Livres sur le sujet « Gallium nitride »
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Quay, Rüdiger. Gallium nitride electronics. Berlin : Springer, 2008.
Trouver le texte intégral1922-, Pankove Jacques I., et Moustakas T. D, dir. Gallium nitride (GaN). San Diego : Academic Press, 1998.
Trouver le texte intégral1922-, Pankove Jacques I., Moustakas T. D et Willardson Robert K, dir. Gallium nitride (GaN) II. San Diego : Academic Press, 1999.
Trouver le texte intégralFeenstra, Randall M., et Colin E. C. Wood, dir. Porous Silicon Carbide and Gallium Nitride. Chichester, UK : John Wiley & Sons, Ltd, 2008. http://dx.doi.org/10.1002/9780470751817.
Texte intégralEhrentraut, Dirk, Elke Meissner et Michal Bockowski, dir. Technology of Gallium Nitride Crystal Growth. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2010. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-04830-2.
Texte intégralEhrentraut, Dirk, Elke Meissner et Michal Bockowski. Technology of gallium nitride crystal growth. Heidelberg : Springer, 2010.
Trouver le texte intégralMichael, Shur, et Davis Robert F. 1942-, dir. GaN-based materials and devices : Growth, fabrication, characterization and performance. Singapore : World Scientific, 2004.
Trouver le texte intégralChuan, Feng Zhe, dir. III-nitride devices and nanoengineering. London : Imperial College Press, 2008.
Trouver le texte intégralB, Gil, dir. Low-dimensional nitride semiconductors. Oxford : Oxford University Press, 2002.
Trouver le texte intégralInternational Conference on Nitride Semiconductors (4th 2001 Denver, Colo.). ICNS-4 : Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, 2001 : proceedings. Berlin : Wiley-VCH, 2002.
Trouver le texte intégralVserossiĭskoe soveshchanie "Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory" (2nd 1998 St. Petersburg, Russia). Nitridy gallii︠a︡, indii︠a︡ i ali︠u︡minii︠a︡--struktury i pribory : Materialy 2-go vserossiĭskogo soveshchanii︠a︡, 2 ii︠u︡nii︠a︡ 1998 g., Sankt-Peterburgskiĭ gosudarstvennyĭ tekhnicheskiĭ universitet = Gallium nitride, indium nitride, aluminum nitride--structures and devices : technical digest : the 2nd Russian Workshop, June 2, 1998, St.-Petersburg State Technical University. Sankt-Peterburg : Sankt-Peterburgskiĭ gos. tekhn. universitet, 1998.
Trouver le texte intégralInternational, Workshop on Nitride Semiconductors (2000 Nagoya Japan). IWN Nagoya 2000 : International Workshop on Nitride Semiconductors : IWN2000 : September 24-27, 2000, Nagoya Congress Center, Nagoya, Japan. Tokyo : Institute of Pure and Applied Physics, 2000.
Trouver le texte intégralConference on Semiconducting and Insulating Materials (9th 1996 Toulouse, France). Semiconducting and insulating materials 1996 : Proceedings of the 9th Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC'9), April 29/May 3, 1996, Toulouse, France. New York : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1996.
Trouver le texte intégralInternational Symposium on Gallium Nitride and Related Materials (1st 1995 Boston, Mass.). Gallium nitride and related materials : The First International Symposium on Gallium Nitride and Related Materials held November 27-December 1, 1995, Boston, Massachusetts, U.S.A. Sous la direction de Ponce Fernando A. Pittsburgh, Pa : Materials Research Society, 1996.
Trouver le texte intégralYao, Takafumi. Oxide and nitride semiconductors : Processing, properties, and applications. Berlin : Springer, 2009.
Trouver le texte intégralMaterials Research Society. Meeting Symposium C. Advances in GaN, GaAs, SiC and related alloys on silicon substrates : Symposium held March 24-28, 2008, San Francisco, California, U.S.A. Sous la direction de Li Tingkai. Warrendale, Pa : Materials Research Society, 2008.
Trouver le texte intégralFong, Chee Yong. Sol-gel spin coating growth of gallium nitride thin films : A simple, safe, and cheap approach. Pulau Pinang : Penerbit Universiti Sains Malaysia, 2018.
Trouver le texte intégralMeneghesso, Gaudenzio, Matteo Meneghini et Enrico Zanoni, dir. Gallium Nitride-enabled High Frequency and High Efficiency Power Conversion. Cham : Springer International Publishing, 2018. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-77994-2.
Texte intégralH, Edgar James, dir. Properties, processing and applications of gallium nitride and related semiconductors. London : INSPEC, 1999.
Trouver le texte intégralFeenstra, Randall M. Porous silicon carbide and gallium nitride : Epitaxy, catalysis, and biotechnology applications. Chichester, England : John Wiley & Sons, 2008.
Trouver le texte intégralKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław : Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Trouver le texte intégralKorbutowicz, Ryszard. Epitaksja grubych warstw azotku galu. Wrocław : Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej, 2008.
Trouver le texte intégralW, Litton Cole, et Society of Photo-optical Instrumentation Engineers., dir. Gallium nitride materials and devices : 23-25 January 2006, San Jose, California, USA. Bellingham, Wash : SPIE, 2006.
Trouver le texte intégralSymposium on GaN, AIN, InN and Related Materials (2005 Boston, Mass.). GaN, AIN, InN and related materials : Symposium held November 28-December 2, 2005, Boston, Massachusetts, U.S.A. Sous la direction de Kuball Martin et Materials Research Society Meeting. Warrendale, Pa : Materials Research Society, 2006.
Trouver le texte intégralChristian, Wetzel, dir. GaN and related alloys--2002 : Symposium held December 2-6, 2002, Boston, Massachusetts, U.S.A. Warrendale, Pa : Materials Research Society, 2003.
Trouver le texte intégralConference on Semiconducting and Insulating Materials (11th 2000 Canberra, A.C.T.). SIMC-XI : 2000 International Semiconducting and Insulating Materials Conference : 3-7 July, 2000, the Australian National University, Canberra, Australia. Sous la direction de Jagadish C et Welham N. J. Piscataway, NJ : IEEE, 2000.
Trouver le texte intégralEuropean, GaN Workshop (2nd 1997 Sophia-Antipolis France). EGW-2 proceedings : The Second European GaN Workshop, June 11-13, 1997, Valbonne Sophia-Antipolis, France. [S.l.] : Materials Research Society, 1997.
Trouver le texte intégralEuropean GaN Workshop (1st 1996 Rigi-Kaltbad, Switzerland). EGW-1 proceedings : The First European GaN Workshop held June 2-4, 1996, Rigi, Switzerland. Sous la direction de Hellman Eric Sven, Kamp Markus et Strite Toby. [S.l.] : Materials Research Society, 1997.
Trouver le texte intégralEuropean GaN Workshop (3rd 1998 Jadwisin, Poland). EGW-3 proceedings : The Third European GaN Workshop, held June 22-24 June 1998, Jadwisin, Poland. Sous la direction de Krukowski Stanisław. Warrendale, PA : Materials Research Society, 1999.
Trouver le texte intégralR, Abernathy C., Amano H et Zolper J. C, dir. Gallium nitride and related materials II : Symposium held April 1-4, 1997, San Francisco, California, U.S.A. Pittsburgh, Pa : Materials Research Society, 1997.
Trouver le texte intégralSzweda, Roy. Gallium nitride & related wide bandgap materials & devices : A market & technology overview 1996-2001. Oxford, UK : Elsevier Advanced Technology, 1997.
Trouver le texte intégralRussell, D. The preparation and characterisation of gallium nitride and group III-V related compounds. Leicester : De Montfort University, 2003.
Trouver le texte intégralFriedhelm, Bechstedt, Meyer B. K, Stutzmann M et Deutsche Forschungsgemeinschaft, dir. Group III-nitrides and their heterostructures : Growth, characterization and applications. Weinheim : Wiley-VCH, 2003.
Trouver le texte intégralGallium Nitride Electronics. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-71892-5.
Texte intégralQuay, Rüdiger. Gallium Nitride Electronics. Springer, 2010.
Trouver le texte intégralLuminescence Studies of Ion-Implanted Gallium Nitride and Aluminum Gallium Nitride. Storming Media, 2003.
Trouver le texte intégralWillardson, Robert K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber et Jacques I. Pankove. Gallium Nitride (GaN) I. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Trouver le texte intégralYu, Hongyu, et Tianli Duan, dir. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1201/9781315196626.
Texte intégralGallium Nitride (GaN) I. Elsevier, 1997. http://dx.doi.org/10.1016/s0080-8784(08)x6082-x.
Texte intégralYu, HongYu, et Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Trouver le texte intégralYu, HongYu, et Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Taylor & Francis Group, 2017.
Trouver le texte intégralWillardson, R. K., Theodore D. Moustakas, Eicke R. Weber et Jacques I. Pankove. Gallium-Nitride (GaN) II. Elsevier Science & Technology Books, 1998.
Trouver le texte intégralYu, HongYu, et Tianli Duan. Gallium Nitride Power Devices. Jenny Stanford Publishing, 2017.
Trouver le texte intégralTwo-Dimensional Modeling of Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor. Storming Media, 2002.
Trouver le texte intégral(Editor), Jacques I. Pankove, et Theodore D. Moustakas (Editor), dir. Gallium Nitride 1,2 (Semiconductors & Semimetals). Academic Press, 1999.
Trouver le texte intégralMedjdoub, Farid. Gallium Nitride : Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Trouver le texte intégralMedjdoub, Farid. Gallium Nitride : Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Trouver le texte intégralTadjer, Marko, et Travis J. Anderson. Thermal Management of Gallium Nitride Electronics. Elsevier Science & Technology, 2022.
Trouver le texte intégralMedjdoub, Farid. Gallium Nitride : Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
Trouver le texte intégralMedjdoub, Farid. Gallium Nitride : Physics, Devices, and Technology. Taylor & Francis Group, 2017.
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