Littérature scientifique sur le sujet « IGBT power modules »
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Articles de revues sur le sujet "IGBT power modules"
Flores, David, Salvador Hidalgo et Jesús Urresti. « New generation of 3.3kV IGBTs with monolitically integrated voltage and current sensors ». Facta universitatis - series : Electronics and Energetics 28, no 2 (2015) : 213–21. http://dx.doi.org/10.2298/fuee1502213f.
Texte intégralFu, Xiao Jin, Chun Lan Que, Shuai Zhang, En Xing Yang et Hang Ye. « The Design of Parallel IGBT Modular for Modularized Wind Power Converter ». Applied Mechanics and Materials 734 (février 2015) : 873–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.734.873.
Texte intégralLi, Cui, Yao Sheng Li, Jun Xu Liu, Hua Qiang Shao, Zhong yuan Chen et Jin Yuan Li. « Research on performance parameter degradation of high voltage and high power IGBT module in power cycling test ». Journal of Physics : Conference Series 2290, no 1 (1 juin 2022) : 012041. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2290/1/012041.
Texte intégralWang, Yan Gang, Dinesh Chamund, Shi Ping Li, Kevin Wu, Steve Jones et Gary Liu. « Lifetime Prediction for Power IGBT Modules in Metro Traction Systems ». Advanced Materials Research 846-847 (novembre 2013) : 724–31. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.846-847.724.
Texte intégralLevchuk, Svetlana, Monika Poebl et Gerhard Mitic. « Diamond Composites for Power Electronics Application ». Advanced Materials Research 59 (décembre 2008) : 143–47. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.59.143.
Texte intégralZheng, Qing Yuan, Min You Chen, Bing Gao et Nan Jiang. « Analysis of Transient Thermal Stress of IGBT Module Based on Electrical-Thermal-Mechanical Coupling Model ». Advanced Materials Research 986-987 (juillet 2014) : 823–27. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.986-987.823.
Texte intégralWu, Yi Bo, Guo You Liu, Ning Hua Xu et Ze Chun Dou. « Thermal Resistance Analysis and Simulation of IGBT Module with High Power Density ». Applied Mechanics and Materials 303-306 (février 2013) : 1902–7. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.303-306.1902.
Texte intégralShen, Bing, et Yifa Sheng. « Research on junction temperature monitoring technology of IGBT modules ». Journal of Physics : Conference Series 2378, no 1 (1 décembre 2022) : 012043. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2378/1/012043.
Texte intégralSkibinski, G., D. Braun, D. Kirschnik et R. Lukaszewski. « Developments in Hybrid Si – SiC Power Modules ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1141–47. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1141.
Texte intégralJo, Kim, Cho et Lee. « Development of a Hardware Simulator for Reliable Design of Modular Multilevel Converters Based on Junction-Temperature of IGBT Modules ». Electronics 8, no 10 (7 octobre 2019) : 1127. http://dx.doi.org/10.3390/electronics8101127.
Texte intégralThèses sur le sujet "IGBT power modules"
Wang, Yalan. « Controlled switching of high power IGBT/diode modules ». Thesis, University of Cambridge, 2007. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.613291.
Texte intégralSignorello, Concetta. « Reduction of Switching Losses in IGBT Power Modules ». Doctoral thesis, Università di Catania, 2015. http://hdl.handle.net/10761/4056.
Texte intégralJoyce, John Charles. « Current sharing and redistribution in high power IGBT modules ». Thesis, University of Cambridge, 2001. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.621350.
Texte intégralCiappa, Mauro P. M. « Some reliability aspects of IGBT modules for high-power applications / ». Zürich, 2000. http://e-collection.ethbib.ethz.ch/show?type=diss&nr=13790.
Texte intégralXiao, Di. « On Modern IGBT Modules : Characterization, Reliability and Failure Mechanisms ». Thesis, Norwegian University of Science and Technology, Department of Electrical Power Engineering, 2010. http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:no:ntnu:diva-10932.
Texte intégralThe increased demand of offshore power conversion systems is driven by newly initiated offshore projects for wind farms and oil production. Because of long distances to shore and inaccessibility of the equipment long repair times must be expected. At the same time the offshore environment is extremely harsh. Thus, high reliability is required for the converters and it is important to have good knowledge of the switching devices. This thesis investigates switching characteristics and losses of commercially available IGBT modules to be used for this application. It focuses on switching time and switching energy losses depending on gate resistance, current and voltage levels, operation temperatures, and show differences between several devices of the same type. Some test show how device characteristics and losses when the device has been exposed to stress over a certain period.
Ji, Bing. « In-situ health monitoring of IGBT power modules in EV applications ». Thesis, University of Newcastle Upon Tyne, 2012. http://hdl.handle.net/10443/1474.
Texte intégralYaqub, Imran. « Investigation into stable failure to short circuit in IGBT power modules ». Thesis, University of Nottingham, 2015. http://eprints.nottingham.ac.uk/30305/.
Texte intégralSmet, Vanessa. « Aging and failure modes of IGBT power modules undergoing power cycling in high temperature environments ». Thesis, Montpellier 2, 2010. http://www.theses.fr/2010MON20075/document.
Texte intégralThis thesis is dedicated to reliability investigations led on three-phase 200~A~--~600~V IGBT power modules, designed for building drive inverters for hybrid or electric automotive traction applications. The objective was to evaluate the durability of the studied modules when they withstand power cycling in high temperature environments, and especially their resistance to thermo-mechanical fatigue. Two complementary approaches were considered: accelerated aging experiments and numerical modeling.A series of power cycling tests was carried out over a large range of temperature profiles, defined by the ambient temperature and IGBT junction temperature excursion. These quantities are used as thermal stress acceleration factors. Those experiments were led in realistic electrical conditions (PWM control scheme). They aimed at identifying the failure modes of the target devices, assessing the impact of the acceleration factors on their aging process, and evaluating the suitability of standard aging indicators as damage precursors in such harsh loading conditions. Besides, to better understand the failure mechanisms governing the fatigue life of the modules assembly, a thermo-mechanical modeling focusing on solder joints was built. Our simulation efforts concentrated on the appraisal of constitutive modeling effects on solder joints lifetime estimation. Numerical analysis of the assembly response to power cycling in similar operating conditions as practiced in experiments were performed. Behavior laws were then compared on stress, plastic strain, and strain energy density developed within the joints
Azar, Ramy. « A novel electro-thermal IGBT model for the design and analysis of large power IGBT modules in the spice environment ». Thesis, University of Cambridge, 2003. http://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.619985.
Texte intégralBelmehdi, Yassine. « Contribution à l'identification de nouveaux indicateurs de défaillance des modules de puissance à IGBT ». Thesis, Bordeaux 1, 2011. http://www.theses.fr/2011BOR14258/document.
Texte intégralPower electronics has a role increasingly growing up in transport:electric and hybrid vehicles, trains and aircraft. For these applications, security is a critical point, thus the reliability of the power assembly must be optimized. The knowledge of time to failure is very important information for the designers of these systems. Inthis context, an early failure indicator would predict system failuresbefore it becomes effective. In this thesis, we focused on the electromechanical characterization of power transistors: MOSFET and IGBT. Based on these results this electromechanical characterization should help us in the longer term, to highlight an early failure indicator of the power assembly
Livres sur le sujet "IGBT power modules"
Yun, Chan-Su. Static and dynamic thermal behavior of IGBT power modules. Konstanz : Hartung-Gorre, 2001.
Trouver le texte intégralCiappa, Mauro. Some reliability aspects of IGBT modules for high-power applications. Konstanz : Hartung-Gorre, 2001.
Trouver le texte intégralRectifier, International. Power interface products : HEXFET and IGBT muli-chip power SIP modules ; designer's manual and product databook. El Segundo, CA : International Rectifier, 1992.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "IGBT power modules"
Bharathsimha Reddy, A., S. N. Mahato et Nilanjan Tewari. « Static and Dynamic Analysis of IGBT Power Modules for Low and High-Power Range Electric Drives ». Dans Recent Advances in Power Electronics and Drives, 119–36. Singapore : Springer Nature Singapore, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-7728-2_9.
Texte intégralZhou, Mingchao, Lei Wang, Mengxue Guo, Yanbei Sha, Qiuli Liu et Lijun Diao. « Design and Research of Accelerated Aging Test Platform for IGBT Power Module ». Dans Proceedings of the 5th International Conference on Electrical Engineering and Information Technologies for Rail Transportation (EITRT) 2021, 179–86. Singapore : Springer Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-16-9913-9_21.
Texte intégralFan, Zhigang, Dechun Zhu, Quan Jin et Xiaozhou Shang. « Research on Flow Operation Scheduling for Flexible Production of IGBT Power Module Assemble ». Dans Proceedings of the Eighth Asia International Symposium on Mechatronics, 1190–200. Singapore : Springer Nature Singapore, 2022. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-19-1309-9_115.
Texte intégralSefsaf, H., B. Nadji et Y. Yakhelef. « Characterization and Simulation of the Power IGBT Module Used in VFD for Drilling Applications ». Dans Lecture Notes in Networks and Systems, 665–71. Cham : Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-21216-1_67.
Texte intégral« Power IGBT Modules ». Dans Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design, 465–98. Hoboken, NJ, USA : John Wiley & Sons, Inc., 2005. http://dx.doi.org/10.1002/047172291x.ch9.
Texte intégral« Manufacturing of Power IGBT Modules ». Dans Power Electronic Modules. CRC Press, 2004. http://dx.doi.org/10.1201/9780203507308.ch4.
Texte intégralLu, Zhiyu, Maksim G. Popov, Elena V. Zakharova, Mikhail V. Gushin et Dionizio Paschoareli Jr. « A Research Method of IGBT Non-Stationary Mode for Power and Electrical Equipment Control ». Dans Advances in Transdisciplinary Engineering. IOS Press, 2022. http://dx.doi.org/10.3233/atde220486.
Texte intégral« Implementation of a Temperature Measurement Method for Condition Monitoring of IGBT Converter Modules in Online-Mode ». Dans Power Electrical Systems, 179–200. De Gruyter Oldenbourg, 2018. http://dx.doi.org/10.1515/9783110470529-011.
Texte intégralMakhloufi, Abderahman, Younes Aoues, Abdelkhalak El Hami, Bouchaib Radi, Philippe Pougnet et David Delaux. « Study on the Thermomechanical Fatigue of Electronic Power Modules for Traction Applications in Electric and Hybrid Vehicles (IGBT) ». Dans Reliability of High-Power Mechatronic Systems 1, 213–51. Elsevier, 2017. http://dx.doi.org/10.1016/b978-1-78548-260-1.50010-8.
Texte intégralYang, Fei, Shengting Kuai et Zhe Wang. « Study on Water Cooling Performance of IGBT Module in Wind Power Converter ». Dans Advances in Transdisciplinary Engineering. IOS Press, 2021. http://dx.doi.org/10.3233/atde210262.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "IGBT power modules"
Jacob, P. « Reliability testing and analysis of IGBT power semiconductor modules ». Dans IEE Colloquium on `IGBT Propulsion Drives'. IEE, 1995. http://dx.doi.org/10.1049/ic:19950531.
Texte intégralNewcombe, D. R., Dinesh Cha, C. Bailey et H. Lu. « Reliability metrics for IGBT power modules ». Dans High Density Packaging (ICEPT-HDP). IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/icept.2010.5582869.
Texte intégralGutierrez, Erick, Kevin Lin, Douglas DeVoto et Patrick McCluskey. « Thermal Assessment and In-Situ Monitoring of Insulated Gate Bipolar Transistors in Power Electronic Modules ». Dans ASME 2019 International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems. American Society of Mechanical Engineers, 2019. http://dx.doi.org/10.1115/ipack2019-6470.
Texte intégralJin, Qichen, Johannes K. Mendizabal, Nenad Miljkovic et Arijit Banerjee. « In Situ Power Loss Estimation of IGBT Power Modules ». Dans 2021 IEEE International Electric Machines & Drives Conference (IEMDC). IEEE, 2021. http://dx.doi.org/10.1109/iemdc47953.2021.9449570.
Texte intégralMedaule, D. « Latest technology improvements of Mitsubishi IGBT modules ». Dans IEE Colloquium on New Developments in Power Semiconductor Devices. IEE, 1996. http://dx.doi.org/10.1049/ic:19960862.
Texte intégralIncau, Bogdan Ioan, Ionut Trintis et Stig Munk-Nielsen. « Switching speed limitations of high power IGBT modules ». Dans 2015 17th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'15 ECCE-Europe). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/epe.2015.7309369.
Texte intégralCzubay, John, Sung Chung et Prakash H. Desai. « IGBT Power Modules Evaluation for GM Electrified Vehicles ». Dans WCX World Congress Experience. 400 Commonwealth Drive, Warrendale, PA, United States : SAE International, 2018. http://dx.doi.org/10.4271/2018-01-0460.
Texte intégralIura, Shinichi, John F. Donlon et Eckhard Thal. « Design approach of newly developed 3.3kV IGBT modules ». Dans 2007 European Conference on Power Electronics and Applications. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/epe.2007.4417346.
Texte intégralZhu, Nan, Dehong Xu, Xingyao Zhang, Min Chen, Seiki Igarashi et Tatsuhiko Fujihira. « Switching noise suppression for hybrid IGBT modules ». Dans 2015 9th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE 2015-ECCE Asia). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/icpe.2015.7167878.
Texte intégralQi, Tao, Jeff Graham et Jian Sun. « Characterization of IGBT modules for system EMI simulation ». Dans 2010 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition - APEC 2010. IEEE, 2010. http://dx.doi.org/10.1109/apec.2010.5433545.
Texte intégralRapports d'organisations sur le sujet "IGBT power modules"
Ovrebo, Gregory K. Thermal Simulation of Switching Pulses in an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Power Module. Fort Belvoir, VA : Defense Technical Information Center, février 2015. http://dx.doi.org/10.21236/ada616757.
Texte intégral