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Articles de revues sur le sujet « Electrochemical Atomic Layer Epitaxy »

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Auteur : Grafiati
Publié le 10 mars 2023

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1

Gregory, Brian W., et John L. Stickney. « Electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) ». Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry 300, no 1-2 (février 1991) : 543–61. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0728(91)85415-l.

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2

Huang, Baoming M. « Electrochemical atomic layer epitaxy of semiconductor CdTe thin films ». Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America 51 (1 août 1993) : 824–25. http://dx.doi.org/10.1017/s0424820100149957.

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Résumé :
Semiconductor thin films have important applications in areas such as photovoltaics and luminescent displays. Electrodeposition of these films is a potential low cost, room temperature production technique. Electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) involves alternatively depositing individual element monolayer amount per ECALE cycle, taking advantage of the under-potential deposition (UPD) phenomena.A series of CdTe thin films have been deposited using ECALE methodology in an electrochemical flow cell system. The 0.5 mM Te4+, Te blank, 5mM Cd2+, and Cd blank solutions are made with purasonic grade TeO2 and CdSO4, research grade electrolyte, and 18 M ohm water. The gold foil substrates are cleaned electrochemically before each experiment. An ECALE cycle starts with depositing monolayer amount Te, rinsing with Te blank, then depositing monolayer amount of Cd, and ending with rinsing with Cd blank solution. The whole flow cell system is controlled by a computer with house-written codes, and the deposition process can be fully programmed.
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3

GREGORY, B. W., et J. L. STICKNEY. « ChemInform Abstract : Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (ECALE). » ChemInform 22, no 22 (23 août 2010) : no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199122019.

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4

Manhabosco, Taise M., Shaul Aloni, Tevye R. Kuykendall, Sara M. Manhabosco, Ana Bárbara Batista, Jaqueline S. Soares, Ana Paula M. Barboza, Alan B. de Oliveira, Ronaldo J. C. Batista et Jeffrey J. Urban. « Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition of Ultrathin SnTe Films ». Recent Progress in Materials 1, no 4 (6 septembre 2019) : 1. http://dx.doi.org/10.21926/rpm.1904005.

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5

Suggs, D. Wayne, Ignacio Villegas, Brian W. Gregory et John L. Stickney. « Formation of compound semiconductors by electrochemical atomic layer epitaxy ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 10, no 4 (juillet 1992) : 886–91. http://dx.doi.org/10.1116/1.577689.

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6

Carlà, F., M. Innocenti, F. Loglio, M. Muniz-Miranda, P. R. Salvi, C. Gellini, M. Cavallini et al. « Combined electrochemical atomic layer epitaxy and microcontact printing techniques ». Materials Science in Semiconductor Processing 12, no 1-2 (février 2009) : 21–24. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2009.07.004.

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7

Venkatasamy, Venkatram, Nagarajan Jayaraju, Stephen M. Cox, Chandru Thambidurai, Mkhulu Mathe et John L. Stickney. « Deposition of HgTe by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) ». Journal of Electroanalytical Chemistry 589, no 2 (avril 2006) : 195–202. http://dx.doi.org/10.1016/j.jelechem.2006.02.006.

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8

Venkatasamy, Venkatram, et Nagarajan Jayaraju. « Formation of HgCdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (EC-ALE) ». ECS Transactions 3, no 5 (21 décembre 2019) : 95–110. http://dx.doi.org/10.1149/1.2357200.

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9

Mathe, Mkhulu K., Steve M. Cox, Venkatram Venkatasamy, Uwe Happek et John L. Stickney. « Formation of HgSe Thin Films Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 152, no 11 (2005) : C751. http://dx.doi.org/10.1149/1.2047547.

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10

Gregory, Brian W., D. Wayne Suggs et John L. Stickney. « Conditions for the Deposition of CdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 138, no 5 (1 mai 1991) : 1279–84. http://dx.doi.org/10.1149/1.2085773.

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11

Pezzatini, G., S. Caporali, M. Innocenti et M. L. Foresti. « Formation of ZnSe on Ag(111) by electrochemical atomic layer epitaxy ». Journal of Electroanalytical Chemistry 475, no 2 (octobre 1999) : 164–70. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(99)00347-2.

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12

Flowers, Billy H., Travis L. Wade, John W. Garvey, Marcus Lay, Uwe Happek et John L. Stickney. « Atomic layer epitaxy of CdTe using an automated electrochemical thin-layer flow deposition reactor ». Journal of Electroanalytical Chemistry 524-525 (mai 2002) : 273–85. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(02)00679-4.

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Yang, Junyou, Wen Zhu, Xianhui Gao, Siqian Bao, Xian Fan, Xingkai Duan et Jie Hou. « Formation and Characterization of Sb2Te3Nanofilms on Pt by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of Physical Chemistry B 110, no 10 (mars 2006) : 4599–604. http://dx.doi.org/10.1021/jp0565498.

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Vaidyanathan, Raman, John L. Stickney, Stephen M. Cox, Steven P. Compton et Uwe Happek. « Formation of In2Se3 thin films and nanostructures using electrochemical atomic layer epitaxy ». Journal of Electroanalytical Chemistry 559 (novembre 2003) : 55–61. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(03)00053-6.

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15

Venkatasamy, V., N. Jayaraju, S. M. Cox, C. Thambidurai, U. Happek et J. L. Stickney. « Optimization of CdTe nanofilm formation by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) ». Journal of Applied Electrochemistry 36, no 11 (21 juillet 2006) : 1223–29. http://dx.doi.org/10.1007/s10800-006-9182-3.

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Zhu, Wen, Junyou Yang, Xianhui Gao, Jie Hou, Siqian Bao et Xian Fan. « Preparation of bismuth telluride thin film by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) ». Frontiers of Chemistry in China 2, no 1 (mars 2007) : 102–6. http://dx.doi.org/10.1007/s11458-007-0021-9.

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17

Innocenti, M., G. Pezzatini, F. Forni et M. L. Foresti. « CdS and ZnS Deposition on Ag(111) by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 148, no 5 (2001) : C357. http://dx.doi.org/10.1149/1.1360208.

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18

Foresti, M. L., G. Pezzatini, M. Cavallini, G. Aloisi, M. Innocenti et R. Guidelli. « Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Deposition of CdS on Ag(111) : An Electrochemical and STM Investigation ». Journal of Physical Chemistry B 102, no 38 (septembre 1998) : 7413–20. http://dx.doi.org/10.1021/jp9811777.

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19

Stickney, John L., Youn-Geun Kim et Jay Y. Kim. « Studies of Cu Atomic Layer Replacement, Formed by Underpotential Deposits, to Form Pt Nanofilms Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». ECS Transactions 1, no 30 (21 décembre 2019) : 41–48. http://dx.doi.org/10.1149/1.2209380.

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20

Torimoto, Tsukasa, Susumu Takabayashi, Hirotaro Mori et Susumu Kuwabata. « Photoelectrochemical activities of ultrathin lead sulfide films prepared by electrochemical atomic layer epitaxy ». Journal of Electroanalytical Chemistry 522, no 1 (mars 2002) : 33–39. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(01)00753-7.

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21

Fernandes, Valeria C., Emanuelle Salvietti, Francesca Loglio, Massimo Innocenti, Lucia Mascaro et Maria Foresti. « Electrodeposition of PbS Multilayers on AG(111) by ECALE (Electrochemical Atomic Layer Epitaxy) ». ECS Transactions 11, no 7 (19 décembre 2019) : 279–86. http://dx.doi.org/10.1149/1.2779091.

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22

Xiao, Chengjing, Junyou Yang, Wen Zhu, Jiangying Peng et Jiansheng Zhang. « Electrodeposition and characterization of Bi2Se3 thin films by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) ». Electrochimica Acta 54, no 27 (novembre 2009) : 6821–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2009.06.089.

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23

GREGORY, B. W., D. W. SUGGS et J. L. STICKNEY. « ChemInform Abstract : Conditions for the Deposition of CdTe by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». ChemInform 22, no 29 (23 août 2010) : no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199129299.

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Pezzatini, G., S. Caporali, M. Innocenti et M. L. Foresti. « ChemInform Abstract : Formation of ZnSe on Ag(111) by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy. » ChemInform 31, no 4 (11 juin 2010) : no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.200004015.

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25

Colletti, Lisa P., Billy H. Flowers et John L. Stickney. « Formation of Thin Films of CdTe, CdSe, and CdS by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 145, no 5 (1 mai 1998) : 1442–49. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838502.

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26

Qiao, Zhiqing, Wei Shang et Chunming Wang. « Fabrication of Sn–Se compounds on a gold electrode by electrochemical atomic layer epitaxy ». Journal of Electroanalytical Chemistry 576, no 1 (février 2005) : 171–75. http://dx.doi.org/10.1016/j.jelechem.2004.10.015.

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27

Huang, Ao, Jingze Li, Yuehui Wang et Shuanglong Feng. « Fabrication of PbS QDs/Graphene Heterostructure Photoelectrochemical Cell by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Method ». Journal of Nanoscience and Nanotechnology 19, no 1 (1 janvier 2019) : 235–39. http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2019.16444.

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28

Salvietti, E., F. Loglio, M. Innocenti, M. Cavallini, M. Facchini, G. Pezzatini, R. Raiteri et M. L. Foresti. « Patterned growth of CdS by combined electrochemical atomic layer epitaxy and microcontact printing techniques ». Electrochimica Acta 52, no 19 (mai 2007) : 6034–40. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2007.03.058.

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29

Vaidyanathan, Raman, John L. Stickney et Uwe Happek. « Quantum confinement in PbSe thin films electrodeposited by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) ». Electrochimica Acta 49, no 8 (mars 2004) : 1321–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2003.07.019.

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Zhu, W., J. Y. Yang, X. H. Gao, S. Q. Bao, X. A. Fan, T. J. Zhang et K. Cui. « Effect of potential on bismuth telluride thin film growth by electrochemical atomic layer epitaxy ». Electrochimica Acta 50, no 20 (juillet 2005) : 4041–47. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2005.01.003.

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Venkatasamy, Venkatram, Mkhulu K. Mathe, Stephen M. Cox, Uwe Happek et John L. Stickney. « Optimization studies of HgSe thin film deposition by electrochemical atomic layer epitaxy (EC-ALE) ». Electrochimica Acta 51, no 21 (juin 2006) : 4347–51. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2005.12.012.

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Zhu, Wen, Jun-You Yang, Dong-Xiang Zhou, Chen-Jin Xiao et Xin-Kai Duan. « Electrochemical Aspects and Structure Characterization of VA-VIA Compound Semiconductor Bi2Te3/Sb2Te3Superlattice Thin Films via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Langmuir 24, no 11 (juin 2008) : 5919–24. http://dx.doi.org/10.1021/la8001064.

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Colletti, Lisa P., Daniel Teklay et John L. Stickney. « Thin-layer electrochemical studies of the oxidative underpotential deposition of sulfur and its application to the electrochemical atomic layer epitaxy deposition of CdS ». Journal of Electroanalytical Chemistry 369, no 1-2 (mai 1994) : 145–52. http://dx.doi.org/10.1016/0022-0728(94)87092-6.

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Cavallini, Massimiliano, Massimo Facchini, Cristiano Albonetti, Fabio Biscarini, Massimo Innocenti, Francesca Loglio, Emanuele Salvietti, Giovanni Pezzatini et Maria Luisa Foresti. « Two-Dimensional Self-Organization of CdS Ultra Thin Films by Confined Electrochemical Atomic Layer Epitaxy Growth ». Journal of Physical Chemistry C 111, no 3 (23 décembre 2006) : 1061–64. http://dx.doi.org/10.1021/jp0668908.

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Torimoto, Tsukasa, Atsushi Obayashi, Susumu Kuwabata, Hidehiro Yasuda, Hirotaro Mori et Hiroshi Yoneyama. « Preparation of Size-Quantized ZnS Thin Films Using Electrochemical Atomic Layer Epitaxy and Their Photoelectrochemical Properties ». Langmuir 16, no 13 (juin 2000) : 5820–24. http://dx.doi.org/10.1021/la000133y.

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Muthuvel, Madhivanan, et John L. Stickney. « CdTe Electrodeposition on InP(100) via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy (EC-ALE) : Studies Using UHV-EC ». Langmuir 22, no 12 (juin 2006) : 5504–8. http://dx.doi.org/10.1021/la053353q.

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Badot, J. C. « Atomic Layer Epitaxy of Vanadium Oxide Thin Films and Electrochemical Behavior in Presence of Lithium Ions ». Electrochemical and Solid-State Letters 3, no 10 (1999) : 485. http://dx.doi.org/10.1149/1.1391187.

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COLLETTI, L. P., B. H. JUN FLOWERS et J. L. STICKNEY. « ChemInform Abstract : Formation of Thin Films of CdTe, CdSe, and CdS by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy. » ChemInform 29, no 30 (20 juin 2010) : no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199830291.

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Villegas, Ignacio, et John L. Stickney. « Preliminary Studies of GaAs Deposition on Au(100), (110), and (111) Surfaces by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 139, no 3 (1 mars 1992) : 686–94. http://dx.doi.org/10.1149/1.2069285.

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Zhu, W., J. Y. Yang, D. X. Zhou, C. J. Xiao et X. K. Duan. « Development of growth cycle for antimony telluride film on Au (111) disk by electrochemical atomic layer epitaxy ». Electrochimica Acta 53, no 10 (avril 2008) : 3579–86. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2007.12.046.

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Zou, Shouzhong, et Michael J. Weaver. « Surface-enhanced Raman spectroscopy of cadmium sulfide/cadmium selenide superlattices formed on gold by electrochemical atomic-layer epitaxy ». Chemical Physics Letters 312, no 2-4 (octobre 1999) : 101–7. http://dx.doi.org/10.1016/s0009-2614(99)00911-2.

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Feng, Shuanglong, Junyou Yang, Ming Liu, Hu Zhu, Jiansheng Zhang, Gen Li, Jiangying Peng et Qiongzhen Liu. « CdS quantum dots sensitized TiO2 nanorod-array-film photoelectrode on FTO substrate by electrochemical atomic layer epitaxy method ». Electrochimica Acta 83 (novembre 2012) : 321–26. http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2012.07.130.

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Colletti, Lisa P., et John L. Stickney. « Optimization of the Growth of CdTe Thin Films Formed by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy in an Automated Deposition System ». Journal of The Electrochemical Society 145, no 10 (1 octobre 1998) : 3594–602. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838848.

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Villegas, Ignacio, et Paul Napolitano. « Development of a Continuous‐Flow System for the Growth of Compound Semiconductor Thin Films via Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 146, no 1 (1 janvier 1999) : 117–24. http://dx.doi.org/10.1149/1.1391573.

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VILLEGAS, I., et J. L. STICKNEY. « ChemInform Abstract : Preliminary Studies of GaAs Deposition on Au(100), (110), and (111) Surfaces by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy. » ChemInform 23, no 21 (22 août 2010) : no. http://dx.doi.org/10.1002/chin.199221016.

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Cecconi, Tiziana, Andrea Atrei, Ugo Bardi, Francesca Forni, Massimo Innocenti, Francesca Loglio, Maria Luisa Foresti et Gianfranco Rovida. « X-ray photoelectron diffraction (XPD) study of the atomic structure of the ultrathin CdS phase deposited on Ag(111) by electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) ». Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 114-116 (mars 2001) : 563–68. http://dx.doi.org/10.1016/s0368-2048(00)00239-5.

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Zou, Shouzhong, et Michael J. Weaver. « Surface-Enhanced Raman Scattering of Ultrathin Cadmium Chalcogenide Films on Gold Formed by Electrochemical Atomic-Layer Epitaxy : Thickness-Dependent Phonon Characteristics ». Journal of Physical Chemistry B 103, no 13 (avril 1999) : 2323–26. http://dx.doi.org/10.1021/jp990107c.

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Öznülüer, Tüba, et Ümit Demir. « Formation of Bi2S3 thin films on Au(111) by electrochemical atomic layer epitaxy : kinetics of structural changes in the initial monolayers ». Journal of Electroanalytical Chemistry 529, no 1 (juin 2002) : 34–42. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(02)00921-x.

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Gichuhi, Anthony, B. Edward Boone et Curtis Shannon. « Resonance Raman scattering and scanning tunneling spectroscopy of CdS thin films grown by electrochemical atomic layer epitaxy—thickness dependent phonon and electronic properties ». Journal of Electroanalytical Chemistry 522, no 1 (mars 2002) : 21–25. http://dx.doi.org/10.1016/s0022-0728(01)00713-6.

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Huang, B. M., L. P. Colletti, B. W. Gregory, J. L. Anderson et J. L. Stickney. « Preliminary Studies of the Use of an Automated Flow‐Cell Electrodeposition System for the Formation of CdTe Thin Films by Electrochemical Atomic Layer Epitaxy ». Journal of The Electrochemical Society 142, no 9 (1 septembre 1995) : 3007–16. http://dx.doi.org/10.1149/1.2048677.

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