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Koc, Husnu, Amirullah M. Mamedov et Ekmel Ozbay. « Electronic Structure of Conventional Slater Type Antiferromagnetic Insulators : AIrO3 (A=Sr, Ba) Perovskites ». Journal of Physics : Conference Series 2315, no 1 (1 juillet 2022) : 012033. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2315/1/012033.
Texte intégralButler, W. H., X. G. Zhang, Xindong Wang, Jan van Ek et J. M. MacLaren. « Electronic structure of FM|semiconductor|FM spin tunneling structures ». Journal of Applied Physics 81, no 8 (15 avril 1997) : 5518–20. http://dx.doi.org/10.1063/1.364587.
Texte intégralKacman, P. « Spin interactions in diluted magnetic semiconductors and magnetic semiconductor structures ». Semiconductor Science and Technology 16, no 4 (2 mars 2001) : R25—R39. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/16/4/201.
Texte intégralPOTEMSKI, MAREK. « SPECTROSCOPIC STUDIES OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES IN MAGNETIC FIELDS ». International Journal of Modern Physics B 21, no 08n09 (10 avril 2007) : 1358–61. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979207042835.
Texte intégralAwschalom, D. D., J. F. Smyth, N. Samarth, H. Luo et J. K. Furdyna. « Magnetic and electronic spin dynamics in magnetic semiconductor quantum structures ». Journal of Luminescence 52, no 1-4 (juin 1992) : 165–74. http://dx.doi.org/10.1016/0022-2313(92)90241-z.
Texte intégralTarucha, S., D. G. Austing, S. Sasaki, Y. Tokura, J. M. Elzerman, W. van der Wiel, S. de Franseschi et L. P. Kouwenhoven. « Spin effects in semiconductor quantum dot structures ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 10, no 1-3 (mai 2001) : 45–51. http://dx.doi.org/10.1016/s1386-9477(01)00051-0.
Texte intégralYu, Leo, H. C. Huang et O. Voskoboynikov. « Electron spin filtering in all-semiconductor tunneling structures ». Superlattices and Microstructures 34, no 3-6 (septembre 2003) : 547–52. http://dx.doi.org/10.1016/j.spmi.2004.03.056.
Texte intégralTakeyama, S., H. Mino, S. Adachi, T. Stirner, W. E. Hagston, H. Yokoi, Yu G. Semenov et al. « Photoexcited spin states in diluted magnetic semiconductor quantum structures ». Physica B : Condensed Matter 294-295 (janvier 2001) : 453–58. http://dx.doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00698-0.
Texte intégralLi, Biao, Dahai Xu, Jun Zhao et Hui Zeng. « First Principles Study of Electronic and Magnetic Properties of Co-Doped Armchair Graphene Nanoribbons ». Journal of Nanomaterials 2015 (2015) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2015/538180.
Texte intégralGorbatyi, I. N. « Spin hall effect in semiconductor structures with spatially inhomogeneous spin relaxation ». Semiconductors 43, no 8 (août 2009) : 1002–7. http://dx.doi.org/10.1134/s1063782609080089.
Texte intégralYang, Xinjian, et Hong Li. « Spin-dependent proximity effects in ferromagnetic semiconductor/superconductor structures ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 322, no 19 (octobre 2010) : 2801–5. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2010.04.033.
Texte intégralLai, Wenlong, Hui Yan et Yukai An. « Stability, electronic structures, magnetic and optical properties of Fe and non-metal (NM=B, C, N) co-doped monolayer 2H-WSe2 ». Modern Physics Letters B 35, no 07 (11 janvier 2021) : 2150122. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984921501220.
Texte intégralBahadivand Chegini, Samira, et Mahboobeh Shahri Naseri. « The effects of the electric-magnetic barrier on the spin transmission in the multibarrier semiconductor heterostructures ». European Physical Journal Applied Physics 98 (2023) : 31. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2023220240.
Texte intégralWei, Ming-Sheng, Zhou Cui, Xin Ruan, Qi-Wen Zhou, Xiao-Yi Fu, Zhen-Yan Liu, Qian-Ya Ma et Yu Feng. « Interface Characterization of Current-Perpendicular-to-Plane Spin Valves Based on Spin Gapless Semiconductor Mn2CoAl ». Applied Sciences 8, no 8 (10 août 2018) : 1348. http://dx.doi.org/10.3390/app8081348.
Texte intégralVu, Tuan V., Tran P. T. Linh, Huynh V. Phuc, C. A. Duque, A. I. Kartamyshev et Nguyen N. Hieu. « Structural, electronic, and transport properties of Janus GaInX 2 (X = S, Se, Te) monolayers : first-principles study ». Journal of Physics : Condensed Matter 34, no 4 (4 novembre 2021) : 045501. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ac316e.
Texte intégralItoh, Hiroyoshi, Syuta Honda et Junichiro Inoue. « Electronic Structure and Spin-Injection of Co-Based Heusler Alloy/ Semiconductor Junctions ». Key Engineering Materials 470 (février 2011) : 54–59. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.470.54.
Texte intégralSUBASHIEV, A. V., et J. E. CLENDENIN. « POLARIZED ELECTRON BEAMS WITH P≥90%, WILL IT BE POSSIBLE ? » International Journal of Modern Physics A 15, no 16 (30 juin 2000) : 2519–27. http://dx.doi.org/10.1142/s0217751x00002597.
Texte intégralHusain, Shagufta Bano, et Maruph Hasan. « Epitaxial Lattice Matching and the Growth Techniques of Compound Semiconductors for their Potential Photovoltaic Applications ». Journal of Modern Materials 5, no 1 (4 juin 2018) : 34–42. http://dx.doi.org/10.21467/jmm.5.1.34-42.
Texte intégralFeng, Yu, Zhou Cui, Ming-sheng Wei, Bo Wu et Sikander Azam. « Spin Gapless Semiconductor–Nonmagnetic Semiconductor Transitions in Fe-Doped Ti2CoSi : First-Principle Calculations ». Applied Sciences 8, no 11 (9 novembre 2018) : 2200. http://dx.doi.org/10.3390/app8112200.
Texte intégralKim, D. H., Jihoon Hwang, Eunsook Lee, K. J. Lee, S. M. Choo, M. H. Jung, J. Baik et al. « Valence states and electronic structures of Co and Mn substituted spin gapless semiconductor PbPdO2 ». Applied Physics Letters 104, no 2 (13 janvier 2014) : 022411. http://dx.doi.org/10.1063/1.4861883.
Texte intégralBamshad, Zahra. « Spin Polarized Transport through Structures Consist of the Ferromagnetic Semiconductor in Presence of a Inhomogeneous Magnetic Field ». Advanced Materials Research 194-196 (février 2011) : 679–82. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.194-196.679.
Texte intégralSapega, V. F., D. Kolovos-Vellianitis, A. M. Petrov, A. Trampert et K. H. Ploog. « Carrier spin polarization in ferromagnet–semiconductor (Ga,Mn)As/GaAs structures ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 321, no 7 (avril 2009) : 720–22. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2008.11.034.
Texte intégralD'Amico, I., et G. Vignale. « Effect of the Coulomb interaction on spin injection in semiconductor structures ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 272-276 (mai 2004) : 1928–29. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2003.12.1107.
Texte intégralGaj, J. A., J. Cibert, D. Ferrand, A. Golnik, M. Goryca, G. Karczewski, P. Kossacki et al. « Optical probing of spin-dependent interactions in II–VI semiconductor structures ». physica status solidi (b) 243, no 4 (mars 2006) : 906–13. http://dx.doi.org/10.1002/pssb.200564712.
Texte intégralDjefal, A., S. Amari, K. O. Obodo, L. Beldi, H. Bendaoud, R. F. L. Evans et B. Bouhafs. « Half-Metallic Ferromagnetism in Double Perovskite Ca2CoMoO6 Compound : DFT+U Calculations ». SPIN 07, no 04 (décembre 2017) : 1750009. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324717500096.
Texte intégralYakimenko, Irina I., et Ivan P. Yakimenko. « Electronic properties of semiconductor quantum wires for shallow symmetric and asymmetric confinements ». Journal of Physics : Condensed Matter 34, no 10 (20 décembre 2021) : 105302. http://dx.doi.org/10.1088/1361-648x/ac3f01.
Texte intégralAVERKIEV, NIKITA S., et KONSTANTIN S. ROMANOV. « 2D ANOMALOUS MAGNETORESISTANCE IN THE PRESENCE OF SPIN–ORBIT SCATTERING ». International Journal of Nanoscience 06, no 03n04 (juin 2007) : 187–89. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x07004559.
Texte intégralBesombes, L., H. Boukari, C. Le Gall, A. Brunetti, C. L. Cao, S. Jamet et B. Varghese. « Optical control of the spin of a magnetic atom in a semiconductor quantum dot ». Nanophotonics 4, no 1 (28 avril 2015) : 75–89. http://dx.doi.org/10.1515/nanoph-2015-0003.
Texte intégralChen, Guo Xiang, et Dou Dou Wang. « First-Principles Study on Structural and Electronic Properties of the Armchair GaN Nanoribbons ». Advanced Materials Research 703 (juin 2013) : 67–70. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.703.67.
Texte intégralGRUBIN, H. L., et H. L. CUI. « SPIN DEPENDENT TRANSPORT IN QUANTUM AND CLASSICALLY CONFIGURED DEVICES ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 16, no 02 (juin 2006) : 639–58. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156406003904.
Texte intégralGermanenko, A. V., V. V. Kurzhaev, G. M. Minkov, E. L. Rumyantsev et O. E. Rut. « Spin-dependent tunnelling in metal-insulator-gapless semiconductor structures in a magnetic field ». Semiconductor Science and Technology 8, no 3 (1 mars 1993) : 383–87. http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/8/3/013.
Texte intégralWang, Ke, Hai Wang, Min Zhang, Yan Liu et Wei Zhao. « Electronic and magnetic properties of doped black phosphorene with concentration dependence ». Beilstein Journal of Nanotechnology 10 (2 mai 2019) : 993–1001. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.10.100.
Texte intégralFu, Huarui, Yunlong Li, Li Ma, Caiyin You, Qing Zhang et Na Tian. « Structures, magnetism and transport properties of the potential spin-gapless semiconductor CoFeMnSi alloy ». Journal of Magnetism and Magnetic Materials 473 (mars 2019) : 16–20. http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2018.10.040.
Texte intégralMaryam Darvishpour, Maryam Darvishpour, et Mohammad Hossein Fekri Mohammad Hossein Fekri. « Investigation of the Magnetic and Electronic Properties of Copper Nanocluster Cu14 Contaminated with Fe, Ni and Co ». Journal of the chemical society of pakistan 42, no 3 (2020) : 399. http://dx.doi.org/10.52568/000647.
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Texte intégralLi, Teng, Hong Liang Pan et Shi Liang Yang. « Simulation of Optical Properties of Ni-Doped ZnO Based on Density Functional Theory ». Advanced Materials Research 846-847 (novembre 2013) : 1931–34. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.846-847.1931.
Texte intégralGRUBIN, H. L. « SPIN DEPENDENT WIGNER FUNCTION SIMULATIONS OF DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES – B FIELD TUNING ». International Journal of High Speed Electronics and Systems 17, no 04 (décembre 2007) : 877–88. http://dx.doi.org/10.1142/s0129156407005053.
Texte intégralWAN, F., M. B. A. JALIL, S. G. TAN et T. FUJITA. « SPIN-POLARIZED TRANSPORT THROUGH GaAs/AlGaAs PARABOLIC QUANTUM WELL UNDER A UNIFORM MAGNETIC FIELD ». International Journal of Nanoscience 08, no 01n02 (février 2009) : 71–74. http://dx.doi.org/10.1142/s0219581x09005736.
Texte intégralYAO, G. Y., G. H. FAN, J. H. MA, S. W. ZHENG, J. CHEN, S. M. ZENG, L. F. HE et T. ZHANG. « FERROMAGNETIC PROPERTIES IN V-DOPED AlN FROM FIRST PRINCIPLES ». Modern Physics Letters B 26, no 20 (5 juillet 2012) : 1250132. http://dx.doi.org/10.1142/s0217984912501321.
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Texte intégralStrandjord, Andrew, Thorsten Teutsch, Axel Scheffler, Bernd Otto, Anna Paat, Oscar Alinabon et Jing Li. « Wafer Level Packaging of Compound Semiconductors ». Journal of Microelectronics and Electronic Packaging 7, no 3 (1 juillet 2010) : 152–59. http://dx.doi.org/10.4071/imaps.263.
Texte intégralKopasov, Alexander A., Ivan M. Khaymovich et Alexander S. Mel'nikov. « Inverse proximity effect in semiconductor Majorana nanowires ». Beilstein Journal of Nanotechnology 9 (16 avril 2018) : 1184–93. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.9.109.
Texte intégralMorozova, Maria, et Oleg Matveev. « Resonant and nonlinear phenomena during the propagation of magnetostatic waves in multiferroid, semiconductor and metallized structures based on ferromagnetic films and magnonic crystals ». Izvestiya VUZ. Applied Nonlinear Dynamics 30, no 5 (30 septembre 2022) : 534–53. http://dx.doi.org/10.18500/0869-6632-003003.
Texte intégralBenhalima, C., S. Amari, L. Beldi et B. Bouhafs. « First-Principles Study of Ferromagnetism in Iron Chromite Spinels : FeCr2O4 and CrFe2O4 ». SPIN 09, no 03 (septembre 2019) : 1950014. http://dx.doi.org/10.1142/s2010324719500140.
Texte intégralGermanenko, A. V., V. V. Kruzhaev, G. M. Minkov, E. L. Rumyantsev et O. E. Rut. « Spin-polarised tunnelling current in metal-insulator-gapless semiconductor structures in a magnetic field ». Advanced Materials for Optics and Electronics 3, no 1-6 (janvier 1994) : 127–30. http://dx.doi.org/10.1002/amo.860030118.
Texte intégralChen, Shaobo, Ying Chen, Wanjun Yan, Shiyun Zhou, Xinmao Qin, Wen Xiong et Li Liu. « Electronic and Magnetic Properties of Bulk and Monolayer CrSi2 : A First-Principle Study ». Applied Sciences 8, no 10 (11 octobre 2018) : 1885. http://dx.doi.org/10.3390/app8101885.
Texte intégralFujita, Takashi, Mansoor B. A. Jalil et Seng Ghee Tan. « Achieving Highly Localized Effective Magnetic Fields With Non-Uniform Rashba Spin-Orbit Coupling for Tunable Spin Current in Metal/Semiconductor/Metal Structures ». IEEE Transactions on Magnetics 46, no 6 (juin 2010) : 1323–26. http://dx.doi.org/10.1109/tmag.2010.2045478.
Texte intégralKumar, Ravindra, Ajay Kumar Rakesh, Anil Govindan et Neeraj K. Jaiswal. « Spin dependent Electronic properties of NO-adsorbed zigzag ZnO nanoribbons : A DFT Study ». IOP Conference Series : Materials Science and Engineering 1248, no 1 (1 juillet 2022) : 012030. http://dx.doi.org/10.1088/1757-899x/1248/1/012030.
Texte intégralKrstajić, P. M., M. Pagano et P. Vasilopoulos. « Transport properties of low-dimensional semiconductor structures in the presence of spin–orbit interaction ». Physica E : Low-dimensional Systems and Nanostructures 43, no 4 (février 2011) : 893–900. http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2010.11.008.
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