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Texte intégralZhao, Lan, et Wen Lei Zhao. « Frequency Characteristics and Conversion of Microwave Photons ». Applied Mechanics and Materials 568-570 (juin 2014) : 1303–6. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.568-570.1303.
Texte intégralHasan, Md Nazmul, Edward Swinnich et Jung-Hun Seo. « Recent Progress in Gallium Oxide and Diamond Based High Power and High-Frequency Electronics ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 28, no 01n02 (mars 2019) : 1940004. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156419400044.
Texte intégralSATO, TOSHIRO. « Micromagnetic Devices for High Frequency Power. » Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 123, no 11 (2003) : 723–26. http://dx.doi.org/10.1541/ieejjournal.123.723.
Texte intégralRahman, Md Wahidur, Chandan Joishi, Nidhin Kurian Kalarickal, Hyunsoo Lee et Siddharth Rajan. « High-Permittivity Dielectric for High-Performance Wide Bandgap Electronic Devices ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 32 (9 octobre 2022) : 1210. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321210mtgabs.
Texte intégralLiu, An-Chen, Po-Tsung Tu, Catherine Langpoklakpam, Yu-Wen Huang, Ya-Ting Chang, An-Jye Tzou, Lung-Hsing Hsu, Chun-Hsiung Lin, Hao-Chung Kuo et Edward Yi Chang. « The Evolution of Manufacturing Technology for GaN Electronic Devices ». Micromachines 12, no 7 (23 juin 2021) : 737. http://dx.doi.org/10.3390/mi12070737.
Texte intégralWang, Li, et Chun Feng. « The International Research Progress of GaN-Based Microwave Electronic Devices ». Advanced Materials Research 1053 (octobre 2014) : 69–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1053.69.
Texte intégralFeng, Jinjun, Yubin Gong, Chaohai Du et Adrian Cross. « High-Frequency Vacuum Electron Devices ». Electronics 11, no 5 (5 mars 2022) : 817. http://dx.doi.org/10.3390/electronics11050817.
Texte intégralAyubi-Moak, J. S., S. M. Goodnick et M. Saraniti. « Global Modeling of high frequency devices ». Journal of Computational Electronics 5, no 4 (9 décembre 2006) : 415–18. http://dx.doi.org/10.1007/s10825-006-0028-3.
Texte intégralOHSHIMA, S. « Special Section on Superconducting High-frequency Devices ». IEICE Transactions on Electronics E89-C, no 2 (1 février 2006) : 97. http://dx.doi.org/10.1093/ietele/e89-c.2.97.
Texte intégralPetukhov, Igor B., et Vladimir L. Lanin. « High Frequency Ultrasonic Transducers for Interconnection Microwelding in Electronic Devices ». International Journal of Scientific Research in Knowledge 3, no 9 (1 septembre 2015) : 241–46. http://dx.doi.org/10.12983/ijsrk-2015-p0241-0246.
Texte intégralYAMAGUCHI, MASAHIRO. « Recent Progress of High Frequency Micromagnetic Devices. » Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan 123, no 11 (2003) : 716–18. http://dx.doi.org/10.1541/ieejjournal.123.716.
Texte intégralCapano, Michael A., et Robert J. Trew. « Silicon Carbide Electronic Materials and Devices ». MRS Bulletin 22, no 3 (mars 1997) : 19–23. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400032711.
Texte intégralIoffe, Valery M., et Sergei I. Chikichev. « New varactors and high-power high-frequency capacitive devices ». Solid-State Electronics 49, no 3 (mars 2005) : 385–97. http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2004.11.018.
Texte intégralMalykhin, A. Yu, A. A. Panich, A. E. Panich, G. S. Radchenko et A. V. Skrylev. « Forecasting of high-frequency magnetoelectric resonances of electronic technics component devices ». Физические основы приборостроения 8, no 1 (15 mars 2019) : 36–41. http://dx.doi.org/10.25210/jfop-1901-036041.
Texte intégralPaul, D., M. S. Nakhla, R. Achar et A. Weisshaar. « Broadband Modeling of High-Frequency Microwave Devices ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 57, no 2 (février 2009) : 361–73. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.2008.2011247.
Texte intégralUrteaga, M., S. Krishnan, D. Scott, Y. Wei, M. Dahlstrom, S. Lee et M. J. W. Rodwell. « Submicron InP-based HBTs for Ultra-high Frequency Amplifiers ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 13, no 02 (juin 2003) : 457–95. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156403001806.
Texte intégralChu, Rong Ming. « GaN MOS Structures with Low Interface Trap Density ». Solid State Phenomena 314 (février 2021) : 79–83. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.314.79.
Texte intégralKE, Haotao, et Douglas C. Hopkins. « Development of Printed Power Packaging for a High Voltage SiC Module ». International Symposium on Microelectronics 2012, no 1 (1 janvier 2012) : 000955–60. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2012-wp55.
Texte intégralZhang, Jing. « Novel Thermal-Electrical-Mechanical Model for Simulating Coupled Phenomena in High-Frequency Electronic Devices ». Key Engineering Materials 538 (janvier 2013) : 173–76. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.538.173.
Texte intégralHu, Qing, S. Verghese, R. A. Wyss, Th Schäpers, J. del Alamo, S. Feng, K. Yakubo, M. J. Rooks, M. R. Melloch et A. Förster. « High-frequency ( THz) studies of quantum-effect devices ». Semiconductor Science and Technology 11, no 12 (1 décembre 1996) : 1888–94. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/11/12/021.
Texte intégralFREEMAN, G. G., B. JAGANNATHAN, N. ZAMDMER, R. GROVES, R. SINGH, Y. TRETIAKOV, M. KUMAR et al. « INTEGRATED SiGe AND Si DEVICE CAPABILITIES AND TRENDS FOR MULTI-GIGAHERTZ APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 13, no 01 (mars 2003) : 175–219. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156403001570.
Texte intégralHan, Fangming, Ou Qian, Guowen Meng, Dou Lin, Gan Chen, Shiping Zhang, Qijun Pan, Xiang Zhang, Xiaoguang Zhu et Bingqing Wei. « Structurally integrated 3D carbon tube grid–based high-performance filter capacitor ». Science 377, no 6609 (26 août 2022) : 1004–7. http://dx.doi.org/10.1126/science.abh4380.
Texte intégralHe, Juntao, Yibing Cao, Jiande Zhang, Ting Wang et Junpu Ling. « Design of a dual-frequency high-power microwave generator ». Laser and Particle Beams 29, no 4 (décembre 2011) : 479–85. http://dx.doi.org/10.1017/s0263034611000590.
Texte intégralWatanabe, S. « Technology transfer for high frequency devices for consumer electronics ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 40, no 12 (1992) : 2461–66. http://dx.doi.org/10.1109/22.179917.
Texte intégralNikitin, V. F., N. N. Smirnov, M. N. Smirnova et V. V. Tyurenkova. « On board electronic devices safety subject to high frequency electromagnetic radiation effects ». Acta Astronautica 135 (juin 2017) : 181–86. http://dx.doi.org/10.1016/j.actaastro.2016.09.012.
Texte intégralYANAGIHARA, Manabu, et Tetsuzo UEDA. « Development of GaN Power Devices for High Switching Frequency ». Journal of The Institute of Electrical Engineers of Japan 139, no 2 (1 février 2019) : 80–83. http://dx.doi.org/10.1541/ieejjournal.139.80.
Texte intégralPénarier, A., J. C. Vildeuil, M. Valenza, D. Rigaud, S. G. Jarrix, C. Delseny et F. Pascal. « Low-frequency noise in III–V high-speed devices ». IEE Proceedings - Circuits, Devices and Systems 149, no 1 (1 février 2002) : 59–67. http://dx.doi.org/10.1049/ip-cds:20020330.
Texte intégralBollaert, S., A. Cappy, Y. Roelens, J. S. Galloo, C. Gardes, Z. Teukam, X. Wallart et al. « Ballistic nano-devices for high frequency applications ». Thin Solid Films 515, no 10 (mars 2007) : 4321–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.178.
Texte intégralBaiburin, V. B., A. S. Rozov, N. Yu Khorovodova, A. S. Ershov et A. A. Nikiforov. « A new approach to the development of perspective compact frequency multipliers of the subterahertz and terahertz bands for on-board electronic equipment ». Radioengineering 8 (2021) : 111–21. http://dx.doi.org/10.18127/j00338486-202108-12.
Texte intégralIbrahim, Ali, Zoubir Khatir et Laurent Dupont. « Characterization and Aging Test Methodology for Power Electronic Devices at High Temperature ». Advanced Materials Research 324 (août 2011) : 411–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.411.
Texte intégralJoglekar, Sameer, Mohamed Azize et Tomás Palacios. « Reactive sputtering of III-N materials for applications in electronic devices ». MRS Advances 1, no 2 (2016) : 141–46. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2016.38.
Texte intégralZhang, Dianhao, Xiao-guang Huang, Bin-liang Cheng et Neng Zhang. « Numerical analysis and thermal fatigue life prediction of solder layer in a SiC-IGBT power module ». Frattura ed Integrità Strutturale 15, no 55 (28 décembre 2020) : 316–26. http://dx.doi.org/10.3221/igf-esis.55.24.
Texte intégralBalmer, R. S., I. Friel, S. M. Woollard, C. J. H. Wort, G. A. Scarsbrook, S. E. Coe, H. El-Hajj et al. « Unlocking diamond's potential as an electronic material ». Philosophical Transactions of the Royal Society A : Mathematical, Physical and Engineering Sciences 366, no 1863 (19 novembre 2007) : 251–65. http://dx.doi.org/10.1098/rsta.2007.2153.
Texte intégralLeonte, I. I., G. Sehra, M. Cole, P. Hesketh et J. W. Gardner. « Taste sensors utilizing high-frequency SH-SAW devices ». Sensors and Actuators B : Chemical 118, no 1-2 (octobre 2006) : 349–55. http://dx.doi.org/10.1016/j.snb.2006.04.040.
Texte intégralAVRAMOV, IVAN D. « HIGH-PERFORMANCE SURFACE TRANSVERSE WAVE RESONATORS IN THE LOWER GHz FREQUENCY RANGE ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 10, no 03 (septembre 2000) : 735–92. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156400000635.
Texte intégralKnoesen, André, Ge Song, Willi Volksen, Elbert Huang, Teddie Magbitang, Linda Sundberg, James L. Hedrick, Craig J. Hawker et Robert D. Miller. « Porous organosilicates low-dielectric films for high-frequency devices ». Journal of Electronic Materials 33, no 2 (février 2004) : 135–40. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-004-0283-7.
Texte intégralTREW, R. J., et M. W. SHIN. « HIGH FREQUENCY, HIGH TEMPERATURE FIELD-EFFECT TRANSISTORS FABRICATED FROM WIDE BAND GAP SEMICONDUCTORS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 01 (mars 1995) : 211–36. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000067.
Texte intégralRaskin, J. P., D. J. Pearman, G. Pailloncy, J. M. Larson, J. Snyder, D. L. Leadley et T. E. Whall. « High-Frequency Performance of Schottky Source/Drain Silicon pMOS Devices ». IEEE Electron Device Letters 29, no 4 (avril 2008) : 396–98. http://dx.doi.org/10.1109/led.2008.918250.
Texte intégralBlampain, Eloi, Omar Elmazria, Thierry Aubert, Badreddine Mohamed Assouar et Ouarda Legrani. « AlN/Sapphire : Promising Structure for High Temperature and High Frequency SAW Devices ». IEEE Sensors Journal 13, no 12 (décembre 2013) : 4607–12. http://dx.doi.org/10.1109/jsen.2013.2271863.
Texte intégralHaziq, Muhaimin, Shaili Falina, Asrulnizam Abd Manaf, Hiroshi Kawarada et Mohd Syamsul. « Challenges and Opportunities for High-Power and High-Frequency AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor (HEMT) Applications : A Review ». Micromachines 13, no 12 (1 décembre 2022) : 2133. http://dx.doi.org/10.3390/mi13122133.
Texte intégralArnaboldi, C., G. Boella, R. Mazza, E. Panzeri et G. Pessina. « A cryogenic set-up for low-frequency noise characterization of electronic devices ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A : Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 520, no 1-3 (mars 2004) : 644–46. http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2003.11.366.
Texte intégralPaś, Jacek. « The impact of strong electromagnetic pulses generated in a targeted manner on the process of operation of electronic devices and systems ». WUT Journal of Transportation Engineering 124 (1 mars 2019) : 141–50. http://dx.doi.org/10.5604/01.3001.0013.7183.
Texte intégralSuresh, Vignesh, Meiyu Stella Huang, Madapusi P. Srinivasan et Sivashankar Krishnamoorthy. « High Density Metal Oxide (ZnO) Nanopatterned Platforms for Electronic Applications ». MRS Proceedings 1498 (2013) : 255–61. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.344.
Texte intégralSokol, Yevgen I., Volodymyr V. Zamaruiev, Volodymyr V. Ivakhno et Yurii S. Voitovych. « Electronic Phase Shifting in Multipulse Rectifier ». Electrical, Control and Communication Engineering 12, no 1 (1 juillet 2017) : 5–10. http://dx.doi.org/10.1515/ecce-2017-0001.
Texte intégralChoi, Nak-Sun, Gi-Woo Jeung, Jin-Kyu Byun, Heung-Geun Kim et Dong-Hun Kim. « Generalized Continuum Sensitivity Formula for Shape Optimization of High-Frequency Devices in Frequency Domain ». IEEE Transactions on Magnetics 47, no 5 (mai 2011) : 1274–77. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2010.2087009.
Texte intégralLIANG, CHUNGUANG, QINGMING ZENG, ZHENCHANG MA, MINGWEN YUAN et JINPING AO. « GaAs HIGH SPEED DEVICES AND CIRCUITS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 07, no 03 (septembre 1996) : 447–61. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156496000256.
Texte intégralChen, Tianshu, Aiqun Hu et Yu Jiang. « Radio Frequency Fingerprint-Based DSRC Intelligent Vehicle Networking Identification Mechanism in High Mobility Environment ». Sustainability 14, no 9 (22 avril 2022) : 5037. http://dx.doi.org/10.3390/su14095037.
Texte intégralYe, B., F. Li, D. Cimpoesu, J. B. Wiley, J. S. Jung, A. Stancu et L. Spinu. « Passive high-frequency devices based on superlattice ferromagnetic nanowires ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 316, no 2 (septembre 2007) : e56-e58. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2007.02.026.
Texte intégralFarhana, Soheli. « Design of carbon nanotube field effect transistor (CNTFET) small signal model ». International Journal of Electrical and Computer Engineering (IJECE) 10, no 1 (1 février 2020) : 180. http://dx.doi.org/10.11591/ijece.v10i1.pp180-187.
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