ». Advanced Materials Research 59 (décembre 2008) : 143–47. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.59.143.
Texte intégralZheng, Qing Yuan, Min You Chen, Bing Gao et Nan Jiang. « Analysis of Transient Thermal Stress of IGBT Module Based on Electrical-Thermal-Mechanical Coupling Model ». Advanced Materials Research 986-987 (juillet 2014) : 823–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.986-987.823.
Texte intégralWu, Yi Bo, Guo You Liu, Ning Hua Xu et Ze Chun Dou. « Thermal Resistance Analysis and Simulation of IGBT Module with High Power Density ». Applied Mechanics and Materials 303-306 (février 2013) : 1902–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.303-306.1902.
Texte intégralShen, Bing, et Yifa Sheng. « Research on junction temperature monitoring technology of IGBT modules ». Journal of Physics : Conference Series 2378, no 1 (1 décembre 2022) : 012043. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2378/1/012043.
Texte intégralSkibinski, G., D. Braun, D. Kirschnik et R. Lukaszewski. « Developments in Hybrid Si – SiC Power Modules ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1141–47. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1141.
Texte intégralJo, Kim, Cho et Lee. « Development of a Hardware Simulator for Reliable Design of Modular Multilevel Converters Based on Junction-Temperature of IGBT Modules ». Electronics 8, no 10 (7 octobre 2019) : 1127. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8101127.
Texte intégralWang, Lei, Mingchao Zhou, Zhonghao Dongye, Yanbei Sha et Jingcao Chen. « A Condition Evaluation Simplified Method for Traction Converter Power Module Based on Operating Interval Segmentation ». Sensors 23, no 5 (24 février 2023) : 2537. http://dx.doi.org/10.3390/s23052537.
Texte intégralCova, P., M. Ciappa, G. Franceschini, P. Malberti et F. Fantini. « Thermal characterization of IGBT power modules ». Microelectronics Reliability 37, no 10-11 (octobre 1997) : 1731–34. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00150-9.
Texte intégralWang, Chenyuan, Yigang He, Chuankun Wang, Lie Li et Xiaoxin Wu. « Multi-Chip IGBT Module Failure Monitoring Based on Module Transconductance with Temperature Calibration ». Electronics 9, no 10 (23 septembre 2020) : 1559. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101559.
Texte intégralFu, Shancan, Guoliang Wang et Feng Xiao. « Degradation Behavior of High Power Semiconductor Modules by Low-Temperature Sintering Technology ». Journal of Physics : Conference Series 2370, no 1 (1 novembre 2022) : 012012. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2370/1/012012.
Texte intégralSharma, Yogesh, P. Mumby-Croft, L. Ngwendson, M. Packwood, L. Coulbeck, M. Birkett, C. Kong, H. Jiang, Y. Wang et I. Deviny. « 6.5 kV Si/SiC Hybrid Power Module Technology ». Materials Science Forum 963 (juillet 2019) : 859–63. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.859.
Texte intégralAbdalgader, Ibrahim A. S., Sinan Kivrak et Tolga Özer. « Power Performance Comparison of SiC-IGBT and Si-IGBT Switches in a Three-Phase Inverter for Aircraft Applications ». Micromachines 13, no 2 (17 février 2022) : 313. http://dx.doi.org/10.3390/mi13020313.
Texte intégralLi, Bin, Ke Qing Xiong, Yi Sun et Bing Qi. « Safety P-Cycle Protection Mechanism for Smart Power Device ». Advanced Materials Research 804 (septembre 2013) : 228–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.804.228.
Texte intégralParker-Allotey, Nii Adotei, Dean P. Hamilton, Olayiwola Alatise, Michael R. Jennings, Philip A. Mawby, Rob Nash et Rob Magill. « Improved Energy Efficiency Using an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1147–50. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1147.
Texte intégralLiu, Xingliang, Guiyun Tian, Yu Chen, Haoze Luo, Jian Zhang et Wuhua Li. « Non-Contact Degradation Evaluation for IGBT Modules Using Eddy Current Pulsed Thermography Approach ». Energies 13, no 10 (21 mai 2020) : 2613. http://dx.doi.org/10.3390/en13102613.
Texte intégralPark, C., M. J. Mauger, T. Damle, J. Huh, S. Steinhoff et L. Graber. « Cryogenic Power Electronics : Press-Pack IGBT Modules ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 756 (30 juin 2020) : 012009. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/756/1/012009.
Texte intégralBoettcher, Lars, S. Karaszkiewicz, D. Manessis et A. Ostmann. « Development of Embedded High Power Electronics Modules for Automotive Applications ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, DPC (1 janvier 2013) : 001717–43. http://dx.doi.org/10.4071/2013dpc-wp35.
Texte intégralImaizumi, Masayuki, Yoichiro Tarui, Shin Ichi Kinouchi, Hiroshi Nakatake, Yukiyasu Nakao, Tomokatsu Watanabe, Keiko Fujihira, Naruhisa Miura, Tetsuya Takami et Tatsuo Ozeki. « Switching Characteristics of SiC-MOSFET and SBD Power Modules ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1289–92. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1289.
Texte intégralMorozumi, A., K. Yamada, T. Miyasaka, S. Sumi et Y. Seki. « Reliability of power cycling for igbt power semiconductor modules ». IEEE Transactions on Industry Applications 39, no 3 (mai 2003) : 665–71. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2003.810661.
Texte intégralMelnikov, V., O. Talipov et Yu Kibartene. « EVALUATING THE POSSIBILITY OF APPLYING CONTROLLED COMPENSATION SYSTEMS TO IMPROVE EFFICIENCY IN ELECTRIC GRIDS ». Bulletin of Toraighyrov University. Energetics series, no 2021.3 (11 septembre 2021) : 83–92. http://dx.doi.org/10.48081/jbmz50037.
Texte intégralZhang, Jingxuan, Hexu Sun, Zexian Sun, Yan Dong et Weichao Dong. « Open-Circuit Fault Diagnosis of Wind Power Converter Using Variational Mode Decomposition, Trend Feature Analysis and Deep Belief Network ». Applied Sciences 10, no 6 (21 mars 2020) : 2146. http://dx.doi.org/10.3390/app10062146.
Texte intégralAgunov, A. V., A. T. Burkov, V. G. Zhemchugov et K. K. Stepanova. « Energy efficiency of power electronics converters in traction power supply networks at voltage increase ». Journal of Physics : Conference Series 2131, no 4 (1 décembre 2021) : 042094. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2131/4/042094.
Texte intégralAbbate, Carmine, et Roberto Di Folco. « High Frequency Behavior of High Power IGBT Modules ». Universal Journal of Electrical and Electronic Engineering 3, no 1 (janvier 2015) : 17–23. http://dx.doi.org/10.13189/ujeee.2015.030104.
Texte intégralAzar, R., F. Udrea, M. DeSilva, G. Amaratunga, W. T. Ng, F. Dawson, W. Findlay et P. Waind. « Advanced SPICE Modeling of Large Power IGBT Modules ». IEEE Transactions on Industry Applications 40, no 3 (mai 2004) : 710–16. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2004.827456.
Texte intégralLuo, Dan, Minyou Chen, Wei Lai, Hongjian Xia, Zhenyu Deng, Zhi Wang et Kai Yu. « A Fault Detection Method of IGBT Bond Wire Fatigue Based on the Reduction of Measured Heatsink Thermal Resistance ». Electronics 11, no 7 (24 mars 2022) : 1021. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11071021.
Texte intégralKrainyukov, Alexander, et Valery Kutev. « Employment Of IGBT-Transistors For Bipolar Impulsed Micro-Arc Oxidation ». Transport and Telecommunication Journal 16, no 3 (1 septembre 2015) : 217–23. http://dx.doi.org/10.1515/ttj-2015-0020.
Texte intégralChen, Ming, An Hu, Yong Tang et Bo Wang. « SABER-Based Simulation for Compact Dynamic Electro-Thermal Modeling Analysis of Power Electronic Devices ». Advanced Materials Research 291-294 (juillet 2011) : 1704–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.291-294.1704.
Texte intégralLuo, Bing Yang, Yi Min Mo, Wen Lu Zhang et Si Ning Liu. « Study Temperature and Humidity Influence on High-Power IGBT ». Applied Mechanics and Materials 325-326 (juin 2013) : 499–502. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.325-326.499.
Texte intégralBöttcher, Lars, S. Karaszkiewicz, D. Manessis, Eckart Hoene et A. Ostmann. « Next Generation High Power Electronic Modules Based on Embedded Power Semiconductors ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2014, DPC (1 janvier 2014) : 000694–719. http://dx.doi.org/10.4071/2014dpc-tp12.
Texte intégralZhou, Shengqi, Luowei Zhou, Suncheng Liu, Pengju Sun, Quanming Luo et Junke Wu. « The Application of Approximate Entropy Theory in Defects Detecting of IGBT Module ». Active and Passive Electronic Components 2012 (2012) : 1–7. http://dx.doi.org/10.1155/2012/309789.
Texte intégralGhimire, Pramod, Angel Ruiz de Vega, Szymon Beczkowski, Bjorn Rannestad, Stig Munk-Nielsen et Paul Thogersen. « Improving Power Converter Reliability : Online Monitoring of High-Power IGBT Modules ». IEEE Industrial Electronics Magazine 8, no 3 (septembre 2014) : 40–50. http://dx.doi.org/10.1109/mie.2014.2311829.
Texte intégralChen, Nan, Filippo Chimento, Muhammad Nawaz et Liwei Wang. « Dynamic Characterization of Parallel-Connected High-Power IGBT Modules ». IEEE Transactions on Industry Applications 51, no 1 (janvier 2015) : 539–46. http://dx.doi.org/10.1109/tia.2014.2330075.
Texte intégralAbbate, C., G. Busatto, L. Fratelli, F. Iannuzzo, B. Cascone et R. Manzo. « The robustness of series-connected high power IGBT modules ». Microelectronics Reliability 47, no 9-11 (septembre 2007) : 1746–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2007.07.036.
Texte intégralQian, Cheng, Amir Mirza Gheitaghy, Jiajie Fan, Hongyu Tang, Bo Sun, Huaiyu Ye et Guoqi Zhang. « Thermal Management on IGBT Power Electronic Devices and Modules ». IEEE Access 6 (2018) : 12868–84. http://dx.doi.org/10.1109/access.2018.2793300.
Texte intégralLefranc, G., T. Licht, H. J. Schultz, R. Beinert et G. Mitic. « Reliability testing of high-power multi-chip IGBT modules ». Microelectronics Reliability 40, no 8-10 (août 2000) : 1659–63. http://dx.doi.org/10.1016/s0026-2714(00)00185-2.
Texte intégralBELYAEV, A. V., et R. N. POLYAKOV. « ANALYSIS OF THE RELIABLE STATE OF POWER ELECTRONICS BY CONTROL OF THERMAL ELECTRIC PARAMETERS ». Fundamental and Applied Problems of Engineering and Technology 2 (2021) : 172–77. http://dx.doi.org/10.33979/2073-7408-2021-346-2-172-177.
Texte intégralScofield, James D., Joseph Neil Merrett, Jim Richmond, Anant K. Agarwal et Scott Leslie. « Electrical and Thermal Performance of 1200 V, 100 A, 200°C 4H-SiC MOSFET-Based Power Switch Modules ». Materials Science Forum 645-648 (avril 2010) : 1119–22. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.645-648.1119.
Texte intégralLuo, Dan, Minyou Chen, Wei Lai, Hongjian Xia, Xueni Ding et Zhenyu Deng. « A Study on the Effect of Bond Wires Lift-Off on IGBT Thermal Resistance Measurement ». Electronics 10, no 2 (15 janvier 2021) : 194. http://dx.doi.org/10.3390/electronics10020194.
Texte intégralHasan, Md Nazmul, Timothy Polom, Dominik Holzmann, Perla Malagó, Alfred Binder et Ali Roshanghias. « Evaluating Cu Printed Interconnects “Sinterconnects” versus Wire Bonds for Switching Converters ». Electronics 11, no 9 (25 avril 2022) : 1373. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11091373.
Texte intégralHasan, Md Nazmul, Timothy Polom, Dominik Holzmann, Perla Malagó, Alfred Binder et Ali Roshanghias. « Evaluating Cu Printed Interconnects “Sinterconnects” versus Wire Bonds for Switching Converters ». Electronics 11, no 9 (25 avril 2022) : 1373. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11091373.
Texte intégralYonezawa, Yoshiyuki, Tomonori Mizushima, Kensuke Takenaka, Hiroyuki Fujisawa, T. Deguchi, Tomohisa Kato, Shinsuke Harada et al. « Device Performance and Switching Characteristics of 16 kV Ultrahigh-Voltage SiC Flip-Type n-Channel IE-IGBTs ». Materials Science Forum 821-823 (juin 2015) : 842–46. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.842.
Texte intégralLoganathan, P., et P. Selvam. « Amalgam Illogical Controller Design Using Amended Moth System for Heat Reduction in Insulated Gate Bipolar Transistor ». International Journal of Mathematics and Computers in Simulation 16 (25 juin 2022) : 67–75. http://dx.doi.org/10.46300/9102.2022.16.11.
Texte intégralDenk, Marco, et Mark-M. Bakran. « Online Junction Temperature Cycle Recording of an IGBT Power Module in a Hybrid Car ». Advances in Power Electronics 2015 (2 mars 2015) : 1–14. http://dx.doi.org/10.1155/2015/652389.
Texte intégralWani, Faisal, Udai Shipurkar, Jianning Dong et Henk Polinder. « Thermal Cycling in Converter IGBT Modules with Different Cooling Systems in Pitch- and Active Stall-Controlled Tidal Turbines ». Energies 14, no 20 (9 octobre 2021) : 6457. http://dx.doi.org/10.3390/en14206457.
Texte intégralWani, Faisal, Udai Shipurkar, Jianning Dong, Henk Polinder, Antonio Jarquin-Laguna, Kaswar Mostafa et George Lavidas. « Lifetime Analysis of IGBT Power Modules in Passively Cooled Tidal Turbine Converters ». Energies 13, no 8 (12 avril 2020) : 1875. http://dx.doi.org/10.3390/en13081875.
Texte intégralPeng, Xi, Sheng Yin et Yingqin Zou. « Research on dynamic current sharing method of parallel connected IGBT modules for NPC three level converters ». Journal of Physics : Conference Series 2113, no 1 (1 novembre 2021) : 012055. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2113/1/012055.
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