Articles de revues sur le sujet « Heterojunction semiconductor devices »
Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres
Consultez les 50 meilleurs articles de revues pour votre recherche sur le sujet « Heterojunction semiconductor devices ».
À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.
Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.
Parcourez les articles de revues sur diverses disciplines et organisez correctement votre bibliographie.
WESSELS, B. W. « MAGNETORESISTANCE OF NARROW GAP MAGNETIC SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS ». SPIN 03, no 04 (décembre 2013) : 1340011. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324713400110.
Texte intégralSang, Xianhe, Yongfu Wang, Qinglin Wang, Liangrui Zou, Shunhao Ge, Yu Yao, Xueting Wang, Jianchao Fan et Dandan Sang. « A Review on Optoelectronical Properties of Non-Metal Oxide/Diamond-Based p-n Heterojunction ». Molecules 28, no 3 (30 janvier 2023) : 1334. http://dx.doi.org/10.3390/molecules28031334.
Texte intégralMizuno, Tomohisa, Mitsuo Hasegawa et Toshiyuki Sameshima. « Novel Source Heterojunction Structures with Relaxed-/Strained-Layers for Quasi-Ballistic CMOS Transistors ». Key Engineering Materials 470 (février 2011) : 72–78. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.72.
Texte intégralGaudillat, Pierre, Jean Moïse Suisse et Marcel Bouvet. « Humidity Insensitive Conductometric Sensors for Ammonia Sensing ». Key Engineering Materials 605 (avril 2014) : 181–84. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.605.181.
Texte intégralZhuiykov, Serge, et Zhen Yin Hai. « Surface Functionalization of Two-Dimensional Vertically Aligned Semiconductor Heterojunctions ». Key Engineering Materials 765 (mars 2018) : 8–11. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.765.8.
Texte intégralMi, Yi Lin. « Spin Diffusion in the Finite Magnetic Heterojunction ». Key Engineering Materials 727 (janvier 2017) : 410–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.727.410.
Texte intégralNi, Junhao, Quangui Fu, Kostya (Ken) Ostrikov, Xiaofeng Gu, Haiyan Nan et Shaoqing Xiao. « Status and prospects of Ohmic contacts on two-dimensional semiconductors ». Nanotechnology 33, no 6 (18 novembre 2021) : 062005. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ac2fe1.
Texte intégralYu, Edward T. « Cross-Sectional Scanning Tunneling Microscopy of Semiconductor Heterostructures ». MRS Bulletin 22, no 8 (août 1997) : 22–26. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400033765.
Texte intégralKelly, M. J. « A second decade of semiconductor heterojunction devices ». Microelectronics Journal 24, no 8 (décembre 1993) : 723–39. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2692(93)90073-n.
Texte intégralRashid, Muhammad Haroon, Ants Koel et Toomas Rang. « Nano- and Micro-Scale Simulations of Ge/3C-SiC and Ge/4H-SiC NN-Heterojunction Diodes ». Materials Science Forum 1004 (juillet 2020) : 490–96. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1004.490.
Texte intégralGorman, Brian P., Andrew G. Norman et Yanfa Yan. « Atom Probe Analysis of III–V and Si-Based Semiconductor Photovoltaic Structures ». Microscopy and Microanalysis 13, no 6 (14 novembre 2007) : 493–502. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927607070894.
Texte intégralEo, Jung Sun, Jaeho Shin et Jung Sun Eo. « Artificial Synapse Based on 1D/2D Hybrid Heterostructure ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 57 (7 juillet 2022) : 2365. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01572365mtgabs.
Texte intégralGardner, Carl L., et Christian Ringhofer. « The Chapman-Enskog Expansion and the Quantum Hydrodynamic Model for Semiconductor Devices ». VLSI Design 10, no 4 (1 janvier 2000) : 415–35. http://dx.doi.org/10.1155/2000/91289.
Texte intégralAlesgerovna, Elmira. « İNFLUENCE OF THİN FİLMS ON PHOTOELECTRİC PROPERTİES OF SOLAR CELLS BASED ON p-GaAs/n-Cd0.25Zn0.75S0.8Te0.2 HETEROJUNCTİONS ». Grail of Science, no 18-19 (4 septembre 2022) : 211–13. http://dx.doi.org/10.36074/grail-of-science.26.08.2022.37.
Texte intégralWang, Qinglin, Yu Yao, Xianhe Sang, Liangrui Zou, Shunhao Ge, Xueting Wang, Dong Zhang et al. « Photoluminescence and Electrical Properties of n-Ce-Doped ZnO Nanoleaf/p-Diamond Heterojunction ». Nanomaterials 12, no 21 (26 octobre 2022) : 3773. http://dx.doi.org/10.3390/nano12213773.
Texte intégralHoushmand, M., M. H. Zandi et Nima E. Gorji. « Hybrid Structure for Solar Cells Based on SWCNT/CdS ». Nano Hybrids 8 (décembre 2014) : 15–26. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/nh.8.15.
Texte intégralLong, Gen, Kenneth Sabalo, Natalie MacDonald, Michael Beattie et Mostafa Sadoqi. « Photocurrent Enhancement by Introducing Gold Nanoparticles in Nanostructures Based Heterojunction Solar Cell Device ». MRS Advances 2, no 15 (2017) : 817–24. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2017.146.
Texte intégralSánchez-Vergara, María Elena, Raquel Carrera-Téllez, Paulina Smith-Ruiz, Citlalli Rios et Roberto Salcedo. « The Effect of the Indium(III) Phthalocyanine Chloride Films on the Behavior of Flexible Devices of Flat and Disperse Heterojunction ». Coatings 9, no 10 (17 octobre 2019) : 673. http://dx.doi.org/10.3390/coatings9100673.
Texte intégralPEARTON, S. J. « ION IMPLANTATION IN III–V SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY ». International Journal of Modern Physics B 07, no 28 (30 décembre 1993) : 4687–761. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979293003814.
Texte intégralMendil, Nesrine, Mebarka Daoudi, Zakarya Berkai et Abderrahmane Belghachi. « Charge Carrier Mobility Behavior in the SubPc/C60 Planar Heterojunction ». Zeitschrift für Naturforschung A 73, no 11 (25 octobre 2018) : 1047–52. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2018-0142.
Texte intégralRay, Biswajit, Aditya G. Baradwaj, Mohammad Ryyan Khan, Bryan W. Boudouris et Muhammad Ashraful Alam. « Collection-limited theory interprets the extraordinary response of single semiconductor organic solar cells ». Proceedings of the National Academy of Sciences 112, no 36 (19 août 2015) : 11193–98. http://dx.doi.org/10.1073/pnas.1506699112.
Texte intégralGrätzel, Michael. « Dye-Sensitized Solid-State Heterojunction Solar Cells ». MRS Bulletin 30, no 1 (janvier 2005) : 23–27. http://dx.doi.org/10.1557/mrs2005.4.
Texte intégralTalukdar, Keka, et Anil Shantappa. « Electrical Transport Properties of Carbon Nanotube Metal-Semiconductor Heterojunction ». International Journal of Nanoscience 15, no 05n06 (octobre 2016) : 1660009. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x16600097.
Texte intégralSivula, Kevin. « (Invited) Bulk Heterojunction Organic Semiconductor Photoelectrodes and Photocatalysts for Solar-Driven Water Splitting ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 36 (7 juillet 2022) : 1571. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-01361571mtgabs.
Texte intégralGrimmeiss, Hermann G., et Erich Kasper. « Today’s Mainstream Microelectronics - A Result of Technological, Market and Human Enterprise ». Materials Science Forum 608 (décembre 2008) : 1–16. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.608.1.
Texte intégralChang, Xiao Ying, et Qian Qiong Wu. « Photovoltaic Solar Cells with Metal Oxide Semiconductor Anode and Mutilayer ». Applied Mechanics and Materials 209-211 (octobre 2012) : 1758–61. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.209-211.1758.
Texte intégralGnana Prakash, A. P., et N. Pushpa. « Application of Pelletron Accelerator to Study High Total Dose Radiation Effects on Semiconductor Devices ». Solid State Phenomena 239 (août 2015) : 37–71. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.239.37.
Texte intégralYusoff, Nurul Huda, Nur Izzah Abd Azes et Surani Buniran. « Modification of Thin Film Surface Morphology by Thermal Annealing Process to Enhance Organic Photovoltaic Solar Cell Performance ». Advanced Materials Research 879 (janvier 2014) : 144–48. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.879.144.
Texte intégralRahman, Md Wahidur, Chandan Joishi, Nidhin Kurian Kalarickal, Hyunsoo Lee et Siddharth Rajan. « High-Permittivity Dielectric for High-Performance Wide Bandgap Electronic Devices ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 32 (9 octobre 2022) : 1210. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02321210mtgabs.
Texte intégralJones, K. M., F. S. Hasoon, A. B. Swartzlander, M. M. Al-Jassim, T. L. Chu et S. S. Chu. « The morphology and microstructure of polycrystalline CdTe thin films for solar cell applications ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 50, no 2 (août 1992) : 1384–85. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100131553.
Texte intégralDupuis, R. D. « III-V semiconductor heterojunction devices grown by metalorganic chemical vapor deposition ». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6, no 6 (novembre 2000) : 1040–50. http://dx.doi.org/10.1109/2944.902153.
Texte intégralVecchi, Pierpaolo, Alberto Piccioni, Irene Carrai, Raffaello Mazzaro, Michele Mazzanti, Vito Cristino, Stefano Caramori et Luca Pasquini. « Understanding the Carrier Dynamics of Complex Heterojunctions for Water Splitting through Wavelength-Dependent Intensity Modulated Photocurrent Spectroscopy ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 48 (9 octobre 2022) : 1871. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02481871mtgabs.
Texte intégralZheng, Li, Xinhong Cheng, Peiyi Ye, Lingyan Shen, Qian Wang, Dongliang Zhang, Zhongjian Wang, Yuehui Yu et Xinke Yu. « Semiconductor-like nanofilms assembled with AlN and TiN laminations for nearly ideal graphene-based heterojunction devices ». Journal of Materials Chemistry C 4, no 47 (2016) : 11067–73. http://dx.doi.org/10.1039/c6tc03514k.
Texte intégralGan, Kwang Jow, Zheng Jie Jiang, Cher Shiung Tsai, Din Yuen Chan, Jian Syong Huang, Zhen Kai Kao et Wen Kuan Yeh. « Design of NDR-Based Oscillators Suitable for the Nano-Based BiCMOS Technique ». Applied Mechanics and Materials 328 (juin 2013) : 669–73. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amm.328.669.
Texte intégralWoodall, Jerry. « Electronic properties of semiconductor interfaces ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 45 (août 1987) : 334–37. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100126470.
Texte intégralWang, Feifei, Yuehua Dai, Cheng Ding, Bing Yang, Xing Li et Lin Jin. « Improved rectification characteristics of the GR/Blue P/GR selector by doping : First-principles study ». Journal of Applied Physics 132, no 8 (28 août 2022) : 085702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0090885.
Texte intégralAnderson, Travis J., Karl D. Hobart, Luke O. Nyakiti, Virginia D. Wheeler, Rachael L. Myers-Ward, Joshua D. Caldwell, Francisco J. Bezares et al. « Electrical Characterization of the Graphene-SiC Heterojunction ». Materials Science Forum 717-720 (mai 2012) : 641–44. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.717-720.641.
Texte intégralYu, Hang, Jianlin Zhou, Yuanyuan Hao et Yao Ni. « Effective performance improvement of organic thin film transistors with multi-layer modifications ». European Physical Journal Applied Physics 91, no 3 (septembre 2020) : 30201. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2020200138.
Texte intégralCheung, Ka, Jerry Yu et Derek Ho. « Determination of the Optimal Sensing Temperature in Pt/Ta2O5/MoO3 Schottky Contacted Nanobelt Straddling Heterojunction ». Sensors 18, no 11 (5 novembre 2018) : 3770. http://dx.doi.org/10.3390/s18113770.
Texte intégralHasegawa, Hideki, Hajime Fujikura et Hiroshi Okada. « Molecular-Beam Epitaxy and Device Applications of III-V Semiconductor Nanowires ». MRS Bulletin 24, no 8 (août 1999) : 25–30. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400052866.
Texte intégralAhlgren, D. C., S. J. Jeng, D. Nguyen-Ngoc, K. Stein, D. Sunderland, M. Gilbert, J. Malinowski et al. « Si-Ge heterojunction bipolar technology for high-speed integrated circuits ». Canadian Journal of Physics 74, S1 (1 décembre 1996) : 159–66. http://dx.doi.org/10.1139/p96-851.
Texte intégralMa, Lanchao, Shuixing Dai, Xiaowei Zhan, Xinyang Liu et Yu Li. « Convenient fabrication of conjugated polymer semiconductor nanotubes and their application in organic electronics ». Royal Society Open Science 5, no 8 (août 2018) : 180868. http://dx.doi.org/10.1098/rsos.180868.
Texte intégralSCHRODER, DIETER K. « PROGRESS IN SIC MATERIALS/DEVICES AND THEIR COMPETITION ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 21, no 01 (mars 2012) : 1250009. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156412500097.
Texte intégralProkes, S. M., et Kang L. Wang. « Novel Methods of Nanoscale Wire Formation ». MRS Bulletin 24, no 8 (août 1999) : 13–19. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400052842.
Texte intégralRashid, Muhammad Haroon, Ants Koel et Toomas Rang. « Effects of the Inclusion of Armchair Graphene Nanoribbons on the Electrical Conduction Properties of NN-Heterojunction 4H-6H/SiC Diodes ». Materials Science Forum 962 (juillet 2019) : 29–35. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.962.29.
Texte intégralWang, Helong, Guanchen Liu, Chongyang Xu, Fanming Zeng, Xiaoyin Xie et Sheng Wu. « Surface Passivation Using N-Type Organic Semiconductor by One-Step Method in Two-Dimensional Perovskite Solar Cells ». Crystals 11, no 8 (12 août 2021) : 933. http://dx.doi.org/10.3390/cryst11080933.
Texte intégralIkenoue, Takumi, Satoshi Yoneya, Masao Miyake et Tetsuji Hirato. « Epitaxial Growth and Bandgap Control of Ni1-xMgxO Thin Film Grown by Mist Chemical Vapor Deposition Method ». MRS Advances 5, no 31-32 (2020) : 1705–12. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2020.219.
Texte intégralSARGENT, EDWARD (TED) H., et J. M. (JIMMY) XU. « LATERAL INJECTION LASERS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 09, no 04 (décembre 1998) : 941–78. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156498000397.
Texte intégralNozaki, Tomohiro, Yi Ding et Ryan Gresback. « Plasma Synthesis of Silicon Nanocrystals : Application to Organic/Inorganic Photovoltaics through Solution Processing ». Materials Science Forum 783-786 (mai 2014) : 2002–4. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.783-786.2002.
Texte intégralJanipour, Mohsen, I. Burc Misirlioglu et Kursat Sendur. « A Theoretical Treatment of THz Resonances in Semiconductor GaAs p–n Junctions ». Materials 12, no 15 (29 juillet 2019) : 2412. http://dx.doi.org/10.3390/ma12152412.
Texte intégral