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1

F, Chisholm Matthew, dir. Mechanisms of heteroepitaxial growth : Symposium held April 27-30, 1992, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa : Materials Research Society, 1992.

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2

Diamond Films : Chemical Vapor Deposition for Oriented and Heteroepitaxial Growth. Elsevier Science, 2005.

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3

Kobashi, Koji. Diamond Films : Chemical Vapor Deposition for Oriented and Heteroepitaxial Growth. Elsevier Science & Technology Books, 2010.

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4

Kobashi, Koji. Diamond Films : Chemical Vapor Deposition for Oriented and Heteroepitaxial Growth. Elsevier Science, 2005.

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5

National Aeronautics and Space Administration (NASA) Staff. Heteroepitaxial Growth of 3-5 Semiconductor Compounds by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition for Device Applications. Independently Published, 2018.

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6

(Editor), W. K. Liu, et M. B. Santos (Editor), dir. Thin Films : Heteroepitaxial Systmes (Series on Directions in Condensed Matter Physics, Vol 15). World Scientific Publishing Company, 1999.

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7

Huber, Daniel Anthony. The investigation of ZnSe buffer layers for reduction of defects in heteroepitaxial growth of GaAs on silicon. 1992.

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8

Heteroepitaxial growth of III-V semiconductor compounds by metal-organic chemical vapor deposition for device applications : Final report. Greensboro, NC : North Carolina Agricultural and Technical State University, Dept. of Electrical Engineering, 1988.

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9

Chisholm, Matthew F., et Robert Hull. Mechanisms of Heteroepitaxial Growth : Symposium Held April 27-30, 1992, San Francisco, California, U.S.A (Materials Research Society Symposium Proceedings). Materials Research Society, 1992.

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10

(Editor), Eric A. Stach, Eric A. Chason (Editor), Robert Hull (Editor) et Samuel D. Bader (Editor), dir. Current Issues in Heteroepitaxial Growth--Stress Relaxation and Self Assembly : Symposium held November 26-29, 2001, Boston Massachusetts, U.S.A. (Materials Research Society Symposia Proceedings). Materials Research Society, 2002.

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11

Krishnamoorthy, Viswanath. A strain relief model for the InxGa1-xAs/GaAs heteroepitaxial system and its application toward the growth of low-dislocation density large in content InxGa1-xAs. 1992.

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12

Ayers, John E. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization. Taylor & Francis Group, 2018.

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13

Ayers, John E. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization. Taylor & Francis Group, 2018.

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14

Ayers, John E. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization. Taylor & Francis Group, 2018.

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15

Ayers, John E. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization. Taylor & Francis Group, 2007.

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16

Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization, Second Edition. Taylor & Francis Group, 2016.

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17

Ayers, John E., Tedi Kujofsa, Paul Rago et Johanna Raphael. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization, Second Edition. Taylor & Francis Group, 2016.

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18

Ayers, John E., Tedi Kujofsa, Paul Rago et Johanna Raphael. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization, Second Edition. Taylor & Francis Group, 2016.

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19

Ayers, John E., Tedi Kujofsa, Paul Rago et Johanna Raphael. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization, Second Edition. Taylor & Francis Group, 2016.

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20

Ayers, John E., Tedi Kujofsa, Paul Rago et Johanna Raphael. Heteroepitaxy of Semiconductors : Theory, Growth, and Characterization, Second Edition. Taylor & Francis Group, 2016.

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