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Rahmani, Meisam, Razali Ismail, Mohammad Taghi Ahmadi, Mohammad Javad Kiani, Mehdi Saeidmanesh, F. A. Hediyeh Karimi, Elnaz Akbari et Komeil Rahmani. « The Effect of Bilayer Graphene Nanoribbon Geometry on Schottky-Barrier Diode Performance ». Journal of Nanomaterials 2013 (2013) : 1–8. http://dx.doi.org/10.1155/2013/636239.
Texte intégralAshour, A., M. Saqr, M. AbdelKarim, A. Gamal, A. Sharaf et M. Serry. « Schottky Diode Graphene Based Sensors ». International Journal on Smart Sensing and Intelligent Systems 7, no 5 (2020) : 1–4. http://dx.doi.org/10.21307/ijssis-2019-097.
Texte intégralMohd Saman, Rahimah, Sharaifah Kamariah Wan Sabli, Mohd Rofei Mat Hussin, Muhammad Hilmi Othman, Muhammad Aniq Shazni Mohammad Haniff et Mohd Ismahadi Syono. « High Voltage Graphene Nanowall Trench MOS Barrier Schottky Diode Characterization for High Temperature Applications ». Applied Sciences 9, no 8 (17 avril 2019) : 1587. http://dx.doi.org/10.3390/app9081587.
Texte intégralLabed, Madani, Nouredine Sengouga et You Seung Rim. « Control of Ni/β-Ga2O3 Vertical Schottky Diode Output Parameters at Forward Bias by Insertion of a Graphene Layer ». Nanomaterials 12, no 5 (1 mars 2022) : 827. http://dx.doi.org/10.3390/nano12050827.
Texte intégralShtepliuk, Ivan, Jens Eriksson, Volodymyr Khranovskyy, Tihomir Iakimov, Anita Lloyd Spetz et Rositsa Yakimova. « Monolayer graphene/SiC Schottky barrier diodes with improved barrier height uniformity as a sensing platform for the detection of heavy metals ». Beilstein Journal of Nanotechnology 7 (22 novembre 2016) : 1800–1814. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.7.173.
Texte intégralDub, Maksym, Pavlo Sai, Aleksandra Przewłoka, Aleksandra Krajewska, Maciej Sakowicz, Paweł Prystawko, Jacek Kacperski et al. « Graphene as a Schottky Barrier Contact to AlGaN/GaN Heterostructures ». Materials 13, no 18 (17 septembre 2020) : 4140. http://dx.doi.org/10.3390/ma13184140.
Texte intégralSeven, Elanur, Elif Öz Orhan et Sema Bilge Ocak. « Changes in frequency-dependent dielectric features of monolayer graphene/silicon structure due to gamma irradiation ». Physica Scripta 96, no 12 (15 novembre 2021) : 125852. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/ac369f.
Texte intégralSelvi, Hakan, Nawapong Unsuree, Eric Whittaker, Matthew P. Halsall, Ernie W. Hill, Andrew Thomas, Patrick Parkinson et Tim J. Echtermeyer. « Towards substrate engineering of graphene–silicon Schottky diode photodetectors ». Nanoscale 10, no 7 (2018) : 3399–409. http://dx.doi.org/10.1039/c7nr09591k.
Texte intégralSelvi, Hakan, Ernie W. Hill, Patrick Parkinson et Tim J. Echtermeyer. « Graphene–silicon-on-insulator (GSOI) Schottky diode photodetectors ». Nanoscale 10, no 40 (2018) : 18926–35. http://dx.doi.org/10.1039/c8nr05285a.
Texte intégralLuo, Lin-Bao, Shun-Hang Zhang, Rui Lu, Wei Sun, Qun-Ling Fang, Chun-Yan Wu, Ji-Gang Hu et Li Wang. « p-type ZnTe:Ga nanowires : controlled doping and optoelectronic device application ». RSC Advances 5, no 18 (2015) : 13324–30. http://dx.doi.org/10.1039/c4ra14096f.
Texte intégralShen, Lingyan, Xinhong Cheng, Zhongjian Wang, Chao Xia, Duo Cao, Li Zheng, Qian Wang et Yuehui Yu. « Passivation effect of graphene on AlGaN/GaN Schottky diode ». RSC Advances 5, no 105 (2015) : 86593–97. http://dx.doi.org/10.1039/c5ra12550b.
Texte intégralApicella, Valerio, Teslim Ayinde Fasasi, Shu Wang, Sipeng Lei et Antonio Ruotolo. « A Multilayer‐Graphene/Silicon Infrared Schottky Photo‐Diode ». Advanced Electronic Materials 5, no 12 (6 août 2019) : 1900594. http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201900594.
Texte intégralKumar, Ashish, Arathy Varghese, Shriniwas Yadav, Mahanth Prasad, Vijay Janyani et R. P. Yadav. « Influence of Temperature on Graphene/ZnO Heterojunction Schottky Diode Characteristics ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 21, no 5 (1 mai 2021) : 3165–70. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2021.19084.
Texte intégralZhu, Miao, Li Zhang, Xinming Li, Yijia He, Xiao Li, Fengmei Guo, Xiaobei Zang et al. « TiO2 enhanced ultraviolet detection based on a graphene/Si Schottky diode ». Journal of Materials Chemistry A 3, no 15 (2015) : 8133–38. http://dx.doi.org/10.1039/c5ta00702j.
Texte intégralLee, Youngmin, Deuk Young Kim et Sejoon Lee. « Low-Power Graphene/ZnO Schottky UV Photodiodes with Enhanced Lateral Schottky Barrier Homogeneity ». Nanomaterials 9, no 5 (24 mai 2019) : 799. http://dx.doi.org/10.3390/nano9050799.
Texte intégralRahmani, Meisam, M. T. Ahmadi, Razali Ismail et M. H. Ghadiry. « Performance of Bilayer Graphene Nanoribbon Schottky Diode in Comparison with Conventional Diodes ». Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 10, no 2 (1 février 2013) : 323–27. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2013.2699.
Texte intégralPeriyanagounder, Dharmaraj, Paulraj Gnanasekar, Purushothaman Varadhan, Jr-Hau He et Jeganathan Kulandaivel. « High performance, self-powered photodetectors based on a graphene/silicon Schottky junction diode ». Journal of Materials Chemistry C 6, no 35 (2018) : 9545–51. http://dx.doi.org/10.1039/c8tc02786b.
Texte intégralKiat, Wong King, Razali Ismail et M. Taghi Ahmadi. « The Potential Barrier of Graphene Nanoribbon Based Schottky Diode ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 8, no 3 (1 mars 2013) : 281–84. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2013.1467.
Texte intégralKhairir, Nur Samihah, Mohd Rofei Mat Hussin, Iskhandar Md Nasir, A. S. M. Mukhter Uz-Zaman, Wan Fazlida Hanim Abdullah et Ahmad Sabirin Zoolfakar. « Study of Reduced Graphene Oxide for Trench Schottky Diode ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 99 (19 novembre 2015) : 012031. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/99/1/012031.
Texte intégralPandey, Rajiv K., Arun Kumar Singh et Rajiv Prakash. « Enhancement in performance of polycarbazole-graphene nanocomposite Schottky diode ». AIP Advances 3, no 12 (décembre 2013) : 122120. http://dx.doi.org/10.1063/1.4860952.
Texte intégralOrhan, Elif Oz, Esra Efil, Ozkan Bayram, Nuriye Kaymak, Halil Berberoğlu, Ozun Candemir, Ihor Pavlov et Sema Bilge Ocak. « 3D-graphene-laser patterned p-type silicon Schottky diode ». Materials Science in Semiconductor Processing 121 (janvier 2021) : 105454. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105454.
Texte intégralSingh, Amol, Md Ahsan Uddin, Tangali Sudarshan et Goutam Koley. « Tunable Reverse-Biased Graphene/Silicon Heterojunction Schottky Diode Sensor ». Small 10, no 8 (23 décembre 2013) : 1555–65. http://dx.doi.org/10.1002/smll.201302818.
Texte intégralKhurelbaatar, Zagarzusem, Yeon-Ho Kil, Kyu-Hwan Shim, Hyunjin Cho, Myung-Jong Kim, Sung-Nam Lee, Jae-chan Jeong, Hyobong Hong et Chel-Jong Choi. « Schottky barrier parameters and low frequency noise characteristics of graphene-germanium Schottky barrier diode ». Superlattices and Microstructures 91 (mars 2016) : 306–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2016.01.029.
Texte intégralHeo, J., H. J. Song, K. E. Byun, D. S. Seo et S. Park. « (Invited) Graphene Based Tunable Schottky Diode for High Performance Devices ». ECS Transactions 53, no 1 (2 mai 2013) : 101–6. http://dx.doi.org/10.1149/05301.0101ecst.
Texte intégralHalder, Soumi, Baishakhi Pal, Arka Dey, Sayantan Sil, Pubali Das, Animesh Biswas et Partha Pratim Ray. « Effect of graphene on improved photosensitivity of MoS2-graphene composite based Schottky diode ». Materials Research Bulletin 118 (octobre 2019) : 110507. http://dx.doi.org/10.1016/j.materresbull.2019.110507.
Texte intégralNoroozi, Ali Akbar, et Yaser Abdi. « A graphene/Si Schottky diode for the highly sensitive detection of protein ». RSC Advances 9, no 34 (2019) : 19613–19. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra03765a.
Texte intégralChe Azmi, Siti Nadiah, Shaharin Fadzli Abd Rahman et Abdul Manaf Hashim. « Back-to-Back Schottky Diode from Vacuum Filtered and Chemically Reduced Graphene Oxide ». Indonesian Journal of Electrical Engineering and Computer Science 10, no 3 (1 juin 2018) : 897. http://dx.doi.org/10.11591/ijeecs.v10.i3.pp897-904.
Texte intégralKhurelbaatar, Zagarzusem, Yeon-Ho Kil, Kyu-Hwan Shim, Hyunjin Cho, Myung-Jong Kim, Yong-Tae Kim et Chel-Jong Choi. « Temperature Dependent Current Transport Mechanism in Graphene/Germanium Schottky Barrier Diode ». JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science 15, no 1 (28 février 2015) : 7–15. http://dx.doi.org/10.5573/jsts.2015.15.1.007.
Texte intégralBerktaş, Zeynep, Mustafa Yıldız, Elanur Seven, Elif Oz Orhan et Şemsettin Altındal. « PEI N-doped graphene quantum dots/p-type silicon Schottky diode ». FlatChem 36 (novembre 2022) : 100436. http://dx.doi.org/10.1016/j.flatc.2022.100436.
Texte intégralYagmurcukardes, N., H. Aydın, M. Can, A. Yanılmaz, Ö. Mermer, S. Okur et Y. Selamet. « Effect of Aromatic SAMs Molecules on Graphene/Silicon Schottky Diode Performance ». ECS Journal of Solid State Science and Technology 5, no 7 (2016) : M69—M73. http://dx.doi.org/10.1149/2.0141607jss.
Texte intégralFattah, Ali, et Saeid Khatami. « Selective H2S Gas Sensing With a Graphene/n-Si Schottky Diode ». IEEE Sensors Journal 14, no 11 (novembre 2014) : 4104–8. http://dx.doi.org/10.1109/jsen.2014.2334064.
Texte intégralAzmi, Siti Nadiah Che, Shaharin Fadzli Abd Rahman, Amirjan Nawabjan et Abdul Manaf Hashim. « Junction properties analysis of silicon back-to-back Schottky diode with reduced graphene oxide Schottky electrodes ». Microelectronic Engineering 196 (septembre 2018) : 32–37. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2018.04.020.
Texte intégralUddin, Md Ahsan, Amol Singh, Kevin Daniels, Thomas Vogt, M. V. S. Chandrashekhar et Goutam Koley. « Impedance spectroscopic analysis of nanoparticle functionalized graphene/p-Si Schottky diode sensors ». Japanese Journal of Applied Physics 55, no 11 (21 octobre 2016) : 110312. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.110312.
Texte intégralKırsoy, A., M. Ahmetoglu, M. Okutan et F. Yakuphanoglu. « Electrical Properties Inorganic-on-Organic Hybrid GaAs/Graphene Oxide Schottky Barrier Diode ». Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics 11, no 1 (1 février 2016) : 108–14. http://dx.doi.org/10.1166/jno.2016.1884.
Texte intégralSeol, Jeong-Hoon, Sang-Bum Kang, Chang-Ju Lee, Chul-Ho Won, Hongsik Park, Jung-Hee Lee et Sung-Ho Hahm. « Graphene/Al2O3/AlGaN/GaN Schottky MISIM Diode for Sensing Double UV Bands ». IEEE Sensors Journal 16, no 18 (septembre 2016) : 6903–7. http://dx.doi.org/10.1109/jsen.2016.2594185.
Texte intégralKhurelbaatar, Zagarzusem, Yeon-Ho Kil, Hyung-Joong Yun, Kyu-Hwan Shim, Jung Tae Nam, Keun-Soo Kim, Sang-Kwon Lee et Chel-Jong Choi. « Modification of Schottky barrier properties of Au/n-type Ge Schottky barrier diode using monolayer graphene interlayer ». Journal of Alloys and Compounds 614 (novembre 2014) : 323–29. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2014.06.132.
Texte intégralEfil Kutluoğlu, Esra, Elif Öz Orhan, Özkan Bayram et Sema Bilge Ocak. « Gamma-ray irradiation effects on capacitance and conductance of graphene-based Schottky diode ». Physica B : Condensed Matter 621 (novembre 2021) : 413306. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2021.413306.
Texte intégralKutluoğlu, Esra Efil, Elif Öz Orhan, Adem Tataroğlu et Özkan Bayram. « Double-exponential current-voltage (I-V) behavior of bilayer graphene-based Schottky diode ». Physica Scripta 96, no 12 (14 octobre 2021) : 125836. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/ac2af5.
Texte intégralKiat, Wong King, Razali Ismail et M. Taghi Ahmadi. « Contact Effect on the Current–Voltage Characteristic of Graphene Nanoribbon Based Schottky Diode ». Journal of Computational and Theoretical Nanoscience 12, no 3 (1 mars 2015) : 478–83. http://dx.doi.org/10.1166/jctn.2015.3756.
Texte intégralNourbakhsh, Amirhasan, Mirco Cantoro, Afshin Hadipour, Tom Vosch, Marleen H. van der Veen, Marc M. Heyns, Bert F. Sels et Stefan De Gendt. « Modified, semiconducting graphene in contact with a metal : Characterization of the Schottky diode ». Applied Physics Letters 97, no 16 (18 octobre 2010) : 163101. http://dx.doi.org/10.1063/1.3495777.
Texte intégralAbd Rahman, Shaharin Fadzli, Nurul Anati Salleh, Mastura Shafinaz Zainal Abidin et Amirjan Nawabjan. « Humidity effect on electrical properties of graphene oxide back-to-back Schottky diode ». TELKOMNIKA (Telecommunication Computing Electronics and Control) 17, no 5 (1 octobre 2019) : 2427. http://dx.doi.org/10.12928/telkomnika.v17i5.12800.
Texte intégralLee, Hwauk, Namhyun An, Seockjin Jeong, Soonhong Kang, Soonki Kwon, Jisu Lee, Youngmin Lee, Deuk Young Kim et Sejoon Lee. « Strong dependence of photocurrent on illumination-light colors for ZnO/graphene Schottky diode ». Current Applied Physics 17, no 4 (avril 2017) : 552–56. http://dx.doi.org/10.1016/j.cap.2017.02.001.
Texte intégralZhu, Miao, Xinming Li, Sunki Chung, Liyun Zhao, Xiao Li, Xiaobei Zang, Kunlin Wang et al. « Photo-induced selective gas detection based on reduced graphene oxide/Si Schottky diode ». Carbon 84 (avril 2015) : 138–45. http://dx.doi.org/10.1016/j.carbon.2014.12.008.
Texte intégralHong, Sang-Hyun, et Jang-Won Kang. « Plasmonic Enhancement of UV Photoresponse in Graphene/ZnO Schottky Diode with Pt Nanoparticles ». Applied Science and Convergence Technology 31, no 6 (4 octobre 2022) : 133–36. http://dx.doi.org/10.5757/asct.2022.31.6.133.
Texte intégralBiswas, Md Rokon Ud Dowla, et Won-Chun Oh. « Comparative study on gas sensing by a Schottky diode electrode prepared with graphene–semiconductor–polymer nanocomposites ». RSC Advances 9, no 20 (2019) : 11484–92. http://dx.doi.org/10.1039/c9ra00007k.
Texte intégralChaliyawala, Harsh A., Suresh Vemuri, Kashinath Lellala et Indrajit Mukhopadhyay. « Role of surface passivation on the development of camphor based Graphene/SiNWAs schottky diode ». Materials Today : Proceedings 45 (2021) : 3789–94. http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2021.01.283.
Texte intégralMat Hussin, Mohd Rofei, Muhammad Mahyiddin Ramli, Sharaifah Kamariah Wan Sabli, Iskhandar Md Nasir, Mohd Ismahadi Syono, H. Y. Wong et Mukter Zaman. « Fabrication and Characterization of Graphene-on-Silicon Schottky Diode for Advanced Power Electronic Design ». Sains Malaysiana 46, no 7 (31 juillet 2017) : 1147–54. http://dx.doi.org/10.17576/jsm-2017-4607-18.
Texte intégralIslam, Muhammad R., Daeha Joung et Saiful I. Khondaker. « Schottky diode via dielectrophoretic assembly of reduced graphene oxide sheets between dissimilar metal contacts ». New Journal of Physics 13, no 3 (23 mars 2011) : 035021. http://dx.doi.org/10.1088/1367-2630/13/3/035021.
Texte intégralAdhikari, Subash, Chandan Biswas, Manh-Ha Doan, Sung-Tae Kim, Chandramouli Kulshreshtha et Young Hee Lee. « Minimizing Trap Charge Density towards an Ideal Diode in Graphene–Silicon Schottky Solar Cell ». ACS Applied Materials & ; Interfaces 11, no 1 (18 décembre 2018) : 880–88. http://dx.doi.org/10.1021/acsami.8b18140.
Texte intégralDas, Mrinmay, Joydeep Datta, Animesh Biswas, Soumi Halder et Partha Pratim Ray. « Enhanced charge transport properties of rGO-TiO2 based Schottky diode by tuning graphene content ». Materials Today : Proceedings 11 (2019) : 776–81. http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2019.03.042.
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