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Liu, Hai Rui, et Jun Sheng Yu. « Characterization of Metal-Semiconductor Schottky Diodes and Application on THz Detection ». Advanced Materials Research 683 (avril 2013) : 729–32. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.683.729.
Texte intégralOzdemir, Ahmet Faruk, Adnan Calik, Guven Cankaya, Osman Sahin et Nazim Ucar. « Effect of Indentation on I-V Characteristics of Au/n-GaAs Schottky Barrier Diodes ». Zeitschrift für Naturforschung A 63, no 3-4 (1 avril 2008) : 199–202. http://dx.doi.org/10.1515/zna-2008-3-414.
Texte intégralWeikle, Robert M., S. Nadri, C. M. Moore, N. D. Sauber, L. Xie, M. E. Cyberey, N. Scott Barker, A. W. Lichtenberger et M. Zebarjadi. « Thermal Characterization of Quasi-Vertical GaAs Schottky Diodes Integrated on Silicon Using Thermoreflectance and Electrical Transient Measurements ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2019, DPC (1 janvier 2019) : 001293–310. http://dx.doi.org/10.4071/2380-4491-2019-dpc-presentation_tha3_009.
Texte intégralKlyuev, Alexey V., Arkady V. Yakimov et Irene S. Zhukova. « 1/f Noise in Ti–Au/n-Type GaAs Schottky Barrier Diodes ». Fluctuation and Noise Letters 14, no 03 (29 juin 2015) : 1550029. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477515500297.
Texte intégralPowell, J. R., Colin Viegas, Hoshiar Singh Sanghera, P. G. Huggard et Byron Alderman. « Comparing Novel MMIC and Hybrid Circuit High Efficiency GaAs Schottky Diode mm-Wave Frequency Doublers ». Electronics 9, no 10 (19 octobre 2020) : 1718. http://dx.doi.org/10.3390/electronics9101718.
Texte intégralLiu, Yang, Bo Zhang, Yinian Feng, Xiaolin Lv, Dongfeng Ji, Zhongqian Niu, Yilin Yang, Xiangyang Zhao et Yong Fan. « Development of 340-GHz Transceiver Front End Based on GaAs Monolithic Integration Technology for THz Active Imaging Array ». Applied Sciences 10, no 21 (9 novembre 2020) : 7924. http://dx.doi.org/10.3390/app10217924.
Texte intégralKAHVECI, OSMAN, ABDULLAH AKKAYA, ENISE AYYILDIZ et ABDÜLMECIT TÜRÜT. « COMPARISON OF THE Ti/n-GaAs SCHOTTKY CONTACTS’ PARAMETERS FABRICATED USING DC MAGNETRON SPUTTERING AND THERMAL EVAPORATION ». Surface Review and Letters 24, no 04 (10 août 2016) : 1750047. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x17500470.
Texte intégralYILDIRIM, N., H. DOGAN, H. KORKUT et A. TURUT. « DEPENDENCE OF CHARACTERISTIC DIODE PARAMETERS IN Ni/n-GaAs CONTACTS ON THERMAL ANNEALING AND SAMPLE TEMPERATURE ». International Journal of Modern Physics B 23, no 27 (30 octobre 2009) : 5237–49. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979209053564.
Texte intégralGromov, Dmitry, et Vadim Elesin. « Long-term radiation effects in GaAs microwave devices exposed to pulsed ionizing radiation ». ITM Web of Conferences 30 (2019) : 10005. http://dx.doi.org/10.1051/itmconf/20193010005.
Texte intégralCROWE, THOMAS W., ROBERT J. MATTAUCH, ROBERT M. WEIKLE et UDAYAN V. BHAPKAR. « TERAHERTZ GaAs DEVICES AND CIRCUITS FOR HETERODYNE RECEIVER APPLICATIONS ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 06, no 01 (mars 1995) : 125–61. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156495000043.
Texte intégralVittone, E., P. Olivero, F. Nava, C. Manfredotti, A. Lo Giudice, F. Fizzotti et G. Egeni. « Lateral IBIC analysis of GaAs Schottky diodes ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B : Beam Interactions with Materials and Atoms 231, no 1-4 (avril 2005) : 513–17. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2005.01.109.
Texte intégralShi, Z. Q., et W. A. Anderson. « Cryogenic processing of metal/GaAs schottky diodes ». Solid-State Electronics 35, no 10 (octobre 1992) : 1427–32. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(92)90078-q.
Texte intégralKonishi, Y., S. T. Allen, M. Reddy, M. J. W. Rodwell, R. P. Smith et J. Liu. « AlAs/GaAs Schottky-collector resonant-tunnel-diodes ». Solid-State Electronics 36, no 12 (décembre 1993) : 1673–76. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(93)90212-9.
Texte intégralPham, Q. P., W. M. Kelly, P. Maaskant et J. O'Brien. « High reliability sputtered Schottky diodes on GaAs ». International Journal of Infrared and Millimeter Waves 12, no 1 (janvier 1991) : 23–31. http://dx.doi.org/10.1007/bf01041880.
Texte intégralPark, Il-Yong, et Yearn-Ik Choi. « Analytic Breakdown Modeling for GaAs Schottky Diodes ». Physica Scripta T79, no 1 (1999) : 314. http://dx.doi.org/10.1238/physica.topical.079a00314.
Texte intégralCrowe, T. W., R. J. Mattauch, H. P. Roser, W. L. Bishop, W. C. B. Peatman et X. Liu. « GaAs Schottky diodes for THz mixing applications ». Proceedings of the IEEE 80, no 11 (1992) : 1827–41. http://dx.doi.org/10.1109/5.175258.
Texte intégralPalmour, John W. « Energy Efficiency : The Commercial Pull for SiC Devices ». Materials Science Forum 527-529 (octobre 2006) : 1129–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1129.
Texte intégralTan, Shih-Wei, et Shih-Wen Lai. « A Current Transport Mechanism on the Surface of Pd-SiO2Mixture for Metal-Semiconductor-Metal GaAs Diodes ». Advances in Materials Science and Engineering 2013 (2013) : 1–4. http://dx.doi.org/10.1155/2013/531573.
Texte intégralВедь, М. В., М. В. Дорохин, B. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев et Ю. А. Данилов. « Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs ». Письма в журнал технической физики 45, no 13 (2019) : 33. http://dx.doi.org/10.21883/pjtf.2019.13.47955.17812.
Texte intégralWang, Xiaolei, Xupeng Sun, Shuainan Cui, Qianqian Yang, Tianrui Zhai, Jinliang Zhao, Jinxiang Deng et Antonio Ruotolo. « Physical Investigations on Bias-Free, Photo-Induced Hall Sensors Based on Pt/GaAs and Pt/Si Schottky Junctions ». Sensors 21, no 9 (25 avril 2021) : 3009. http://dx.doi.org/10.3390/s21093009.
Texte intégralLakhdari, Issam, Nouredine Sengouga, Madani Labed, Toufik Tibermacine, Riaz Mari et Mohamed Henini. « Schottky contact diameter effect on the electrical properties and interface states of Ti/Au/p-AlGaAs/GaAs/Au/Ni/Au Be-doped p-type MBE Schottky diodes ». Semiconductor Science and Technology 37, no 5 (13 avril 2022) : 055022. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac612a.
Texte intégralFischler, W., P. Buchberger, R. A. Höpfel et G. Zandler. « Ultrafast reflectivity changes in photoexcited GaAs Schottky diodes ». Applied Physics Letters 68, no 20 (13 mai 1996) : 2778–80. http://dx.doi.org/10.1063/1.116604.
Texte intégralAshkinazi, G., B. Meyler, M. Nathan, L. Zolotarevski et O. Zolotarevski. « Breakdown voltage of high-voltage GaAs Schottky diodes ». Solid-State Electronics 36, no 12 (décembre 1993) : 1793–94. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(93)90229-j.
Texte intégralAdams, J. G., A. Jelenski, D. H. Navon et Ting-Wei Tang. « Numerical analysis of GaAs epitaxial-layer Schottky diodes ». IEEE Transactions on Electron Devices 34, no 9 (septembre 1987) : 1963–70. http://dx.doi.org/10.1109/t-ed.1987.23182.
Texte intégralCrowe, T. W., et R. J. Mattauch. « Conversion Loss in GaAs Schottky-Barrier Mixer Diodes ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 34, no 7 (juillet 1986) : 753–60. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.1986.1133437.
Texte intégralSharda, H., K. Prasad, L. Faraone et A. G. Nassibian. « Annealing studies on Pd/n-GaAs Schottky diodes ». Semiconductor Science and Technology 6, no 8 (1 août 1991) : 765–70. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/6/8/009.
Texte intégralPaccagnella, A., A. Callegari, E. Latta et M. Gasser. « Schottky diodes on hydrogen plasma treatedn‐GaAs surfaces ». Applied Physics Letters 55, no 3 (17 juillet 1989) : 259–61. http://dx.doi.org/10.1063/1.101922.
Texte intégralYasuoka, Yoshizumi, Hiromitsu Takao et Narumi Inoue. « Fabrication of sub-0.5-micron GaAs Schottky diodes ». Microelectronic Engineering 11, no 1-4 (avril 1990) : 101–4. http://dx.doi.org/10.1016/0167-9317(90)90081-4.
Texte intégralGao, Xian, Ji Long Tang, Dan Fang, Fang Chen, Shuang Peng Wang, Hai Feng Zhao, Xuan Fang et al. « The Electrical Characteristics of GaAs-MgO Interfaces of GaAs MIS Schottky Diodes ». Advanced Materials Research 1118 (juillet 2015) : 270–75. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.1118.270.
Texte intégralMartinez Gil, Javier, Diego Moro-Melgar, Artur Negrus, Ion Oprea et Oleg Cojocari. « Efficiency Assessment of Traditional GaAs and Low-Power InGaAs Schottky Diodes in Full-Band Mixers at 0.3 THz ». Electronics 12, no 21 (3 novembre 2023) : 4518. http://dx.doi.org/10.3390/electronics12214518.
Texte intégralKlyuev, Alexey V., et Arkady V. Yakimov. « Investigation of 1/f Noise and Superimposed RTS Noise in Ti–Au/n-Type GaAs Schottky Barrier Diodes ». Fluctuation and Noise Letters 14, no 04 (9 novembre 2015) : 1550041. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477515500418.
Texte intégralPrikhodko, A., I. Belikov, D. Mikhailov, A. Shurakov et G. Goltsman. « Towards multipixel THz Schottky diode detector with a single RF output line ». Journal of Physics : Conference Series 2086, no 1 (1 décembre 2021) : 012063. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2086/1/012063.
Texte intégralUchida, Yoko, Tatsuo Yokotsuka, Hisao Nakashima et Shinichiro Takatani. « Electrical properties of thermally stable LaB6/GaAs Schottky diodes ». Applied Physics Letters 50, no 11 (16 mars 1987) : 670–72. http://dx.doi.org/10.1063/1.98061.
Texte intégralArakaki, Hisashi, Kazutoshi Ohashi et Tomoko Sudou. « Sputter-induced defects in Zn-doped GaAs Schottky diodes ». Semiconductor Science and Technology 19, no 1 (30 octobre 2003) : 127–32. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/19/1/021.
Texte intégralZaidi, S. H., et A. K. Jonscher. « Spectroscopy of delayed electronic transitions in GaAs Schottky diodes ». Semiconductor Science and Technology 2, no 9 (1 septembre 1987) : 587–96. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/2/9/005.
Texte intégralLalinský, T., D. Gregušová, Ž. Mozolová, J. Breza et P. Vogrinčič. « High‐temperature stable Ir‐Al/n‐GaAs Schottky diodes ». Applied Physics Letters 64, no 14 (4 avril 1994) : 1818–20. http://dx.doi.org/10.1063/1.111988.
Texte intégralLechuga, L. M., A. Calle, D. Golmayo et F. Briones. « The ammonia sensitivity of Pt/GaAs Schottky barrier diodes ». Journal of Applied Physics 70, no 6 (15 septembre 1991) : 3348–54. http://dx.doi.org/10.1063/1.349270.
Texte intégralShepherd, P. R., et M. J. Cryan. « Schottky diodes for analogue phase shifters in GaAs MMICs ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 44, no 11 (1996) : 2112–16. http://dx.doi.org/10.1109/22.543970.
Texte intégralSvensson, Stefan P. « Al–Ga–GaAs multimetal Schottky diodes prepared by MBE ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 3, no 2 (mars 1985) : 760. http://dx.doi.org/10.1116/1.583137.
Texte intégralSt. Jean, C. A., W. L. Bishop, B. K. Sarpong, S. M. Marazita et T. W. Crowe. « Novel fabrication of Ti-Pt-Au/GaAs Schottky diodes ». IEEE Transactions on Electron Devices 47, no 7 (juillet 2000) : 1465–68. http://dx.doi.org/10.1109/16.848293.
Texte intégralRöser, H. P., H. W. Hübers, T. W. Crowe et W. C. B. Peatman. « Nanostructure GaAS Schottky diodes for far-infrared heterodyne receivers ». Infrared Physics & ; Technology 35, no 2-3 (mars 1994) : 451–62. http://dx.doi.org/10.1016/1350-4495(94)90102-3.
Texte intégralVearey-Roberts, A. R., et D. A. Evans. « Modification of GaAs Schottky diodes by thin organic interlayers ». Applied Physics Letters 86, no 7 (2005) : 072105. http://dx.doi.org/10.1063/1.1864255.
Texte intégralVon Roos, O., et Ke-Li Wang. « Conversion Losses in GaAs Schottky-Barrier Diodes (Short Paper) ». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 34, no 1 (janvier 1986) : 183–88. http://dx.doi.org/10.1109/tmtt.1986.1133301.
Texte intégralEftekhari, G. « Electrical characteristics of selenium-treated GaAs MIS Schottky diodes ». Semiconductor Science and Technology 8, no 3 (1 mars 1993) : 409–11. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/8/3/018.
Texte intégralLin, Chia-Chien, et Meng-Chyi Wu. « Electrical and structural properties of Re/GaAs Schottky diodes ». Journal of Applied Physics 85, no 7 (avril 1999) : 3893–96. http://dx.doi.org/10.1063/1.369777.
Texte intégralZheng, Renzhou, Jingbin Lu, Xiaoyi Li, Yu Wang, Yumin Liu, Xu Xu, Ziyi Chen et Xue Zhang. « Optimization design of GaAs-based betavoltaic batteries with p–n junction and Schottky barrier structures ». Journal of Physics D : Applied Physics 55, no 19 (16 février 2022) : 194003. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac526a.
Texte intégralYILDIRIM, NEZIR, ABDULMECIT TURUT et HULYA DOGAN. « CURRENT–VOLTAGE CHARACTERISTICS OF THERMALLY ANNEALED Ni/n-GaAs SCHOTTKY CONTACTS ». Surface Review and Letters 25, no 04 (11 mai 2018) : 1850082. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x18500828.
Texte intégralIsmail, A., J. M. Palau, E. Vieujot et L. Lassabatere. « Electron beam effect on GaAs real surfaces and on Ag-GaAs Schottky diodes ». Surface Science Letters 157, no 2-3 (juillet 1985) : A386. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(85)91097-7.
Texte intégralIsmail, A., J. M. Palau, E. Vieujot et L. Lassabatere. « Electron beam effect on GaAs real surfaces and on AgGaAs schottky diodes ». Surface Science 157, no 2-3 (juillet 1985) : 319–26. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(85)90675-2.
Texte intégralSchmutzler, H. J., W. Platen, D. Kohl et K. Wolter. « Process Dependent Interface States of Ag/(110)GaAs Schottky Diodes ». Materials Science Forum 38-41 (janvier 1991) : 1409–14. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.1409.
Texte intégral