Livres sur le sujet « Extended defect »
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Claeys, Cor, et Eddy Simoen, dir. Extended Defects in Germanium. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2009. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-85614-6.
Texte intégralW, Kolb Edward, Liddle Andrew R, United States. National Aeronautics and Space Administration. et Fermi National Accelerator Laboratory, dir. Topological defects in extended inflation. [Batavia, Ill.] : Fermi National Accelerator Laboratory, 1990.
Trouver le texte intégralBenedek, G., A. Cavallini et W. Schröter, dir. Point and Extended Defects in Semiconductors. Boston, MA : Springer US, 1989. http://dx.doi.org/10.1007/978-1-4684-5709-4.
Texte intégralWorkshop on Point, Extended, and Surface Defects in Semiconductors (2nd 1988 Erice, Italy). Point and extended defects in semiconductors. New York : Plenum Press, 1989.
Trouver le texte intégral(Eddy), Simoen E., dir. Extended defects in Germanium : Fundamental and technological aspects. Berlin : Springer, 2009.
Trouver le texte intégralScheinemann, Artur. Modelling of leakage currents induced by extended defects in extra-functionality devices. Konstanz : Hartung-Gorre Verlag, 2014.
Trouver le texte intégralDavidson, J. A. Minority carrier processes and recombination at point and extended defects in silicon. Manchester : UMIST, 1996.
Trouver le texte intégralQian, Y. Characterisation of extended defects induced by oxidation and oxygen implantation in silicon. Manchester : UMIST, 1995.
Trouver le texte intégralHlaing, Yu Yu. A study on the offences relating to when the right of private defence extends to causing death. Prome, Burma] : University of Pyay, Department of Law, 2015.
Trouver le texte intégralCanada. Dept. of Foreign Affairs and International Trade. Defence : exchange of notes between the Government of Canada and the Government of the United States of America consituting an Agreement to Extend the North American Aerospace Defence Command (NORAD) Agreement for a further five-year period = : Défense : échange de notes entre le gouvernement du Canada et le gouvernement des États-Unis d'Amérique constituant un accord prolongeant l'Accord du commandement de la défense aérospatiale de l'Amérique du Nord (NORAD) pour une période de cinq ans. Ottawa, Ont : Queen's Printer = Imprimeur de la Reine, 1991.
Trouver le texte intégralCanada. Dept. of Foreign Affairs and International Trade. Defence : exchange of notes between the Government of Canada and the Government of the United States of America constituting an agreement to extend the North American Aerospace Defence Command (NORAD) Agreement for a further five-year period, Washington, March 28, 1996, in force March 28, 1996 with effect from May 12, 1996 = : Défense : échange de notes entre le gouvernement du Canada et le gouvernement des États-Unis d'Amérique constituant un accord prolongeant l'Accord du Commandement de la défense aérospatiale de l'Amérique du Nord (NORAD) pour une autre période de cinq ans, Washington, le 28 mars 1996, en vigueur le 28 mars 1996 avec effet à compter du 12 mai 1996. Ottawa, Ont : Queen's Printer = Imprimeur de la Reine, 1998.
Trouver le texte intégralCanada. Dept. of Foreign Affairs and International Trade. Defence : exchange of notes constituting an agreement between the Government of Canada and the Government of the United States of America to extend for ten years the agreement of June 17, 1986 providing for the continued operation and maintenance of the torpedo test range in the Strait of Georgia and to amend the annex attached to the exchange of notes of January 13 and April 14, 1976, Washington, December 17, 1999, in force December 17, 1999 = : Défence : échange de notes constituant un accord entre le gouvernement du Canada et le gouvernement des États-Unis d'Amérique en vue de prolonger pour dix ans la validité de l'Accord du 17 juin 1986 prévoyant la poursuite de l'exploitation et de l'entretien de la zone d'essais de torpilles dans le détroit de Georgie et visant à modifier l'annexe jointe à l'échange de notes du 13 janvier et du 14 avril 1976, Washington, le 17 décembre 1999, en vigueur le 17 décembre 1999. Ottawa, Ont : Minister of Public Works and Government Services Canada = Ministre des travaux publics et services gouvernementaux Canada, 1998.
Trouver le texte intégralGubicza, J. Defect Structure and Properties of Nanomaterials : Second and Extended Edition. Elsevier Science & Technology, 2017.
Trouver le texte intégralNational Aeronautics and Space Administration (NASA) Staff. Topological Defects in Extended Inflation. Independently Published, 2019.
Trouver le texte intégralBenedek, Giorgio. Point and Extended Defects in Semiconductors. Springer, 2013.
Trouver le texte intégralBenedek, Giorgio. Point and Extended Defects in Semiconductors. Springer London, Limited, 2013.
Trouver le texte intégralYacobi, B. G., et D. B. Holt. Extended Defects in Semiconductors : Electronic Properties, Device Effects and Structures. Cambridge University Press, 2014.
Trouver le texte intégralYacobi, B. G., et D. B. Holt. Extended Defects in Semiconductors : Electronic Properties, Device Effects and Structures. Cambridge University Press, 2007.
Trouver le texte intégralClaeys, Cor, et Eddy Simoen. Extended Defects in Germanium : Fundamental and Technological Aspects. Springer, 2010.
Trouver le texte intégralBrown, Jessica. Closure and Defeat. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198801771.003.0005.
Texte intégralCristiano, Filadelfo. Extended defects in SiGe device structures formed by ion implantation. 1998.
Trouver le texte intégralYacobi, B. G., et D. B. Holt. Extended Defects in Semiconductors : Electronic Properties, Device Effects and Structures. Cambridge University Press, 2009.
Trouver le texte intégralYacobi, B. G., et D. B. Holt. Extended Defects in Semiconductors : Electronic Properties, Device Effects and Structures. Cambridge University Press, 2007.
Trouver le texte intégralYacobi, B. G., et D. B. Holt. Extended Defects in Semiconductors : Electronic Properties, Device Effects and Structures. Cambridge University Press, 2003.
Trouver le texte intégralYacobi, B. G., et D. B. Holt. Extended Defects in Semiconductors : Electronic Properties, Device Effects and Structures. Cambridge University Press, 2007.
Trouver le texte intégralExtended Defects in Semiconductors : Electronic Properties, Device Effects and Structures. Cambridge University Press, 2007.
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Texte intégralQuong, Jonathan. The Morality of Defensive Force. Oxford University Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198851103.001.0001.
Texte intégralStock, Kathleen. Extreme Intentionalism about Fictional Content. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198798347.003.0002.
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Trouver le texte intégralLees, James D. 1899. Guide to the Game of Draughts : Giving the Best Lines of Attack and Defence on the Standard Openings, with Notes and Variations, Also Selected Useful Positions by Various Authors ; Revised and Extended by John W. Dawson. Creative Media Partners, LLC, 2021.
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Texte intégralBenton, Matthew A., John Hawthorne et Dani Rabinowitz, dir. Knowledge, Belief, and God. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198798705.001.0001.
Texte intégralMorrell, Kit. Pompey, Cato, and the Governance of the Roman Empire. Oxford University Press, 2017. http://dx.doi.org/10.1093/acprof:oso/9780198755142.001.0001.
Texte intégralGibson, James L., et Michael Nelson. Black and Blue. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780190865214.001.0001.
Texte intégralBrown, Jessica. Fallibilism : Evidence and Knowledge. Oxford University Press, 2018. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198801771.001.0001.
Texte intégralRowland, Richard. The Normative and the Evaluative. Oxford University Press, 2019. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198833611.001.0001.
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