Littérature scientifique sur le sujet « Extrinsic Semiconductors »
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Articles de revues sur le sujet "Extrinsic Semiconductors"
Yang, Jin-Peng, Hai-Tao Chen et Gong-Bin Tang. « Modeling of thickness-dependent energy level alignment at organic and inorganic semiconductor interfaces ». Journal of Applied Physics 131, no 24 (28 juin 2022) : 245501. http://dx.doi.org/10.1063/5.0096697.
Texte intégralZeitler, U., et A. G. M. Jansen. « Extrinsic magnetoresistance in semiconductors ». Physica B : Condensed Matter 204, no 1-4 (janvier 1995) : 90–94. http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(94)00247-s.
Texte intégralGösele, Ulrich M., et Teh Y. Tan. « Point Defects and Diffusion in Semiconductors ». MRS Bulletin 16, no 11 (novembre 1991) : 42–46. http://dx.doi.org/10.1557/s0883769400055512.
Texte intégralLiboff, Richard L. « Quasiclassical mobility for extrinsic semiconductors ». Journal of Physics and Chemistry of Solids 46, no 11 (janvier 1985) : 1327–30. http://dx.doi.org/10.1016/0022-3697(85)90134-9.
Texte intégralMazzeo, M. P., et L. Restuccia. « Thermodynamics of n-type extrinsic semiconductors ». Energy 36, no 7 (juillet 2011) : 4577–84. http://dx.doi.org/10.1016/j.energy.2011.02.055.
Texte intégralKatzengruber, B., M. Krupa et P. Szmolyan. « Bifurcation of traveling waves in extrinsic semiconductors ». Physica D : Nonlinear Phenomena 144, no 1-2 (septembre 2000) : 1–19. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-2789(00)00030-0.
Texte intégralRidgway, M. C., C. J. Glover, G. de M. Azevedo, S. M. Kluth, K. M. Yu et G. J. Foran. « Structure in amorphous semiconductors : Extrinsic and intrinsic ». Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B : Beam Interactions with Materials and Atoms 238, no 1-4 (août 2005) : 294–301. http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2005.06.066.
Texte intégralBordovskiĭ, G. A., R. A. Castro et E. I. Terukov. « Extrinsic conduction in Ge28.5Pb15S56.5 and Ge27Pb17Se56 glassy semiconductors ». Technical Physics Letters 32, no 11 (novembre 2006) : 913–15. http://dx.doi.org/10.1134/s1063785006110010.
Texte intégralKartheuser, E., J. Schmit et R. Evrard. « Theory of extrinsic oscillatory photoconductivity in polar semiconductors ». Journal of Applied Physics 63, no 3 (février 1988) : 784–88. http://dx.doi.org/10.1063/1.340070.
Texte intégralWu, Chhi-Chong, et Jensan Tsai. « Hall effect and magnetoresistance in extrinsic piezoelectric semiconductors ». Journal of Low Temperature Physics 73, no 1-2 (octobre 1988) : 53–78. http://dx.doi.org/10.1007/bf00681743.
Texte intégralThèses sur le sujet "Extrinsic Semiconductors"
Spina, Carla. « Zinc oxide semiconducting nanocrystals : scaffolds for intrinsic and extrinsic defects ». Thesis, McGill University, 2009. http://digitool.Library.McGill.CA:80/R/?func=dbin-jump-full&object_id=115869.
Texte intégralWu, Wen. « Modeling the extrinsic resistance and capacitance of planar and non-planar MOSFETs / ». View abstract or full-text, 2007. http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?ECED%202007%20WUW.
Texte intégralTang, Xinghai. « Intrinsic and extrinsic parameter fluctuation limits on gigascale integration (GSI) ». Diss., Georgia Institute of Technology, 1999. http://hdl.handle.net/1853/13305.
Texte intégralMICHELI, PAOLA R. de. « Analise termografica e espectrofotometrica do clareamento dental extrinseco utilizando laser de diodo e sistema de LED. Estudo in vitro ». reponame:Repositório Institucional do IPEN, 2004. http://repositorio.ipen.br:8080/xmlui/handle/123456789/11197.
Texte intégralMade available in DSpace on 2014-10-09T14:01:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 10196.pdf: 3238659 bytes, checksum: f29ba4edf822c7281b6254e30d189680 (MD5)
Dissertacao (Mestrado Profissionalizante em Lasers em Odontologia)
IPEN/D-MPLO
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares, IPEN/CNEN-SP; Faculdade de Odontologia, Universidade de Sao Paulo
Delacourt, Bruno. « Étude du dopage extrinsèque dans CdHgTe pour la réalisation de photodiodes infrarouges ». Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAY110.
Texte intégralInfrared photodiodes, which are based on narrow gap semiconductors, permit collection of carriers generated by photons impact but also by thermal agitation. This agitation create a parasitic dark current deteriorating device performance. In order to minimize this dark current, the key parameter to maximize is the minority carrier lifetime. In high operating temperature (HOT) context, it open the possibility to increase the operating temperature of photonic infrared detectors. For the mid-wave infrared window, the goal is to work at 150−180 K instead of 80−120 K currently. This would allow significant progress in terms of energy consumption, power and thus autonomy and reliability of the systems. The objective of this thesis is to experimentally determine the theoretical limits of the minority carrier lifetime in HgCdTe and in a III-V semiconductor. For this, a photoluminescence decay measurement bench as well as a data extraction method making possible to discriminate the recombination mechanisms from the evolution of the signal as a function of the level of carrier injection in the sample were developed. In parallel, a set of characterizations was carried out to assist the development of technologies addressing the HOT context
Davidová, Lenka. « Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2017. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-319289.
Texte intégralLivres sur le sujet "Extrinsic Semiconductors"
Solymar, L., D. Walsh et R. R. A. Syms. Semiconductors. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198829942.003.0008.
Texte intégralBi, J. F., et K. L. Teo. Nanoscale Ge1−xMnxTe ferromagnetic semiconductors. Sous la direction de A. V. Narlikar et Y. Y. Fu. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oxfordhb/9780199533053.013.17.
Texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Extrinsic Semiconductors"
Balkan, Naci, et Ayşe Erol. « Intrinsic and Extrinsic Semiconductors ». Dans Graduate Texts in Physics, 37–78. Cham : Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-44936-4_2.
Texte intégralGurylev, Vitaly. « Extrinsic Defects in Nanostructured Semiconductors ». Dans Nanostructured Photocatalyst via Defect Engineering, 319–48. Cham : Springer International Publishing, 2021. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-81911-8_10.
Texte intégralBergmann, Michael J., Stephen W. Teitsworth et Luis L. Bonilla. « Nucleation of Space-Charge Waves in an Extrinsic Semiconductor with Nonuniform Impurity Profile ». Dans Hot Carriers in Semiconductors, 505–7. Boston, MA : Springer US, 1996. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4613-0401-2_115.
Texte intégralTeitsworth, S. W., M. J. Bergmann et L. L. Bonilla. « Space Charge Instabilities and Nonlinear Waves in Extrinsic Semiconductors ». Dans Nonlinear Dynamics and Pattern Formation in Semiconductors and Devices, 46–69. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1995. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-79506-0_3.
Texte intégralMerle, J. C., F. Meseguer et M. Cardona. « Light Scattering in CuCl — Intrinsic and Extrinsic Effects ». Dans Proceedings of the 17th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1193–96. New York, NY : Springer New York, 1985. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4615-7682-2_270.
Texte intégralRoth, A. P., R. Masut, D. Morris et C. Lacelle. « Extrinsic Photoluminescence in Unintentionally and Magnesium Doped GaInAs/GaAs Strained Quantum Wells ». Dans Properties of Impurity States in Superlattice Semiconductors, 271–83. Boston, MA : Springer US, 1988. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-5553-3_21.
Texte intégralGermanova, K., V. Donchev, Ch Hardalov et M. Saraydarov. « Extrinsic Surface Photovoltage Spectroscopy — An Alternative Approach To Deep Level Characterisation In Semiconductors ». Dans Photovoltaic and Photoactive Materials — Properties, Technology and Applications, 317–20. Dordrecht : Springer Netherlands, 2002. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-010-0632-3_30.
Texte intégralWeik, Martin H. « extrinsic semiconductor ». Dans Computer Science and Communications Dictionary, 561. Boston, MA : Springer US, 2000. http://dx.doi.org/10.1007/1-4020-0613-6_6700.
Texte intégralArdouin, B., T. Zimmer, H. Mnif, P. Fouillat, D. Berger et D. Céli. « Bipolar Transistor’s Intrinsic and Extrinsic Capacitance Determination ». Dans Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001, 304–7. Vienna : Springer Vienna, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6244-6_68.
Texte intégralCristiano, F., B. Colombeau, C. Bonafos, J. Aussoleil, G. Ben Assayag et A. Claverie. « Atomistic simulations of extrinsic defects evolution and transient enhanced diffusion in silicon ». Dans Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2001, 30–33. Vienna : Springer Vienna, 2001. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-7091-6244-6_6.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Extrinsic Semiconductors"
van der Pol, Tom, Matthew Dyson, Kunal Datta, Stefan Meskers et René Janssen. « Photoluminescence of thin film semiconductors affected by extrinsic effects ». Dans Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices XI, sous la direction de Alexandre Freundlich, Karin Hinzer et Stéphane Collin. SPIE, 2022. http://dx.doi.org/10.1117/12.2604832.
Texte intégralvan der Wel, P. J., J. R. de Beer, R. J. M. van Boxtel, Y. Y. Hsieh et Y. C. Wang. « Reliability Assessment of Extrinsic Defects in Sinx Metal-Insulator-Metal Capacitors ». Dans 2006 Reliability of Compound Semiconductors Digest. IEEE, 2006. http://dx.doi.org/10.1109/rocs.2006.323402.
Texte intégralMönch, Winfried. « Adsorbate-induced Surface States and Fermi-level Pinning at Semiconductor Surfaces ». Dans Microphysics of Surfaces, Beams, and Adsorbates. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1989. http://dx.doi.org/10.1364/msba.1989.tuc1.
Texte intégralWhitman, Charles S. « Estimating effective dielectric thickness for capacitors with extrinsic defects by a statistical method ». Dans 2007 ROCS Workshop[Reliability of Compound Semiconductors Digest]. IEEE, 2007. http://dx.doi.org/10.1109/rocs.2007.4391067.
Texte intégralPodoleanu, A. Gh. « Optical Faraday extrinsic current sensor using semimagnetic semiconductors and one down-lead optical fibre ». Dans 13th International Conference on Optical Fiber Sensors. SPIE, 1999. http://dx.doi.org/10.1117/12.2302039.
Texte intégralSatou, Akira, Gen Tamamushi, Kenta Sugawara, Junki Mitsushio, Victor Ryzhii et Taiichi Otsuji. « Extraction of intrinsic and extrinsic parameters of graphene field-effect transistor from its asymmetric I–V characteristic ». Dans 2016 Compound Semiconductor Week (CSW) [Includes 28th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM) & 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS)]. IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/iciprm.2016.7528701.
Texte intégralBuscemi, F., E. Piccinini, R. Brunetti et M. Rudan. « Intrinsic and extrinsic stability of Ovonic-switching devices ». Dans 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD). IEEE, 2015. http://dx.doi.org/10.1109/sispad.2015.7292352.
Texte intégralZaletaev, Nicolas B., et Vasily F. Kocherov. « Extrinsic semiconductor low-background infrared field-effect transistor of a new type ». Dans SPIE's 1995 International Symposium on Optical Science, Engineering, and Instrumentation, sous la direction de Marija Strojnik et Bjorn F. Andresen. SPIE, 1995. http://dx.doi.org/10.1117/12.221389.
Texte intégralPerera, A. G. U. « IR detection at wavelengths up to 200 microns in extrinsic semiconductor devices ». Dans 16th International Conference on Infrared and Millimeter Waves. SPIE, 1991. http://dx.doi.org/10.1117/12.2297947.
Texte intégralDjenadi, R., G. Micolau, J. Postel-Pellerin, R. Laffont, J. L. Ogier, F. Lalande et J. Melkonian. « Fast extraction of extrinsic cells in a NVM array after retention under gate stress ». Dans 2011 International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS). IEEE, 2011. http://dx.doi.org/10.1109/isdrs.2011.6135222.
Texte intégral