Articles de revues sur le sujet « Extrinsic Semiconductors »
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Yang, Jin-Peng, Hai-Tao Chen et Gong-Bin Tang. « Modeling of thickness-dependent energy level alignment at organic and inorganic semiconductor interfaces ». Journal of Applied Physics 131, no 24 (28 juin 2022) : 245501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0096697.
Texte intégralZeitler, U., et A. G. M. Jansen. « Extrinsic magnetoresistance in semiconductors ». Physica B : Condensed Matter 204, no 1-4 (janvier 1995) : 90–94. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(94)00247-s.
Texte intégralGösele, Ulrich M., et Teh Y. Tan. « Point Defects and Diffusion in Semiconductors ». MRS Bulletin 16, no 11 (novembre 1991) : 42–46. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400055512.
Texte intégralLiboff, Richard L. « Quasiclassical mobility for extrinsic semiconductors ». Journal of Physics and Chemistry of Solids 46, no 11 (janvier 1985) : 1327–30. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3697(85)90134-9.
Texte intégralMazzeo, M. P., et L. Restuccia. « Thermodynamics of n-type extrinsic semiconductors ». Energy 36, no 7 (juillet 2011) : 4577–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.energy.2011.02.055.
Texte intégralKatzengruber, B., M. Krupa et P. Szmolyan. « Bifurcation of traveling waves in extrinsic semiconductors ». Physica D : Nonlinear Phenomena 144, no 1-2 (septembre 2000) : 1–19. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-2789(00)00030-0.
Texte intégralRidgway, M. C., C. J. Glover, G. de M. Azevedo, S. M. Kluth, K. M. Yu et G. J. Foran. « Structure in amorphous semiconductors : Extrinsic and intrinsic ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B : Beam Interactions with Materials and Atoms 238, no 1-4 (août 2005) : 294–301. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2005.06.066.
Texte intégralBordovskiĭ, G. A., R. A. Castro et E. I. Terukov. « Extrinsic conduction in Ge28.5Pb15S56.5 and Ge27Pb17Se56 glassy semiconductors ». Technical Physics Letters 32, no 11 (novembre 2006) : 913–15. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785006110010.
Texte intégralKartheuser, E., J. Schmit et R. Evrard. « Theory of extrinsic oscillatory photoconductivity in polar semiconductors ». Journal of Applied Physics 63, no 3 (février 1988) : 784–88. http://dx.doi.org/10.1063/1.340070.
Texte intégralWu, Chhi-Chong, et Jensan Tsai. « Hall effect and magnetoresistance in extrinsic piezoelectric semiconductors ». Journal of Low Temperature Physics 73, no 1-2 (octobre 1988) : 53–78. http://dx.doi.org/10.1007/bf00681743.
Texte intégralMiao, Jialei, Xiaowei Zhang, Ye Tian et Yuda Zhao. « Recent Progress in Contact Engineering of Field-Effect Transistor Based on Two-Dimensional Materials ». Nanomaterials 12, no 21 (31 octobre 2022) : 3845. http://dx.doi.org/10.3390/nano12213845.
Texte intégralChristen, Thomas. « Nonequilibrium Phase Transition and Current Filaments in Extrinsic Semiconductors ». Zeitschrift für Naturforschung A 49, no 9 (1 septembre 1994) : 851–55. http://dx.doi.org/10.1515/zna-1994-0906.
Texte intégralPetukhov, B. V. « Threshold stresses for motion of dislocations in extrinsic semiconductors ». Semiconductors 41, no 6 (juin 2007) : 625–30. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782607060024.
Texte intégralChristen, Thomas. « The Velocity of Current Filaments in Weak Magnetic Fields ». Zeitschrift für Naturforschung A 49, no 9 (1 septembre 1994) : 847–50. http://dx.doi.org/10.1515/zna-1994-0905.
Texte intégralCantalapiedra, Inma R., Luis L. Bonilla, Michael J. Bergmann et Stephen W. Teitsworth. « Solitary-wave dynamics in extrinsic semiconductors under dc voltage bias ». Physical Review B 48, no 16 (15 octobre 1993) : 12278–81. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.48.12278.
Texte intégralKounavis, P. « Extrinsic photoresponse enhancement under additional intrinsic photoexcitation in organic semiconductors ». Journal of Applied Physics 119, no 24 (28 juin 2016) : 245502. http://dx.doi.org/10.1063/1.4954795.
Texte intégralKornyushin, Yuri. « Introduction to low frequency local plasmons in bulk extrinsic semiconductors ». Facta universitatis - series : Physics, Chemistry and Technology 2, no 5 (2003) : 253–58. http://dx.doi.org/10.2298/fupct0305253k.
Texte intégralParisi, J., ,. J. Peinke, U. Rau et W. Clauß. « Report : Nonequilibrium Phase Transitions of Impact Ionization Breakdown in Extrinsic Semiconductors ». Zeitschrift für Naturforschung A 45, no 8 (1 août 1990) : 1048–50. http://dx.doi.org/10.1515/zna-1990-0819.
Texte intégralSidorov, A. I. « Photoinduced lens dynamics near the optical confinement threshold in extrinsic semiconductors ». Technical Physics Letters 29, no 4 (avril 2003) : 300–301. http://dx.doi.org/10.1134/1.1573297.
Texte intégralBonilla, Luis L., et Stephen W. Teitsworth. « Theory of periodic and solitary space charge waves in extrinsic semiconductors ». Physica D : Nonlinear Phenomena 50, no 3 (juillet 1991) : 545–59. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2789(91)90014-z.
Texte intégralChisten, Thomas. « Complex Ginzburg-Landau equation for nonlinear travelling waves in extrinsic semiconductors ». Zeitschrift f�r Physik B Condensed Matter 97, no 3 (septembre 1995) : 473–79. http://dx.doi.org/10.1007/bf01317231.
Texte intégralBonilla, Luis L., et Francisco J. Higuera. « The Onset and End of the Gunn Effect in Extrinsic Semiconductors ». SIAM Journal on Applied Mathematics 55, no 6 (décembre 1995) : 1625–49. http://dx.doi.org/10.1137/s0036139991199456.
Texte intégralBonilla, L. L., I. R. Cantalapiedra, M. J. Bergmann et S. W. Teitsworth. « Onset of current oscillations in extrinsic semiconductors under DC voltage bias ». Semiconductor Science and Technology 9, no 5S (1 mai 1994) : 599–602. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/9/5s/054.
Texte intégralGozzo, F., C. Coluzza, G. Margaritondo et F. Flores. « Intrinsic and extrinsic charge neutrality levels in semiconductors : an Empirical approach ». Solid State Communications 81, no 7 (février 1992) : 553–56. http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(92)90410-b.
Texte intégralErmolaev, A. M. « High-frequency conductivity of metals in degenerate semiconductors with extrinsic electron states ». Soviet Physics Journal 30, no 4 (avril 1987) : 274–77. http://dx.doi.org/10.1007/bf00914826.
Texte intégralWichert, Th. « Intrinsic and extrinsic defects in semiconductors studied by perturbed ? ? angular correlation spectroscopy ». Applied Physics A : Materials Science & ; Processing 61, no 2 (1 juillet 1995) : 207–12. http://dx.doi.org/10.1007/s003390050192.
Texte intégralWichert, Th. « Intrinsic and extrinsic defects in semiconductors studied by perturbed ? ? angular correlation spectroscopy ». Applied Physics A Materials Science and Processing 61, no 2 (août 1995) : 207–12. http://dx.doi.org/10.1007/bf01538391.
Texte intégralGRÜNEIS, FERDINAND. « 1/f NOISE DUE TO ATOMIC DIFFUSION OF IMPURITY CENTERS IN SEMICONDUCTORS ». Fluctuation and Noise Letters 01, no 04 (décembre 2001) : L197—L220. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477501000433.
Texte intégralTSUKIOKA, MASAYUKI, YASUO TANOKURA, MASAZI SHIMAZU, SHINICHIRO KUROIWA et SADAO TSUTSUMI. « ELECTRICAL CONDUCTING AND THERMOELECTRIC PROPERTIES OF Ba4Na2Nb10O30−Ba3NaLaNb10O30 SYSTEM ». Modern Physics Letters B 04, no 10 (20 mai 1990) : 681–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984990000854.
Texte intégralPetukhov, B. V. « Effect of Dynamic Aging of Dislocations on the Deformation Behavior of Extrinsic Semiconductors ». Solid State Phenomena 95-96 (septembre 2003) : 459–64. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.95-96.459.
Texte intégralKonin, A. « The role of nonequilibrium charge in generation of the thermopower in extrinsic semiconductors ». Semiconductors 45, no 5 (mai 2011) : 593–98. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782611050174.
Texte intégralPetukhov, B. V. « Effect of dynamic aging of dislocations on the deformation behavior of extrinsic semiconductors ». Semiconductors 36, no 2 (février 2002) : 121–25. http://dx.doi.org/10.1134/1.1453422.
Texte intégralBharuth-Ram, K., C. Ronning et T. B. Doyle. « Magnetic nanocluster formation of Fe ions embedded in SiO2and Al2O3substrates ». MRS Advances 3, no 42-43 (2018) : 2603–8. http://dx.doi.org/10.1557/adv.2018.419.
Texte intégralLettieri, S. « Calculations of band-filling optical nonlinearities in extrinsic semiconductors beyond the low injection limit ». Journal of Applied Physics 95, no 10 (15 mai 2004) : 5419–28. http://dx.doi.org/10.1063/1.1697634.
Texte intégralBonilla, Luis L. « Theory of solitary waves and spontaneous current instabilities in dc voltage biased extrinsic semiconductors ». Physica D : Nonlinear Phenomena 55, no 1-2 (février 1992) : 182–96. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2789(92)90196-t.
Texte intégralPastrňák, J. « Double source optical absorption and spectral photoconductivity measurements in the extrinsic region of semiconductors ». Czechoslovak Journal of Physics 37, no 8 (août 1987) : 942–53. http://dx.doi.org/10.1007/bf01596993.
Texte intégralKonin, A. « The influence of energy band bending on the photo-induced electromotive force in extrinsic semiconductors ». Journal of Physics : Condensed Matter 20, no 5 (18 janvier 2008) : 055225. http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/20/5/055225.
Texte intégralBonilla, Luis L., et JoséM Vega. « On the stability of wavefronts and solitary space charge waves in extrinsic semiconductors under current bias ». Physics Letters A 156, no 3-4 (juin 1991) : 179–82. http://dx.doi.org/10.1016/0375-9601(91)90933-y.
Texte intégralGrüneis, Ferdinand. « An Intermittent Generation–Recombination Process as a Possible Origin of 1/f Fluctuations in Semiconductor Materials ». Fluctuation and Noise Letters 16, no 04 (21 novembre 2017) : 1750034. http://dx.doi.org/10.1142/s0219477517500341.
Texte intégralHiraiwa, Atsushi, Satoshi Okubo, Masahiko Ogura, Yu Fu et Hiroshi Kawarada. « Capacitance–voltage characterization of metal–insulator–semiconductor capacitors formed on wide-bandgap semiconductors with deep dopants such as diamond ». Journal of Applied Physics 132, no 12 (28 septembre 2022) : 125702. http://dx.doi.org/10.1063/5.0104016.
Texte intégralNiefind, Falk, Andrew Winchester et Sujitra Pookpanratana. « (Invited) Imaging and Measuring Electronic Materials ». ECS Meeting Abstracts MA2022-02, no 34 (9 octobre 2022) : 1253. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-02341253mtgabs.
Texte intégralBonilla, Luis L. « Small-signal analysis of spontaneous current instabilities in extrinsic semiconductors with trapping : Application to ultrapurep-type germanium ». Physical Review B 45, no 20 (15 mai 1992) : 11642–54. http://dx.doi.org/10.1103/physrevb.45.11642.
Texte intégralPastrnak, J., F. Karel et O. Petricek. « Optical absorption coefficient of semiconductors in the extrinsic region obtained by photoconductivity measurements : application to SI GaAs ». Semiconductor Science and Technology 5, no 8 (1 août 1990) : 867–70. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/5/8/011.
Texte intégralTuckute, Simona, Sarunas Varnagiris, Marius Urbonavicius, Emilija Demikyte, Kristina Bockute et Martynas Lelis. « Structure and Photocatalytic Activity of Copper and Carbon-Doped Metallic Zn Phase-Rich ZnO Oxide Films ». Catalysts 12, no 1 (6 janvier 2022) : 60. http://dx.doi.org/10.3390/catal12010060.
Texte intégralBonilla, Luis L., Francisco J. Higuera et Stephanos Venakides. « The Gunn Effect : Instability of the Steady State and Stability of the Solitary Wave in Long Extrinsic Semiconductors ». SIAM Journal on Applied Mathematics 54, no 6 (décembre 1994) : 1521–41. http://dx.doi.org/10.1137/s0036139992236554.
Texte intégralAya Baquero, H. « Didactic model of the diode with Finite Element Method ». Journal of Physics : Conference Series 2307, no 1 (1 septembre 2022) : 012031. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2307/1/012031.
Texte intégralTran, Tuan T., Jennifer Wong-Leung, Lachlan A. Smillie, Anders Hallén, Maria G. Grimaldi et Jim S. Williams. « High hole mobility and non-localized states in amorphous germanium ». APL Materials 11, no 4 (1 avril 2023) : 041115. http://dx.doi.org/10.1063/5.0146424.
Texte intégralZhou, Chongwu. « (Invited) Nanoelectronics Based on Assembled High-Density and High-Semiconducting-Purity Carbon Nanotube Films ». ECS Meeting Abstracts MA2022-01, no 9 (7 juillet 2022) : 751. http://dx.doi.org/10.1149/ma2022-019751mtgabs.
Texte intégralKathavate, V. S., K. Eswar Prasad, Mangalampalli S. R. N. Kiran et Yong Zhu. « Mechanical characterization of piezoelectric materials : A perspective on deformation behavior across different microstructural length scales ». Journal of Applied Physics 132, no 12 (28 septembre 2022) : 121103. http://dx.doi.org/10.1063/5.0099161.
Texte intégralPerera, A. G. U., R. E. Sherriff, M. H. Francombe et R. P. Devaty. « Far infrared photoelectric thresholds of extrinsic semiconductor photocathodes ». Applied Physics Letters 60, no 25 (22 juin 1992) : 3168–70. http://dx.doi.org/10.1063/1.106731.
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