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Özden, Şadan, Ömer Güllü et Osman Pakma. « Room temperature I–V and C–V characteristics of Au/mTPP/p-Si organic MIS devices ». European Physical Journal Applied Physics 82, no 2 (mai 2018) : 20101. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2018180004.
Texte intégralPadma, R., et V. Rajagopal Reddy. « Electrical properties and the determination of interface state density from I-V, C-f and G-f measurements in Ir/Ru/n-InGaN Schottky barrier diode ». Физика и техника полупроводников 51, no 12 (2017) : 1698. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45189.8340.
Texte intégralFaraz, Sadia Muniza, Wakeel Shah, Naveed Ul Hassan Alvi, Omer Nur et Qamar Ul Wahab. « Electrical Characterization of Si/ZnO Nanorod PN Heterojunction Diode ». Advances in Condensed Matter Physics 2020 (13 avril 2020) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2020/6410573.
Texte intégralPadovani, Andrea, Ben Kaczer, Milan Pesic, Attilio Belmonte, Mihaela Popovici, Laura Nyns, Dimitri Linten et al. « A Sensitivity Map-Based Approach to Profile Defects in MIM Capacitors From ${I}$ – ${V}$ , ${C}$ – ${V}$ , and ${G}$ – ${V}$ Measurements ». IEEE Transactions on Electron Devices 66, no 4 (avril 2019) : 1892–98. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2019.2900030.
Texte intégralPananakakis, G., et G. Kamarinos. « Complete determination of the electrical interfacial parameters in Al-SiO2 (30 Å)-Si tunnel diodes using I–V, C–V, G–V measurements ». Surface Science Letters 168, no 1-3 (mars 1986) : A137. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(86)90487-1.
Texte intégralPananakakis, G., et G. Kamarinos. « Complete determination of the electrical interfacial parameters in Al-SiO2 (30 Å)-Si tunnel diodes using I–V, C–V, G–V measurements ». Surface Science 168, no 1-3 (mars 1986) : 657–64. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(86)90897-6.
Texte intégralAltındal, Şemsettin, Ali Barkhordari, Gholamreza Pirgholi-Givi, Murat Ulusoy, Hamidreza Mashayekhi, Süleyman Özçelik et Yashar Azizian-Kalandaragh. « Comparison of the electrical and impedance properties of Au/(ZnOMn:PVP)/n-Si (MPS) type Schottky-diodes (SDs) before and after gamma-irradiation ». Physica Scripta 96, no 12 (1 décembre 2021) : 125881. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/ac43d7.
Texte intégralKoliakoudakis, C., J. Dontas, S. Karakalos, M. Kayambaki, S. Ladas, G. Konstantinidis, S. Kennou et Konstantinos Zekentes. « Fabrication and Characterization of Cr-Based Schottky Diode on n-Type 4H-SiC ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 651–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.651.
Texte intégralAfandiyeva, İ. M., İ. Dökme, Ş. Altındal, L. K. Abdullayeva et Sh G. Askerov. « The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al–TiW–Pd2Si/n-Si structure using I–V, C–V and G/ω–V measurements ». Microelectronic Engineering 85, no 2 (février 2008) : 365–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.07.010.
Texte intégralGiannazzo, Filippo, Stefan Hertel, Andreas Albert, Antonino La Magna, Fabrizio Roccaforte, Michael Krieger et Heiko B. Weber. « Electrical Nanocharacterization of Epitaxial Graphene/Silicon Carbide Schottky Contacts ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1142–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1142.
Texte intégralDAŞ, Elif. « Some Electrical and Photoelectrical Properties of Conducting Polymer Graphene Composite /n-Silicon Heterojunction Diode ». Sakarya University Journal of Science 26, no 5 (20 octobre 2022) : 1000–1009. http://dx.doi.org/10.16984/saufenbilder.1129742.
Texte intégralKaya, A., Ö. Sevgili et Ş. Altındal. « Energy density distribution profiles of surface states, relaxation time and capture cross-section in Au/n-type 4H-SiC SBDs by using admittance spectroscopy method ». International Journal of Modern Physics B 28, no 17 (29 mai 2014) : 1450104. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214501045.
Texte intégralMazurak, Andrzej, Jakub Jasin´ski et Bogdan Majkusiak. « Determination of border/bulk traps parameters based on (C-G-V) admittance measurements ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B 37, no 3 (mai 2019) : 032904. http://dx.doi.org/10.1116/1.5060674.
Texte intégralGüler, G., Ö. Güllü, S. Karataş et Ö. F. Bakkaloǧlu. « Electrical Characteristics of Co/n-Si Schottky Barrier Diodes Using I – V and C – V Measurements ». Chinese Physics Letters 26, no 6 (juin 2009) : 067301. http://dx.doi.org/10.1088/0256-307x/26/6/067301.
Texte intégralDemirbilek, Nihat, Fahrettin Yakuphanoğlu et Mehmet Kaya. « Structural and optical properties of pure ZnO and Al/Cu co-doped ZnO semiconductor thin films and electrical characterization of photodiodes ». Materials Testing 63, no 3 (1 mars 2021) : 279–85. http://dx.doi.org/10.1515/mt-2020-0042.
Texte intégralÖzdemir, Orhan, Beyhan Tatar, Deneb Yılmazer, Pınar Gökdemir et Kubilay Kutlu. « Correlation of DC and AC electrical properties of Al/p-Si structure by I–V–T and C(G/ω)–V–T measurements ». Materials Science in Semiconductor Processing 12, no 4-5 (août 2009) : 133–41. http://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2009.09.005.
Texte intégralÇetinkaya, H. G., D. E. Yıldız et Ş. Altındal. « On the negative capacitance behavior in the forward bias of Au/n–4H–SiC (MS) and comparison between MS and Au/TiO2/n–4H–SiC (MIS) type diodes both in dark and under 200 W illumination intensity ». International Journal of Modern Physics B 29, no 01 (18 décembre 2014) : 1450237. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214502373.
Texte intégralThi, Tran Anh Tuan, Dong-Hau Kuo, Phuong Thao Cao, Pham Quoc-Phong, Vinh Khanh Nghi et Nguyen Phuong Lan Tran. « Electrical and Structural Properties of All-Sputtered Al/SiO2/p-GaN MOS Schottky Diode ». Coatings 9, no 10 (21 octobre 2019) : 685. http://dx.doi.org/10.3390/coatings9100685.
Texte intégralKhelfaoui, Fatima, Itidel Belaidi, Nadhir Attaf, Mohammed Salah Aida et Jamal Bougdira. « Realization and Characterization of CH3NH3PbI3 /c-Si Heterojunction ». Defect and Diffusion Forum 406 (janvier 2021) : 364–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.406.364.
Texte intégralKhelfaoui, Fatima, Itidel Belaidi, Nadhir Attaf, Mohammed Salah Aida et Jamal Bougdira. « Realization and Characterization of CH3NH3PbI3 /c-Si Heterojunction ». Defect and Diffusion Forum 406 (janvier 2021) : 364–74. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ddf.406.364.
Texte intégralAlexandrova, S., et A. Szekeres. « Thickness-Dependent Interface Parameters of Silicon Oxide Films Grown on Plasma Hydrogenated Silicon ». Solid State Phenomena 159 (janvier 2010) : 163–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.159.163.
Texte intégralCañas, J., C. Dussarrat, T. Teramoto, C. Masante, M. Gutierrez et E. Gheeraert. « High quality SiO2/diamond interface in O-terminated p-type diamond MOS capacitors ». Applied Physics Letters 121, no 7 (15 août 2022) : 072101. http://dx.doi.org/10.1063/5.0103037.
Texte intégralHIROSE, Fumihiko, Yasuo KIMURA et Michio NIWANO. « P3HT/Al Organic/Inorganic Heterojunction Diodes Investigated by I-V and C-V Measurements ». IEICE Transactions on Electronics E92-C, no 12 (2009) : 1475–78. http://dx.doi.org/10.1587/transele.e92.c.1475.
Texte intégralRyu, K., I. Kymissis, V. Bulovic et C. G. Sodini. « Direct extraction of mobility in pentacene OFETs using C-V and I-V measurements ». IEEE Electron Device Letters 26, no 10 (octobre 2005) : 716–18. http://dx.doi.org/10.1109/led.2005.854394.
Texte intégralKabra, Vinay, Lubna Aamir et M. M. Malik. « Low cost, p-ZnO/n-Si, rectifying, nano heterojunction diode : Fabrication and electrical characterization ». Beilstein Journal of Nanotechnology 5 (24 novembre 2014) : 2216–21. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.5.230.
Texte intégralNakano, Yoshitaka, Liwen Sang et Masatomo Sumiya. « Electrical Characterization of Thick InGaN Films for Photovoltaic Applications ». MRS Proceedings 1635 (2014) : 29–34. http://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.205.
Texte intégralDe Cogan, D., et A. Alani. « Double-resonance technique for C/V measurements of semiconductor devices ». Electronics Letters 21, no 24 (1985) : 1153. http://dx.doi.org/10.1049/el:19850816.
Texte intégralBahari, Ali, Masoud Ebrahimzadeh et Reza Gholipur. « Structural and electrical properties of zirconium doped yttrium oxide nanostructures ». International Journal of Modern Physics B 28, no 16 (13 mai 2014) : 1450102. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214501021.
Texte intégralBelkouch, S., L. Paquin, A. Deneuville et E. Gheeraert. « Caractérisation physicochimique et électronique de la structure Pt–a-Si : H–c-Si(n) ». Canadian Journal of Physics 69, no 3-4 (1 mars 1991) : 357–60. http://dx.doi.org/10.1139/p91-060.
Texte intégralBita, Bogdan, Sorin Vizireanu, Daniel Stoica, Valentin Ion, Sasa Yehia, Adrian Radu, Sorina Iftimie et Gheorghe Dinescu. « On the Structural, Morphological, and Electrical Properties of Carbon Nanowalls Obtained by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition ». Journal of Nanomaterials 2020 (1 octobre 2020) : 1–6. http://dx.doi.org/10.1155/2020/8814459.
Texte intégralAlisha, P. Chander, V. K. Malik et R. Chandra. « Structural and Electrical Transport Properties of Sputter-Deposited SiC Thin Films ». Journal of Physics : Conference Series 2518, no 1 (1 juin 2023) : 012016. http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/2518/1/012016.
Texte intégralTokusu, Toji, Hirokazu Miyabayashi, Yuji Hiruma, Hajime Nagata et Tadashi Takenaka. « Electrical Properties and Piezoelectric Properties of CaBi2Ta2O9-Based Ceramics ». Key Engineering Materials 421-422 (décembre 2009) : 46–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.421-422.46.
Texte intégralZhang, Shiyu, Zeng Liu, Yuanyuan Liu, Yusong Zhi, Peigang Li, Zhenping Wu et Weihua Tang. « Electrical Characterizations of Planar Ga2O3 Schottky Barrier Diodes ». Micromachines 12, no 3 (3 mars 2021) : 259. http://dx.doi.org/10.3390/mi12030259.
Texte intégralALI, A. N. M., et E. M. NASIR. « CHARACTERIZATION OF (ZnO)1-X-(CuO)x/GaAs HETEROJUNCTION SOLAR CELL GROWN BY PULSED LASER DEPOSITION ». Digest Journal of Nanomaterials and Biostructures 16, no 1 (janvier 2021) : 169–74. http://dx.doi.org/10.15251/djnb.2021.161.169.
Texte intégralKumar, Neeraj, et Rabinder Nath. « Ferroelectric and Electrical Properties of Potassium Nitrate Thin Composite Layers ». Advanced Materials Research 403-408 (novembre 2011) : 607–17. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.403-408.607.
Texte intégralSelçuk, A. H., E. Orhan, S. Bilge Ocak, A. B. Selçuk et U. Gökmen. « Investigation of dielectric properties of heterostructures based on ZnO structures ». Materials Science-Poland 35, no 4 (20 mars 2018) : 885–92. http://dx.doi.org/10.1515/msp-2017-0108.
Texte intégralKarataş, Ş., Ş. Altındal, A. Türüt et M. Çakar. « Electrical transport characteristics of Sn/p-Si schottky contacts revealed from I–V–T and C–V–T measurements ». Physica B : Condensed Matter 392, no 1-2 (avril 2007) : 43–50. http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2006.10.039.
Texte intégralThompson, J. R., J. J. Dubowski et D. J. Northcott. « Electrical characterization of CdTe–InSb heterojunctions ». Canadian Journal of Physics 69, no 3-4 (1 mars 1991) : 274–77. http://dx.doi.org/10.1139/p91-046.
Texte intégralPorter, L. M., R. F. Davis, J. S. Bow, M. J. Kim, R. W. Carpenter et R. C. Glass. « Chemistry, microstructure, and electrical properties at interfaces between thin films of titanium and alpha (6H) silicon carbide (0001) ». Journal of Materials Research 10, no 3 (mars 1995) : 668–79. http://dx.doi.org/10.1557/jmr.1995.0668.
Texte intégralStark, Roger, Alexander Tsibizov, Salvatore Race, Thomas Ziemann, Ivana Kovacevic-Badstubner et Ulrike Grossner. « Temperature Dependence of the Channel and Drift Resistance of SiC Power MOSFETs Extracted from I-V and C-V Measurements ». Materials Science Forum 1092 (6 juin 2023) : 165–70. http://dx.doi.org/10.4028/p-06b54k.
Texte intégralKim, Minyeong, Nolan Hendricks, Neil Moser, Pragya Shrestha, Sujitra Pookpanratana, Sang-Mo Koo et Qiliang Li. « Electrical Properties of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with and without Mesa Structure ». ECS Meeting Abstracts MA2023-01, no 32 (28 août 2023) : 1840. http://dx.doi.org/10.1149/ma2023-01321840mtgabs.
Texte intégralPellegrino, Domenico, Lucia Calcagno, Massimo Zimbone, Salvatore Di Franco et Antonella Sciuto. « Correlation between Defects and Electrical Performances of Ion-Irradiated 4H-SiC p–n Junctions ». Materials 14, no 8 (14 avril 2021) : 1966. http://dx.doi.org/10.3390/ma14081966.
Texte intégralUmar, Marjoni Imamora Ali. « Graphene-Au Film Synthesized from GrO in Au-Aquaeus Solution as Counter Electrode For DSSC Application ». Lensa : Jurnal Kependidikan Fisika 7, no 2 (31 décembre 2019) : 24. http://dx.doi.org/10.33394/j-lkf.v7i2.2644.
Texte intégralJungwirth, Felix, Daniel Knez, Fabrizio Porrati, Alfons G. Schuck, Michael Huth, Harald Plank et Sven Barth. « Vanadium and Manganese Carbonyls as Precursors in Electron-Induced and Thermal Deposition Processes ». Nanomaterials 12, no 7 (28 mars 2022) : 1110. http://dx.doi.org/10.3390/nano12071110.
Texte intégralFaraz, Sadia Muniza, Muhammed Naveed Alvi, Anne Henry, Omer Nour, Magnus Willander et Qamar Ul Wahab. « Annealing Effects on Electrical and Optical Properties of N-ZnO/P-Si Heterojunction Diodes ». Advanced Materials Research 324 (août 2011) : 233–36. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.324.233.
Texte intégralLEE, SEUNGJAE, et KIJUNG YONG. « SELF-LIMITING GROWTH OF TITANIUM SILICATE AND EFFECTS OF THERMAL ANNEALING ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF TITANIUM SILICATE/SiO2 ». Surface Review and Letters 14, no 05 (octobre 2007) : 921–25. http://dx.doi.org/10.1142/s0218625x07010433.
Texte intégralDevi, V. Lakshmi, I. Jyothi et V. Rajagopal Reddy. « Analysis of temperature-dependent Schottky barrier parameters of Cu–Au Schottky contacts to n-InP ». Canadian Journal of Physics 90, no 1 (janvier 2012) : 73–81. http://dx.doi.org/10.1139/p11-142.
Texte intégralIdris, Muhammad I., Nick G. Wright et Alton B. Horsfall. « Effect of Post Oxide Annealing on the Electrical and Interface 4H-SiC/Al2O3 MOS Capacitors ». Materials Science Forum 924 (juin 2018) : 486–89. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.924.486.
Texte intégralYücedağ, İ., A. Kaya et Ş. Altındal. « On the frequency dependent negative dielectric constant behavior in Al/Co-doped (PVC+TCNQ)/p-Si structures ». International Journal of Modern Physics B 28, no 23 (13 juillet 2014) : 1450153. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979214501537.
Texte intégralHong, J. H., et Jae Min Myoung. « Characteristics of HfO2 Dielectric Layer Grown by MOMBE ». Materials Science Forum 449-452 (mars 2004) : 1005–8. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.449-452.1005.
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