Se connecter

Bibliographies thématiques / Eterogiunzioni

Sommaire

Thèses

Littérature scientifique sur le sujet « Eterogiunzioni »

Auteur : Grafiati

Publié le 9 mars 2023

Mis à jour le 31 juillet 2025

Créez une référence correcte selon les styles APA, MLA, Chicago, Harvard et plusieurs autres

Choisissez une source :

Consultez les listes thématiques d’articles de revues, de livres, de thèses, de rapports de conférences et d’autres sources académiques sur le sujet « Eterogiunzioni ».

À côté de chaque source dans la liste de références il y a un bouton « Ajouter à la bibliographie ». Cliquez sur ce bouton, et nous générerons automatiquement la référence bibliographique pour la source choisie selon votre style de citation préféré : APA, MLA, Harvard, Vancouver, Chicago, etc.

Vous pouvez aussi télécharger le texte intégral de la publication scolaire au format pdf et consulter son résumé en ligne lorsque ces informations sont inclues dans les métadonnées.

Thèses sur le sujet "Eterogiunzioni"

1

CIPRIANO, MARCOS LUIS ANTONIO. "Theoretical study of semiconductor heterojunctions for photo-and electro-catalysis." Doctoral thesis, Università degli Studi di Milano-Bicocca, 2022. http://hdl.handle.net/10281/374415.

Texte intégral

Résumé :

La presente tesi è centrata sul trattamento computazionale di ossidi di metalli di transizione e semiconduttori classici. L'interesse per questi materiali è dovuto alle loro proprietà elettroniche, ottiche e magnetiche e alla loro vasta gamma di applicazioni nella catalisi, nei dispositivi elettronici e nella foto ed elettrocatalisi. Una delle proprietà fondamentali di questi materiali è il gap di banda, che determina le proprietà ottiche, elettriche e chimiche. Da un punto di vista teorico, la metodologia più utilizzata per descrivere il gap di banda di questi materiali è la teoria funzionale

Styles APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

2

Poletti, Andrea. "Simulazione numerica di celle solari in silicio ad eterogiunzione ad un sole e in concentrazione." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2014. http://amslaurea.unibo.it/6857/.

Texte intégral

Résumé :

Il lavoro di tesi ha come obiettivo lo studio e lo sviluppo tramite simulazioni numeriche di due celle in silicio ad eterogiunzione, una con parametri forniti dal CNR (Comitato Nazionale delle Ricerche) ed un’altra di tipo HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer). Lo studio e lo sviluppo delle due celle sono stati effettuati mediante un flusso TCAD il quale permette una maggiore flessibilità e completezza nella descrizione dei modelli fisici ed elettrici.

Styles APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

3

Veronesi, Michele. "Studio di proprieta ottiche di SiON con simulazioni software." Bachelor's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2014. http://amslaurea.unibo.it/7778/.

Texte intégral

Résumé :

Il concetto di cella a eterogiunzione in silicio ha portato allo sviluppo di dispositivi in grado di convertire oltre il 25% dello spettro solare. Il raggiungimento di alte efficienze di conversione è dovuto alla ricerca nel campo dei vari strati a base di silicio cristallino, amorfo e nanocristallino impiegati per formare le giunzioni. In particolare, lo studio e l’ottimizzazione dello strato di emettitore in silicio amorfo o nanocristallino insieme all’inserimento di uno strato amorfo intrinseco passivante, ha permesso la realizzazione di celle con alte tensioni di circuito aperto. Questi ma

Styles APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

4

Vecchi, Pierpaolo. "Caratterizzazione elettrica e spettroscopia superficiale di film sottili a base di silicio." Bachelor's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2018. http://amslaurea.unibo.it/16338/.

Texte intégral

Résumé :

Questa tesi presenta la misura di proprietà elettriche e ottiche di film sottili a base di Si, in particolare ossinitruri di silicio (a-SiOxNy) e ossidi di silicio (a-SiOx) sub-stechiometrici. Questi materiali trovano applicazione nelle celle solari ad eterogiunzione in Si con due funzioni: strato passivante e contatto elettrico. Il silicio amorfo idrogenato, sia intrinseco che drogato, utilizzato finora per buffer layer ed emettitore, presenta assorbimento parassita della luce, ma l'introduzione di carbonio, azoto e/o ossigeno amplia il bandgap del materiale e ostacola la fotogenerazione di

Styles APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

5

Fazio, Maria Antonietta. "Nano-scale morphological and electrical characterization of nc-SiOxNy thin layers for photovoltaic applications." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2015. http://amslaurea.unibo.it/9323/.

Texte intégral

Résumé :

Il presente lavoro di tesi propone uno studio approfondito di proprietà morfologiche e di trasporto di carica di film sottili di SiOxNy amorfi (a-SiOxNy) e nanocristallini (nc-SiOxNy), che trovano importanti applicazioni in celle fotovoltaiche ad eterogiunzione in silicio, ad alta efficienza. Lo studio è condotto mediante caratterizzazione elettrica e morfologica attraverso tecniche di microscopia a forza atomica (AFM). Sono stati studiati campioni di a-SiOxNy cresciuti con tecnica PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), in cui è stata variata unicamente la distanza tra gli elettro

Styles APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

6

Paltrinieri, Tommaso. "Generazione di fotocorrente all'interfaccia semiconduttore organico-elettrolita per future applicazioni optobioelettroniche." Master's thesis, Alma Mater Studiorum - Università di Bologna, 2019. http://amslaurea.unibo.it/18131/.

Texte intégral

Résumé :

Negli ultimi anni si è fortemente approfondita la ricerca per la realizzazione di protesi retiniche per ripristinare artificialmente la vista in pazienti ipo-vedenti o che soffrono di cecità causata da disfunzioni degenerative della retina. In tali dispositivi il componente principale risulta essere lo strato optobioelettronico che, quando è soggetto a illuminazione, produce impulsi di corrente ionica sufficienti ad attivare i neuroni limitrofi e produrre un segnale nella corteccia visiva. Risulta dunque necessario investigare in modo approfondito i processi optobioelettronici all’interfaccia

Styles APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

7

Jacquet, Thomas. "Reliability of SiGe, C HBTs operating at 500 GHz : characterization and modeling." Thesis, Bordeaux, 2016. http://www.theses.fr/2016BORD0354/document.

Texte intégral

Résumé :

Le sujet de cette thèse est l’analyse de la fiabilité des transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C et descircuits intégrés associés. Dans ce but, un modèle compact prenant en compte l’évolution des caractéristiquesdes transistors SiGe:C a été développé. Ce modèle intègre les lois de vieillissement des mécanismes dedéfaillance des transistors identifiés lors des tests de vieillissement. Grâce aux simulations physiques TCADcomplétées par une analyse du bruit basses fréquences, deux mécanismes de dégradations ont été localisés. Eneffet, selon les conditions de polarisation, des porteurs cha

Styles APA, Harvard, Vancouver, ISO, etc.

Nous offrons des réductions sur tous les plans premium pour les auteurs dont les œuvres sont incluses dans des sélections littéraires thématiques. Contactez-nous pour obtenir un code promo unique!