Littérature scientifique sur le sujet « Electronic Structure - Ultra-thin Epitaxial Films »
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Articles de revues sur le sujet "Electronic Structure - Ultra-thin Epitaxial Films"
He, Jian-Wei, et PrebenJ Møller. « Epitaxial and electronic structures of ultra-thin copper films on MgO crystal surfaces ». Surface Science Letters 178, no 1-3 (décembre 1986) : A681. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(86)90218-5.
Texte intégralHe, Jian-Wei, et Preben J. Møller. « Epitaxial and electronic structures of ultra-thin copper films on MgO crystal surfaces ». Surface Science 178, no 1-3 (décembre 1986) : 934–42. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(86)90370-5.
Texte intégralKrishnan, P. S. Sankara Rama, Jeffery A. Aguiar, Q. M. Ramasse, D. M. Kepaptsoglou, W. I. Liang, Y. H. Chu, N. D. Browning, P. Munroe et V. Nagarajan. « Mapping strain modulated electronic structure perturbations in mixed phase bismuth ferrite thin films ». Journal of Materials Chemistry C 3, no 8 (2015) : 1835–45. http://dx.doi.org/10.1039/c4tc02064b.
Texte intégralPatel, Sahil J., Jason K. Kawasaki, John Logan, Brian D. Schultz, J. Adell, B. Thiagarajan, A. Mikkelsen et Chris J. Palmstrøm. « Surface and electronic structure of epitaxial PtLuSb (001) thin films ». Applied Physics Letters 104, no 20 (19 mai 2014) : 201603. http://dx.doi.org/10.1063/1.4879475.
Texte intégralNichols, J., J. Terzic, E. G. Bittle, O. B. Korneta, L. E. De Long, J. W. Brill, G. Cao et S. S. A. Seo. « Tuning electronic structure via epitaxial strain in Sr2IrO4 thin films ». Applied Physics Letters 102, no 14 (8 avril 2013) : 141908. http://dx.doi.org/10.1063/1.4801877.
Texte intégralKatayama, Tsukasa, Akira Chikamatsu, Keisuke Yamada, Kei Shigematsu, Tomoya Onozuka, Makoto Minohara, Hiroshi Kumigashira, Eiji Ikenaga et Tetsuya Hasegawa. « Epitaxial growth and electronic structure of oxyhydride SrVO2H thin films ». Journal of Applied Physics 120, no 8 (23 août 2016) : 085305. http://dx.doi.org/10.1063/1.4961446.
Texte intégralLee, Sang A., Seokjae Oh, Jae-Yeol Hwang, Minseok Choi, Chulmin Youn, Ji Woong Kim, Seo Hyoung Chang et al. « Enhanced electrocatalytic activity via phase transitions in strongly correlated SrRuO3thin films ». Energy & ; Environmental Science 10, no 4 (2017) : 924–30. http://dx.doi.org/10.1039/c7ee00628d.
Texte intégralBendounan, A., H. Cercellier, Y. Fagot-Revurat, B. Kierren, V. Yu Yurov et D. Malterre. « Interplay between surface and electronic structures in epitaxial Ag ultra thin films on Cu(111) ». Applied Surface Science 212-213 (mai 2003) : 33–37. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(03)00014-x.
Texte intégralChang, C. L., C. L. Chen, C. L. Dong et G. Chern. « Structure and electronic properties of epitaxial Fe-Co-O thin films ». Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography 58, s1 (6 août 2002) : c263. http://dx.doi.org/10.1107/s010876730209548x.
Texte intégralvan Benthem, Klaus, Christina Scheu, Wilfried Sigle, Christian Elsässer et Manfred Rühle. « Electronic Structure Investigations of Metal / SrtiO3 Interfaces Using EELS ». Microscopy and Microanalysis 7, S2 (août 2001) : 304–5. http://dx.doi.org/10.1017/s1431927600027598.
Texte intégralThèses sur le sujet "Electronic Structure - Ultra-thin Epitaxial Films"
Wang, Yong. « Controllable growth, microstructure and electronic structure of copper oxide thin films ». Thesis, Université de Lorraine, 2015. http://www.theses.fr/2015LORR0146/document.
Texte intégralCopper oxide (Cu2O, Cu4O3 and CuO) thin films have been deposited on unmatched substrates by sputtering at room temperature. The influence of oxygen flow rate and total pressure on the film structure and preferred orientation has been studied. The total pressure is a relevant parameter to control the texture of Cu2O and Cu4O3 films, while the oxygen flow rate is effective to tune the preferred orientation of CuO films. Local epitaxial growth, where epitaxial relationship exists in columns of sputtered films, has been observed in Cu2O and Cu4O3 films by using a seed layer. The seed layer will govern the growth orientation of top layer via the local epitaxy, independently of the deposition conditions of top layer. Unusual microstructure that both phases have the vertically aligned columnar growth has been evidenced in biphase Cu2O and Cu4O3, which may relate to the local epitaxial growth of Cu2O. The lower resistivity than that in single phase films has been observed in this biphase film. Annealing in air can increase the transmittance of Cu2O films in visible region by the reduction of the impurity scattering, while the optical band gap is enlarged due to the partial removal of defect band tail. The optical properties and electronic structure of copper oxides calculated by GW approach with an empirical on-site potential for Cu d orbital, are in good accordance with experimental results from optical absorption, photoemission and electron energy loss spectroscopies
Höfer, Katharina. « All in situ ultra-high vacuum study of Bi2Te3 topological insulator thin films ». Doctoral thesis, Saechsische Landesbibliothek- Staats- und Universitaetsbibliothek Dresden, 2017. http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:bsz:14-qucosa-220737.
Texte intégralDer Begriff "Topologischer Isolator" (TI) beschreibt eine neuartige Klasse von Verbindungen deren Inneres (engl. Bulk) isolierend ist, dieses Innere aber gleichzeitig und zwangsläufig eine metallisch leitende Oberfläche aufweist. Dies ist begründet in der nicht-trivialen Topologie dieser Materialien, welche durch eine spezielle Invertierung einzelner Bänder in der Bandstruktur und der Spin-Bahn-Kopplung im Materialinneren hervorgerufen ist. Diese topologisch geschützten, metallischen Oberflächenzustände sind gekennzeichnet durch eine masselose Dirac Dispersionsrelation und gekoppelte Helizität der Spinpolarisation, welche die Rückstreuung der Ladungsträger verbietet und somit zur Stabilisierung der Zustände gegenüber Störungen beiträgt. Auf Grundlage dieser außergewöhnlichen Merkmale haben Theoretiker eine Fülle neuer Phänomene und spannender Experimente vorhergesagt. Deren experimentelle Überprüfung steht jedoch noch aus, geschweige denn deren Umsetzung in Anwendungen, wie zum Beispiel die Erzeugung von Majorana Teilchen, fortgeschrittene Spintronik, oder die Realisierung von Quantencomputern. Aufgrund ihrer relativ einfachen Bandstruktur, welche nur einen Dirac-Kegel an der Oberfläche aufweist, haben die 3D TI Bi2Te3 und Bi2Se3 in den letzten Jahren großes Interesse erlangt. Weiterhin besitzen diese Materialien eine merkliche Bandlücke von bis zu ~0,3 eV, welche sogar Anwendungen bei Raumtemperatur ermöglichen könnten. Dennoch ist deren experimentelle Umsetzung nachwievor eine enorme Herausforderung. Das Haupthindernis, welches bis jetzt insbesondere die elektrische Charakterisierung the topologischen Oberflächenzustände behindert hat, ist die zusätzliche Leitfähigkeit des Materialinneren, welche durch Kristalldefekte und Beimischungen, sowie die Verunreinigung der Probenoberfläche durch Luftexposition bedingt wird. Die vorliegende Arbeit liefert einen Beitrag zu aktuellen den Anstrengungen in der Verbesserung der Probenqualität der TI um die Leitfähigkeit des Materialinneren zu unterdrücken, sowie die anschließende Untersuchung der elektrischen Eigenschaften unter kontrollierten Bedingungen durchzuführen. Weiterhin sollen geeignete Deckschichten identifiziert werden, welche die besonderen elektronischen Merkmale der TI nicht beeinflussen sowie diese gegen äußere Einflüsse schützen, und somit die Durchführung anspruchsvoller ex situ Experimente ermöglichen können. Die untersuchten Bi2Te3 Schichten wurden mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt. Es konnte gezeigt werden, dass es allein durch Optimierung der Wachstumsbedingungen möglich ist Proben herzustellen, die gleichbleibend isolierende Eigenschaften des TI Inneren aufweisen und Eindomänen-Ausrichtung besitzen. Die zentralen Faktoren sind hierbei die Aufrechterhaltung eines Flussratenverhältnisses von Te/Bi ~8 der einzelnen Elemente, sowie die Wahl einer ausreichend hohen Substrattemperatur, um ein vollständiges Abdampfen (Destillation) des überschüssigen Tellur zu erreichen. Weiterhin müssen Substrate mit gut angepassten Gitterparametern verwendet werden, welches bei BaF2 (111) gegeben ist. Optimales MBE Wachstum konnte durch ein Zwei-Stufen Prozess bei Substrattemperaturen von 220°C und 250°C und einer Bi-Verdampfungsrate von 1 Å/min erreicht werden. Die nachfolgende Charakterisierung der strukturellen Eigenschaften, Photoelektronenspektroskopie, sowie temperaturabhängige Leitfähigkeitsmessungen wurden alle in einem zusammenhängenden Ultrahochvakuum-System durchgeführt. Auf diese Weise wird eine zuverlässige Erfassung der intrinsischen Eigenschaften der TI sichergestellt. Zur Überprüfung, ob die Leitfähigkeit der Proben tatsächlich nur durch die Oberflächenzustände hervorgerufen wird, wurden Filme mit Schichtdicken im Bereich von 10 bis 50 Quintupel-Lagen (QL; 1QL~ 1 nm) hergestellt und charakterisiert. Winkelaufgelöste Photoelektronenspektroskopie (ARPES) belegt, dass das chemische Potential (Fermi-Niveau) in allen Proben innerhalb der Bandlücke der Bandstruktur des Materialinneren liegt und nur von den topologisch geschützten Oberflächenzuständen gekreuzt wird, welche die charakteristische lineare Dirac Dispersionsrelation aufweisen. Die temperaturabhängigen Widerstandsmessungen zeigen ein metallisches Verhalten aller Proben. Bei der Variation der Schichtdicke von 10 zu 50QL wird eine Streuung des Flächenwiderstandes vom Faktor 1,3 bei 14K und 1,5 bei Raumtemperatur beobachtet. Dies beweist, dass die gemessene Leitfähigkeit vorrangig durch die topologisch geschützten Oberflächenzustände hervorgerufen wird. Eine geringe Oberflächenladungsträgerkonzentration im Bereich von 2–4*10^12 cm^−2 und hohe Mobilitätswerte von bis zu 4600 cm2/Vs wurden erreicht. Weiterhin wurden die negativen Auswirkungen auf die Eigenschaften der TI durch Luftexposition quantifiziert, welches die Notwendigkeit belegt, die Oberfläche der TI vor Umgebungseinflüssen zu schützen. Die Proben verhalten sich inert gegenüber reinem Sauerstoff, daher ist Wasser aus der Luftfeuchte höchstwahrscheinlich der Hauptgrund für die beobachtbare Verschlechterung. Darüber hinaus konnte epitaktisch gewachsenes Tellur als geeignete Deckschicht ausfindig gemacht werden, welches die Eigenschaften der Bi2Te3 Filme nicht beeinflusst, sowie gegen Veränderungen durch Luftexposition schützt. Die gewonnenen Erkenntnisse stellen eine ideale Grundlage für weiterführende Untersuchungen dar und ebnen den Weg zur Entwicklung von Bauelementen welche die spezifischen Besonderheiten der topologischen Oberflächenzustände
Mohanty, Jyoti Ranjan. « Micromagnetic investigation of MnAs thin films on GaAs surfaces ». Doctoral thesis, Humboldt-Universität zu Berlin, Mathematisch-Naturwissenschaftliche Fakultät I, 2005. http://dx.doi.org/10.18452/15334.
Texte intégralThis work presents the study of the micromagnetic domain structure and the coupled magneto-structural phase transition of epitaxial MnAs thin films on GaAs. In particular, the influence of substrate orientation, film thickness and external magnetic field on the magnetic and structural properties are investigated, employing the complementary measurement techniques atomic force microscopy (AFM) / magnetic force microscopy (MFM) and low energy electron microscopy (LEEM) / X-ray magnetic circular dichroism photoemission electron microscopy (XMCDPEEM. In the course of the first-order phase transition MnAs films on GaAs (001) and (311)A substrates show a regular array of ferromagnetic alpha- and paramagnetic beta-MnAs stripes. The width of the ferromagnetic stripes are a function of the temperature, whereas the periodicity of the stripe pattern is a function of the film thickness. The domain structure strongly depends on the width and the distance of the ferromagnetic stripes, as it directly affects the shape anisotropy and magnetic coupling, respectively. The domain patterns are classified depending on the number of subdomains along the easy axis direction. Up to three basic domain types can be distinguished. For MnAs films grown on GaAs (111)B, the epitaxy leads to a different strain state of the film, resulting in polygonal ferromagnetic structures embedded in a honeycomb-like paramagnetic network, and a higher phase transition temperature. Using temperature-dependent AFM, MFM and XMCDPEEM it is shown that the local strain relaxation in the vicinity of cracks in the MnAs film results in a locally increased phase transition temperature. In order to study magnetization reversal processes on a microscopic scale, as well as the influence of the magnetic field on the domain structure, a variable-magnetic field set-up is employed.
Hanf, Marie-Christine. « Croissance épitaxique du chrome sur Au (100) : une étude par photoémission angulaire et diffraction d'électrons lents ». Mulhouse, 1989. http://www.theses.fr/1989MULH0104.
Texte intégralPellissier, Anne. « Etude structurale et microscopique du système Y/Si ». Grenoble INPG, 1989. http://www.theses.fr/1989INPG0031.
Texte intégralRuterana, Pierre. « Structure des interfaces, etude par microscopie electronique en transmission, application : materiaux semiconduteurs iii-v et multicouches pour optiques dans le domaine des rayons x mous ». Caen, 1987. http://www.theses.fr/1987CAEN2032.
Texte intégralPatel, Ranjan Kumar. « Electronic behavior of epitaxial thin films of doped rare-earth nickelates ». Thesis, 2023. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/6129.
Texte intégralBrandt, Julia [Verfasser]. « Geometric and electronic structure of misfit layered compounds and epitaxial thin films of PbS on transition metal dichalcogenides / vorgelegt von Julia Brandt ». 2003. http://d-nb.info/971702314/34.
Texte intégralZhu, Yuanyuan. « Atomic-scale Structural Characterizations of Functional Epitaxial Thin Films ». Thesis, 2013. http://hdl.handle.net/1969.1/150965.
Texte intégralSil, Anomitra. « Structural, Magnetic and Electrical Studies of Multiferroic BiFeO3 and CuO Epitaxial Thin Films ». Thesis, 2018. https://etd.iisc.ac.in/handle/2005/4368.
Texte intégralLivres sur le sujet "Electronic Structure - Ultra-thin Epitaxial Films"
Wan, Dongyang. Crystal Structure,Electronic and Optical Properties of Epitaxial Alkaline Earth Niobate Thin Films. Cham : Springer International Publishing, 2017. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-65912-1.
Texte intégralSymposium B on Epitaxial Thin Film Growth and Nanostructures (1997 Strasbourg, France). Recent developments in thin film research : Epitaxial growth and nanostructures, electron microscopy, and x-ray diffraction : proceedings of Symposium B on Epitaxial Thin Film Growth and Nanostructures and proceedings of Symposium C on Recent Developments in Electron Microscopy and X-Ray Diffraction of Thin Film Structures of the 1997 ICAM/E-MRS Spring Conference, Strasbourg, France, June 16-20, 1997. Sous la direction de Ritter G et Symposium C on Recent Developments in Electron Microscopy and X-Ray Diffraction of Thin Film Structures (1997 : Strasbourg, France). Amsterdam : Elsevier, 1997.
Trouver le texte intégralWan, Dongyang. Crystal Structure,Electronic and Optical Properties of Epitaxial Alkaline Earth Niobate Thin Films. Springer, 2018.
Trouver le texte intégralWan, Dongyang. Crystal Structure,Electronic and Optical Properties of Epitaxial Alkaline Earth Niobate Thin Films. Springer, 2017.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Electronic Structure - Ultra-thin Epitaxial Films"
Kanazawa, Naoya. « Skyrmion Formation in Epitaxial FeGe Thin Films ». Dans Charge and Heat Transport Phenomena in Electronic and Spin Structures in B20-type Compounds, 61–73. Tokyo : Springer Japan, 2015. http://dx.doi.org/10.1007/978-4-431-55660-2_5.
Texte intégralKobayashi, Takashi. « Epitaxial Growth of Organic Thin Films and Characterization of their Defect Structures by High-Resolution Electron Microscopy ». Dans Crystals, 1–63. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-76253-6_1.
Texte intégralSchuster, Isabelle, Alain Marty, Bruno Gilles et Gregory Abadias. « Structure and Ordering Process in Epitaxial Ultra-Thin Films of Metallic Alloys : In-Situ Temperature X-ray Diffraction of AuNi Layers ». Dans Interface Controlled Materials, 1–10. Weinheim, FRG : Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2005. http://dx.doi.org/10.1002/352760622x.ch1.
Texte intégralSeidel, J., et R. Ramesh. « Electronics Based on Domain Walls ». Dans Domain Walls, 340–50. Oxford University Press, 2020. http://dx.doi.org/10.1093/oso/9780198862499.003.0015.
Texte intégralKumar Saha, Jhantu, et Animesh Dutta. « Advanced Laser Processing Towards Solar Cells Fabrication ». Dans Solar Cells [Working Title]. IntechOpen, 2021. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.94583.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Electronic Structure - Ultra-thin Epitaxial Films"
Popp, Andreas, et Christian Pettenkofer. « Epitaxial thin films of CuGaSe2 prepared on GaAs (001) electronic structure and morphology ». Dans 2016 IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC). IEEE, 2016. http://dx.doi.org/10.1109/pvsc.2016.7749640.
Texte intégralYamamoto, Kaoru, Toshihide Kamata, Kiyoshi Yase, Yuji Yoshida, F. Mizukami et T. Ohta. « Fabrication of the One-Dimensional Superlattice in the Epitaxially Grown Film of Platinum Dioxime Complexes ». Dans Organic Thin Films for Photonic Applications. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1997. http://dx.doi.org/10.1364/otfa.1997.the.10.
Texte intégralTsukruk, V. V., A. Liebmann, Foster, D. H. Reneker, V. N. Bliznyuk, S. Kirstein et H. Möhwald. « Composite Molecular Films From Cyanine Dye Single Crystals Grown On Lipid Monolayers ». Dans Organic Thin Films for Photonic Applications. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1993. http://dx.doi.org/10.1364/otfa.1993.wd.19.
Texte intégralIshibashi, Tadashi, Shin'ichiro Tamura, Jun'etsu Seto, Masahiko Hara, Hiroyuki Sasabe et Wolfgang Knoll. « In situ RHEED observation of MBE growth of organic thin films ». Dans Organic Thin Films for Photonic Applications. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1995. http://dx.doi.org/10.1364/otfa.1995.md.19.
Texte intégralChu, Xiaolei, Hamed Heidari, Alex Abelson, Matthew Law, Caroline Qian, Gergely T. Zimanyi, Davis Unruh, Chase Hansen et Adam J. Moule. « Structural characterization of a polycrystalline epitaxially-fused colloidal quantum dot superlattice by electron tomography ». Dans Nanoengineering : Fabrication, Properties, Optics, Thin Films, and Devices XVIII, sous la direction de Wounjhang Park, André-Jean Attias et Balaji Panchapakesan. SPIE, 2021. http://dx.doi.org/10.1117/12.2595872.
Texte intégralEickmann, James, J. M. Slaughter et Charles M. Falco. « Epitaxial Growth of Be(0001) on Ge(111) and Ge(111) on Be(0001) ». Dans Physics of X-Ray Multilayer Structures. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1994. http://dx.doi.org/10.1364/pxrayms.1994.thb.2.
Texte intégralAtwater, H. A., C. C. Ahn et S. Nikzad. « Reflection Electron Energy Loss Spectroscopy during Molecular Beam Epitaxy ». Dans The Microphysics of Surfaces : Beam-Induced Processes. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1991. http://dx.doi.org/10.1364/msbip.1991.wc3.
Texte intégralEres, Gyula, et Frank Y. C. Hui. « Advanced Lithography for Nanofabrication ». Dans Chemistry and Physics of Small-Scale Structures. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1997. http://dx.doi.org/10.1364/cps.1997.cma.4.
Texte intégralEvans, Paul G., Paul P. Rugheimer, Michelle Roberts, Max G. Lagally, Chung-Hoon Lee, Yanan Xiao, Barry Lai et Zhonghou Cai. « Direct Synchrotron X-Ray Microdiffraction Measurements of Strain and Bending in Micromachined Silicon Devices ». Dans ASME 2004 International Mechanical Engineering Congress and Exposition. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/imece2004-62476.
Texte intégralWaeselmann, S. H., S. Heinrich, C. Kraunkel et G. Huber. « Structural and optical properties of epitaxially grown Nd3+ ;-doped InYO3 thin films on Lu2O3 ». Dans 2013 Conference on Lasers & Electro-Optics Europe & International Quantum Electronics Conference CLEO EUROPE/IQEC. IEEE, 2013. http://dx.doi.org/10.1109/cleoe-iqec.2013.6800983.
Texte intégral