Articles de revues sur le sujet « High temperature semiconductors »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « High temperature semiconductors ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
TREW, R. J., et M. W. SHIN. « HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 01 (mars 1995) : 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Texte intégralPalmstrøm, Chris. « Epitaxial Heusler Alloys : New Materials for Semiconductor Spintronics ». MRS Bulletin 28, no 10 (octobre 2003) : 725–28. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2003.213.
Texte intégralMa, Xi Ying. « Study of the Electrical Properties of Monolayer MoS2 Semiconductor ». Advanced Materials Research 651 (janvier 2013) : 193–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.651.193.
Texte intégralWESSELS, B. W. « MAGNETORESISTANCE OF NARROW GAP MAGNETIC SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS ». SPIN 03, no 04 (décembre 2013) : 1340011. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324713400110.
Texte intégralDezaki, Hikari, Meng Long Jing, Sundararajan Balasekaran, Tadao Tanabe et Yutaka Oyama. « Room Temperature Terahertz Emission via Intracenter Transition in Semiconductors ». Key Engineering Materials 500 (janvier 2012) : 66–69. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.500.66.
Texte intégralGuyenot, M., M. Reinold, Y. Maniar et M. Rittner. « Advanced wire bonding for high reliability and high temperature applications ». International Symposium on Microelectronics 2016, no 1 (1 octobre 2016) : 000214–18. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2016-wa51.
Texte intégralZhao, Youyang, Charles Rinzler et Antoine Allanore. « Molten Semiconductors for High Temperature Thermoelectricity ». ECS Journal of Solid State Science and Technology 6, no 3 (5 décembre 2016) : N3010—N3016. http://dx.doi.org/10.1149/2.0031703jss.
Texte intégralChen, Sheng. « Theory And Application of Gallium Nitride Based Dilute Magnetic Semiconductors ». Highlights in Science, Engineering and Technology 81 (26 janvier 2024) : 286–90. http://dx.doi.org/10.54097/26qm0041.
Texte intégralKappert, Holger, Sebastian Braun, Norbert Kordas, Stefan Dreiner et Rainer Kokozinski. « High Temperature GaN Gate Driver in SOI CMOS Technology ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2016, HiTEC (1 janvier 2016) : 000112–15. http://dx.doi.org/10.4071/2016-hitec-112.
Texte intégralTournier, Dominique, Pierre Brosselard, Christophe Raynaud, Mihai Lazar, Herve Morel et Dominique Planson. « Wide Band Gap Semiconductors Benefits for High Power, High Voltage and High Temperature Applications ». Advanced Materials Research 324 (août 2011) : 46–51. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.46.
Texte intégralGumyusenge, Aristide, et Jianguo Mei. « High Temperature Organic Electronics ». MRS Advances 5, no 10 (2020) : 505–13. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.31.
Texte intégralPrikhod’ko, A. V. « High-Temperature Superconductivity in Chalcogenide Vitreous Semiconductors ». Semiconductors 35, no 6 (juin 2001) : 677. http://dx.doi.org/10.1134/1.1379402.
Texte intégralNagaev, E. L. « High-temperature resistivity of degenerate ferromagnetic semiconductors ». Physics Letters A 255, no 4-6 (mai 1999) : 336–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0375-9601(99)00188-7.
Texte intégralRuddy, Frank H., Laurent Ottaviani, Abdallah Lyoussi, Christophe Destouches, Olivier Palais et Christelle Reynard-Carette. « Performance and Applications of Silicon Carbide Neutron Detectors in Harsh Nuclear Environments ». EPJ Web of Conferences 253 (2021) : 11003. http://dx.doi.org/10.1051/epjconf/202125311003.
Texte intégralWang, Haidi, Qingqing Feng, Xingxing Li et Jinlong Yang. « High-Throughput Computational Screening for Bipolar Magnetic Semiconductors ». Research 2022 (15 mars 2022) : 1–8. http://dx.doi.org/10.34133/2022/9857631.
Texte intégralZaizen, Shohei, Kyohei Asami, Takashi Furukawa, Takeshi Hatta, Tsubasa Nakamura, Takashi Sakugawa et Takahisa Ueno. « The Development of a Compact Pulsed Power Supply with Semiconductor Series Connection ». Electronics 12, no 21 (4 novembre 2023) : 4541. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12214541.
Texte intégralHan, Da-Gyeong, Dong-Hwan Lee et Jeong-Won Yoon. « Optimization of TLPS Bonding Process and Joint Property using Ni-Sn Paste for High Temperature Power Module Applications ». Journal of Welding and Joining 42, no 2 (30 avril 2024) : 165–73. http://dx.doi.org/10.5781/jwj.2024.42.2.3.
Texte intégralHuang, Chengxi, Junsheng Feng, Jian Zhou, Hongjun Xiang, Kaiming Deng et Erjun Kan. « Ultra-High-Temperature Ferromagnetism in Intrinsic Tetrahedral Semiconductors ». Journal of the American Chemical Society 141, no 31 (16 juillet 2019) : 12413–18. http://dx.doi.org/10.1021/jacs.9b06452.
Texte intégralBonanni, Alberta, et Tomasz Dietl. « A story of high-temperature ferromagnetism in semiconductors ». Chem. Soc. Rev. 39, no 2 (2010) : 528–39. http://dx.doi.org/10.1039/b905352m.
Texte intégralChaves, Andrey, et David Neilson. « Two-dimensional semiconductors host high-temperature exotic state ». Nature 574, no 7776 (2 octobre 2019) : 39–40. http://dx.doi.org/10.1038/d41586-019-02906-9.
Texte intégralGraham, Mike J. « Modern Analytical Techniques in High Temperature Oxidation and Corrosion ». Materials Science Forum 522-523 (août 2006) : 61–68. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.522-523.61.
Texte intégralLu, Zhizhong, Menglin Jiang, Jieshi Huang, Xinlei Zhou, Kejie Li, Yue Zheng, Wenkai Jiang, Tao Zhang, Hangbing Yan et Huan Xia. « Study on NO2 gas sensitivity of metal phthalocyanine enhanced by graphene quantum dots ». Journal of Physics : Conference Series 2369, no 1 (1 novembre 2022) : 012083. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2369/1/012083.
Texte intégralGumyusenge, Aristide, Dung T. Tran, Xuyi Luo, Gregory M. Pitch, Yan Zhao, Kaelon A. Jenkins, Tim J. Dunn, Alexander L. Ayzner, Brett M. Savoie et Jianguo Mei. « Semiconducting polymer blends that exhibit stable charge transport at high temperatures ». Science 362, no 6419 (6 décembre 2018) : 1131–34. http://dx.doi.org/10.1126/science.aau0759.
Texte intégralKim, Jong-Woo, Seong-Geon Park, Min Kyu Yang et Byeong-Kwon Ju. « Microwave-Assisted Annealing Method for Low-Temperature Fabrication of Amorphous Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film Transistors ». Electronics 11, no 19 (28 septembre 2022) : 3094. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11193094.
Texte intégralGulyamov, G., U. I. Erkaboev et N. Yu. Sharibaev. « The De Haas–Van Alphen effect at high temperatures and in low magnetic fields in semiconductors ». Modern Physics Letters B 30, no 07 (20 mars 2016) : 1650077. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984916500779.
Texte intégralLostetter, Alexander B., J. Hornberger, B. McPherson, J. Bourne, R. Shaw, E. Cilio, W. Cilio et al. « High Temperature Silicon Carbide Power Modules for High Performance Systems ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 1219–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.1219.
Texte intégralHarada, T., S. Ito et A. Tsukazaki. « Electric dipole effect in PdCoO2/β-Ga2O3 Schottky diodes for high-temperature operation ». Science Advances 5, no 10 (octobre 2019) : eaax5733. http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.aax5733.
Texte intégralPavlidis, Georges, Muhammad Jamil et Bivek Bista. « (Invited) Sub-Bandgap Thermoreflectance Imaging of Ultra-Wide Bandgap Semiconductors ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 32 (28 août 2023) : 1822. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01321822mtgabs.
Texte intégralWang, Baron, Andrea S. Chen et Randy H. Y. Lo. « Characteristics of Organic-Based Thermal Interface Materials Suitable for High Temperature Operation ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, HiTen (1 juillet 2019) : 000041–44. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491.2019.hiten.000041.
Texte intégralArkin, Michael, Jeff Watson, Michael Siu et Michael Cusack. « Precision Analog Signal Conditioning Semiconductors for Operation in Very High Temperature Environments ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2013, HITEN (1 janvier 2013) : 000139–51. http://dx.doi.org/10.4071/hiten-ta17.
Texte intégralFurnival, Benjamin J. D., Sandip K. Roy, Nicolas G. Wright et Alton B. Horsfall. « Influence of Contact Metallisation on the High Temperature Characteristics of High-κ Dielectrics ». Materials Science Forum 740-742 (janvier 2013) : 837–40. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.837.
Texte intégralQi, Siyuan, Chris Powley, Maria Mirgkizoudi, Adele Pliscott et Peter Collier. « Evaluation of High Temperature Joining Technologies for Semiconductor Die Attach ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2017, HiTEN (1 juillet 2017) : 000177–92. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491.2017.hiten.177.
Texte intégralHuang, Luying, Fenghua Liu, Jiachen Bao, Xiaoman Li et Weiping Wu. « High-Performance Organic Field-Effect Transistors of Liquid Crystalline Organic Semiconductor by Laser Mapping Annealing ». Materials 17, no 6 (19 mars 2024) : 1395. http://dx.doi.org/10.3390/ma17061395.
Texte intégralChen, Yu, S. W. Fan et P. Xu. « Defect induced ambipolar conductivity in wide-bandgap semiconductor SrS : Theoretical perspectives ». Applied Physics Letters 121, no 25 (19 décembre 2022) : 252102. http://dx.doi.org/10.1063/5.0125543.
Texte intégralNeudeck, P. G., R. S. Okojie et Liang-Yu Chen. « High-temperature electronics - a role for wide bandgap semiconductors ? » Proceedings of the IEEE 90, no 6 (juin 2002) : 1065–76. http://dx.doi.org/10.1109/jproc.2002.1021571.
Texte intégralKuroda, Shinji, Nozomi Nishizawa, Kôki Takita, Masanori Mitome, Yoshio Bando, Krzysztof Osuch et Tomasz Dietl. « Origin and control of high-temperature ferromagnetism in semiconductors ». Nature Materials 6, no 6 (21 mai 2007) : 440–46. http://dx.doi.org/10.1038/nmat1910.
Texte intégralArciszewska, M., A. Mycielski, C. Testelin, C. Rigaux et A. Mauger. « High-temperature magnetic susceptibility ofCd1−xFexTe diluted magnetic semiconductors ». Physical Review B 45, no 15 (15 avril 1992) : 8746–48. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.8746.
Texte intégralZhang, Wenxu, Zhishuo Huang, Wanli Zhang et Yanrong Li. « Two-dimensional semiconductors with possible high room temperature mobility ». Nano Research 7, no 12 (3 septembre 2014) : 1731–37. http://dx.doi.org/10.1007/s12274-014-0532-x.
Texte intégralWang, Yaqi, Huasheng Sun, Shihai Wu, Ang Li, Yi Wan, Erjun Kan et Chengxi Huang. « Prediction of high-temperature ferromagnetic semiconductors in tetrahedral superlattices ». Science China Materials 67, no 4 (20 mars 2024) : 1225–30. http://dx.doi.org/10.1007/s40843-023-2863-2.
Texte intégralZhan, Tianzhuo, Mao Xu, Zhi Cao, Chong Zheng, Hiroki Kurita, Fumio Narita, Yen-Ju Wu et al. « Effects of Thermal Boundary Resistance on Thermal Management of Gallium-Nitride-Based Semiconductor Devices : A Review ». Micromachines 14, no 11 (8 novembre 2023) : 2076. http://dx.doi.org/10.3390/mi14112076.
Texte intégralShur, Michael. « (Invited) Ultrawide Bandgap Transistors for High Temperature and Radiation Hard Applications ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 37 (9 octobre 2022) : 1348. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371348mtgabs.
Texte intégralKizilyalli, Isik C., Olga Blum Spahn et Eric P. Carlson. « (Invited) Recent Progress in Wide-Bandgap Semiconductor Devices for a More Electric Future ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 37 (9 octobre 2022) : 1344. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02371344mtgabs.
Texte intégralWang, M., R. A. Marshall, K. W. Edmonds, A. W. Rushforth, R. P. Campion et B. L. Gallagher. « Determining Curie temperatures in dilute ferromagnetic semiconductors : High Curie temperature (Ga,Mn)As ». Applied Physics Letters 104, no 13 (31 mars 2014) : 132406. http://dx.doi.org/10.1063/1.4870521.
Texte intégralMonobe, Hirosato, Masaomi Kimoto et Yo Shimizu. « Influence of Temperature Variation on Field Effect Transistor Properties Using a Solution-Processed Liquid Crystalline Semiconductor, 8TNAT8 ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 16, no 4 (1 avril 2016) : 3277–81. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2016.12299.
Texte intégralHöhne, Jens, Matthias Bühler, Theo Hertrich et Uwe Hess. « Cryodetectors for High Resolution X-Ray Spectroscopy ». Microscopy and Microanalysis 6, S2 (août 2000) : 740–41. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600036199.
Texte intégralKucukgok, B., Q. He, A. Carlson, A. G. Melton, I. T. Ferguson et N. Lu. « Investigation of Wide Bandgap Semiconductors for Thermoelectric Applications ». MRS Proceedings 1490 (2013) : 161–66. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.26.
Texte intégralOstapchuk, Mikhail, Dmitry Shishov, Daniil Shevtsov et Sergey Zanegin. « Research of Static and Dynamic Properties of Power Semiconductor Diodes at Low and Cryogenic Temperatures ». Inventions 7, no 4 (18 octobre 2022) : 96. http://dx.doi.org/10.3390/inventions7040096.
Texte intégralRaju, Krishna Murti. « High temperature elastic anharmonicity in lanthanum mono-chalcogenides ». Canadian Journal of Physics 89, no 7 (juillet 2011) : 817–24. http://dx.doi.org/10.1139/p11-062.
Texte intégralEndo, Hirohisa, Kozaburo Tamura et Makoto Yao. « Liquid metals and semiconductors under pressure ». Canadian Journal of Physics 65, no 3 (1 mars 1987) : 266–85. http://dx.doi.org/10.1139/p87-036.
Texte intégralFan, Yan. « Recent progress in diluted ferromagnetism for spintronic application ». Journal of Physics : Conference Series 2608, no 1 (1 octobre 2023) : 012046. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2608/1/012046.
Texte intégral