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SEO*, Hye-Won. « Enhanced InN Solid Solubility in Pseudo-Binary InN-GaN (InGaN) Nanostructures ». New Physics : Sae Mulli 66, no 11 (30 novembre 2016) : 1440–43. http://dx.doi.org/10.3938/npsm.66.1440.
Texte intégralPopov, Maxim N., Jürgen Spitaler, Lorenz Romaner, Natalia Bedoya-Martínez et René Hammer. « Bayesian Optimization of Hubbard U’s for Investigating InGaN Superlattices ». Electronic Materials 2, no 3 (5 août 2021) : 370–81. http://dx.doi.org/10.3390/electronicmat2030025.
Texte intégralKangawa, Yoshihiro, Tomonori Ito, Yoshinao Kumagai et Akinori Koukitu. « Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE ». Applied Surface Science 216, no 1-4 (juin 2003) : 453–57. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(03)00396-9.
Texte intégralLai, Wei-Chih, Cheng-Hsiung Yen et Shoou-Jinn Chang. « GaN-Based Green-Light-Emitting Diodes with InN/GaN Growth-Switched InGaN Wells ». Applied Physics Express 6, no 10 (1 octobre 2013) : 102101. http://dx.doi.org/10.7567/apex.6.102101.
Texte intégralGeerts, Wim, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, S. J. Pearton et Thomas Schmiedel. « Electrical transport in p-GaN, n-InN and n-InGaN ». Solid-State Electronics 39, no 9 (septembre 1996) : 1289–94. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(96)00047-0.
Texte intégralKusakabe, Kazuhide, Daichi Imai, Ke Wang et Akihiko Yoshikawa. « InN/GaN short-period superlattices as ordered InGaN ternary alloys ». physica status solidi (c) 13, no 5-6 (9 décembre 2015) : 205–8. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.201510306.
Texte intégralYu, Chun-Ta, Wei-Chih Lai, Cheng-Hsiung Yen et Shoou-Jinn Chang. « InN/GaN alternative growth of thick InGaN wells on GaN-based light emitting diodes ». Optical Materials Express 3, no 11 (24 octobre 2013) : 1952. http://dx.doi.org/10.1364/ome.3.001952.
Texte intégralHazari, Arnab, Md Zunaid Baten, Lifan Yan, Joanna M. Millunchick et Pallab Bhattacharya. « An InN/InGaN/GaN nanowire array guided wave photodiode on silicon ». Applied Physics Letters 109, no 19 (7 novembre 2016) : 191102. http://dx.doi.org/10.1063/1.4967439.
Texte intégralLi, Yi, Bin Liu, Rong Zhang, Zili Xie et Youdou Zheng. « Investigation of optical properties of InGaN–InN–InGaN/GaN quantum-well in the green spectral regime ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, no 4 (janvier 2012) : 821–25. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2011.12.014.
Texte intégralZhou, X. W., et R. E. Jones. « A Stillinger-Weber Potential for InGaN ». Journal of Materials Science Research 6, no 4 (27 septembre 2017) : 88. http://dx.doi.org/10.5539/jmsr.v6n4p88.
Texte intégralIslam, SM, Vladimir Protasenko, Sergei Rouvimov, Huili (Grace) Xing et Debdeep Jena. « High-quality InN films on GaN using graded InGaN buffers by MBE ». Japanese Journal of Applied Physics 55, no 5S (25 avril 2016) : 05FD12. http://dx.doi.org/10.7567/jjap.55.05fd12.
Texte intégralKim, Taek-Seung, Sang-Woo Kim, Han-Ki Kim et Ji-Myon Lee. « Surface confinement of the InN-rich phase in thick InGaN on GaN ». Superlattices and Microstructures 40, no 4-6 (octobre 2006) : 545–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2006.08.003.
Texte intégralNakano, Yoshitaka, Liwen Sang et Masatomo Sumiya. « Electrical Characterization of Thick InGaN Films for Photovoltaic Applications ». MRS Proceedings 1635 (2014) : 29–34. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.205.
Texte intégralXiang, Leilei, Enming Zhang, Wenyu Kang, Wei Lin et Junyong Kang. « Material Design of Ultra-Thin InN/GaN Superlattices for a Long-Wavelength Light Emission ». Micromachines 15, no 3 (1 mars 2024) : 361. http://dx.doi.org/10.3390/mi15030361.
Texte intégralMuthuraj, Vineeta R., Wenjian Liu, Henry Collins, Weiyi Li, Robert Hamwey, Steven P. DenBaars, Umesh K. Mishra et Stacia Keller. « N-Polar Indium Nitride Quantum Dashes and Quantum Wire-like Structures : MOCVD Growth and Characterization ». Crystals 13, no 4 (19 avril 2023) : 699. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13040699.
Texte intégralChan, Michael C. Y., Kwok-On Tsang, E. Herbert Li et Steven P. Denbaars. « Thermal Annealing of InGaN/GaN Strained-Layer Quantum Well ». MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999) : 642–47. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300003185.
Texte intégralTu, Ru-Chin, Chang-Cheng Chuo, Shyi-Ming Pan, Yu-Mei Fan, Ching-En Tsai, Te-Chung Wang, Chun-Ju Tun, Gou-Chung Chi, Bing-Chi Lee et Chien-Ping Lee. « Improvement of near-ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes by inserting anin siturough SiNx interlayer inn-GaN layers ». Applied Physics Letters 83, no 17 (27 octobre 2003) : 3608–10. http://dx.doi.org/10.1063/1.1622441.
Texte intégralCheng, Yung-Chen, Cheng-Ming Wu, Meng-Kuo Chen, C. C. Yang, Zhe-Chuan Feng, Gang Alan Li, Jer-Ren Yang, Andreas Rosenauer et Kung-Je Ma. « Improvements of InGaN∕GaN quantum-well interfaces and radiative efficiency with InN interfacial layers ». Applied Physics Letters 84, no 26 (28 juin 2004) : 5422–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.1767603.
Texte intégralHu, F. R., K. Ochi, Y. Zhao et K. Hane. « InGaN/GaN quantum-well nanocolumn crystals on pillared Si substrate with InN as interlayer ». physica status solidi (c) 4, no 7 (juin 2007) : 2338–41. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200674734.
Texte intégralDas, Aparna. « A Systematic Exploration of InGaN/GaN Quantum Well-Based Light Emitting Diodes on Semipolar Orientations -=SUP=-*-=/SUP=- ». Оптика и спектроскопия 130, no 3 (2022) : 376. http://dx.doi.org/10.21883/os.2022.03.52165.1549-21.
Texte intégralHwang, Jeongwoo, Kwanjae Lee, Jin Soo Kim, Cheul-Ro Lee, In-Hwan Lee, Kwangjae Lee, Jin Hong Lee et al. « Manipulation on the optical properties of InGaN/GaN light emitting diodes by adopting InN layer ». Journal of Crystal Growth 370 (mai 2013) : 109–13. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.08.049.
Texte intégralMoses, Poul Georg, Maosheng Miao, Qimin Yan et Chris G. Van de Walle. « Hybrid functional investigations of band gaps and band alignments for AlN, GaN, InN, and InGaN ». Journal of Chemical Physics 134, no 8 (28 février 2011) : 084703. http://dx.doi.org/10.1063/1.3548872.
Texte intégralАндреев, Б. А., Д. Н. Лобанов, Л. В. Красильникова, К. Е. Кудрявцев, А. В. Новиков, П. А. Юнин, М. А. Калинников, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев et З. Ф. Красильник. « Особенности структурных и оптических свойств InGaN-слоев, полученных методом МПЭ ПА с импульсной подачей потоков металлов ». Физика и техника полупроводников 55, no 9 (2021) : 766. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2021.09.51292.22.
Texte intégralJafar, Naveed, Jianliang Jiang, Heng Lu, Muhammad Qasim et Hengli Zhang. « Recent Research on Indium-Gallium-Nitride-Based Light-Emitting Diodes : Growth Conditions and External Quantum Efficiency ». Crystals 13, no 12 (23 novembre 2023) : 1623. http://dx.doi.org/10.3390/cryst13121623.
Texte intégralYu, Chun-Ta, Wei-Chih Lai, Cheng-Hsiung Yen, Hsu-Cheng Hsu et Shoou-Jinn Chang. « Optoelectrical characteristics of green light-emitting diodes containing thick InGaN wells with digitally grown InN/GaN ». Optics Express 22, S3 (19 mars 2014) : A633. http://dx.doi.org/10.1364/oe.22.00a633.
Texte intégralShioda, Tomonari, Masakazu Sugiyama, Yukihiro Shimogaki et Yoshiaki Nakano. « Selective area metal-organic vapor-phase epitaxy of InN, GaN and InGaN covering whole composition range ». Journal of Crystal Growth 311, no 10 (mai 2009) : 2809–12. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.01.013.
Texte intégralNagai, Katsuya, Toru Akiyama, Kohji Nakamura et Tomonori Ito. « A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate ». ECS Meeting Abstracts MA2020-02, no 26 (23 novembre 2020) : 1831. http://dx.doi.org/10.1149/ma2020-02261831mtgabs.
Texte intégralNagai, Katsuya, Toru Akiyama, Kohji Nakamura et Tomonori Ito. « A Simple Approach to Growth Mode of InN and InGaN Thin Films on GaN(0001) Substrate ». ECS Transactions 98, no 6 (23 septembre 2020) : 155–64. http://dx.doi.org/10.1149/09806.0155ecst.
Texte intégralChandrasekhar, D., D. J. Smith, S. Strite, M. E. Lin et H. Morkoc. « Characterization of group Ill-nitrides by high-resolution electron microscopy ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 52 (1994) : 846–47. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100171961.
Texte intégralNee, Tzer-En, Jen-Cheng Wang, Bo-Yan Zhong, Jui-Ju Hsiao et Ya-Fen Wu. « Thermophysical Characterization of Efficiency Droop in GaN-Based Light-Emitting Diodes ». Nanomaterials 11, no 6 (30 mai 2021) : 1449. http://dx.doi.org/10.3390/nano11061449.
Texte intégralChe, Song-Bek, Wataru Terashima, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa, Takeyoshi Matsuda, Hirotatsu Ishii et Seikoh Yoshida. « Fine-structure N-polarity InN∕InGaN multiple quantum wells grown on GaN underlayer by molecular-beam epitaxy ». Applied Physics Letters 86, no 26 (27 juin 2005) : 261903. http://dx.doi.org/10.1063/1.1954877.
Texte intégralKadys, A., T. Malinauskas, T. Grinys, M. Dmukauskas, J. Mickevičius, J. Aleknavičius, R. Tomašiūnas et al. « Growth of InN and In-Rich InGaN Layers on GaN Templates by Pulsed Metalorganic Chemical Vapor Deposition ». Journal of Electronic Materials 44, no 1 (12 novembre 2014) : 188–93. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-014-3494-6.
Texte intégralZhang, Zi-Hui, Wei Liu, Zhengang Ju, Swee Tiam Tan, Yun Ji, Zabu Kyaw, Xueliang Zhang, Liancheng Wang, Xiao Wei Sun et Hilmi Volkan Demir. « InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination ». Applied Physics Letters 105, no 3 (21 juillet 2014) : 033506. http://dx.doi.org/10.1063/1.4891334.
Texte intégralReed, M. L., E. D. Readinger, C. G. Moe, H. Shen, M. Wraback, A. Syrkin, A. Usikov, O. V. Kovalenkov et V. A. Dmitriev. « Benefits of negative polarization charge inn-InGaN onp-GaN single heterostructure light emitting diode withp-side down ». physica status solidi (c) 6, no 2 (février 2009) : 585–88. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200880401.
Texte intégralChe, Songbek, Akihiko Yuki, Hiroshi Watanabe, Yoshihiro Ishitani et Akihiko Yoshikawa. « Fabrication of Asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN Quantum-Well Light Emitting Diodes for Reducing the Quantum-Confined Stark Effect in the Blue-Green Region ». Applied Physics Express 2 (23 janvier 2009) : 021001. http://dx.doi.org/10.1143/apex.2.021001.
Texte intégralPhước, Dương Đình, et Đinh Như Thảo. « SỰ KẾT CẶP CỦA PHONON-PLASMON QUANG DỌC TRONG CÁC LỚP BÁN DẪN InGaN ». Hue University Journal of Science : Natural Science 130, no 1A (10 mars 2021) : 13–21. http://dx.doi.org/10.26459/hueunijns.v130i1a.5964.
Texte intégralEmanuel Thomet, Jonathan, Aman Kamlesh Singh, Mélanie Nelly Rouèche, Nils Toggwyler, Franz-Josef Haug, Gabriel Christmann, Sylvain Nicolay et al. « Bandgap engineering of indium gallium nitride layers grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A 40, no 6 (décembre 2022) : 063102. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002039.
Texte intégralJustice, J., A. Kadiyala, J. Dawson et D. Korakakis. « Group III-Nitride Based Electronic and Optoelectronic Integrated Circuits for Smart Lighting Applications ». MRS Proceedings 1492 (2013) : 123–28. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2013.369.
Texte intégralYarar, Z., B. Ozdemir et M. Ozdemir. « Transport and Mobility Properties of Bulk Indium Nitride (InN) and a Two-Dimensional Electron Gas in an InGaN/GaN Quantum Well ». Journal of Electronic Materials 36, no 10 (11 septembre 2007) : 1303–12. http://dx.doi.org/10.1007/s11664-007-0210-9.
Texte intégralŁepkowski, S. P., et J. A. Majewski. « Pressure dependence of elastic constants in zinc-blende GaN and InN and their influence on the pressure coefficients of the light emission in cubic InGaN/GaN quantum wells ». Solid State Communications 131, no 12 (septembre 2004) : 763–67. http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2004.07.002.
Texte intégralPoliani, E., M. R. Wagner, J. S. Reparaz, M. Mandl, M. Strassburg, X. Kong, A. Trampert, C. M. Sotomayor Torres, A. Hoffmann et J. Maultzsch. « Nanoscale Imaging of InN Segregation and Polymorphism in Single Vertically Aligned InGaN/GaN Multi Quantum Well Nanorods by Tip-Enhanced Raman Scattering ». Nano Letters 13, no 7 (28 juin 2013) : 3205–12. http://dx.doi.org/10.1021/nl401277y.
Texte intégralKangawa, Y., T. Ito, Y. Kumagai et A. Koukitu. « Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE ». physica status solidi (c), no 7 (décembre 2003) : 2575–79. http://dx.doi.org/10.1002/pssc.200303538.
Texte intégralAbboudi, Hassan, Haddou EL Ghazi, Redouane En-nadir, Mohamed A. Basyooni-M. Kabatas, Anouar Jorio et Izeddine Zorkani. « Efficiency of InN/InGaN/GaN Intermediate-Band Solar Cell under the Effects of Hydrostatic Pressure, In-Compositions, Built-in-Electric Field, Confinement, and Thickness ». Nanomaterials 14, no 1 (1 janvier 2024) : 104. http://dx.doi.org/10.3390/nano14010104.
Texte intégralKent, P. R. C., Gus L. W. Hart et Alex Zunger. « Biaxial strain-modified valence and conduction band offsets of zinc-blende GaN, GaP, GaAs, InN, InP, and InAs, and optical bowing of strained epitaxial InGaN alloys ». Applied Physics Letters 81, no 23 (2 décembre 2002) : 4377–79. http://dx.doi.org/10.1063/1.1524299.
Texte intégralListya Ningrum, Andi Alfina, et A. Andriyani Asra. « Pemanfaatan Teknik SCAMPER dalam Meningkatkan HOTS (High Order of Thinking Skills) pada Mata Kuliah Pengembangan Materi Ajar Bahasa dan Sastra Indonesia Mahasiswa Universitas Muhammadiyah Bulukumba ». Jurnal Ilmiah Telaah 6, no 1 (20 janvier 2021) : 11. http://dx.doi.org/10.31764/telaah.v6i1.3350.
Texte intégralChe, Songbek, Takuro Shinada, Tomoyasu Mizuno, Yoshihiro Ishitani et Akihiko Yoshikawa. « Polarity dependence of In-rich InGaN and InN/InGaN MQWs ». MRS Proceedings 892 (2005). http://dx.doi.org/10.1557/proc-0892-ff06-03.
Texte intégralYeo, Y. C., T. C. Chong et M. F. Li. « Valence Band Parameters for Wurtzite GaN and InN ». MRS Proceedings 482 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-482-923.
Texte intégralBinsted, Peter W., Kenneth Scott A. Butcher, Dimiter Alexandrov, Penka Terziyska, Dimka Georgieva, Rositsa Gergova et Vasil Georgiev. « InN on GaN Heterostructure Growth by Migration Enhanced Epitaxial Afterglow (MEAglow) ». MRS Proceedings 1396 (2012). http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.15.
Texte intégralSingh, R., et T. D. Moustakas. « Growth of InGaN Films by MBE at the Growth Temperature of GaN ». MRS Proceedings 395 (1995). http://dx.doi.org/10.1557/proc-395-163.
Texte intégralVartuli, C. B., J. W. Lee, J. D. MacKenzie, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul et al. « ICP Dry Etching of III-V Nitrides ». MRS Proceedings 468 (1997). http://dx.doi.org/10.1557/proc-468-393.
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