Articles de revues sur le sujet « Dry etch »
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Lee, Jong Seok, Geun Min Choi, Ji Nok Jung, Dong Duk Lee, Gin Yung Hur, Jai Ho Lee, Che Hyuk Chi et Dae Hee Gimm. « Development of a Integrated Dry/Wet Hybrid Cleaning System ». Solid State Phenomena 195 (décembre 2012) : 21–24. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.195.21.
Texte intégralCastro, Marcelo S. B., Sebastien Barnola et Barbara Glück. « Selective and Anisotropic Dry Etching of Ge over Si ». Journal of Integrated Circuits and Systems 8, no 2 (28 décembre 2013) : 104–9. http://dx.doi.org/10.29292/jics.v8i2.380.
Texte intégralPARK, JONG CHEON, JIN KON KIM, TAE GYU KIM, DEUG WOO LEE, HYUN CHO, HYE SUNG KIM, SU JONG YOON et YEON-GIL JUNG. « DRY ETCHING OF SnO2 AND ZnO FILMS IN HALOGEN-BASED INDUCTIVELY COUPLED PLASMAS ». International Journal of Modern Physics B 25, no 31 (20 décembre 2011) : 4237–40. http://dx.doi.org/10.1142/s0217979211066660.
Texte intégralLenzi, Tathiane Larissa, Fabio Zovico Maxnuck Soares et Rachel de Oliveira Rocha. « Does Bonding Approach Influence the Bond Strength of Universal Adhesive to Dentin of Primary Teeth ? » Journal of Clinical Pediatric Dentistry 41, no 3 (1 janvier 2017) : 214–18. http://dx.doi.org/10.17796/1053-4628-41.3.214.
Texte intégralSzweda, Roy. « Dry etch processes for optoelectronic devices ». III-Vs Review 14, no 1 (janvier 2001) : 42–47. http://dx.doi.org/10.1016/s0961-1290(01)89007-4.
Texte intégralChiang, Chao-Ching, Xinyi Xia, Jian-Sian Li, Fan Ren et Stephen J. Pearton. « Selective Wet and Dry Etching of NiO over β-Ga2O3 ». ECS Transactions 111, no 2 (19 mai 2023) : 73–83. http://dx.doi.org/10.1149/11102.0073ecst.
Texte intégralAltamirano-Sanchez, Efrain, Yoko Yamaguchi, Jeffrey Lindain, Naoto Horiguchi, Monique Ercken, Marc Demand et Werner Boullart. « Dry Etch Fin Patterning of a Sub-22nm Node SRAM Cell : EUV Lithography New Dry Etch Challenges ». ECS Transactions 34, no 1 (16 décembre 2019) : 377–82. http://dx.doi.org/10.1149/1.3567607.
Texte intégralFarrow, Woodrow D., et Jay Richman. « Summary Abstract : Advanced dry etch processing with a DRY pump ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 6, no 3 (mai 1988) : 1263. http://dx.doi.org/10.1116/1.575686.
Texte intégralHeidenblut, Maria, D. Sturm, Alfred Lechner et Franz Faupel. « Characterization of Post Etch Residues Depending on Resist Removal Processes after Aluminum Etch ». Solid State Phenomena 145-146 (janvier 2009) : 349–52. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.145-146.349.
Texte intégralKang, In Ho, Wook Bahng, Sung Jae Joo, Sang Cheol Kim et Nam Kyun Kim. « Post Annealing Etch Process for Improved Reverse Characteristics of 4H-SiC Diode ». Materials Science Forum 615-617 (mars 2009) : 663–66. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.663.
Texte intégralSung, Da In, Hyun Woo Tak, Dong Woo Kim et Geun Young Yeom. « A comparative study of Cx(x = 4, 5, 7)F8 plasmas for dry etch processing ». Materials Express 10, no 6 (1 juin 2020) : 903–8. http://dx.doi.org/10.1166/mex.2020.1776.
Texte intégralPelka, J., K. P. Muller et H. Mader. « Simulation of dry etch processes by COMPOSITE ». IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems 7, no 2 (1988) : 154–59. http://dx.doi.org/10.1109/43.3144.
Texte intégralRahman, M. « Channeling and diffusion in dry-etch damage ». Journal of Applied Physics 82, no 5 (septembre 1997) : 2215–24. http://dx.doi.org/10.1063/1.366028.
Texte intégralShul, R. J., G. B. McClellan, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. Constantine et C. Barratt. « Comparison of dry etch techniques for GaN ». Electronics Letters 32, no 15 (1996) : 1408. http://dx.doi.org/10.1049/el:19960943.
Texte intégralNorasetthekul, S., P. Y. Park, K. H. Baik, K. P. Lee, J. H. Shin, B. S. Jeong, V. Shishodia, E. S. Lambers, D. P. Norton et S. J. Pearton. « Dry etch chemistries for TiO2 thin films ». Applied Surface Science 185, no 1-2 (décembre 2001) : 27–33. http://dx.doi.org/10.1016/s0169-4332(01)00562-1.
Texte intégralMcDaniel, G., J. W. Lee, E. S. Lambers, S. J. Pearton, P. H. Holloway, F. Ren, J. M. Grow, M. Bhaskaran et R. G. Wilson. « Comparison of dry etch chemistries for SiC ». Journal of Vacuum Science & ; Technology A : Vacuum, Surfaces, and Films 15, no 3 (mai 1997) : 885–89. http://dx.doi.org/10.1116/1.580726.
Texte intégralHu, Evelyn L., et Ching-Hui Chen. « Dry etch damage in III–V semiconductors ». Microelectronic Engineering 35, no 1-4 (février 1997) : 23–28. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(96)00123-2.
Texte intégralHussain, Muhammad Mustafa, Gabriel Gebara, Barry Sassman, Sidi Lanee et Larry Larson. « Highly selective isotropic dry etch based nanofabrication ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 25, no 4 (2007) : 1416. http://dx.doi.org/10.1116/1.2756544.
Texte intégralZhu, Tongtong, Petros Argyrakis, Enrico Mastropaolo, Kin Kiong Lee et Rebecca Cheung. « Dry etch release processes for micromachining applications ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 25, no 6 (2007) : 2553. http://dx.doi.org/10.1116/1.2794074.
Texte intégralMorshed, Muhammad M., et Stephen M. Daniels. « Investigation of Dry Plasma Etching of Silicon ». Advanced Materials Research 83-86 (décembre 2009) : 1051–58. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.83-86.1051.
Texte intégralCho, Yoon Jae, Su Myung Ha et Chee Won Chung. « Effect of Thickness and Sidewall Slope of Photoresist Mask on Etch Profile of Copper Interconnect ». ECS Meeting Abstracts MA2024-01, no 30 (9 août 2024) : 1517. http://dx.doi.org/10.1149/ma2024-01301517mtgabs.
Texte intégralAdesida, I., C. Youtsey, A. T. Ping, F. Khan, L. T. Romano et G. Bulman*. « Dry and Wet Etching for Group III – Nitrides ». MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 4, S1 (1999) : 38–48. http://dx.doi.org/10.1557/s1092578300002222.
Texte intégralGuo, Ted, Wesley Yu, C. C. Chien, Euing Lin, N. H. Yang, J. F. Lin, J. Y. Wu et al. « Single Wafer Selective Silicon Nitride Removal with Phosphoric Acid and Steam ». Solid State Phenomena 219 (septembre 2014) : 97–100. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.219.97.
Texte intégralYoon, Ho-Won, Seung-Min Shin, Seong-Yong Kwon, Hyun-Min Cho, Sang-Gab Kim et Mun-Pyo Hong. « One-Step Etching Characteristics of ITO/Ag/ITO Multilayered Electrode in High-Density and High-Electron-Temperature Plasma ». Materials 14, no 8 (17 avril 2021) : 2025. http://dx.doi.org/10.3390/ma14082025.
Texte intégralXu, Ya-dong, Zhao-jian Wu, Meng-xiang Sun, Fu-gang Zhang et Zhen-yu Wang. « P‐40 : TFT‐LCD a‐Si Wet Etch Technology ». SID Symposium Digest of Technical Papers 54, no 1 (juin 2023) : 1462–65. http://dx.doi.org/10.1002/sdtp.16864.
Texte intégralJiang, Li Li, Shi Xing Jia et J. Zhu. « The Oxygen Plasma Dry Release Process of the Membrane Bridge of RF MEMS Switches ». Key Engineering Materials 562-565 (juillet 2013) : 1238–41. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.562-565.1238.
Texte intégralZhong, Zhi Qin, Cheng Tao Yang, Guo Jun Zhang, Shu Ya Wang et Li Ping Dai. « Inductively Coupled Plasma Etching of Pt/Ti Electrodes in Cl-Based Plasma ». Advanced Materials Research 721 (juillet 2013) : 346–49. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/amr.721.346.
Texte intégralSaeki, H., A. Shigetomi, Y. Watakabe et T. Kato. « High Sensitivity, Dry‐Etch‐Resistant Negative EB Resist ». Journal of The Electrochemical Society 133, no 6 (1 juin 1986) : 1236–39. http://dx.doi.org/10.1149/1.2108825.
Texte intégralPearton, S. J., J. W. Lee, J. M. Grow, M. Bhaskaran et F. Ren. « Thermal stability of dry etch damage in SiC ». Applied Physics Letters 68, no 21 (20 mai 1996) : 2987–89. http://dx.doi.org/10.1063/1.116672.
Texte intégralPearton, S. J., J. W. Lee, J. D. MacKenzie, C. R. Abernathy et R. J. Shul. « Dry etch damage in InN, InGaN, and InAlN ». Applied Physics Letters 67, no 16 (16 octobre 1995) : 2329–31. http://dx.doi.org/10.1063/1.114334.
Texte intégralPearton, S. J., U. K. Chakrabarti, F. Ren, C. R. Abernathy, A. Katz, W. S. Hobson et C. Constantine. « New dry-etch chemistries for III–V semiconductors ». Materials Science and Engineering : B 25, no 2-3 (juillet 1994) : 179–85. http://dx.doi.org/10.1016/0921-5107(94)90222-4.
Texte intégralTang, Chen, Atsushi Sekiguchi, Yosuke Ohta, Yoshihiko Hirai et Masaaki Yasuda. « Surface property control for 193 nm immersion resist by addition of Si compound ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B 41, no 1 (janvier 2023) : 012602. http://dx.doi.org/10.1116/6.0002128.
Texte intégralAhmad, Habib, Zachary Engel, Muneeb Zia, Alex S. Weidenbach, Christopher M. Matthews, Bill Zivasatienraj, Muhannad S. Bakir et W. Alan Doolittle. « Cascaded Ni hard mask to create chlorine-based ICP dry etched deep mesas for high-power devices ». Semiconductor Science and Technology 36, no 12 (12 novembre 2021) : 125016. http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac3372.
Texte intégralBai, Chuannan, Eugene Shalyt, Guang Liang et Peter Bratin. « Monitoring of Wet Etch for Wafer Thinning and Via Reveal Process ». International Symposium on Microelectronics 2013, no 1 (1 janvier 2013) : 000008–12. http://dx.doi.org/10.4071/isom-2013-ta13.
Texte intégralKleinschmidt, Ann-Kathrin, Lars Barzen, Johannes Strassner, Christoph Doering, Henning Fouckhardt, Wolfgang Bock, Michael Wahl et Michael Kopnarski. « Precise in situ etch depth control of multilayered III−V semiconductor samples with reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) equipment ». Beilstein Journal of Nanotechnology 7 (21 novembre 2016) : 1783–93. http://dx.doi.org/10.3762/bjnano.7.171.
Texte intégralKnowles, Matthew, Andy Hooper et Kip Pettigrew. « Laser Processing and Integration for Si Interposers and 3D Packaging Applications ». Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 2012, DPC (1 janvier 2012) : 001783–806. http://dx.doi.org/10.4071/2012dpc-wp15.
Texte intégralKim, Taek-Seung, et Ji-Myon Lee. « Fabrication of Nanostructures by Dry Etching Using Dewetted Pt Islands as Etch-masks ». Korean Journal of Materials Research 16, no 3 (27 mars 2006) : 151–56. http://dx.doi.org/10.3740/mrsk.2006.16.3.151.
Texte intégralHuang, Hsien-Chih, Zhongjie Ren, Clarence Chan et Xiuling Li. « Wet etch, dry etch, and MacEtch of β-Ga2O3 : A review of characteristics and mechanism ». Journal of Materials Research 36, no 23 (10 novembre 2021) : 4756–70. http://dx.doi.org/10.1557/s43578-021-00413-0.
Texte intégralChoi, Jae Hak, Phil Hyun Kang, Young Chang Nho et Sung Kwon Hong. « POSS-Containing Nanocomposite Materials for Next Generation Nanolithography ». Solid State Phenomena 119 (janvier 2007) : 299–302. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.119.299.
Texte intégralShang, Zheng Guo, Dong Ling Li, Sheng Qiang Wang et Jian Hua Liu. « Application of ICP Deep Trenches Etching in the Fabrication of FBAR Devices ». Key Engineering Materials 503 (février 2012) : 293–97. http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/kem.503.293.
Texte intégralChen, Wei, Masahiro Itoh, Toshio Hayashi et Tajiro Uchida. « Dry Etch Process in Magnetic Neutral Loop Discharge Plasma ». Japanese Journal of Applied Physics 37, Part 1, No. 1 (15 janvier 1998) : 332–36. http://dx.doi.org/10.1143/jjap.37.332.
Texte intégralRahman, M., N. P. Johnson, M. A. Foad, A. R. Long, M. C. Holland et C. D. W. Wilkinson. « Model for conductance in dry‐etch damagedn‐GaAs structures ». Applied Physics Letters 61, no 19 (9 novembre 1992) : 2335–37. http://dx.doi.org/10.1063/1.108235.
Texte intégralWang, J. J., J. R. Childress, S. J. Pearton, F. Sharifi, K. H. Dahmen, E. S. Gillman, F. J. Cadieu, R. Rani, X. R. Qian et Li Chen. « Dry Etch Patterning of LaCaMnO3 and SmCo Thin Films ». Journal of The Electrochemical Society 145, no 7 (1 juillet 1998) : 2512–16. http://dx.doi.org/10.1149/1.1838670.
Texte intégralSarrazin, Aurelien, Nicolas Posseme, Patricia Pimenta-Barros, Sébastien Barnola, Ahmed Gharbi, Maxime Argoud, Raluca Tiron et Christophe Cardinaud. « PMMA removal selectivity to polystyrene using dry etch approach ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B, Nanotechnology and Microelectronics : Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 34, no 6 (novembre 2016) : 061802. http://dx.doi.org/10.1116/1.4964881.
Texte intégralHajj-Hassan, M., M. Cheung et V. Chodavarapu. « Dry etch fabrication of porous silicon using xenon difluoride ». Micro & ; Nano Letters 5, no 2 (2010) : 63. http://dx.doi.org/10.1049/mnl.2009.0107.
Texte intégralPelka, J. « The influence of ion scattering on dry etch profiles ». Journal of Vacuum Science & ; Technology B : Microelectronics and Nanometer Structures 7, no 6 (novembre 1989) : 1483. http://dx.doi.org/10.1116/1.584517.
Texte intégralLETZKUS, F. « Dry etch processes for the fabrication of EUV masks ». Microelectronic Engineering 73-74 (juin 2004) : 282–88. http://dx.doi.org/10.1016/s0167-9317(04)00112-1.
Texte intégralBond, P., P. Sengupta, Kevin G. Orrman-Rossiter, G. K. Reeves et P. J. K. Paterson. « Dry Etching of Indium Phosphide ». MRS Proceedings 262 (1992). http://dx.doi.org/10.1557/proc-262-1073.
Texte intégralLothian, J. R., J. M. Kuo, S. J. Pearton et F. Ren. « Wet and Dry Etching of InGaP ». MRS Proceedings 240 (1991). http://dx.doi.org/10.1557/proc-240-307.
Texte intégral« Dry etch chemical safety ». Microelectronics Reliability 27, no 4 (janvier 1987) : 788. http://dx.doi.org/10.1016/0026-2714(87)90097-7.
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