Littérature scientifique sur le sujet « Electrical measurements C-V and G-V »
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Articles de revues sur le sujet "Electrical measurements C-V and G-V"
Özden, Şadan, Ömer Güllü et Osman Pakma. « Room temperature I–V and C–V characteristics of Au/mTPP/p-Si organic MIS devices ». European Physical Journal Applied Physics 82, no 2 (mai 2018) : 20101. http://dx.doi.org/10.1051/epjap/2018180004.
Texte intégralPadma, R., et V. Rajagopal Reddy. « Electrical properties and the determination of interface state density from I-V, C-f and G-f measurements in Ir/Ru/n-InGaN Schottky barrier diode ». Физика и техника полупроводников 51, no 12 (2017) : 1698. http://dx.doi.org/10.21883/ftp.2017.12.45189.8340.
Texte intégralFaraz, Sadia Muniza, Wakeel Shah, Naveed Ul Hassan Alvi, Omer Nur et Qamar Ul Wahab. « Electrical Characterization of Si/ZnO Nanorod PN Heterojunction Diode ». Advances in Condensed Matter Physics 2020 (13 avril 2020) : 1–9. http://dx.doi.org/10.1155/2020/6410573.
Texte intégralPadovani, Andrea, Ben Kaczer, Milan Pesic, Attilio Belmonte, Mihaela Popovici, Laura Nyns, Dimitri Linten et al. « A Sensitivity Map-Based Approach to Profile Defects in MIM Capacitors From ${I}$ – ${V}$ , ${C}$ – ${V}$ , and ${G}$ – ${V}$ Measurements ». IEEE Transactions on Electron Devices 66, no 4 (avril 2019) : 1892–98. http://dx.doi.org/10.1109/ted.2019.2900030.
Texte intégralPananakakis, G., et G. Kamarinos. « Complete determination of the electrical interfacial parameters in Al-SiO2 (30 Å)-Si tunnel diodes using I–V, C–V, G–V measurements ». Surface Science Letters 168, no 1-3 (mars 1986) : A137. http://dx.doi.org/10.1016/0167-2584(86)90487-1.
Texte intégralPananakakis, G., et G. Kamarinos. « Complete determination of the electrical interfacial parameters in Al-SiO2 (30 Å)-Si tunnel diodes using I–V, C–V, G–V measurements ». Surface Science 168, no 1-3 (mars 1986) : 657–64. http://dx.doi.org/10.1016/0039-6028(86)90897-6.
Texte intégralAltındal, Şemsettin, Ali Barkhordari, Gholamreza Pirgholi-Givi, Murat Ulusoy, Hamidreza Mashayekhi, Süleyman Özçelik et Yashar Azizian-Kalandaragh. « Comparison of the electrical and impedance properties of Au/(ZnOMn:PVP)/n-Si (MPS) type Schottky-diodes (SDs) before and after gamma-irradiation ». Physica Scripta 96, no 12 (1 décembre 2021) : 125881. http://dx.doi.org/10.1088/1402-4896/ac43d7.
Texte intégralKoliakoudakis, C., J. Dontas, S. Karakalos, M. Kayambaki, S. Ladas, G. Konstantinidis, S. Kennou et Konstantinos Zekentes. « Fabrication and Characterization of Cr-Based Schottky Diode on n-Type 4H-SiC ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 651–54. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.651.
Texte intégralAfandiyeva, İ. M., İ. Dökme, Ş. Altındal, L. K. Abdullayeva et Sh G. Askerov. « The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al–TiW–Pd2Si/n-Si structure using I–V, C–V and G/ω–V measurements ». Microelectronic Engineering 85, no 2 (février 2008) : 365–70. http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2007.07.010.
Texte intégralGiannazzo, Filippo, Stefan Hertel, Andreas Albert, Antonino La Magna, Fabrizio Roccaforte, Michael Krieger et Heiko B. Weber. « Electrical Nanocharacterization of Epitaxial Graphene/Silicon Carbide Schottky Contacts ». Materials Science Forum 778-780 (février 2014) : 1142–45. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.778-780.1142.
Texte intégralThèses sur le sujet "Electrical measurements C-V and G-V"
Mohamad, Blend. « Electrical characterization of fully depleted SOI devices based on C-V measurements ». Thesis, Université Grenoble Alpes (ComUE), 2017. http://www.theses.fr/2017GREAT001/document.
Texte intégral.Thin film technologies appear as reliable solutions for Nano electronics to go beyond bulk silicon technology limits, allowing lower power bias and thus energy harvesting. Indeed, Metal Oxide Semiconductors transistors (MOSFETs) with fully depleted substrate (FDSOI for ’Fully Depleted Silicon On Insulator’) allow low static off-currents and variability improvement that enable the use of power supply biases lower than with bulk silicon, especially for SRAMs. From 14nm nodes, FDSOI generations are including SiGe channel, high-k dielectric and metal gate. All these new process modules required for technology improvement also significantly increase the complexity of the MOS devices electrical analysis and meanwhile its correlation with technology. This PhD study propose different novel methodologies for automatic and statistical parameter extraction of advanced FDSOI MOS gate stack. These methodologies are all based on capacitance versus voltage (C-V) characteristics, obtained for the capacitive coupling between metal gate, channel and back side. With such C-V characteristics, reliable methodologies are proposed, leading to the extractions of the equivalent oxide thicknesses (EOT), the effective work function of the FDSOI metal gate (WFeff), but also other parameters such as channel and buried oxide thicknesses (tch, tbox) and an effective electron affinity of the substrate well (Xeff) that includes all electrostatic effects in the buried oxide and at its interfaces. Moreover, quantum simulations are considered in order to validate the different methodologies. For experimental analysis, the study has considered coherence and complementarity of different test structures as well as the impact of back substrate polarization
Dřímalková, Lucie. « Elektrické charakteristiky diafragmového výboje v roztocích elektrolytů ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická, 2011. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-216707.
Texte intégralHaratek, Jiří. « Výpočet rozložení teplotního pole v elektrickém stroji ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2017. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-318865.
Texte intégralHorák, Luděk. « Analýza elektrických vlastností epoxidových pryskyřic s různými plnivy v teplotní a kmitočtové závislosti ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2018. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-376991.
Texte intégralMittner, Ondřej. « Určování velikosti plochy a rozměrů vybraných objektů v obraze ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2010. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-218637.
Texte intégralKolacia, Tomáš. « Měření elektrických veličin v distribučních sítích 22 kV a 0,4 kV s disperzními zdroji ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2015. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-221196.
Texte intégralSpradlin, Joshua K. « A Study on the Nature of Anomalous Current Conduction in Gallium Nitride ». VCU Scholars Compass, 2005. http://scholarscompass.vcu.edu/etd/709.
Texte intégralHalfar, Lukáš. « Automatizované měření asynchronního motoru pomocí LabVIEW ». Master's thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2016. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-242151.
Texte intégralDřímalková, Lucie. « Diagnostika diafragmového výboje ve vodných roztocích a jeho aplikace pro povrchovou úpravu nanomateriálů ». Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická, 2019. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-402110.
Texte intégralAhmed, Mustafa M. Abdalla. « Alternating-Current Thin-Film Electroluminescent Device Characterization ». Doctoral thesis, Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, 2008. http://www.nusl.cz/ntk/nusl-233432.
Texte intégralLivres sur le sujet "Electrical measurements C-V and G-V"
B, Shaub I͡U. Novye metody ėlektrometrii v morskikh issledovanii͡akh. Moskva : "Nauka", 1985.
Trouver le texte intégralZimin, E. F. Izmerenie parametrov ėlektricheskikh i magnitnykh poleĭ v provodi͡a︡shchikh sredakh. Moskva : Ėnergoatomizdat, 1985.
Trouver le texte intégralNauchno-prakticheskai︠a︡ konferent︠s︡ii︠a︡ Metrologii︠a︡ ėlektricheskikh izmereniĭ v ėlektroėnergetike (10th 2007 Moscow, Russia). Metrologii︠a︡ ėlektricheskikh izmereniĭ v ėlektroėnergetike : Doklady seminara, normativno-pravovai︠a︡ baza metrologii, informat︠s︡ii︠a︡ o kompanii︠a︡kh. Moskva : DialogĖlektro, 2007.
Trouver le texte intégralSegalʹ, A. M. Poverkhnostnyĭ ėffekt v tokoprovodakh i ėlementakh ėlektricheskikh apparatov. Sankt-Peterburg : Ėnergoatomizdat, Sankt-Peterburgskoe otd-nie, 1992.
Trouver le texte intégralProtasevich, E. T. Novye i︠a︡vlenii︠a︡ v fizike gazovogo razri︠a︡da i radiofizike. Tomsk : Izd-vo Tomsk. politekhn. universiteta, 2002.
Trouver le texte intégralProtasevich, E. T. Novye i︠a︡vlenii︠a︡ v fizike gazovogo razri︠a︡da i radiofizike. Tomsk : Izd-vo Tomsk. politekhn. universiteta, 2002.
Trouver le texte intégralSobolev, Valentin Viktorovich. Metody vychislitelʹnoĭ fiziki v teorii tverdogo tela : Ėlektronnai͡a︡ struktura poluprovodnikov. Kiev : Nauk. dumka, 1988.
Trouver le texte intégralSobolev, Valentin Viktorovich. Metody vychislitelʹnoĭ fiziki v teorii tverdogo tela : Ėlektronnai͡a︡ struktura dikhalʹkogenidov redkikh metallov. Kiev : Nauk. dumka, 1990.
Trouver le texte intégralDhiman, Rohit, et Rajeevan Chandel. VLSI and Post-CMOS Electronics : Devices, Circuits and Interconnects, Volume 2. Institution of Engineering & Technology, 2019.
Trouver le texte intégralDhiman, Rohit, et Rajeevan Chandel. VLSI and Post-CMOS Electronics : Design, Modelling and Simulation, Volume 1. Institution of Engineering & Technology, 2019.
Trouver le texte intégralChapitres de livres sur le sujet "Electrical measurements C-V and G-V"
Azarov, Alexander, Anders Hallén et Henry H. Radamson. « Electrical Characterization of Semiconductors : I–V, C–V and Hall Measurements ». Dans Analytical Methods and Instruments for Micro- and Nanomaterials, 197–240. Cham : Springer International Publishing, 2023. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-031-26434-4_7.
Texte intégralDavies, Richard J., Mary K. Brumfield et Maribeth Pierce. « Noninvasive Measurement of the Electrical Properties of Breast Epithelium During the Menstrual Cycle : A Potential Biomarker for Breast Cancer Risk ». Dans Hormonal Carcinogenesis V, 297–304. New York, NY : Springer New York, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-0-387-69080-3_27.
Texte intégralRen, Bingyan, Bei Guo, Yan Zhang, Bing Zhang, Hongyuan Li et Xudong Li. « Electrical Characterization and Measurements of Sin Thin Films On Crystalline Silicon Substrates By Pecvd ». Dans Proceedings of ISES World Congress 2007 (Vol. I – Vol. V), 1164–66. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2008. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-75997-3_231.
Texte intégralSrivastava, Ajay Kumar. « Analysis and TCAD Simulation for C/V, and G/V Electrical Characteristics of Gated Controlled Diodes for the AGIPD of the EuXFEL ». Dans Si Detectors and Characterization for HEP and Photon Science Experiment, 135–48. Cham : Springer International Publishing, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-030-19531-1_10.
Texte intégralPiotto, M., A. N. Longhitano, P. Bruschi, M. Buiat, G. Sacchi et D. Stanzial. « Design and Fabrication of a Compact p–v Probe for Acoustic Impedance Measurement ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 53–56. Cham : Springer International Publishing, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-00684-0_10.
Texte intégralWatcharinporn, Orrathai, Surachai Dechkunakorn, Niwat Anuwongnukroh, Chanjira Sinthanayothin, Peerapong Santiwong, Wisarut Bholsithi et Wanna Suchato. « Assessment of the Accuracy and Reliability of Cephsmile v.2 in Cephalograms and Model Measurements ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 413–22. Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg, 2012. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-642-27323-0_52.
Texte intégralGhivela, Girish Chandra, Prince Kumar et Joydeep Sengupta. « Numerical Measurement of Oscillating Parameters of IMPATT Using Group IV and Group III–V Materials ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 405–12. Singapore : Springer Singapore, 2019. http://dx.doi.org/10.1007/978-981-32-9775-3_37.
Texte intégralStanzial, D., M. Buiat, G. Sacchi, P. Bruschi et M. Piotto. « Functional Comparison of Acoustic Admittance Measurements with a CMOS-Compatible p–v Microprobe and a Reference One ». Dans Lecture Notes in Electrical Engineering, 57–60. Cham : Springer International Publishing, 2013. http://dx.doi.org/10.1007/978-3-319-00684-0_11.
Texte intégralOnnes, H. Kamerlingh. « Further Experiments with Liquid Helium. D. On the Change of the Electrical Resistance of Pure Metals at very low Temperatures, etc. V. The Disappearance of the resistance of mercury ». Dans Through Measurement to Knowledge, 264–66. Dordrecht : Springer Netherlands, 1991. http://dx.doi.org/10.1007/978-94-009-2079-8_16.
Texte intégralGupta, Divya, Usha Rani, Rahul Singhal et Sanjeev Aggarwal. « Oblique Ar+ Sputtered SiC Thin Films : Structural, Optical, and Electrical Properties ». Dans Ion Beam Technology and Applications [Working Title]. IntechOpen, 2023. http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.112928.
Texte intégralActes de conférences sur le sujet "Electrical measurements C-V and G-V"
Hauser, J. R., et K. Ahmed. « Characterization of ultra-thin oxides using electrical C-V and I-V measurements ». Dans CHARACTERIZATION AND METROLOGY FOR ULSI TECHNOLOGY. ASCE, 1998. http://dx.doi.org/10.1063/1.56801.
Texte intégralRichardson, W. H., et Y. Yamamoto. « Quantum Correlation Between the Junction Voltage Fluctuation and the Photon Number Fluctuation in a Semiconductor Laser ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1990. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1990.pdp15.
Texte intégralLai, LiLung, Nan Li, Qi Zhang, Tim Bao et Robert Newton. « Nanoprobing Applications with Capacitance-Voltage and Pulsed Current-Voltage Measurements for Device Failure Analysis ». Dans ISTFA 2015. ASM International, 2015. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2015p0401.
Texte intégralIyer, D., A. Messinger, R. Crowder, Y. Zhang, O. Amster, S. Friedman, Y. Yang et F. Stanke. « Measurement of Dielectric Constant and Doping Concentration of a Cross-Sectioned Device by Quantitative Scanning Microwave Impedance Microscopy ». Dans ISTFA 2017. ASM International, 2017. http://dx.doi.org/10.31399/asm.cp.istfa2017p0613.
Texte intégralBaviere, R., et F. Ayela. « First Local Pressure Drops Measurements in Microchannels With Integrated Micromachined Strain Gauges ». Dans ASME 2004 2nd International Conference on Microchannels and Minichannels. ASMEDC, 2004. http://dx.doi.org/10.1115/icmm2004-2406.
Texte intégralCroitoru, N., M. Zafrir, S. Amirhaghi et Z. Harzion. « Schottky-type photovoltaic junctions with transparent conductor films ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1985. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1985.fr6.
Texte intégralPalanisamy, Vinothkumar, Jan Ketil Solberg, Bjarne Salberg et Per Thomas Moe. « Microstructure and Mechanical Properties of API 5CT L80 Casing Grade Steel Quenched From Different Temperatures ». Dans ASME 2012 31st International Conference on Ocean, Offshore and Arctic Engineering. American Society of Mechanical Engineers, 2012. http://dx.doi.org/10.1115/omae2012-83937.
Texte intégralCarlton, Hayden, Md Maksudul Hossain, Arman Ur Rashid, Yuxiang Chen, Alan Mantooth, Asif Imran, Fang Luo, John Harris, Alexis Krone et David Huitink. « Thermal and Electrical Co-Optimization of a Multi-Chip Double-Sided Cooled GaN Module ». Dans ASME 2021 International Technical Conference and Exhibition on Packaging and Integration of Electronic and Photonic Microsystems. American Society of Mechanical Engineers, 2021. http://dx.doi.org/10.1115/ipack2021-72726.
Texte intégralDucharme, Stephen, Jack Feinberg et Ratnakar Neurgaonkar. « Electrooptic and piezoelectric measurements in photorefractive materials ». Dans OSA Annual Meeting. Washington, D.C. : Optica Publishing Group, 1986. http://dx.doi.org/10.1364/oam.1986.mv6.
Texte intégralOthman, Nur Tantiyani Ali, Je-Eun Choi et Masahiro Takei. « Electrical Tomography Sensing and Dielectrophoresis in Microchannel for 3D Particle Mixing ». Dans ASME 2011 9th International Conference on Nanochannels, Microchannels, and Minichannels. ASMEDC, 2011. http://dx.doi.org/10.1115/icnmm2011-58232.
Texte intégral